JPS608250A - ベンゾニトリル類 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は新規な液晶化合物及びその製造に関する。また
、本発明は電子−光学（ｅｌｅｃｔｒｏ−ｏｐｔｉｃα
ｌ）及びクロマトグラフィーの、目的のための本化合物
の使用並びに本化合物を含む液晶混合物に関する。

液晶物質は、かかる物質の光学的特性が電場によって影
響され得るために、電子−光学表示装置における誘電体
として主に重要である。液晶をペースとする電子−光学
装置は当該技術者にとってはよく知られており、穏々な
効果、例えば動的散乱（ｄｙｎｒｙｎｉｃ　ｓｃａｔｔ
ｅｒｉｎｇ　）、弊列した相の変形（ＪＪ　Ａ　Ｐタイ
プ）、シャット−へルフリツヒ効果　（ＳＣんａｄｔ−
Ｊｌｅｌｆｒｉｃｈ　ｅｆｆｅｃｔ　）　（回転−ヒ／
ｌｚ風コレステリツクーネーｑｆイク（ｃｌＬｏｌｅｓ
ｔｅｒｉｃ−ｎｅｍａｔｉｃ）相転移或いはゲスト／ホ
７．　ｌ−（ｇｒｂｅｓｔ／ｈｏｓｔ）効果（「／ｆ′
スト／ホストセル」）に基ずくことかできる。

しかしながら、これらの効果の有利な技術的応用のため
に、使用する物質が多くの追加の必要性を満すことが重
要である。例えばこれらの物質は熱、水分、空気、電ｇ
、気照射（紫外、可視及び赤外線領域において）、電場
等に対して良好な化学的安定性をもたねばならず、該物
質は無色でなければならず、そしてセルに用いた際に良
好なコントラストを示さねばならない。更にこれらの物
質は低粘度及び短い応答時間をもつべきであシ、そして
液晶セルを操作する全体の７昌度範囲においてネマテイ
ク（ｎｅｍａｔｉｃ　）　ｉたはコレステリック（ｃｌ
Ｌｏｌｅｓｔｅｒｉｃ　）中間相（ｍｅｓｏｐｈａｓｅ
　）をもつべきである。使用するセルのタイプに応じて
、他の特性、例えば誘電異方性、閾値電位（ｔｈ、ｒｅ
ｓｈ−ｏｌｄ　ｐｏｔｅｎｔｉａｌ　ｌ　及び伝導率が
異なる条件で満されなければならない。

一般に単一の化合物によって全ての望ましい特性及び成
る程度の相反する特性を得ることが不可能であるために
、通常は２種またはそれ以上の化合物の混合物を製造す
４る。しかしながらこの場合に、各成分が相互に化学的
反応を受けてはならないこと、そしてまた該成分は室温
及びこれよシ低温で良好な混和性をもたねばならないこ
とを考慮しなければならない。更に、混合物は少なくと
も液晶セルを操作する温度でスメクティク（ｓｍｅｃ−
ｔｉｃ　）中間相をもつべきでない。

正の誘電異方性（△ε＝ε１１−εｘ　＞０．６Ｈは分
子の縦軸に沿う誘電率を表わし、そしてε工はこれに垂
直な誘電率を表わす）をもつ液晶はそれ自体電場におい
て最も大きい誘電率の方向、即ち分子の縦軸に沿って、
電場の方向に垂直に配向する。この効果はなかでも上記
の回転セル及びケ゛スト／ホストセルに用いられる。低
閾値電位を保持するために、これらの場合Ｖこ用いる液
晶物質は誘電率の比較的高い異方性をもつべきである。

しかしながら一方、誘電率の大きな正の異方性をもつ化
合物は一般に、該化合物が同時に液晶物質の粘度を増大
させる利点を有する。

本発明は一般式 式中　Ｍｅ　＋′、、　Ｘ　１及びＸ２の一方はエチレ
ン基−０Ｍ２ＣＢ、、−を表わし且つ他方はエチレン基
−ＣＨ，ＣＨ２−または１つの共有結合を表わし、環、
イは１，４−フェニレンまたはトランス−１，４−シク
ロヘキシレン全表わし、そしてＲＩは直鎖状のＣ１〜Ｃ
１２−アルキル或いはまた１、４−フェニレン頂上の直
鎖状のＣ′１〜Ｃ１２−アルコキクを表わす、 の化合物を一つの目的とする。

