JP2814660B2 - 半導体装置のボンディング用金合金線 - Google Patents

半導体装置のボンディング用金合金線

Info

Publication number
JP2814660B2
JP2814660B2 JP2054610A JP5461090A JP2814660B2 JP 2814660 B2 JP2814660 B2 JP 2814660B2 JP 2054610 A JP2054610 A JP 2054610A JP 5461090 A JP5461090 A JP 5461090A JP 2814660 B2 JP2814660 B2 JP 2814660B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
gold alloy
bonding
alloy wire
wire
loop
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2054610A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH03257129A (ja
Inventor
直之 細田
正樹 森川
正幸 田中
潔 古川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Materials Corp
Original Assignee
Mitsubishi Materials Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Materials Corp filed Critical Mitsubishi Materials Corp
Priority to JP2054610A priority Critical patent/JP2814660B2/ja
Publication of JPH03257129A publication Critical patent/JPH03257129A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2814660B2 publication Critical patent/JP2814660B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L24/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/4501—Shape
    • H01L2224/45012—Cross-sectional shape
    • H01L2224/45015—Cross-sectional shape being circular
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
    • H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01004—Beryllium [Be]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01005—Boron [B]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/0102—Calcium [Ca]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01022—Titanium [Ti]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01027—Cobalt [Co]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01028—Nickel [Ni]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/0104—Zirconium [Zr]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01046—Palladium [Pd]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/0105—Tin [Sn]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01057—Lanthanum [La]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01058—Cerium [Ce]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01074—Tungsten [W]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01077—Iridium [Ir]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01082—Lead [Pb]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/011—Groups of the periodic table
    • H01L2924/01105—Rare earth metals
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/20—Parameters
    • H01L2924/207—Diameter ranges
    • H01L2924/20752—Diameter ranges larger or equal to 20 microns less than 30 microns

