JPH01146336A - 半導体素子ボンディング用Ａｕ合金極細線 - Google Patents

半導体素子ボンディング用Ａｕ合金極細線

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JPH01146336A JP62306368A JP30636887A JPH01146336A JP H01146336 A JPH01146336 A JP H01146336A JP 62306368 A JP62306368 A JP 62306368A JP 30636887 A JP30636887 A JP 30636887A JP H01146336 A JPH01146336 A JP H01146336A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、すぐれた常温および高温強度、並びにすぐ
れた耐熱性を有し１％に半導体装置の製造に際して、半
導体素子と外部リードとのボンディング（結線）に用い
た場合に、−段と高いループ高さを保ち、その高さのバ
ラツキも小さく、かつ変形ループや、樹脂モールドの際
のループ流れが小さく、さらに高温にさらされる環境下
でも素地中に分散する金属間化合物の成長が抑制され。
高い信頼性を確保することができるＡｕ合合金線細線関
するものである。
〔従来の技術〕
一般に、半導体装置の組立てに際しては。
（ａ）　　まず、ボンディングキャピラリーを通して供
給されたＡｕまたはＡｕ合金極細線の先端部を、電気的
に、あるいは水素炎などで加熱溶融してボールを形成し
。
（ｂ）　　このボールを１５０〜３００℃の加熱状態に
おかれた半導体素子上の電極にキャピラリーで押し付け
て接合（ボールボンド）シ。
（Ｃ）　　ついでキャピラリーをループを形成しながら
外部リード上に移動し。
（ｄ）　　キャピラリーを外部リード上に押し付けて。
ループの他端部なこれに接合（ウェッジボンド）し。
（ｅ）　　引続いて、極細線を挾んで上方に引張って。
これを切断する。
以上Ｔａ）〜（ｅ）の工程な一工程とし、これを繰シ返
し行なうことによって、半導体素子と外部リードとをボ
ンディングすることが行なわ、れておシ、これには手動
式あるいは自動式ボンダーが用いられている。
〔発明が解決しようとする問題点〕
一方、最近の半導体技術の進展によって、半導体装置の
高集積度化や組立ての高速化、さらに品種形状の多様化
や苛酷な条件下での使用を余儀なくされる傾向にあり、
これに伴ってボンディングの高速化や半導体装置の高密
度化とともにパッケージ形状の多様化が進行し、中には
配線距離が従来のものよシずつと長いデバイスや、極端
に短かいデバイスの組立てを高速でボンディングする必
要が生ずるようＫなってきたが、従来使用されている各
種の高純度Ａｕ極細線やＡｕ合金極細線では。
ループ高さに不足が生じたり、さらにループ高さのバラ
ツキが大きいために不安定なループの形成が避けられず
、この結果半導体素子のエツジと接触してエツジショー
トを起し易く、さらに半導体装置が高温の苛酷な使用環
境にさらされると、極細線の例えばＭの電極材との接合
界面において。
素子中に分散する金属間化合物が急速に成長するように
なり、このような金属間化合物の粗大化は信頼性を著し
く低下させるなどループに関する深刻な問題が新たに発
生するようになっているのが現状であシ、シたがってル
ープ高さが高く、その高さのバラツキも小さく、かつ変
形ループの形成もなく、さらに樹脂モールドの際のルー
プ流れが小さく、加えて金属間化合物の成長が抑制され
て。
信頼性を一段と増した半導体素子ボンディング用極細線
の開発が強く望まれている。
〔問題点を解決するための手段〕
そこで１本発明者等は、上述のような観点から。
ボンディングの高速化、並びに半導体装置の高密度およ
び多様化に対応できる半導体素子ボンディング用極細線
を開発すべく研究を行なった結果。
半導体素子ボンディング用極細線を。
Ｌａ：　０．２〜５０　ｐｐｍ。
を含有し。
ＳｌおよびＡｇのうちの１種または２種＝１〜１００ｐ
ｍｓ を含有し、さらに。
Ｂｅ、　Ｉｎ、Ｇｏ、およびＣａのうちの１徨または２
種以上：ｌ〜３０ｐｐｍ。
を含有し、残シがＡｕと不可避不純物からなる組成を有
するＡｕ合金で構成すると、このＡｕ合金は、すぐれた
常温および高温強度、並びにすぐれ九耐熱性をもつ一方
、ボンディングに際しては、高さが程の熱影響によるル
ープ変形や、これに続く樹脂モールドの熱影響によるル
ープ流れの発生を抑制することができるほか、高温使用
環境下においても金属間化合物の成長が著しく抑制され
るようになるという知見を得たのである。
この発明は、上記知見にもとづいてなされたものであっ
て、以下に成分組成を上記の通りに限定した理由を説明
する。
（ａ）　　Ｌａ Ｌａ成分には、極細線の常温および高温の強度。
さらに耐熱性を向上せしめ、熱影響によるループの変形
や流れを防止する作用があるが、その含有量が０２　ｐ
ｐｍ未満では、前記作用に所望の効果が得られず、一方
その含有量が５０　ｐｐｍを越えると。
所望の高いループ高さを確保することができなくなるこ
とから、その含有量な０．２〜５０　ｐｐｍ（０，００
００２〜Ｏ，ＯＯ５重叛優）と定めた。
（ｂ）　　８ｉおよびＡｇ これらの成分には、Ｌａとの共存において、極細線の軟
化温度を高め、もってボンディング時の極細線自体の強
度低下並びに変形ループの発生を抑制する作用があるが
、その含有量がｌ　ｐｐｍ未満では前記作用に所望の効
果が得られず、一方１００ｐｐｍを越えて含有させると
、脆化して線引加工性が低下するようになるばかりでな
く、ボンディング時の加熱温度で結晶粒界破断を起し易
くなることから、その含有量をｌ　〜ｌＯＯｐｐｍ　（
０，０００１〜０．０１重量係）と定めた。
（ｃ）　ｓｅ　、　Ｉｎ、　Ｇｅ、およびＣａこれらの
成分には、　ＬａおよびＳｉ、Ａｇとの共存において、
