JPS6360105B2 - - Google Patents
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Description
産業上の利用分野
本発明は半導体素子と外部リードとの電気的接
続に用いられるボンデイング用金線に関するもの
である。 従来の技術 従来、半導体装置の組立てにおいて、半導体素
子と外部リードをボンデイングする金属細線とし
て金線およびアルミニウム線が一般に用いられて
いる。これらの中、金線は耐食性があり且つボン
デイング性が優れているので、国内では金線がア
ルミニウム線より多く使用されている。 金線をボンデイングする技術としては、熱圧着
法が代表的方法である。熱圧着法は、リード線を
機械的に切断するか又は、電気トーチで溶断した
後、100℃〜350℃の温度範囲でリード線を加圧し
てボンデイングする方法である。 近年、ボンデイング技術の向上とICの組立コ
ストの低減の目的で、ボンデイングマシンの高速
度化および自動化が進み、従来の高純度の金線は
引張強度が低いため、ボンデイング作業中に断線
を生ずることが多くなつてきた。また、断線に至
らないでボンデイングをすることができたとして
も、一度熱の影響を受けた金線が軟化し半導体素
子の電極と外部リードをボンデイングする金線の
ループの形状にたるみを生じてシヨートしたり、
さらに樹脂モールドする場合にボンデイング用金
線が軟化によつて変形してシヨートや断線の原因
となることがある。また、軟化により引張強度が
低下して断線を生ずるので、これに使用される金
線は、高い強度を要求されるようになつてきた。 このような要求に応じるために、Caを0.0005乃
至0.01重量％含有せしめたボンデイング用金線
（特開昭53−105968）、Beを0.0001乃至0.0008重量
％含有せしめたボンデイング用金線（特開昭53−
112059）、Caを0.0003乃至0.005重量％含有せしめ
且つBeを0.0001乃至0.0008重量％、Geを0.0005乃
至0.005重量％の１種または２種を含有せしめ、
総計0.0004乃至0.01重量％となるようにしたボン
デイング用金線（特開昭53−112960）、Se，Te，
Zn，PbおよびMnのうち１種または２種以上の元
素を合計量で0.0001乃至0.01重量％含有せしめた
ボンデイング用金線（特開昭57−90954）、Srを
0.0001乃至0.01重量％含有せしめたボンデイング
用金線（特開昭59−65439）La，Ce，Pr，Ndお
よびSmからなるセリウム族土類金属のうち１種
または２種以上0.0003乃至0.010重量％を含有し、
さらにGe，SeおよびCaのうち１種または２種以
上0.0001乃至0.0060重量％を含有せしめたボンデ
イング用金線（特開昭58−154242）、Ｂを0.0001
乃至0.01重量％含有せしめたボンデイング用金線
等の種々の組成の高純度金（99.99重量％程度）
のボンデイング用金線が提案された。 発明が解決しようとする問題点 本発明者等は、これらの従来提案された種々の
ボンデイング用金線について検討した結果、これ
らのボンデイング用金線は、従来の高純度金線に
比して高い引張強度を有し、ボンデイング作業中
に断線を起こす可能性が低いことを確認した。し
かし、これらの金線においても未だ常温および高
温引張強度の不足のためにボンデイング作業中に
断線を生ずることがあること、および、このよう
な従来提案された高純度金線においては、ループ
高さが高く、半導体素子のボンデイングに際して
フラツトパツケージ用デバイスのボンデイング用
金線としては適当でないことがわかつた。 本発明は、従来提案された上記の如き種々のボ
ンデイング金線における欠点を改め、高い引張強
度を有し、ループ高さが低くフラツトパツケージ
用デバイス向け仕様に最適な半導体素子ボンデイ
ング用金線を提供しようとするものである。 問題点を解決するための手段 本発明は上記の問題点を解決する手段として、
Laを0.0001乃至0.003重量％，Pbを0.0001乃至