本発明によって提供される化合物は同時に誘電率の大き
な正の異方性及び比較的低粘度にもかかわらず高い透明
点を有する。本化合物は無色であシ、極めて良好な化学
的及びブと化学的安定性を有し、そしてまた残りの必璧
とする殖性を有している。本化合物は他の液晶と良好な
混和性を有するために、該化合物は広い適用分野を有す
る。

更に本発明によって提供される化合物はまたガスクロマ
トグラフィーにおいて固定相のために或いは固定相とｌ
−で用いることもできる。殊に、本化合物は異性体混合
物（例えばシス／トランス置換されたシクロヘキサン類
、二重結合異性体等）の分前に適している。

上記式■には、ｐ−〔トランス−４−（２−（ｐ−アル
キルフェニルまたはｐ−アルコキンフェニル）エチル〕
シクロヘキシル〕ベンゾニトリル類、ｐ−〔トランス−
４−Ｃ２−（）ランス−４−アルキルシクロヘキシル）
エチルコシクロヘキシル〕ぺ／ジニトリルＭ、ｐ−Ｃ２
−Ｃトランス−４−（ｐ−アルキルフェニル７鼾り（４
ｐ−アルコキンフェニル）シクロヘキシル〕エチル〕ベ
ンゾニトリル類、ｐ−［２−（）ランス−４−（トラン
ス−４−アルキルシクロヘキシル）シクロヘキシル〕エ
チル〕ベンゾニトリルＭ、ｐ−（２−〔トランス−４−
［−（ｐ−アルキルフェニル−＆　ｆｃ　Ｉｔ、ｋ　ｐ
−アルコキンフェニル）エチルコシクロヘキシル」エチ
ル〕ベンゾニトリル類及びｐ−＋）−［ランス−４−ｔ
ｌ：２−　（）ランス−４−アルギルシクロヘキシル）
エチル〕シクロヘキシル〕エチル〕ベンゾニトリル類が
包含され、ここに各々の場合にアルキルはメチル、エチ
ル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル
、オクチル、ノニル、デシル、ウンデシル及びドデシル
を表わし、そして各々の場合にアルコキシはメトキシ、
エトキシ、プロピルオキシ、ブチルオキシ、ペンチルオ
キシ、ヘキシルオキシ、ヘゾチルオギシ、オクチルオキ
シ、ノニルオキシ、デシルオキシ、ウンデシルオキシ及
びドデシルオキシを表わす。

Ｒ１によって表わされる好ましいアルキル及びアルコキ
シ基はＣ８〜Ｃ７−アルキル及び０１〜Ｃ０−アルコキ
シである。更にＲ１が直鎖状のアルキルを表わす式■の
化合物が原則的に好ましい。

式Ｉの化合物は本発明に従えば、 α）　Ｘ２がエチレン基を表わす式■の化合物を製造す
るために、一般式 式中、Ｘｌはエチレン基−Ｃ１１２ＣＪＩ２−　’！た
は１つの共廂結合を表わし、そしてｘＱ　、を及びＲ１
は上記の意味を有する、 の化合物を接触水素添加するか、 ｂ）　Ｘｌがエチレン基を表わし、Ｘ２が１つの共有結
合を表わし、そして’ｆＪＪＡが１，４−フェニレンを
表わす式■の化合物を製造するために、一般式 式中、ｊ？１は上記の意味を有する、 の化合物を接触水素添加するか、或いはＣ）Ｘ’がエチ
レン基を表わし、Ｘ２が１つの共有結合を表わし、そし
てｆ’ｄＡがトランス−１゜４−シクロヘキシレンを表
わす式Ｉの化合物を製造するメこめに、一般式 式中、ｊ？ｌは上記の意味を有する、 の化合物を脱水する ことによって製造することができる。

式１［及びＩＩＩの化合物の接触水シχ添加はそれ自体
公知の方法において、通常の水素添加触謀例えばパラジ
ウム、白金、ラネーニッケル等、好ましくはパラジウム
を用いて行うことができる。溶媒として無極性の不活性
有機溶媒例えば飽和エーテルまたはエステル、或いは飽
オＩＩ−Ｉ：だは芳香族炭化水素例えばヘキサン、トル
エン等が有利に用いられる。幅だ〔及び圧力は臨界的で
はない。接触水素添加は室温乃至混合物の沸点間の温間
及び約１〜５気圧で有オリに行われる。