さらにループ高さを一段と高め、かつループ高さのバラ
ツキを小さくする作用があるほか。
高温下における金属間化合物の成長を著しく抑制する作
用があるが、その含有量がｌ　ｐｐｍ未満では前記作用
に所望の効果が得られず、一方その含有量が３０　ｐｐ
ｍを越えると、脆化して線引加工性などが低下するよう
になり、さらにボンディング時の加熱温度で結晶粒破断
を起し易くなることから。
その含有量を１〜３０　ｐｐｍ（０，０００１〜０．０
０３Ｍ童％）と定めた。
〔実施例〕
つぎに、この発明のＡｕ合金極細線を実施例により具体
的に説明する。
通常の溶解法によりそれぞれ第１表に示される成分組成
をもったＡｕ合金溶湯を調製し、鋳造した後、公知の溝
型圧延機を用いて圧延し、引続いて線引加工を行なうこ
とによって、直径：０゜０２５Ｕを有する本発明Ａｕ合
金極細線１〜２０および比較Ａｕ合金極細線１〜２０を
それぞれ製造した。
なお、比較Ａｕ合金極細線１〜２０は、いずれも構成成
分のうちのいずれかの成分を含有せず、加えて比較Ａｕ
合金極細＠８，９にあっては、Ｂｅ、Ｉｎ。
Ｇｅ、およびＣａの含有量がこの発明の範囲から外れて
高いものである。
ついで、この結果得られた各棟の極細線について、極細
線がボンディング時にさらされる条件に相当する条件、
すなわち温度：２５０℃に２０秒間保持した条件で高温
引張試験を行ない、それぞれ破断強反と伸びを測定した
。
また、これらの極細線をボンディングワイヤとして用い
、高速自動ボンダーにてボンディングを行ない、ループ
高さ、ループ高さのバラツキ、ループ変形の有無、およ
び樹脂モールド後のループの流れ量を測定し、さらにボ
ンディング後のループのＡｊ［極材との接合部における
金属間化合物層の厚みと剪断強度（接合強度）を測定し
、加えて樹脂モールド後の半導体装置（ＩＣ）について
。
高温保持信頼性試験を行なった。これらの結果を第１表
に示した。
なお、ループ高さは、第１図に正面図で示されるように
、半導体素子Ｓと外部リードＬを極細線Ｗでボンディン
グした場合のｈを２軸測微計を用いて測定し、８０個の
測定値の平均値をもって表わし、ループ高さのバラツキ
は、前記の８０個のループ高さ測定値よシ標準偏差を求
め、３σの値で表わし、この場合、実用的にはｈ：２５
０μｍ以上、バラツキ＝３０μ冨以下であることが要求
されろう また。ループ変形の有無は、ボンディング後の結Ｎ！Ａ
Ｗを顕微鏡を用いて観察し、第１図に点線で示されるよ
うに結＃ＩＷが垂れ下がって半導体素子Ｓのエツジに接
触（エツジショート）シている場合を「有」とし、接触
していない場合を「無」として判定した。
さらに、ループ流れ量は、樹脂モールド後の結線（細ｍ
Ｗ）を直上からＸ線撮影し、この結果のＸ線写真にもと
づいて４つのコーナ一部における半導体素子と外部リー
ドのボンディング点を結んだ直線に対する結線の最大産
量を測定し、これらの平均値をもって表わした。この場
合ループ流れ量としては、最大値で１００μｍまで許容
される。
また、金属間化合物層の厚みは、３００℃に１時間保持
の条件でベーキング処理を施した後の断面を研磨した状
態で測定し、剪断強度はシェアテストにより測定し、さ
らに高温保持信頼性試験は。
ｒｃを２５０℃に５００時間保持した後で、ループの抵
抗値を測定し、高抵抗を示すものや、断線しているもの
を不良とし、試験数＝５０個のうちの不良数を測定する
ことにより行なった。この場合、金属ｍ］化合物層の厚
みは３μｍ以下、接合強度は４５．９以上が望まれ、か
つ高温保持信頼性試験では５０個の試験数のうち１個で
も不良が発生すると信頼性の低いものとなる。
〔発明の効果〕
第１表に示される結果から、本発明Ａｕ合金極細線１〜
２０は、いずれも高い高温強度を有し、ループ高さが高
く、かつそのバラツキもきわめて小さく、またループ変
形の発生がなく、ループ流れも著しく少なく、シかもル
ープは金属間化合物の成長が著しく抑制された状態で、
きわめて高い接合強度を示し、かつ高温に長時間加熱保
持されても不良数の発生が皆無で信頼性の著しく高いも
のであるのに対して、比較Ａｕ合金極細線１〜２０に見
られるように、構成成分のすべてをこの発明の範囲を満
足した状態で含有しないと、上記特性のすべてを満足し
て具備することができないことが明らかである。
上述のように、この発明のＡｕ合金極細線は、すぐれた
高温強度を有し、かつ常温強度および耐熱性にもすぐれ
１通常の半導体装置は勿論のこと。
高密度にして多様な半導体装置の組立てに際して。
高速ボンディングを採用した場合にも、高さが高く、か
つ高さのバラツキも著しく小さいループな安定して形成
することができ、さらにループの変形がほとんどないの
で、タブショートやエツジショートなどの不良発生が著
しく抑制されるほか。
高温にさらされる使用環境下でも、特にループの接合部
における金属間化合物の粒成長が著しく抑制されるので
、ループが高抵抗を示したり、断線したシすることがな
くなυ、信頼性の著しく高いものとなるなど工業上有用
な特性を有するのである。
【図面の簡単な説明】
第１図はボンディング状態を示す正面図でわる。 Ｓ・・・半導体素子、　　　Ｌ・・・外部リード、Ｗ・
・・極細線。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 Ｌａ：０．２〜５０ｐｐｍ、 を含有し、 ＳｉおよびＡｇのうちの１種または２種：１〜１００ｐ
    ｐｍ、 を含有し、さらに、 Ｂｅ、Ｉｎ、Ｇｅ、およびＣａのうちの１種または２種
    以上：１〜３０ｐｐｍ、 を含有し、残りがＡｕと不可避不純物からなる組成を有
    するＡｕ合金からなることを特徴とする半導体素子ボン
    ディング用Ａｕ合金極細線。
JP62306368A 1987-12-03 1987-12-03 半導体素子ボンディング用Ａｕ合金極細線 Granted JPH01146336A (ja)