0.003重量％含有し、LaとPbの合計量を0.0002乃
至0.006重量％とし、さらに、Beを0.0003乃至
0.001重量％、Caを0.0001乃至0.0007重量％含有
し、BeとCaの合計を0.0004乃至0.0017重量％と
し、残部を不可避不純物を含む純度99.99％以上
のAuとした組成を有することを特徴とする半導
体素子ボンデイング用金線を提供する。 作 用 以下、上記の半導体ボンデイング用金線におけ
る各成分の限定理由について述べる。 Laは金線の常温及び高温の引張強度を向上さ
せる作用があるが、その含有量が0.0001重量％未
満では特性を満足することができず、一方、
0.003重量％以上では、ボールの真球度が悪くな
り始め、金線の脆化現象が見られるようになるの
で、0.001乃至0.003重量％とする必要がある。 Pbは金線の常温及び高温時とボンデイング後
の引張強度を向上させる作用があるが、その含有
量は0.0001重量％未満では、特性を満足すること
はできず、一方、0.003重量％以上では、ボール
形状が不安定で、ボールの真球度が悪くなり始
め、金線の脆化現象が見られるようになるので、
0.001乃至0.003重量％とする必要がある。 LaとPbの合計の含有率の下限は、強度上昇効
果が見られるようになり、ループ高さにおいて、
従来のものよりもループ高さが低くなり、目標高
さ220μ以下を満足する点とする必要があり、こ
れは0.0002重量％である。 一方、この含有率は、大きい程常温及び高温時
の引張強度が共に高くなり、さらにループが低く
なるが、0.006重量％を越えると、ボールの真球
度が悪くなり始めるので、含有率の上限は実験的
に求めて、0.006重量％とする必要がある。 Beは金線の常温及び高温時の引張強度を向上
させるので、ボンデイング時の断線、金線の垂れ
下がり、セカンドボンド側の金線切断後のテール
残りを減少させ、溶断後のボール形状も安定し、
ボンデイング後の接着強度を高める作用をする。
Beの含有量が0.0003重量％未満では金線の常温
及び高温時の十分な引張強度が得られないので下
限を0.0003重量％とする必要がある一方、Beの
含有量を0.001重量％以上とすると、ボンデイン
グ時のボール形状が不安定でボールの真球度が悪
くなるばかりでなく、ボンデイング後の入熱によ
るワイヤネツク部の結晶粒が局部的に粗大化し、
結晶粒界破断を起こし易くなり、又、接着強度も
低下するので、上限を0.001重量％とする必要が
ある。 Caは金の再結晶温度を高める作用があるので、
金線の常温及び高温時の引張強度を向上させると
共に、ボンデイング後の接着強度を高める作用を
する。Caの含有量が0.0001重量％未満では、金線
の常温及び高温時の十分な引張強度が得られない
事と共に、再結晶温度も高くならないので、
0.0001重量％とする必要がある。一方、0.0007重
量％以上とすると、常温及び高温時の引張強度を
十分高めるが、金線の脆化現象が見られるように
なるので、上限を0.0007重量％とする必要があ
る。 Be，Ca等の成分はLa，Pbとの共存において、
ボンデイング強度を高め、常温及び高温引張強度
を一段と高めるとともに、ボンデイング時のルー
ププロフイルを安定させるが、その反面、ループ
高さは低くなる。 従つて、BeとCaとを含有する場合には、その
合計が0.0004重量％以下では効果が生ぜず、ま
た、0.0017重量％を越えると、ボールの真球度が
悪くなり、ボンダビリテイが悪くなるので、含有
率範囲は0.0004〜0.0017重量％とする必要があ
る。 上述のように、従来提案された金線は高い常温
強度を有してはいるが、高温強度、特にボール形
成部近傍は、ボール形成時及びその後のボンデイ
ング時の入熱で、結晶粒が局部的に粗大化する点
や、又、ボンデイングやループ形成に伴なう歪の
付与等により、ワイヤ延性の低下が生じるという
問題点の解決については十分でない。 そこで、本発明者等は前述した問題点の解明の
ため、不断の研究の結果AuにLa＋Pbを0.0002〜
0.006重量％，Be＋Caを0.0004〜0.0017重量％を