まだ、式■のアミドの脱水はそれ自体公知の方法におい
て行うことができる。適当な脱水剤は例えばオキシ塩化
リン、五酸化リン、塩化チオニル、酢酸無水物及び特に
塩化ベンゼンスルホニルである。必要に応じて、この脱
水は不活性有機溶媒（例えば炭化水素またはハロケ°ン
化された炭化水素）中で、そして／′ｉ１．たは塩基（
例えばビリリンまだはトリエチルアミン）の存在下にお
いて行うことができる。温度及び圧力は臨界的ではない
。

しかしながら、この脱水は好ましくは約５０’Ｃ，乃至
混合物の還流までの温度及び大気圧下で行われる。

式１１　＋−■の化合物は新規のものであり、そして捷
だ本発明の一目的である。これらのものは公知の化合物
からそれ自体公知の方法において製造することができる
。

例えば弐■）の化合物はｐ−シアノペンジルートリフエ
ニ？レホスホニウムハライド及び適当なシクロヘキサン
カルボキシアルデヒドからビッテイヒ（Ｗｉｔｔｉｇ）
反応によって製造することができる。

シクロへギザンカルポキンアルデヒドは対応する公知の
シクロヘキサンカルボニトリルから水素化ソイソフ゛チ
ルアルミニウムによる還元によって得られる。

式■の化合物は例えば４−（ｐ−シアノフェニル）シク
ロヘキサンカルボキシアルデヒド及ヒｐ−（アルキルま
たはアルコキシ）ベンジル−トリフェニルホスホニウム
ハライドがらビッテイヒ反応によって製造することがで
きる。４−（ｐ−シアノフェニル）シクロヘキサンカル
ボキシアルデヒドＩｒ１４−（ｐ−シアノフェニル）シ
クロヘキサノンから、メトキシメチル−トリフェニルホ
スホニウムクロライドとの反応、そして次いでエノール
エーテルの加水分解によって得られる。

式１ｖの化合物は例えば、２−（トランス−４−アルキ
ルシクロヘキシル）エチル−トリフェニルホスホニウム
ハライドをピッテイヒ反応において４−＜ｐ−シアノフ
ェニル）シクロヘキサノンと反応させ、得られる不飽和
二）　ＩＪルをケン化及び次いでノぐラジウムの存在下
において接触水素添加に付し、得られる飽和カルボン酸
を酸塩化物に転化しく例えば塩化チオニルにょシ）、そ
して最後にこの酸塩化物をアンモニアと反応させること
によって製造することができる。更に式■の化合物の製
造方法は２−（トランス−４−アルキルシクロヘキシル
）エチル−トリフェニルホスホニウムハライドをビツテ
イヒ反応において４−フェニルシクロヘキサノンと反応
させ、得られる化合物を・ぐラジウムの存在下において
接触水素添加し、その生成物を三塩化アルミニウムの存
在下において塩化アセチルによるフリーデル−クラフッ
（Ｆｒ１ｅｄｅｔ−Ｃｒａｆｔｓ　）　アセチル化そし
て次にハイポハライド（例えば次亜塩素酸ナトリウム）
との反応によってカルボン酸に転化し、最後に該カルボ
ン酸？Ｌ−酸塩化物を介して上記の如くして所望のアミ
ドに転化することからなる。２−（トランス−４−アル
キルシクロヘキシル）エチルートリフェニルホスホニウ
ムハライドハ、トランス−４−アルキルシクロへキザン
カルゴキシアルデヒドをメトキシメチルート１、リフェ
ニルホスホニウムクロライドと反応させ、このエノール
エーテルヲ加水分解し、このアルデヒドを水素化ホウ素
ナトリウムで還元し、そして最後に得られるアルコール
をハライドを介してホスホニウム塩に転化することによ
って得ることができる。

本発明における液晶混合物は少なくとも２種の成分を含
み、その少なくともｌ成分は式■の化合物である。１４
電またはそれ以上の式Ｉの化合物に加えて、本発明によ
る混合物には１ｆ１１ｉまたはそれ以上の追加の適当な
液晶または非液晶性物質、例えばシッフ（５ｃｈｉｊ’
ｆ’ｓ　）塩基、アゾベンゼン類、アゾキシベンゼン類
、２〜５個の炭素環式板をもつエステル類、ビフェニル
類、ターフェニル頌、フェニルシクロヘキサン類、シク
ロヘキシルビフェニル類、ピリミジン類、ソオキサン類
、ビシクロオクタン類、２〜４個の炭素環式坏そをもつ
エタン誘心体等の群からの物質を含ませることができる
。かかる物質は当該分野に精通せる者にとっては公知の
ものであり、更にその多くのものが市販されている。