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、半導体装置のボンディングワイヤとして
用い、例えば140〜180μｍの低いループ高さで半導体素
子と外部リードとのボンディングを行なった場合にも、
特にループ高さのバラツキを著しく抑制することができ
る金合金線に関するものである。
〔従来の技術〕
同一出願人は、先に特開昭58−154242号公報に記載さ
れる通りの、 La,Ce,Pr,Nd、およびSmからなるセリウム族希土類元
素のうちの１種または２種以上:3〜100ppm、 Ca,Be、およびGeのうちの１種または２種以上:1〜60p
pm、 を含有し、残りがAuと不可避不純物からなる組成を有す
る半導体装置のボンディング用金合金線を提案した。
〔発明が解決しようとする課題〕
一方、近年、半導体装置のうち、特に厚みが極端に薄
いICカードや、VSOPおよびTSOPなどの薄型パッケージの
普及はめざましく、これには、例えば140〜180μｍとい
った低いループ高さでのボンディングが要求されるが、
上記の従来金合金線はじめ、その他多くの従来金合金線
の場合、これを薄型パッケージのボンディングワイヤと
して用いた場合、ループ高さのバラツキを小さくするこ
とができず、この結果樹脂モールド後のパッケージ表面
へのループ露出がしばしば発生し、高い製品歩留りを確
保することができないのが現状である。
〔課題が解決するための手段〕
そこで、本発明者等は、上述のような観点から、特に
低いループ高さが要求される薄型パッケージのボンディ
ングワイヤとして用いた場合、ボンディング後のループ
高さのバラツキを小さくすることができる金合金線を開
発すべく、上記の従来金合金線に着目し研究を行なった
結果、上記の従来金合金線に、合金成分として、 B,Ni,Fe,Co,TiおよびZrのうちの１種または２種以上:
1〜100ppm、を含有させると、この結果の金合金線は、
結晶粒径が均一化するので、低いループ高さを維持しつ
つ、ループ高さのバラツキが著しく抑制されるようにな
り、さらに高温強度、ボンディング後のループ変形の有
無、および樹脂モールド時のトレープ流れについては上
記従来金合金線と同等のすぐれた性質を具備するという
研究結果を得たのである。
この発明は、上記研究結果にもとづいてなされたもの
であって、 La,Ce,Pr,Nd、およびSmからなるセリウム族希土類元
素のうちの１種または２種以上:1〜100ppm、 CaおよびBeのうちの１種または２種:1〜100ppm、 B,NI,Fe,Co,TiおよびZrのうちの１種または２種以上:
1〜100ppm、 を含有し、残りがAuと不可避不純物からなる組成を有す
る半導体装置のボンディング用金合金線に特徴を有する
ものである。
つぎに、この発明の金合金線の成分組成を上記の通り
に限定した理由を説明する。
（ａ） セリウム族希土類元素 これらの成分には、線の常温および高温強度を向上さ
せる作用があるが、その含有量が1ppm未満では所望の強
度向上効果が得られず、一方その含有量が100ppmを越え
ると線が脆化するようになることから、その含有量を１
〜100ppmと定めた。
（ｂ） Ca,Be これらの成分には、セリウム族希土類元素との共存に
おいて、線の軟化温度を高め、もってボンディング時の
線自体の脆化および変形ループの発生、さらに樹脂モー
ルド時のループ流れを抑制すると共に、ボンディングの
接合強度を高め、さらに常温および高温強度を一段と向
上させる作用があるが、その含有量が1ppm未満では前記
作用に所望の効果が得られず、一方その含有量が100ppm
を越えると、脆化して線引加工性などが劣化するように
なるばかりでなく、ボンディング時の加熱温度で結晶粒
界破断を起し易くなることから、その含有量を１〜100p
pmと定めた。
（ｃ） B,Ni,Fe,Co,TiおよびZr これらの成分は、上記の通りセリウム族希土類元素
と、Ca,Beとの共存において、線の結晶粒径を均一化
し、これによって低いループ高さを維持しつつ、ループ
高さのバラツキが著しく抑制されるようになる作用を発
揮するが、その含有量が1ppm未満では前記作用に所望の
効果が得られず、一方その含有量が100ppmを越えると、
脆化して線引加工性などが低下すようになることから、
その含有量を１〜100ppmと定めた。
〔実施例〕
つぎに、この発明の金合金線を実施例により具体的に
説明する。
通常の溶解法によりそれぞれ第１表に示される成分組
成をもった溶湯を調製し、鋳造した後、公知の溝型圧延
機を用いて圧延し、引続いて線引加工を行なうことによ
り、直径:0.025mmを有する本発明金合金線１〜４および
従来金合金線１〜13をそれぞれ製造した。
ついで、この結果得られた各種の金合金線について、
線がボンディング時にさらされる条件に相当する条件、
すなわち250℃に20秒間保持した条件で高温引張試験を
行ない、破断強度と伸びを測定し、高温強度を評価し
た。
また、これらの金合金線をボンディングワイヤとして
用い、高速自動ボンダにて、特に薄型パッケージに対応
させる目的で、ループ高さを140〜180μｍに低くした状
態でボンディングを行ない、ループ高さ、ループ高さの
バラツキ、ループ変形の有無、および樹脂モールド後の
ループ流れ量をそれぞれ測定した。これらの測定結果を
第２表に示した。
なお、ループ高さは、第１図に正面図で示されるよう
に、半導体素子Ｓと外部リードＬを金合金線Ｗでボンデ
ィングした場合のｈをｚ軸測微計を用いて測定し、80個
の測定値の平均値をもって表わし、ループ高さのバラツ
キは、前記の80個のループ高さ測定値より標準偏差を求
め、３σの値で表わした。
また、ループ変形の有無は、ボンディング後の金合金
線Ｗを顕微鏡を用いて観察し、第１図に点線で示される
ように金合金線が垂れ下がって半導体素子Ｓのエッジに
接触（エッジショート）している場合を「有」とし、接
触していない場合を「無」として判定した。
さらに、ループ流れ量は、樹脂モールド後の金合金線
Ｗを直上からＸ線撮影し、この結果のＸ線写真にもとづ
いて４つのコーナー部における半導体素子と外部リード
のボンディング点を結んだ直線に対する金合金線の最大
膨量を測定し、これらの平均値をもって表わした。
〔発明の効果〕
第１表および第２表に示される結果から、本発明金合
金線１〜４は、いずれも140〜180μｍの低いループ高さ
でのループ高さのバラツキが、従来金合金線１〜13に比
してきわめて小さく、かつ従来金合金線１〜13と同等の
高い高温強度をもち、さらに同じくループ変形の発生が
なく、樹脂モールド時のループ流れ量もきわめて小さ
く、現在許容最大値といわれている100μｍより小さい
値を示したいることが明らかである。
上述のように、この発明の金合金線は、これを半導体
装置のうち、特に低いループ高さが要求される薄肉パッ
ケージのボンディングワイヤとして用いた場合、ループ
高さのバラツキがきわめて小さいので、樹脂モールド後
のパッケージ表面にループが露出することがなく、さら
に高い高温強度をもつと共に、ボンディング時のループ
変形の発生がなく、かつ樹脂モールド時のループ流れも
小さいので、タブショートやエッジショートなどの不良
発生も著しく抑制されるようになることと合まって、製
品不良が激減し、歩留りの飛躍的向上をはかることがで
きるなど工業上有用な特性を有するのである。
【図面の簡単な説明】
第１図は半導体装置のボンディング状態を示す正面図で
ある。 Ｓ……半導体素子、Ｌ……外部リード Ｗ……金合金線
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 古川 潔 兵庫県三田市テクノパーク12―６ 三菱 金属株式会社三田工場内 (56)参考文献 特開 昭60−30158（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−290835（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−228440（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−79741（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−288348（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) C22C 5/02 H01L 21/60 301