複合添加する事により、La，Pb，Be，Ca4成分
の相乗効果を高め、高い常温強度を保持するの
で、ボンデイング時の断線を低下させ、且つ、高
温強度が大幅に上昇するので、ボンデイング後の
入熱によるワイヤネツク部の結晶粒が局部的に粗
大化する事を防ぎ、発明者が目標としたフラツト
パツケージ用デバイス向けの低ループ（220μ以
下の目標）ボンデイングワイヤを得たのである。 実施例 99.99％の高純度金を使用し、第１表の添加元
素を加えて、真空溶解した後、金インゴツトを作
製し、伸線加工を施して、直径φ0.025mmの金細線
とする。更にこの金細線を常温における伸び率を
目標値４％となるように軟化熱処理をし、ボンデ
イング用金線とした。 このボンデイング用金線の常温における引張試
験値および高温（温度：250℃，保持時間：20秒）
における引張試験値を第２表に示す。 更にボンデイング性能評価試験を行ない、ルー
プ高さ、フツクテストにおける破断強度とボンデ
イング中に発生したワイヤ切れの値を指数にして
第２表に示す。以下、具体的な実施例について説
明する。 実施例A1は、AuにBe：0.0006重量％，Ca：
0.0003重量％のBe＋Ca：0.0009重量％，La：
0.0003重量％，Pb：0.0003重量％のLa＋Pb：
0.0006重量％を添加した本発明品であり、A2は
AuにBe：0.0006重量％，Ca：0.0003重量％のBe
＋Ca：0.0009重量％添加した比較品である。 A1はA2より、La＋Pb，Be＋Caの複合添加の
ため、常温及び高温の金線強度が上昇している。
そのため、ボンデイング性能においても、A1は
A2よりボンデイング中のワイヤ切れが少ない。 ループ高さにおいて、A1（220μ）はA2（240μ）
より20μ低く、目標のループ高さ220μ以下を満足
している。A1はボンデイング後のワイヤネツク
部の結晶粒が整粒で、結晶粒径もA2の12μに対し
て、約10μと小さい。 本発明品B1は、AuにBe＋Ca：0.0009重量％，
La：0.0005重量％，Pb：0.0005重量％のLa＋
Pb：0.0010重量％を複合添加したものである。
B2はPbを除いたLa：0.0005重量％とBe＋Ca：
0.0009重量％添加した比較品である。B1はLa＋
Pb，Be＋Caの複合添加のため、B2よりも常温及
び高温の金線強度が上昇している。ボンデイング
性能においても、B1はB2よりボンデイング中の
ワイヤ切れが少ない。 ループ高さにおいて、B1（205μ）はB2（235μ）
より30μ低く、目標のループ高さ220μ以下を満足
している。B1は、ボンデイング後のワイヤネツ
ク部の結晶粒が整粒で、結晶粒径も、B2の約11μ
に対して、約9μと小さい。 本発明品C1は、AuにBe＋Ca：0.0009重量％，
La：0.0010重量％，Pb：0.0010重量％のLa＋
Pb：0.0020重量％を複合添加したものである。
C2はLaを除いたPb：0.0010重量％とBe＋Ca：
0.0009重量％添加した比較品である。C1はLa＋
Pb，Be＋Caの複合添加のため、C2よりも常温及
び高温の金線強度が上昇している。ボンデイング
性能においても、C1はC2よりボンデイング中の
ワイヤ切れが少ない。 ループ高さにおいて、C1（195μ）はC2（240μ）
より45μ低く、目標のループ高さ220μ以下を満足
している。C1は、ボンデイング後のワイヤネツ
ク部の結晶粒が整粒で、結晶粒径もC2の約11μに
対して、約9μと小さい。 本発明品D1は、AuにBe＋Ca：0.0009重量％，
La：0.0010重量％，Pb：0.0005重量％のLa＋
Pb：0.0015重量％を複合添加したものである。
D2はLaを除いたPb：0.0005重量％とBe＋Ca：
0.0009重量％添加した比較品である。D1はLa＋
Pb，Be＋Caの複合添加のため、D2よりも常温及
び高温の金線強度が大幅に上昇している。 ボンデイング性能においても、D1はD2よりボ
ンデイング中のワイヤ切れが大幅に少ない。 ループ高さにおいて、D1（195μ）はD2（245μ）
より50μ低く、目標のループ高さ220μ以下を十分