本５Ｊう明によって提供される液晶混合物は好ましくは
１種またはそれ以上の式■の化合物及び次の一般式の化
合物の１種またはそれ以上を含有する：１ｌｌ Ｘｖ 式中、Ｒ２及びＲ３は直鎖状のＣ１〜Ｃ７−アルキルを
表わし、Ｒ４はシアノ、直鎖状のＣ１〜Ｃ，−フルキル
または直鎖状のＣ１〜Ｃ７−アルコキシを表わし、ｎは
数１または２を表わし、そして環Ａ及びＢは１．４−フ
ェニレンまタハトランス−１゜４−シクロヘキシレンヲ
表ワス。

本発明によって提供される混合物には適当な光学的活性
化合物（例えば光学的活性ピフェニル類）及び／またけ
二色性（ｄｉｃｈｒｏｉｃ　）着色物質（例えばアゾ、
アゾキシ及びアントラキノン着色物質）を含まぜること
ができる。かかる化合物の量は溶解度及び所望の色調（
ｐｉｔｃｈ　）、色、吸光等によつ−Ｃ決定される。好
ましくは光学的活性化合物の量は多くとも約４重量％で
あシ、そして二色性着色物質の量は多くとも約１０重量
％である。

本発明によって提供される混合物中の式Ｉの化合物の量
は広１・ｎ囲に変えることができる。本発明によりで提
供される混合物は２種またはそれ以上の式Ｉの化合物か
らなることができる。しかしながら、一般に、該混合物
は式Ｉの化合物の少なくとも約１重量％、そｌ−て多く
とも約２５重量％を含有する。弐Ｉの化合物の量は好ま
しくは約３〜１５重量％である。

液晶混合物及び電子−光学装置の製造はそれ自体公知の
方法において行うことができる。

ガスクロマトグラフィーにおいて液晶性固定相のために
、まだは該固定相として、本発明によって提供される化
合物をそれ自体公知の方法において且つ通常の担体物質
に担持させて用いることができる。本発明によって提供
される化合物は、通常の固定相を用いて分離できないか
、或いは分ｈ１困難である異性体混合物の分割に対して
特に適当である。

まだ、本発明は本明細書に述べた全ての新規化合物、混
合物、方法、用途及び装置に関する。

本発明によって提供される化合物の製造を以下の実施例
に基すき更に詳細に説明する。実施例中、Ｃは結晶相を
表わし、Ｓはスメクテイク相を表わし、Ｎはネマチック
相を表わし、そしてＩはイントロぎツク（１ｓｏｔｒｏ
ｐｉｃ　）相を表わす。

実施例１ ｐ−（２−［ニドランス−４−Ｃ２−（トランス−４−
プロピルシクロヘキシル）エチル〕シクロヘキシル〕ビ
ニル〕ベンゾニトリル６、　Ｏｒ　ヲヘキサン４００ｍ
ｅに溶解し、ノクラソウム／炭素（１０％）０．８ｆに
よって室温及び常圧下で、水素の吸収が終るまで水素添
加した。触媒を戸別後、７’−Ｃ２−Ｃトランス−４−
（：２−　（）ランス−４−プロビルシクロヘキシ／Ｉ
／）エチル〕シクロヘキシル〕エチル〕ベンゾニトリル
をヘキサンから２回再結晶した；融点（（１’−Ａ’）
９１．５℃、透明点（＃−Ｉ）１ｉ３７℃。

出発物質として用いた７）−Ｃ２−Ｃトランス−４−Ｃ
２−（トランス−４−プロぎルシクロヘキシル）エチル
〕シクロヘキシル〕ビニル〕ペンゾニ）　Ｉ）ルは次の
如くして製造した：α）　トルエン中の水素化ジイソグ
チルアルミニウムの１．　’２　Ｍ溶液２４−を０℃及
び不活性ガス雰囲気下で、トルエン５０Ｏｍｅ中のトラ
ンス−４−（２−（トランス−４−プロピルシクロヘキ
シル）エチルコシクロヘキサンカルボニトリル５．５２
の溶液に３０分以内に滴下し、この混合物を０℃で更に
１時間、そして室温で３時間攪拌した。

