JPS60248861A - ボンデイングワイヤ用アルミニウム合金 - Google Patents
ボンデイングワイヤ用アルミニウム合金Info
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- H01L2924/0104—Zirconium [Zr]
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(技術分野)
本発明は半導体素子のチップ電極と外部リードフレーム
を電気的接続するために用いられるボンディングワイヤ
用アルミニウム合金に関するものである。
を電気的接続するために用いられるボンディングワイヤ
用アルミニウム合金に関するものである。
(背景技術)
従来、半導体素子のチップ電極と外部リードフレームと
の接続にはワイヤボンディングが多く使われている。そ
の接続に使われているのはAu 線とAl 線で多くは
Au 線である。Au 線は酸水素炎や放電などで接続
部にポールを形成させて熱圧着又は超音波熱圧着するポ
ールボンディングにより接続するが、チップ電極のAI
! と金属間化合物を形成し、ボンディング強度の信頼
性に劣る。又Auの価格が不安定である。一方、Al線
は従来1重量%Si 含有のものを使用しているが、接
続部に良好なポール形成が出来難いため、超音波圧接す
るウェッジボンディングによる接続が行われている。し
かし、ポールボンディングに比ベラエツジボンディング
は1回あたりの溶接所要時間が長く作業性に劣る。その
ためポールボンディングにより接続可能なAI! 線が
望まれている。
の接続にはワイヤボンディングが多く使われている。そ
の接続に使われているのはAu 線とAl 線で多くは
Au 線である。Au 線は酸水素炎や放電などで接続
部にポールを形成させて熱圧着又は超音波熱圧着するポ
ールボンディングにより接続するが、チップ電極のAI
! と金属間化合物を形成し、ボンディング強度の信頼
性に劣る。又Auの価格が不安定である。一方、Al線
は従来1重量%Si 含有のものを使用しているが、接
続部に良好なポール形成が出来難いため、超音波圧接す
るウェッジボンディングによる接続が行われている。し
かし、ポールボンディングに比ベラエツジボンディング
は1回あたりの溶接所要時間が長く作業性に劣る。その
ためポールボンディングにより接続可能なAI! 線が
望まれている。
(発明の開示)
本発明は上述の問題点を解決するために成されたもので
、良好なポールを形成し、ポールボンディングによる接
続を可能にすると共に、ボンディング強度を向上し、コ
ストを低減しうる特許請求の範囲に記載のボンディング
ワイヤ用アルミニウム合金を提供せんとするものである
。
、良好なポールを形成し、ポールボンディングによる接
続を可能にすると共に、ボンディング強度を向上し、コ
ストを低減しうる特許請求の範囲に記載のボンディング
ワイヤ用アルミニウム合金を提供せんとするものである
。
本発明において合金中のS i 、Mg +Mn は線
材強度を高めるとともにボンディング強度を向上させる
効果を有する。S i 、Mg +Mn量を0.5〜3
重量%と規定したのは、0.5 重量%未満では線材強
度、ボンディング強度の改善に効果がなく、3重量%を
越えると、それ以上の改善の効果がなくなるだけですく
、逆に線材強度、伸線加工性、ボンディング強度が劣化
するためである。又、合金中のZr+Tt+Cr +V
+Cu +Bのおのおのはボール形成部の近傍の著しい
軟化や脆化を防止してボンディング強度を高めるもので
、1種以上の合計含有量が、0.02〜0.5重量%で
ある必要があり、0.02重量%未満ではその効果がな
(,0,5重量%を越えると伸線加工性が悪くなり、製
造が困難となるおそれがある。又、合金中のBe *
L l+ Bの各々は溶融によるボール形成時にアルミ
ニウムの酸化皮膜形成を抑止して良好なボールを形成し
、ボンディング強度を向上させるもので、1種以上の合
計含有量が0.001〜0.3重量%と規定したのは0
.001重量%未満ではボール形成能に効果がなく、0
.3 重量%を越えるとその効果が飽和し、又高価とな
るためである。
材強度を高めるとともにボンディング強度を向上させる
効果を有する。S i 、Mg +Mn量を0.5〜3
重量%と規定したのは、0.5 重量%未満では線材強
度、ボンディング強度の改善に効果がなく、3重量%を
越えると、それ以上の改善の効果がなくなるだけですく
、逆に線材強度、伸線加工性、ボンディング強度が劣化
するためである。又、合金中のZr+Tt+Cr +V
+Cu +Bのおのおのはボール形成部の近傍の著しい
軟化や脆化を防止してボンディング強度を高めるもので
、1種以上の合計含有量が、0.02〜0.5重量%で
ある必要があり、0.02重量%未満ではその効果がな
(,0,5重量%を越えると伸線加工性が悪くなり、製
造が困難となるおそれがある。又、合金中のBe *
L l+ Bの各々は溶融によるボール形成時にアルミ
ニウムの酸化皮膜形成を抑止して良好なボールを形成し
、ボンディング強度を向上させるもので、1種以上の合
計含有量が0.001〜0.3重量%と規定したのは0
.001重量%未満ではボール形成能に効果がなく、0
.3 重量%を越えるとその効果が飽和し、又高価とな