満足している。 D1は、ボンデイング後のワイヤネツク部の結
晶粒が整粒で、結晶粒径もD2の約12μに対して、
約9μと小さい。 本発明品E1は、AuにBe＋Ca：0.0009重量％，
La：0.0020重量％，Pb：0.0015重量％のLa＋
Pb：0.0035重量％を複合添加したものである。
E2はPbを除いたLa：0.002重量％とBe＋Ca：
0.0009重量％添加した比較品である。E1はLa＋
Pb，Be＋Caの複合添加のため、E2よりも常温及
び高温の金線強度が上昇している。ボンデイング
性能においても、E1はE2よりボンデイング中の
ワイヤ切れが少ない。 ループ高さにおいて、E1（185μ）はE2（220μ）
より35μ低く、目標のループ高さ220μ以下を満足
している。E1は、ボンデイング後のワイヤネツ
ク部の結晶粒が整粒で、結晶粒径もE2の約10μに
対して、約8μと小さい。 本発明品F1は、AuにBe＋Ca：0.0009重量％と
La：0.0005重量％，Pb：0.0020重量％のLa＋
Pb：0.0025重量％を複合添加したものである。
F2はLaを除いたPb：0.0020重量％とBe＋Ca：
0.0009重量％添加した比較品である。F1はLa＋
Pb，Be＋Caの複合添加のため、F2よりも常温及
び高温の金線強度が上昇している。 ボンデイング性能においても、F1はF2よりボ
ンデイング中のワイヤ切れが少ない。 ループ高さにおいて、F1（200μ）はF2（235μ）
より35μ低く、目標のループ高さ220μ以下を満足
している。F1は、ボンデイング後の結晶粒が整
粒で、結晶粒径もF2の約11μに対して、約9μと小
さい。 発明の効果 以上、述べた如く、本発明にかかるボンデイン
グ用金線は、常温及び高温強度が高く、ボンデイ
ング時のワイヤ切れ等の不良を少なく出来る上、
ループ高さを20μ〜50μ程度、顕著に低く出来る
ので、半導体素子用金線として、ボンデイングの
高速化を可能にし、フラツトパツケージ用デバイ
ス向け仕様に対して最適であることがわかる。
続に用いられるボンデイング用金線に関するもの
である。 従来の技術 従来、半導体装置の組立てにおいて、半導体素
子と外部リードをボンデイングする金属細線とし
て金線およびアルミニウム線が一般に用いられて
いる。これらの中、金線は耐食性があり且つボン
デイング性が優れているので、国内では金線がア
ルミニウム線より多く使用されている。 金線をボンデイングする技術としては、熱圧着
法が代表的方法である。熱圧着法は、リード線を
機械的に切断するか又は、電気トーチで溶断した
後、100℃〜350℃の温度範囲でリード線を加圧し
てボンデイングする方法である。 近年、ボンデイング技術の向上とICの組立コ
ストの低減の目的で、ボンデイングマシンの高速
度化および自動化が進み、従来の高純度の金線は
引張強度が低いため、ボンデイング作業中に断線
を生ずることが多くなつてきた。また、断線に至
らないでボンデイングをすることができたとして
も、一度熱の影響を受けた金線が軟化し半導体素
子の電極と外部リードをボンデイングする金線の
ループの形状にたるみを生じてシヨートしたり、
さらに樹脂モールドする場合にボンデイング用金
線が軟化によつて変形してシヨートや断線の原因
となることがある。また、軟化により引張強度が
低下して断線を生ずるので、これに使用される金
線は、高い強度を要求されるようになつてきた。 このような要求に応じるために、Caを0.0005乃
至0.01重量％含有せしめたボンデイング用金線
（特開昭53−105968）、Beを0.0001乃至0.0008重量
％含有せしめたボンデイング用金線（特開昭53−
112059）、Caを0.0003乃至0.005重量％含有せしめ
且つBeを0.0001乃至0.0008重量％、Geを0.0005乃
至0.005重量％の１種または２種を含有せしめ、
総計0.0004乃至0.01重量％となるようにしたボン
デイング用金線（特開昭53−112960）、Se，Te，
Zn，PbおよびMnのうち１種または２種以上の元