次に混合物を０．５Ｎ硫酸５００　ｍｅに注ぎ、ソエチ
ルエーテル各２００ｍ１で３回抽出した。合液した有機
相をまず飽和炭酸水素ナトリウム溶液、次に水で洗浄し
、硫酸ナトリウム上で乾燥し、濃縮し、トランス−４−
（２−（）ランス−４−プロビルシクロヘキシル）エチ
ル〕シクロヘキサンカルポキ７アルデヒド５．６２が得
らレタ。

ｂ）　トランス−４−（２−（）ランス−４−プロピル
シクロヘキシル）エチルコシクロヘキサンカルボキシア
ルデヒド５．６グ、ｐ−シアノペンツルートリフェニル
ホスホニウムブロマイド１０．６１及びノオキサン２０
０ｍ１．の混合物を粉末にした炭酸カリウム１４．５Ｆ
で処理し、この混合物を７２時間加熱沸騰させた。冷却
後、混合物を濾過し、Ｐ液を濃縮し、残渣をシリカケ゛
ル上で、ヘキサン／ジエチルエーテル（容量比４：１）
を用いてクロマトグラフィーにかけ、ｐ−（２−［）ラ
ンス−４−（２−（）ランス−４−プロピルシクロヘキ
シル）エチル〕シクロヘキシル〕ビニル〕ベンゾニトリ
ル６．０ｇが得られた。

実施例２ ｐ−（４−（２−（ｐ−ペンチルフェニル）ビニル〕シ
クロヘキシル〕ベンゾニトリル７、Ｏｒをトルエン３５
０−に溶解し、パラジウム／炭素（１ｏ％）１．４ｆで
処理し、水素の吸収が終るまで室温及び常圧で水素添加
した。融媒を戸別し、Ｆ液を濃縮した後に得られた粗製
のｐ−〔トランス−４−（２−（ｐ−ペンチルフェニル
）エチル〕シクロヘキシル〕ベンゾニトリルをエタノー
ル７５為ら２回再結晶した。収ｆＡ’、　４．２グ；融
点（Ｃ−Ｎ）６１．５℃、透明点（＃−Ｉ）１２６℃。

出発物知、として用いだｐ−（４−Ｃ２−（ｐ−ペンチ
ルフェニル）ビニル〕シクロヘキシル〕ベンゾニトリル
は次の如くして製造しだ；α）　乾燥ｔ−ブチルメチル
エーテル２００　ｌｎＡ中のメトキシメチルートリノエ
ニルホスホニウムクロライド２７．９　ｆの懸濁液を、
不活性ガス雰囲気下にて攪拌しながら一１０℃で１０分
以内に、カリウムｔ−ブチシー）　９．５　ｆで一部づ
つ処理した。更に３０分後、この濃い橙色の混合物に乾
燥テトラヒドロンラン１２５＋＋＋ｅ中の４−（ｐ−シ
アノフェニル）シクロヘキサノン１０．８５’の溶液を
０〜５℃で加えた。この混合物を０℃で３０分間、そし
て室温で２５時間攪拌し、次にヘキサン１２００ｍｅに
注ぎ、そして濾過しだ。Ｐ液を濃縮し、残渣をシリカダ
ル上で、ヘキサ／／酢酸エチル（容量比９５：５）を用
いてクロマトグラフィーにかけた。薄層クロマトグラフ
ィーに従って純粋であるｐ−Ｃ４−（メトキシメチリデ
ン）シクロヘキシル〕ベンゾニトリルのフシクションヲ
濃縮し、無色の油１１．Ｏｆが得られた。

ｂ）　得られたｐ−、（４−（メトキシメチリデン）シ
クロヘキシル〕ベンゾニトリルの油（ｘｘ、。

グ）をテトラヒドロフラン２００−及び２Ｎ塩酸５０　
ｍ＋！の混合物中で１時間加熱沸騰させた。次に混合物
を氷／水５００　ｍｇに注ぎ、ジエチルジエーテル各２
００　ｍｌで３回抽出した。有機相を水で洗浄して中性
にし、硫酸ナトリウム上で乾燥し、そして濃縮した。か
くして無色のそして一部固体の４−（ｐ−シアノフェニ
ル）シクロヘキサンカルボキシアルデヒド（シス／トラ
ンス比約１＝３）１ｏ、ｏｒが得られた。