るためである。
かように構成することにより、本発明のボンディングワ
イヤ用アルミニウム合金は線径30μm前後の極細線と
して優れた伸線加工性、ボールボンディング性、ボンデ
ィング強度を得ることができる。
イヤ用アルミニウム合金は線径30μm前後の極細線と
して優れた伸線加工性、ボールボンディング性、ボンデ
ィング強度を得ることができる。
(実施例)
第1表に示す種々の組成のAl 合金を溶解鋳造し熱間
押出後、皮剥、伸線、中間軟化の工程を径て直径30μ
mのボンディングワイヤにした。!1〜7は本発明例、
f8〜14は比較例、A 15は従来例である。これら
のポンディングワイヤをボール形成能、ボンディング強
度、ループ形成状態、伸線加工性、耐食性について調査
した結果を第2表に示す。ボンディング強度はポンディ
ングワイヤをボールボンダにて半導体素子のチップ電極
と外部リードフレームの間をボンディングして線の中央
において破壊試験をした時の強度を従来のAl−1,0
重量%Si合金の場合を1.0として相対値で表わした
ものであり、ループ形成状態は半導体素子のチップ電極
と外部リードフレームの間に接続された時のポンディン
グワイヤが形成する円弧(ループ)の状態を表わしたも
のである。
押出後、皮剥、伸線、中間軟化の工程を径て直径30μ
mのボンディングワイヤにした。!1〜7は本発明例、
f8〜14は比較例、A 15は従来例である。これら
のポンディングワイヤをボール形成能、ボンディング強
度、ループ形成状態、伸線加工性、耐食性について調査
した結果を第2表に示す。ボンディング強度はポンディ
ングワイヤをボールボンダにて半導体素子のチップ電極
と外部リードフレームの間をボンディングして線の中央
において破壊試験をした時の強度を従来のAl−1,0
重量%Si合金の場合を1.0として相対値で表わした
ものであり、ループ形成状態は半導体素子のチップ電極
と外部リードフレームの間に接続された時のポンディン
グワイヤが形成する円弧(ループ)の状態を表わしたも
のである。
第2表より本発明によるA1〜7は比較例、従来例に比
べ、ボール形状又はボンディング強度が非常に優れてい
ることがわかる。
べ、ボール形状又はボンディング強度が非常に優れてい
ることがわかる。
(発明の効果)
上述のように構成させた本発明のポンディングワイヤ用
アルミニウム合金は次のような効果がある。
アルミニウム合金は次のような効果がある。
(イ)A1合金がBe+ r、i、 Bから選ばれる元
素の内1種以上の合計が0.OO’1〜0.3重量%を
含むため、ボール形成時にアルミニウムの酸化皮膜形成
を抑止して良好なボールを形成し、Si+ Mg+ M
n から選ばれる元素の内1種以上の合計が0.5〜3
重量%を含むので線材強度が高められ、さらにZr +
Ti+Cr lVr Cuから選ばれる元素の内1種
以上の合計が、0.02〜0,5重量%を含むのでボー
ル形成部の近傍の著しい軟化や脆化を防止される等の効
果によりポンディング強度が向上する。
素の内1種以上の合計が0.OO’1〜0.3重量%を
含むため、ボール形成時にアルミニウムの酸化皮膜形成
を抑止して良好なボールを形成し、Si+ Mg+ M
n から選ばれる元素の内1種以上の合計が0.5〜3
重量%を含むので線材強度が高められ、さらにZr +
Ti+Cr lVr Cuから選ばれる元素の内1種
以上の合計が、0.02〜0,5重量%を含むのでボー
ル形成部の近傍の著しい軟化や脆化を防止される等の効
果によりポンディング強度が向上する。
C口)ボールポンディングによる接続が可能であるため
、ポンディング速度が向上し、又Au 線を使用せず、
かつポンディング強度が向上するため信頼性が向上し、
コストを低減する。
、ポンディング速度が向上し、又Au 線を使用せず、
かつポンディング強度が向上するため信頼性が向上し、
コストを低減する。
第1図は半導体素子のチップ電極と外部リー、ドフレー
ムの開を接続した例を示す断面図である。 図中、1・・・リードフレーム、2・・・ポンディング
ワイヤ、3・・・電極、4・・・半導体素子を示す。 オI図
ムの開を接続した例を示す断面図である。 図中、1・・・リードフレーム、2・・・ポンディング
ワイヤ、3・・・電極、4・・・半導体素子を示す。 オI図
Claims (1)
- (1) S 1 、Mg +Mn から選ばれる元素の
内1種以上の合計が0.5〜3重量%を含有し、かっZ
rs Tt+ Cr+V# Cuから選ばれる元素の内
1種以上の合計が、0.02〜0.5 重量%を含有し
、さらにBe+ L1# Bから選ばれる元素の内1種
以上の合計が0.001〜0.3重量%をも含有し、残
部が本質的にA7 よりなることを特徴とするボンディ
ングワイヤ用アルミニウム合金。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59104355A JPS60248861A (ja) | 1984-05-22 | 1984-05-22 | ボンデイングワイヤ用アルミニウム合金 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59104355A JPS60248861A (ja) | 1984-05-22 | 1984-05-22 | ボンデイングワイヤ用アルミニウム合金 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60248861A true JPS60248861A (ja) | 1985-12-09 |