素を合計量で0.0001乃至0.01重量％含有せしめた
ボンデイング用金線（特開昭57−90954）、Srを
0.0001乃至0.01重量％含有せしめたボンデイング
用金線（特開昭59−65439）La，Ce，Pr，Ndお
よびSmからなるセリウム族土類金属のうち１種
または２種以上0.0003乃至0.010重量％を含有し、
さらにGe，SeおよびCaのうち１種または２種以
上0.0001乃至0.0060重量％を含有せしめたボンデ
イング用金線（特開昭58−154242）、Ｂを0.0001
乃至0.01重量％含有せしめたボンデイング用金線
等の種々の組成の高純度金（99.99重量％程度）
のボンデイング用金線が提案された。 発明が解決しようとする問題点 本発明者等は、これらの従来提案された種々の
ボンデイング用金線について検討した結果、これ
らのボンデイング用金線は、従来の高純度金線に
比して高い引張強度を有し、ボンデイング作業中
に断線を起こす可能性が低いことを確認した。し
かし、これらの金線においても未だ常温および高
温引張強度の不足のためにボンデイング作業中に
断線を生ずることがあること、および、このよう
な従来提案された高純度金線においては、ループ
高さが高く、半導体素子のボンデイングに際して
フラツトパツケージ用デバイスのボンデイング用
金線としては適当でないことがわかつた。 本発明は、従来提案された上記の如き種々のボ
ンデイング金線における欠点を改め、高い引張強
度を有し、ループ高さが低くフラツトパツケージ
用デバイス向け仕様に最適な半導体素子ボンデイ
ング用金線を提供しようとするものである。 問題点を解決するための手段 本発明は上記の問題点を解決する手段として、
Laを0.0001乃至0.003重量％，Pbを0.0001乃至
0.003重量％含有し、LaとPbの合計量を0.0002乃
至0.006重量％とし、さらに、Beを0.0003乃至
0.001重量％、Caを0.0001乃至0.0007重量％含有
し、BeとCaの合計を0.0004乃至0.0017重量％と
し、残部を不可避不純物を含む純度99.99％以上
のAuとした組成を有することを特徴とする半導
体素子ボンデイング用金線を提供する。 作 用 以下、上記の半導体ボンデイング用金線におけ
る各成分の限定理由について述べる。 Laは金線の常温及び高温の引張強度を向上さ
せる作用があるが、その含有量が0.0001重量％未
満では特性を満足することができず、一方、
0.003重量％以上では、ボールの真球度が悪くな
り始め、金線の脆化現象が見られるようになるの
で、0.001乃至0.003重量％とする必要がある。 Pbは金線の常温及び高温時とボンデイング後
の引張強度を向上させる作用があるが、その含有
量は0.0001重量％未満では、特性を満足すること
はできず、一方、0.003重量％以上では、ボール
形状が不安定で、ボールの真球度が悪くなり始
め、金線の脆化現象が見られるようになるので、
0.001乃至0.003重量％とする必要がある。 LaとPbの合計の含有率の下限は、強度上昇効
果が見られるようになり、ループ高さにおいて、
従来のものよりもループ高さが低くなり、目標高
さ220μ以下を満足する点とする必要があり、こ
れは0.0002重量％である。 一方、この含有率は、大きい程常温及び高温時
の引張強度が共に高くなり、さらにループが低く
なるが、0.006重量％を越えると、ボールの真球
度が悪くなり始めるので、含有率の上限は実験的
に求めて、0.006重量％とする必要がある。 Beは金線の常温及び高温時の引張強度を向上
させるので、ボンデイング時の断線、金線の垂れ
下がり、セカンドボンド側の金線切断後のテール
残りを減少させ、溶断後のボール形状も安定し、
ボンデイング後の接着強度を高める作用をする。
Beの含有量が0.0003重量％未満では金線の常温
及び高温時の十分な引張強度が得られないので下
限を0.0003重量％とする必要がある一方、Beの
含有量を0.001重量％以上とすると、ボンデイン
グ時のボール形状が不安定でボールの真球度が悪
くなるばかりでなく、ボンデイング後の入熱によ