ｃ＞　得られた４−（ｐ−シアノフェニル）シクロヘキ
サンカルボキシアルデヒド４．６グ、粉末にした炭酸カ
リウム１５２、ｐ−ペンチルベンツルートリフェニルホ
スホニウムブロマイド１６．２２及びソオキサン３００
　ｍｅの混合物を７２時間加熱沸騰させた。冷却後、混
合物を濾過し、ｐ液を濃縮した。残渣をヘキサン４００
　ｍｌに懸濁させ、不溶性のトリフェニルホスフィンオ
キシトを濾過によって除去した。Ｐ液を濃縮し、得られ
た粗製の生成物をシリカダ゛ル上で、ヘキサン／酢酸エ
チル（容量比９５：５）を用りてクロマトグラフィーに
よって精製した。かくしてｐ−Ｃ４−Ｃ２−（ｐ−ペン
チルフェニル）ビニル〕シクロヘキフルｊベンゾニトリ
ル（シクロヘキサン３Ｊ　ｆ　ｃ７）　シ、ｔ。

／トランス比約１５：８５、ＥｌＺ比約８５：１５）７
．０２が得られた。

同様の方法において、４−（７１１−シアノフェニル）
シクロヘキサノンの代りに４−　（ｐ　−ヘアデルフェ
ニル）シクロヘキサノン及びｐ−ペンチルベンツルー１
−１．１ンエニルホスホニウムブロマイドの代りにｐ−
シアノペンソルートリフェニルホスホニウムプロマイド
を用いて、次の化合物を製造した： ｐ−〔２−〔トランス−４−（ｐ−ペンチルフェニル）
シクロヘキシル〕エチル〕ベンゾニトリル；融点（Ｃ−
＃）７７．５℃、透明点（Ｎ−１）１２０°ｃ。

実施例３ 塩化ベンゼンスルホニル１．８５ｆをビリジン５０蹴甲
の粗製のｐ−〔トランス−４−（２−（トランス−４−
ペンチルシクロヘキシル）エチル〕シクロヘキシル〕ベ
ンズアミド２．６ｔの懸濁液に加え、この混合物を５５
°Ｃで一夜攪拌した。

得られた溶液を水に注ぎ、生成物をソエチルエーテルで
抽出した。エーテル抽出液を３Ｎ塩酸各５０　ｍｅで４
回、飽和炭酸水素ナトリウム溶液５０ゴで１回、そして
水容１００　ｍｅで３回洗浄し、硫酸ナトリウム上で乾
燥し、そして濃縮した。粗製のｐ−〔トランス−４−（
：２−（）ランス−４−ペンチルシクロヘキシル）エチ
ル〕シクロヘキシル〕ベンゾニトリル（ｚ、４ｒ）をヘ
キサンから３回再結晶した；収量１．１り；融点（（１
’−Ｎ）６１．５℃まだは６７℃（２変態）、透明点（
Ｎ−１）１９３℃。

出発物質として用いたｐ−〔トランス−４−（２−（）
ランス−４−ペンチルシクロヘキシル）エチル〕シクロ
ヘキシル〕ペンズアミドハ次（Ｍｌｌｌくして製造した
： α）　実施例２、節α）及びｂ）に述べた方法と同様Ｋ
して、トランス−４−ペンチルシクロヘキサンカルボキ
シアルデヒドをビツテイヒ反応においてメトキシメチル
−トリフェニルホスホニウムクロライド及びカリウムｔ
−ブチレートと反応させ、次に生じたエノールエーテル
をテトラヒドロフラン／　２　Ｎ塩酸中で加水分解し、
（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）アセトアル
デヒドを生成させた。

ｂ）　（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）アセ
トアルデヒド３５．１　ｆ及びエタノール／水（容量比
１：１）４００ｍの混合物を水素化ホウ零ナトリウム３
６Ｆで一部づつ処理し、そして更に１時間攪拌した。次
に混合物を水１２００ｒｎｌに注キ、ソエチルエーテル
各４００　ｒｒｌで３回抽出した。有機相を水で洗浄し
て中性にし、硫酸ナトリウム上で乾燥し、そして濃縮し
た。収量：帯黄色釉トして２−（）ランス−４−ペンチ
ルシクロヘキシル）エタノ−／Ｌ／　３４．２グ。

Ｃ）　２−（）ランス−４−ペンチルシクロへキシ／ｌ
／）エタノール２０１、トリフェニルホスフィン２７．
５　Ｆ及びソクロロメタン３５０ｙｄの混合物を、不活
性ガス雰囲気下で攪拌しながら一３０℃で４５分以内に
、テトラブロモメタン３６．５１ｉ’で一部づつ処理し
、次に生じた混合物を一２０℃で３０分間、そして室温
で５時間攪拌した。次いで混合物を濃縮し、残液をヘキ
サン５００　ｍｌと共に砕解した。０°Ｃに冷却後、沈
殿したトリフェニルホスフィンオキシトを炉別し、チ液
をシリカゲル上でヘキサンを用いてクロマトグラフィー
にかけた。得られた粗製の１−ブロモ−２−（トランス
−４−ペンチルシクロヘキシル）エタン（２９，０２）
を９２−９８℃／　１．５　Ｔｏｒｒで蒸留した。収量
：無色の油として２１．９ｆ０ ｄ）　１−ブロモ−２−（トランス−４−ペンチルシク
ロヘキシル）エタン１３．Ｏｒ、）リフェニルオ、スフ
ィンｔ６．ｏｙ及びキシレン３７５ｄの混合物を６０時
間加熱沸騰させた。５℃に冷却後、沈殿した生成物を吸
引ｐ別し、トルエン及びヘキサンで洗浄し、乾燥し、２
−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）エチル−
トリフェニルホスホニウムブロマイド１５、Ｏｆが得ら
れた；融点１８３〜１８５℃。

ｅ）　乾燥ｔ−ブチルメチルエーテル１００ｍ１中＋７
）２−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）エチ
ル−トリフェニルホスホニウムブロマイドｌ　Ｏ，６ｔ
の懸濁液を不活性ガス雰囲気下にて５〜１０℃でカリウ
ムｔ−ブチレート２．２９で一部づつ処理し、この混合
物を更に１０分間攪拌した。

次いでこの橙色懸濁液にテトラヒドロフラン５〇−中の
４−（ｐ−シアノフェニル）シクロへキザノン３．５ｆ
の溶液を３０分以内に滴下した。この混合物を室温で一
夜攪拌し、次に水５０ｔｎｅで処理した。水相を分離し
、ジエチルエーテルで抽出した。合液した有機相を水で
洗浄して中性にし、硫酸ナトリウム上で乾燥し、そして
濃縮した。残渣をシリカゲル上でヘキサン／酢酸エチル
（容量比９５：５）を用いてクロマトグラフィーにかけ
、ｐ−［４−（２−（）ランス−４−ペンチルシクロヘ
キシル）エチリデン〕シクロヘギシル〕ベンゾニトリル
３．８２が得られた。

ｆ）　粗製のｐ−［４−（：２−　（トランス−４−ペ
ンチルシクロヘキシル）エチリデン〕シクロヘキシル〕
ベンゾニトリル３．５７及びエチレンダリコール１００
　ｔｎｅの混合物を水酸化カリウム２０２で処理し、次
に生じた混合物を浴温１９０℃でやや沸騰させながら７
時間加熱した。冷却後、混合物を水に注ぎ、３Ｎ塩酸で
酸性にした。沈殿した生成物をジエチルエーテルに採り
入れた。エーテル抽出液を水／１ｒｌｏｏ７で３回洗浄
し、硫酸ナトリウム上で乾燥し、そして濃縮した。得ら
れた粗製のｐ−（４−ｒ：２−　（トランス−４−ペン
チルシクロヘキシル）エチリデン〕シクロヘキシル〕安
息香ｐ　（３，６ｆ　）をエタノール５００ｍ７！及び
トルエ：ｙ　ｌ　２５　ｍｅに溶解し、パラソウ入／炭
素（１０％）０．６２を用いて室温及び常圧で４８時間
水素添加した。触媒を炉別し、ｐ液を濃縮し、粗製の固
体としてｐ−〔トランス−４−Ｃ２−（トランス−４−
ペンチルシクロヘキシル）エチル〕シクロヘキシル〕安
息香ｖ３．１ｔが得られた。

ｇ）　粗製のｐ−〔トランス−４−Ｃ２−Ｄランス−４
−ペンチルシクロヘキシル）エチル〕シクロヘキシル〕
安息香Ｈｉ　１　ｆ／　、ベンゼン５０１１に及び塩化
チオニル０．９　ｍｅの混合物を２時間加熱沸騰させた
。ベンゼン及び過剰量の塩化チオニルを真空下で留去し
た。残液をトルエン５０ｍｅに２回採り入れ、各々の場
合に濃縮した。得られた粗製のは塩化物（３，５ｆ　）
をソオキサン５０−に溶屏し、この溶液を濃アンモニア
１８ｍ１及びソオキサ７７５　ｍｉ：の混合物中に流入
させた。生じた懸濁腋を室温で１時間４Ａ拌し、次に水
で希釈し、そして吸引Ｙ濾過しだ。吸引濾過器上の物質
を水で洗浄して中性にし、次にトルエンと共に濃縮して
乾燥した。８Ｉｉｉ製のｐ−〔トランス−４−Ｃ２−（
）ランス−４−ペンチルシクロヘキシル）エチル〕シク
ロヘキシル〕ベンズアミド２６２が得られた。

同様の方法で次の化合物を製造した： ｐ−〔トランス−４−１１２−（）ランス−４−プロビ
ルシクロヘキシルンエチル〕シクロヘキシル〕ベンゾニ
トリル；融点（Ｃ’−＃）８５．７℃、透明点（＃−７
）１９７．５℃。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、一般式 式中、記号Ｘ１及びＸ２の一方はエチレン基−ＣＥ２Ｃ
   １１２−を表わし且つ他方はエチレン基−Ｃ１１２ＣＭ
   ２−または１つの共有結合を表わし、環Ａは１，４−フ
   ェニレンまたはトランス−１，４−シクロヘキシレン全
   表わし、そしてＲ１は直鎖状のＣ１〜Ｃ，２−アルキル
   或いはまた１、４−フェニレン環上の直鎖状のＣ１〜Ｃ
   １２−アルコキシを表わす、 の化合物。 ２、　Ｘｌがエチレン基−Ｃ１１２ＣＩＪ２−を表わし
   、そしてＸ２が１つの共有結合を表わす特許請求の範囲
   第１項記載の化合物。 ３、ＸＩ及びＸ２が各々エチレン基−ＣＢ、ＣＭ−を表
   わす特許請求の範囲第１項記載の化合物。 ４、　Ｒ１が直鎖状のＣ８〜Ｃ１−アルキル或いはまた
   １、４−フェニレン環上の直鎖状のＣ１〜Ｃ０−アルコ
   キシを表わす特許請求の範囲第１〜３項のいずれかに記
   載の化合物。 ５、Ｒ”が直鎖状のアルキルを表わす特許請求の範囲第
   １〜４項のいずれかに記載の化合物。 ６、少なくとも１つの成分が％　ｉｆ請求の範囲第１項
   記載の式Ｉの化合物である少なくとも２成分による液晶
   混合物。 ７、特許請求の範囲第１項記載の式Ｉの化合物を製造す
   るに当り、 ａ）Ｘ”がエチレン基を表わす式Ｉの化合物を製造する
   だめに、一般式 式中、Ｘｌはエチレン基−ＣＨ２ＣＨ２−または１つの
   共有結合を表わし、そして３ｉ２Ａ及びＲ’は特許請求
   の範囲第１項記載の意味を有する、 の化合物を接触水素添加するか、 ｂ　）　ＸＩがエチレン基を表わし、Ｘ２が１つの共有
   結合を表わし、そしてＢｌ　、（が１，４−フェニレン
   を表わす式■の化合物を製造するために、一般式 式中、Ｒ１は特許請求の範囲第１項記載の意味を有する
   、 の化合物を接触水素添加するか、或いはｃ）Ｘ’がエチ
   レン基を表わし、Ｘ２が１つの共治結自を表わし、そし
   て現Ａがトランス−１゜４−シクロヘキシレンを表わす
   式Ｉの化合物を製造するために、一般式 式中、Ｒ１は摘許請求の範囲第１項記載の意味を有する
   、 の化合物を脱水する ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の弐Ｉの化
   合物の製造方法。 ８、電子−光学目的のだめに特許請求の範囲第１項記載
   の式１の化合物の使用。