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Application Number Priority Date Filing Date Title
JP62306368A JPH01146336A (ja) 1987-12-03 1987-12-03 半導体素子ボンディング用Ａｕ合金極細線

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JP62306368A JPH01146336A (ja) 1987-12-03 1987-12-03 半導体素子ボンディング用Ａｕ合金極細線

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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5282183A (en) * 1975-12-29 1977-07-09 Nec Corp Connecting wires for semiconductor devices
JPS5619629A (en) * 1979-07-25 1981-02-24 Tanaka Kikinzoku Kogyo Kk Bonding wire for semiconductor element
JPS58154242A (ja) * 1982-03-10 1983-09-13 Mitsubishi Metal Corp 半導体素子ボンデイング用金合金細線
JPS62228440A (ja) * 1986-03-28 1987-10-07 Matsuda Kikinzoku Kogyo Kk 半導体素子ボンデイング用金線

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5282183A (en) * 1975-12-29 1977-07-09 Nec Corp Connecting wires for semiconductor devices
JPS5619629A (en) * 1979-07-25 1981-02-24 Tanaka Kikinzoku Kogyo Kk Bonding wire for semiconductor element
JPS58154242A (ja) * 1982-03-10 1983-09-13 Mitsubishi Metal Corp 半導体素子ボンデイング用金合金細線
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