るワイヤネツク部の結晶粒が局部的に粗大化し、
結晶粒界破断を起こし易くなり、又、接着強度も
低下するので、上限を0.001重量％とする必要が
ある。 Caは金の再結晶温度を高める作用があるので、
金線の常温及び高温時の引張強度を向上させると
共に、ボンデイング後の接着強度を高める作用を
する。Caの含有量が0.0001重量％未満では、金線
の常温及び高温時の十分な引張強度が得られない
事と共に、再結晶温度も高くならないので、
0.0001重量％とする必要がある。一方、0.0007重
量％以上とすると、常温及び高温時の引張強度を
十分高めるが、金線の脆化現象が見られるように
なるので、上限を0.0007重量％とする必要があ
る。 Be，Ca等の成分はLa，Pbとの共存において、
ボンデイング強度を高め、常温及び高温引張強度
を一段と高めるとともに、ボンデイング時のルー
ププロフイルを安定させるが、その反面、ループ
高さは低くなる。 従つて、BeとCaとを含有する場合には、その
合計が0.0004重量％以下では効果が生ぜず、ま
た、0.0017重量％を越えると、ボールの真球度が
悪くなり、ボンダビリテイが悪くなるので、含有
率範囲は0.0004〜0.0017重量％とする必要があ
る。 上述のように、従来提案された金線は高い常温
強度を有してはいるが、高温強度、特にボール形
成部近傍は、ボール形成時及びその後のボンデイ
ング時の入熱で、結晶粒が局部的に粗大化する点
や、又、ボンデイングやループ形成に伴なう歪の
付与等により、ワイヤ延性の低下が生じるという
問題点の解決については十分でない。 そこで、本発明者等は前述した問題点の解明の
ため、不断の研究の結果AuにLa＋Pbを0.0002〜
0.006重量％，Be＋Caを0.0004〜0.0017重量％を
複合添加する事により、La，Pb，Be，Ca4成分
の相乗効果を高め、高い常温強度を保持するの
で、ボンデイング時の断線を低下させ、且つ、高
温強度が大幅に上昇するので、ボンデイング後の
入熱によるワイヤネツク部の結晶粒が局部的に粗
大化する事を防ぎ、発明者が目標としたフラツト
パツケージ用デバイス向けの低ループ（220μ以
下の目標）ボンデイングワイヤを得たのである。 実施例 99.99％の高純度金を使用し、第１表の添加元
素を加えて、真空溶解した後、金インゴツトを作
製し、伸線加工を施して、直径φ0.025mmの金細線
とする。更にこの金細線を常温における伸び率を
目標値４％となるように軟化熱処理をし、ボンデ
イング用金線とした。 このボンデイング用金線の常温における引張試
験値および高温（温度：250℃，保持時間：20秒）
における引張試験値を第２表に示す。 更にボンデイング性能評価試験を行ない、ルー
プ高さ、フツクテストにおける破断強度とボンデ
イング中に発生したワイヤ切れの値を指数にして
第２表に示す。以下、具体的な実施例について説
明する。 実施例A1は、AuにBe：0.0006重量％，Ca：
0.0003重量％のBe＋Ca：0.0009重量％，La：
0.0003重量％，Pb：0.0003重量％のLa＋Pb：
0.0006重量％を添加した本発明品であり、A2は
AuにBe：0.0006重量％，Ca：0.0003重量％のBe
＋Ca：0.0009重量％添加した比較品である。 A1はA2より、La＋Pb，Be＋Caの複合添加の
ため、常温及び高温の金線強度が上昇している。
そのため、ボンデイング性能においても、A1は
A2よりボンデイング中のワイヤ切れが少ない。 ループ高さにおいて、A1（220μ）はA2（240μ）
より20μ低く、目標のループ高さ220μ以下を満足
している。A1はボンデイング後のワイヤネツク
部の結晶粒が整粒で、結晶粒径もA2の12μに対し
て、約10μと小さい。 本発明品B1は、AuにBe＋Ca：0.0009重量％，
La：0.0005重量％，Pb：0.0005重量％のLa＋
Pb：0.0010重量％を複合添加したものである。
B2はPbを除いたLa：0.0005重量％とBe＋Ca：
0.0009重量％添加した比較品である。B1はLa＋
Pb，Be＋Caの複合添加のため、B2よりも常温及
び高温の金線強度が上昇している。ボンデイング
性能においても、B1はB2よりボンデイング中の
ワイヤ切れが少ない。 ループ高さにおいて、B1（205μ）はB2（235μ）
より30μ低く、目標のループ高さ220μ以下を満足
している。B1は、ボンデイング後のワイヤネツ
ク部の結晶粒が整粒で、結晶粒径も、B2の約11μ
に対して、約9μと小さい。 本発明品C1は、AuにBe＋Ca：0.0009重量％，
La：0.0010重量％，Pb：0.0010重量％のLa＋
Pb：0.0020重量％を複合添加したものである。
C2はLaを除いたPb：0.0010重量％とBe＋Ca：
0.0009重量％添加した比較品である。C1はLa＋
Pb，Be＋Caの複合添加のため、C2よりも常温及
び高温の金線強度が上昇している。ボンデイング
性能においても、C1はC2よりボンデイング中の
ワイヤ切れが少ない。 ループ高さにおいて、C1（195μ）はC2（240μ）
より45μ低く、目標のループ高さ220μ以下を満足
している。C1は、ボンデイング後のワイヤネツ
ク部の結晶粒が整粒で、結晶粒径もC2の約11μに
対して、約9μと小さい。 本発明品D1は、AuにBe＋Ca：0.0009重量％，
La：0.0010重量％，Pb：0.0005重量％のLa＋
Pb：0.0015重量％を複合添加したものである。
D2はLaを除いたPb：0.0005重量％とBe＋Ca：
0.0009重量％添加した比較品である。D1はLa＋
Pb，Be＋Caの複合添加のため、D2よりも常温及
び高温の金線強度が大幅に上昇している。 ボンデイング性能においても、D1はD2よりボ
ンデイング中のワイヤ切れが大幅に少ない。 ループ高さにおいて、D1（195μ）はD2（245μ）
より50μ低く、目標のループ高さ220μ以下を十分
満足している。 D1は、ボンデイング後のワイヤネツク部の結
晶粒が整粒で、結晶粒径もD2の約12μに対して、
約9μと小さい。 本発明品E1は、AuにBe＋Ca：0.0009重量％，
La：0.0020重量％，Pb：0.0015重量％のLa＋
Pb：0.0035重量％を複合添加したものである。
E2はPbを除いたLa：0.002重量％とBe＋Ca：
0.0009重量％添加した比較品である。E1はLa＋
Pb，Be＋Caの複合添加のため、E2よりも常温及
び高温の金線強度が上昇している。ボンデイング
性能においても、E1はE2よりボンデイング中の
ワイヤ切れが少ない。 ループ高さにおいて、E1（185μ）はE2（220μ）
より35μ低く、目標のループ高さ220μ以下を満足
している。E1は、ボンデイング後のワイヤネツ
ク部の結晶粒が整粒で、結晶粒径もE2の約10μに
対して、約8μと小さい。 本発明品F1は、AuにBe＋Ca：0.0009重量％と
La：0.0005重量％，Pb：0.0020重量％のLa＋
Pb：0.0025重量％を複合添加したものである。
F2はLaを除いたPb：0.0020重量％とBe＋Ca：
0.0009重量％添加した比較品である。F1はLa＋
Pb，Be＋Caの複合添加のため、F2よりも常温及
び高温の金線強度が上昇している。 ボンデイング性能においても、F1はF2よりボ
ンデイング中のワイヤ切れが少ない。 ループ高さにおいて、F1（200μ）はF2（235μ）
より35μ低く、目標のループ高さ220μ以下を満足
している。F1は、ボンデイング後の結晶粒が整
粒で、結晶粒径もF2の約11μに対して、約9μと小
さい。 発明の効果 以上、述べた如く、本発明にかかるボンデイン
グ用金線は、常温及び高温強度が高く、ボンデイ
ング時のワイヤ切れ等の不良を少なく出来る上、
ループ高さを20μ〜50μ程度、顕著に低く出来る
ので、半導体素子用金線として、ボンデイングの
高速化を可能にし、フラツトパツケージ用デバイ
ス向け仕様に対して最適であることがわかる。
【表】
【表】
Claims (1)
- １ Laを0.0001乃至0.003重量％、Pbを0.0001乃
至0.003重量％含有し、LaとPbの合計量を0.0002
乃至0.006重量％とし、さらに、Beを0.0003乃至