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】La,Ce,Pr,Nd、およびSmからなるセリウム
    族希土類元素のうちの１種または２種以上:1〜100ppm、 CaおよびBeのうちの１種または２種:1〜100ppm、 B,Ni,Fe,Co,TiおよびZrのうちの１種または２種以上:1
    〜100ppm、 を含有し、残りがAuと不可避不純物からなる組成を有す
    ることを特徴とする半導体装置のボンディング用金合金
    線。
JP2054610A 1990-03-06 1990-03-06 半導体装置のボンディング用金合金線 Expired - Fee Related JP2814660B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2054610A JP2814660B2 (ja) 1990-03-06 1990-03-06 半導体装置のボンディング用金合金線

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2054610A JP2814660B2 (ja) 1990-03-06 1990-03-06 半導体装置のボンディング用金合金線

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH03257129A JPH03257129A (ja) 1991-11-15
JP2814660B2 true JP2814660B2 (ja) 1998-10-27

Family

ID=12975511

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2054610A Expired - Fee Related JP2814660B2 (ja) 1990-03-06 1990-03-06 半導体装置のボンディング用金合金線

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2814660B2 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7830008B2 (en) 2005-01-24 2010-11-09 Nippon Steel Materials Co., Ltd. Gold wire for connecting semiconductor chip
US8440137B2 (en) 2004-11-26 2013-05-14 Tanaka Denshi Kogyo K.K. Au bonding wire for semiconductor device

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2780611B2 (ja) * 1993-09-06 1998-07-30 三菱マテリアル株式会社 少量成分の合金化で硬質化した金装飾品材
KR100618052B1 (ko) * 2003-04-14 2006-08-30 엠케이전자 주식회사 반도체 소자 본딩용 금 합금세선
JP3994113B2 (ja) * 2004-09-30 2007-10-17 田中電子工業株式会社 ワイヤバンプ
JP5166738B2 (ja) 2006-03-24 2013-03-21 新日鉄住金マテリアルズ株式会社 半導体素子接続用金線
CN100394592C (zh) * 2006-07-11 2008-06-11 中国印钞造币总公司 一种键合金丝及其制造方法
JP5010495B2 (ja) * 2007-02-06 2012-08-29 新日鉄マテリアルズ株式会社 半導体素子接続用金線

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6179741A (ja) * 1984-09-27 1986-04-23 Sumitomo Metal Mining Co Ltd ボンデイングワイヤ−
JPS62228440A (ja) * 1986-03-28 1987-10-07 Matsuda Kikinzoku Kogyo Kk 半導体素子ボンデイング用金線
JPH0726167B2 (ja) * 1986-06-09 1995-03-22 三菱マテリアル株式会社 半導体装置のボンデイングワイヤ用Ａｕ合金極細線

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8440137B2 (en) 2004-11-26 2013-05-14 Tanaka Denshi Kogyo K.K. Au bonding wire for semiconductor device
US7830008B2 (en) 2005-01-24 2010-11-09 Nippon Steel Materials Co., Ltd. Gold wire for connecting semiconductor chip

Also Published As

Publication number Publication date
JPH03257129A (ja) 1991-11-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5071619A (en) Fine gold alloy wire for bonding of a semiconductor device
CN103137236A (zh) 用于微电子装置中接合的合金2n铜线
TWI401323B (zh) Wire with gold alloy wire
JP2814660B2 (ja) 半導体装置のボンディング用金合金線
JPH0216580B2 (ja)
JP2714560B2 (ja) ダイレクトボンディング性の良好な銅合金
JPS58154242A (ja) 半導体素子ボンデイング用金合金細線
TWI407515B (zh) Wire with gold alloy wire
JP3573321B2 (ja) Ａｕボンディングワイヤー
JPH11186314A (ja) ボンディングワイヤ
JP3090548B2 (ja) 半導体素子用ボンディング線
JP3204336B2 (ja) 半導体素子用ボンディング線
JP3090549B2 (ja) 半導体素子用ボンディング線
JP2773202B2 (ja) 半導体素子ボンディング用Ａｕ合金極細線
JPH08193233A (ja) 半導体装置用金合金細線
JP3291679B2 (ja) 半導体装置用金合金細線
JP2621288B2 (ja) 半導体素子ボンディング用Ａｕ合金極細線
JPH10275820A (ja) 半導体素子ボンディング用金合金線
JP3475511B2 (ja) ボンディングワイヤー
JP3235198B2 (ja) ボンディングワイヤ
JPH05160185A (ja) 半導体素子用のＰｄ極細線
JP3204335B2 (ja) 半導体素子用Ｐｔ合金極細線
JPH06112252A (ja) 半導体素子用Ｐｔ合金極細線
JP3426397B2 (ja) 半導体素子用金合金細線
JP3522048B2 (ja) ボンディングワイヤ

Legal Events

Date Code Title Description
FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080814

Year of fee payment: 10

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080814

Year of fee payment: 10

R371 Transfer withdrawn

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080814

Year of fee payment: 10

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080814

Year of fee payment: 10

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090814

Year of fee payment: 11

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees