JPH05160185A - 半導体素子用のＰｄ極細線 - Google Patents

半導体素子用のＰｄ極細線

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JPH05160185A
JPH05160185A JP3320426A JP32042691A JPH05160185A JP H05160185 A JPH05160185 A JP H05160185A JP 3320426 A JP3320426 A JP 3320426A JP 32042691 A JP32042691 A JP 32042691A JP H05160185 A JPH05160185 A JP H05160185A
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Sukehito Iga
祐人 伊賀
Ichiro Nagamatsu
一郎 永松
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Tanaka Denshi Kogyo KK
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Tanaka Denshi Kogyo KK
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Abstract

(57)【要約】 【目的】所定の組成範囲でボールの真球度及び高温接合
強度を改善すること。 【構成】Ｍｏ，Ｗの１種又は２種を10〜500 at.ppmを添
加し、残部が不可避不純物を含み純度99.9％以上のＰｄ
からなる半導体素子用のＰｄ極細線。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体素子用のＰｄ極細
線、詳しくは半導体チップ上の電極と外部リードとを接
続するワイヤボンディング用又はバンプ電極用の 0.1mm
φ以下のＰｄ極細線に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体素子用の高純度Ｐｄ極細線
として、99.995ｗｔ％以上の極細線や99.97 ｗｔ％以上
の極細線が知られている（特公平2-37698 号公報、特開
昭56-169342 号公報）。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来のＰｄ極細線は高純度であるがゆえに熱圧着時におい
て下地金属層（パッド等）の拡散が促進されて接合強度
が低下し、熱圧着後の高温放置−プルテストにおけるＡ
点（ボールとパッドとの接合面）剥がれの発生率が高い
という不具合があった。
【０００４】本発明は斯る従来事情に鑑み、所定の組成
範囲でボールの真球度及び高温接合強度を改善して従来
不具合を解消し得るＰｄ合金からなる半導体素子用のＰ
ｄ極細線を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明のＰｄ極細線は、
Ｍｏ，Ｗの１種又は２種を10〜500 at.ppmを添加し、残
部が不可避不純物を含み純度99.9％以上のＰｄからなる
ことを特徴とする。尚、上記添加量の単位：at.ppmは，
原子ppm を示すものである。
【０００６】
【作用】本発明によれば、Ｍｏ，Ｗの添加によって熱圧
着時における下地金属層の拡散が抑制され、一方、前記
添加元素Ｍｏ，Ｗは、ボール形成時に一部のＭｏ，Ｗが
酸化物ＭｏＯ，ＷＯを生成するが、それら酸化物が低沸
点であるためボール表面から蒸発飛散してしまうので、
ボール表面には酸化膜が形成されずボールが真球とな
る。しかし、上記元素の添加量が10at.ppm未満では、前
記ボールの真球度は得られるものの下地金属層の拡散抑
制が十分でなく、Ａ点剥がれ発生率を改善する効果が得
られない。又、上記元素の添加量が500at.ppm を越える
場合には、ボール形成時の収縮により表面酸化膜のシワ
が形成しやすく、またＰｄの純度が不可避不純物を含み
純度99.9％未満の場合も同様に表面酸化膜が形成しやす
くボール真球度が低下する。従って、上述の添加量の範
囲に設定するものである。
【０００７】
【実施例】本発明の実施例を説明すれば、下表１の成分
組成を有する試料Ｎｏ．１〜１５のＰｄ極細線を用意
し、各試料毎に高温強度、ボール形状の真球度、チップ
割れの有無およびＡ点剥がれ発生率をそれぞれテストし
測定した。その測定結果もまた下表１に示す。
【０００８】
【表１】
【０００９】各試料は、表１の高純度Ｐｄ（不可避不純
物を含む）と添加元素とからなる組成のＰｄ合金を、そ
れぞれ溶解鋳造し、次いで溝ロール加工を施し、その途
中で焼鈍処理を施した後に線引加工で線径２５μｍの母
線（伸び４％）に作成し、さらに十分な応力除去を行っ
た後にテストした。
【００１０】各テストの方法及び測定結果の判定は次の
通りである。高温強度は、標点間距離１００mmの各試料
を２５０℃，２０秒保持後に該温度雰囲気で引張り試験
機により引張りテストをし測定した値である。ボール形
状の真球度は、放電時間を４ｍｓとし、ボールの直径が
線径の２．５倍となるように放電々流を調整してボール
を形成し、該ボールに歪が有るか否かで測定した。測定
の結果、歪が無い場合を○印で、歪が有った場合を×印
でそれぞれ表記した。チップ割れの有無は、ボールを形
成した各試料を半導体チップに熱圧着して接合させる際
に該チップに割れが発生したか否かで測定した。測定の
結果、割れが発生しない場合を○印で、発生した場合を
×印でそれぞれ表記した。Ａ点剥がれ発生率は、前述の
ボールボンディング法により各試料を、半導体チップの
下地金属層に熱圧着（Ａ点）させるとともに外部リード
に圧着（Ｂ点）させ、２００℃の雰囲気で３００時間放
置した後、ループ部（Ｃ点）を引張るプルテストにより
前記Ａ点が剥離した割合（各試料のサンプル数：１０
０）を測定したものである。
【００１１】上記表１によれば、添加元素Ｍｏ，Ｗの添
加量が10at.ppm未満（試料Ｎｏ．１，６，１５）では、
Ａ点剥がれ発生率が５０％以上あって改善の効果が少な
いことが確認される。又、添加元素Ｍｏ，Ｗの添加量が
500at.ppm を越える場合（試料Ｎｏ．５，１０，１４）
には、ボール形状が歪みを生じ不安定となって熱圧着時
の接合強度を確保できないことが確認される。
【００１２】従って、表１の測定結果により明らかな如
く、本発明実施品によればワイヤボンディング用または
バンプ電極用としての所定の特性が得られることが確認
できた。
【００１３】本発明によれば、ボール形成時に歪のない
真球状のボールを形成することができて熱圧着時の接合
強度を高めることができるとともに、熱圧着後の高温放
置試験におけるＡ点剥がれ発生率を著しく減少させるこ
とができる。従って、耐久性、信頼性の高い半導体装置
の製作に有用なＰｄ極細線を提供することができる。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】Ｍｏ，Ｗの１種又は２種を10〜500 at.ppm
    を添加し、残部が不可避不純物を含み純度99.9％以上の
    Ｐｄからなる半導体素子用のＰｄ極細線。
JP3320426A 1991-12-04 1991-12-04 半導体素子用のＰｄ極細線 Pending JPH05160185A (ja)

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ID=18121325

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JP3320426A Pending JPH05160185A (ja) 1991-12-04 1991-12-04 半導体素子用のＰｄ極細線

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JP (1) JPH05160185A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07142488A (ja) * 1993-11-15 1995-06-02 Nec Corp バンプ構造及びその製造方法並びにフリップチップ実装 構造
JP2011014565A (ja) * 2009-06-30 2011-01-20 Fujitsu Ltd マルチチップモジュールおよびプリント基板ユニット並びに電子機器

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07142488A (ja) * 1993-11-15 1995-06-02 Nec Corp バンプ構造及びその製造方法並びにフリップチップ実装 構造
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