0.001重量％、Caを0.0001乃至0.0007重量％含有
し、BeとCaの合計を0.0004乃至0.0017重量％と
し、残部を不可避不純物を含む純度99.99％以上
のAuとした組成を有することを特徴とする半導
体素子ボンデイング用金線。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61070087A JPS62228440A (ja) | 1986-03-28 | 1986-03-28 | 半導体素子ボンデイング用金線 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61070087A JPS62228440A (ja) | 1986-03-28 | 1986-03-28 | 半導体素子ボンデイング用金線 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62228440A JPS62228440A (ja) | 1987-10-07 |
| JPS6360105B2 true JPS6360105B2 (ja) | 1988-11-22 |
Family
ID=13421404
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61070087A Granted JPS62228440A (ja) | 1986-03-28 | 1986-03-28 | 半導体素子ボンデイング用金線 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62228440A (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0515002U (ja) * | 1991-08-05 | 1993-02-26 | 日本電信電話株式会社 | 光固定減衰器用端末部材 |
| US8440137B2 (en) | 2004-11-26 | 2013-05-14 | Tanaka Denshi Kogyo K.K. | Au bonding wire for semiconductor device |
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| JPH01146336A (ja) * | 1987-12-03 | 1989-06-08 | Mitsubishi Metal Corp | 半導体素子ボンディング用Ａｕ合金極細線 |
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| JPH02205641A (ja) * | 1989-01-31 | 1990-08-15 | Tatsuta Electric Wire & Cable Co Ltd | ボンディング用金合金細線 |
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| JPS59119752A (ja) * | 1982-12-24 | 1984-07-11 | Tanaka Denshi Kogyo Kk | 半導体素子用ボンデイング金線 |
-
1986
- 1986-03-28 JP JP61070087A patent/JPS62228440A/ja active Granted
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| US8440137B2 (en) | 2004-11-26 | 2013-05-14 | Tanaka Denshi Kogyo K.K. | Au bonding wire for semiconductor device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62228440A (ja) | 1987-10-07 |
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