JPS5887841A - 半導体素子のボンデイング用Ａｌ線 - Google Patents

半導体素子のボンデイング用Ａｌ線

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JPS5887841A
JPS5887841A JP56187332A JP18733281A JPS5887841A JP S5887841 A JPS5887841 A JP S5887841A JP 56187332 A JP56187332 A JP 56187332A JP 18733281 A JP18733281 A JP 18733281A JP S5887841 A JPS5887841 A JP S5887841A
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林　正蔵
Yasuo Fukui
福井　康夫
Kenichi Kurihara
健一 栗原
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Tanaka Denshi Kogyo KK
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は半導体素子のチップ電極と外部１ノードを接続
するために使用するワイヤボンディング用ｋｌ線に関す
る。
従来、一般的に使用されているＡｕ線はシリコンテップ
電極として蒸着されているｋｔと容易に金属間化合物を
つくり、その結果ボンディング強度を著しく低下させる
ため該Ａｕ線の代替としてシリコンチップ電極と同種の
Ａｔ線が使用されている。
とのＡ４線は市純度の場合にあっては軟かすぎて超音波
ボンディング強度が十分に得られないので、その硬さを
増すためと極細線加工をし易すくするために１ｗｔ％の
シリコン（Ｓｌ）を添加して使用している。
しかし、このＡｔ線は化学的に活性金属であることから
酸化し易すく高温下で接合させる熱圧着法には不適であ
って、もっばら超音波接合法により接合作業が行カわれ
ていた。
最近、アルゴンカスなど不活性ガス（ｒ囲気を利用する
ことにより、Ａ４線においてもＡｕ線と同様に熱圧着法
の採用が可能となった、。
しかるに従来使用されるＡｔ線は前述のように高純度（
９９，９％以上）のＡ７に１ｗｔ％のシリコンを含有さ
せたものであるが、このＡｔ線で熱圧着した場合にはＡ
７ボールの形状が安定しないばかりでなく、結晶微細化
に劣り接着強度が小さすぎるとともに高速ボンダーを使
用するに十分な機械的強度が得られないなど、ボンディ
ング性能に劣る不具合がみられた。
本発明は１０［る従来Ａｔ線の不具合を所定の碓加元累
を含有させることによって解消し、熱１：Ｅ　着法によ
るボンディング性能を向」二させることを目的とするも
ので、１ｗｔ％のシリコンを添加しない高純度のＡｔに
、０．３−０．７　ｗｔＸＣｒ　、　Ｏ，（１５−０２
ｗｔ％Ｔｉ、　０．１−０．３ｗｔ！％Ｚｒおよび００
５〜ｏ１ｗｔ％■の群より選択された少くとも１元素を
含有せしめたことを特徴とする。
面、上記本発明のＡｔ哲は熱圧着法だけではなく、超音
波接合法にあっても十分その使Ｉｌｌに供し７得るもの
である。
上記添加元素、Ｃｒ、’自、Ｚｒ　、　Ｖ　１１、夫々
Ａｔのボンディング強度を高めるもので、その含有）１
が０、３　ｗｔＸＣｒ　、　　（１，０５ｗｔＸＴｉ　
’１　　ｏ、　Ｉ　ｗｔＸＺｒ１０、０５　ｗｔ％Ｖ以
丁ではその実効が少なく、０．７　ｗｔＸＣｒ　、　　
０．２　ｗｔＸ　Ｔｉ　、　　０．　：（ｗｔＸＺｒ　
、　　０．１　ｗｔＸＶを越えるとＡ、を中に固溶せず
に折用してボンディング強ｊりが劣化する弊害を生ずる
１、以下に実施例を示すっ 各試料はｋｔ合金を溶解鋳造し、線引加工により直径３
０μ脳の極線ボンディングＡ１．勝としたものである。
各試料の施加元索及びその含有計は次表（１）に示す通
りであって、その試料１・１α１〜２０は本発明の実施
品、１４［１，２１は１　ｗｔ　′：ＸＳ　ｉ　′（ｉ
−添加せる従来品である。
上記各試料をもって機械的性質、Ａｔボールの形状、而
・１食性を測定した結果を表（２）に示す。
尚、表中の初期とは線引加工した直後の引張強さをいう
。
　５− 表（２） 　６− 上記表から知れるように本発明実施品のＡｔ４早は従来
Ａ７線に較べて引張強さが改善されるので線引力１工中
に＠線したり、ボンディング・作業中に断線を起したり
することがないとともにＡｔボールの形状が真球状に安
定することによってボンディング後の引張強さが高く接
着強度が改善される々ど熱圧着法を使用する除のボンデ
ィング性能が向上する。
又、引張強さが向上するので、従来の超音波接合法を利
用しても１ｌｊ１線叫び）不具合がなく有益である。
尚、本発明は前述した配合のｋｔＨＡにさらに他の特性
を増すための元素を１又は複数含有をせることも任意で
あり、例えばＡ、ｔの結晶微細化、高温特性を増大させ
るために０．０１〜０．０５　ｗｔ％Ｃａを含有させる
等である。
特許出願人　　　）日中電子工業株式会社手わ〜：ネ山
ｉ’ｌＥ？キ畳 昭１１μ５７＜１−１１　ＩＩ　ｔ’７　　日特浩庁長
官　　　若　　杉　　相　　人　　　ＩＱ昭和　５５６
　狂　特　Ｙｌ　　願　第　ＩＥ）７３：３２　　月２
、発明の名称 半１（ホ索ｒのボンデインク用Ａｔ線 ３、補正をする右 事件どの関係　　　特　Ｙｌ　　出　願　人氏名（名称
）　　　田中電了ｆ染株式会と１４、代理人 イ。■　所　　東卓都文京ト白１１１５１目１４吊７Ｉ
３５、補ｉｆ−命令のＥｌにｔ　（自発補正）昭和　　
（ｆ　　月　　［１

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 高ｕｉＯＡＡに、０．３−０．７　ｗｔ％のクロム（Ｃ
    ｒ）、０、０５−０．２　ｗｔ　Ｘのチタン（Ｔｉ　）
    、０．１−０．３　ｗｔ％のジルコニウム（Ｚｒ）およ
    び００５〜０．１　ｗｔ％のバナジウム（Ｖ）の群より
    選択された少なくとも１元素を含有せしめた半導体素子
    のボンディング用Ａｔ線
JP56187332A 1981-11-20 1981-11-20 半導体素子のボンデイング用Ａｌ線 Granted JPS5887841A (ja)

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ID=16204141

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JPS59208770A (ja) * 1983-05-12 1984-11-27 Hitachi Ltd ボ−ルボンデイング用アルミ合金極細線
JPS607164A (ja) * 1983-06-24 1985-01-14 Sumitomo Electric Ind Ltd ボンデイングワイヤ
JPS607165A (ja) * 1983-06-24 1985-01-14 Sumitomo Electric Ind Ltd ボンディングワイヤ

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