Family
ID=14378558
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59104355A Pending JPS60248861A (ja) | 1984-05-22 | 1984-05-22 | ボンデイングワイヤ用アルミニウム合金 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS60248861A (ja) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6137941A (ja) * | 1984-07-27 | 1986-02-22 | Hitachi Cable Ltd | ボンデイングワイヤ |
JPS62228446A (ja) * | 1985-11-29 | 1987-10-07 | Nippon Mining Co Ltd | 半導体配線材料用アルミニウム合金 |
JPS62235452A (ja) * | 1986-04-03 | 1987-10-15 | Nippon Mining Co Ltd | 半導体配線材料用B含有Al合金 |
JPS62235451A (ja) * | 1986-04-03 | 1987-10-15 | Nippon Mining Co Ltd | 半導体配線材料用Al合金 |
JPS62240733A (ja) * | 1986-04-11 | 1987-10-21 | Nippon Mining Co Ltd | 半導体配線材料用b含有アルミニウム合金 |
US5571347A (en) * | 1994-04-07 | 1996-11-05 | Northwest Aluminum Company | High strength MG-SI type aluminum alloy |
WO2007109957A1 (fr) * | 2006-03-24 | 2007-10-04 | Renzhong Yang | Fil d'alliage al-mg |
US20160099200A1 (en) * | 2014-10-01 | 2016-04-07 | Stmicroelectronics S.R.L. | Aluminum alloy lead frame for a semiconductor device and corresponding manufacturing process |
-
1984
- 1984-05-22 JP JP59104355A patent/JPS60248861A/ja active Pending
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6137941A (ja) * | 1984-07-27 | 1986-02-22 | Hitachi Cable Ltd | ボンデイングワイヤ |
JPS62228446A (ja) * | 1985-11-29 | 1987-10-07 | Nippon Mining Co Ltd | 半導体配線材料用アルミニウム合金 |
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JPS62235451A (ja) * | 1986-04-03 | 1987-10-15 | Nippon Mining Co Ltd | 半導体配線材料用Al合金 |
JPH0448854B2 (ja) * | 1986-04-03 | 1992-08-07 | Nippon Mining Co | |
JPS62240733A (ja) * | 1986-04-11 | 1987-10-21 | Nippon Mining Co Ltd | 半導体配線材料用b含有アルミニウム合金 |
JPH0448855B2 (ja) * | 1986-04-11 | 1992-08-07 | Nippon Mining Co | |
US5571347A (en) * | 1994-04-07 | 1996-11-05 | Northwest Aluminum Company | High strength MG-SI type aluminum alloy |
WO2007109957A1 (fr) * | 2006-03-24 | 2007-10-04 | Renzhong Yang | Fil d'alliage al-mg |
US20160099200A1 (en) * | 2014-10-01 | 2016-04-07 | Stmicroelectronics S.R.L. | Aluminum alloy lead frame for a semiconductor device and corresponding manufacturing process |
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