JPH11288962A - ボンディングワイヤ - Google Patents
ボンディングワイヤInfo
- Publication number
- JPH11288962A JPH11288962A JP8834998A JP8834998A JPH11288962A JP H11288962 A JPH11288962 A JP H11288962A JP 8834998 A JP8834998 A JP 8834998A JP 8834998 A JP8834998 A JP 8834998A JP H11288962 A JPH11288962 A JP H11288962A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- weight
- less
- wire
- bonding wire
- bonding
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L24/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
- H01L2224/0554—External layer
- H01L2224/05599—Material
- H01L2224/056—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/05617—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
- H01L2224/05624—Aluminium [Al] as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/4501—Shape
- H01L2224/45012—Cross-sectional shape
- H01L2224/45015—Cross-sectional shape being circular
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45139—Silver (Ag) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/852—Applying energy for connecting
- H01L2224/85201—Compression bonding
- H01L2224/85203—Thermocompression bonding
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/8538—Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
- H01L2224/85399—Material
- H01L2224/854—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/85438—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/85439—Silver (Ag) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01004—Beryllium [Be]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/0102—Calcium [Ca]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01029—Copper [Cu]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01038—Strontium [Sr]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01039—Yttrium [Y]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01044—Ruthenium [Ru]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01045—Rhodium [Rh]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01046—Palladium [Pd]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01047—Silver [Ag]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/0105—Tin [Sn]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01057—Lanthanum [La]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01058—Cerium [Ce]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01063—Europium [Eu]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01076—Osmium [Os]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01077—Iridium [Ir]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01078—Platinum [Pt]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01079—Gold [Au]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01082—Lead [Pb]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/14—Integrated circuits
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体デバイスの低コスト化に対応できる、
チップや外部リードとの接合信頼性が高いAg合金から
なるボンディングワイヤを提供する。 【解決手段】 Pt、Pd、Cu、Ru、Os、Rh、
Irの1種または2種以上を合計で0.1〜10重量%
含み、Ptが10重量%以下、Pdが10重量%以下、
Cuが5重量%以下、Ruが1重量%以下、Osが1重
量%以下、Rhが1重量%以下、Irが1重量%以下で
あり、残部がAg及び不可避不純物からなるボンディン
グワイヤ。更にAuを40重量%以下含んでいても良
く、また更に、Ca、Sr、Y、La、Ce、Eu、B
e、Ge、In、Snの1種または2種以上を合計で
0.01重量%以下含んでいても良い。
チップや外部リードとの接合信頼性が高いAg合金から
なるボンディングワイヤを提供する。 【解決手段】 Pt、Pd、Cu、Ru、Os、Rh、
Irの1種または2種以上を合計で0.1〜10重量%
含み、Ptが10重量%以下、Pdが10重量%以下、
Cuが5重量%以下、Ruが1重量%以下、Osが1重
量%以下、Rhが1重量%以下、Irが1重量%以下で
あり、残部がAg及び不可避不純物からなるボンディン
グワイヤ。更にAuを40重量%以下含んでいても良
く、また更に、Ca、Sr、Y、La、Ce、Eu、B
e、Ge、In、Snの1種または2種以上を合計で
0.01重量%以下含んでいても良い。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子上の電
極と外部リードとを接続するために用いるAg合金から
なるボンディングワイヤに関する。
極と外部リードとを接続するために用いるAg合金から
なるボンディングワイヤに関する。
【0002】
【従来の技術】IC、LSIなどの半導体素子の電極と
外部リードとを接続するため、0.02〜0.1mmの
範囲の直径を有するボンディングワイヤが用いられてい
る。ボンディングワイヤは良好な導電性、チップや外部
リードとの接合性、樹脂モールド後の耐環境性等が要求
され、これらの特性要求を満たすものとしてAu品位が
99.99重量%以上の高純度Au合金が用いられてき
た。
外部リードとを接続するため、0.02〜0.1mmの
範囲の直径を有するボンディングワイヤが用いられてい
る。ボンディングワイヤは良好な導電性、チップや外部
リードとの接合性、樹脂モールド後の耐環境性等が要求
され、これらの特性要求を満たすものとしてAu品位が
99.99重量%以上の高純度Au合金が用いられてき
た。
【0003】近年、半導体デバイスの低コスト化の要求
が強くなってきており、この対応策としてAu合金以外
のボンディングワイヤが試みられている。Ag合金はA
u合金に比べて導電性が良好である、加工性が良好で容
易に細線が得られる、大気中でも良好な接合性を示す、
価格が金に比較して安い、等の理由から、Au合金の代
替材料として最も有望な材料のひとつである。
が強くなってきており、この対応策としてAu合金以外
のボンディングワイヤが試みられている。Ag合金はA
u合金に比べて導電性が良好である、加工性が良好で容
易に細線が得られる、大気中でも良好な接合性を示す、
価格が金に比較して安い、等の理由から、Au合金の代
替材料として最も有望な材料のひとつである。
【0004】しかし、Ag合金はAu合金に比べて耐食
性が低い、接合信頼性が低い、等の理由で、実用的な半
導体パッケージには未だ使用されていなかった。
性が低い、接合信頼性が低い、等の理由で、実用的な半
導体パッケージには未だ使用されていなかった。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】そこで本発明は、半導
体デバイスの低コスト化に対応できる、チップや外部リ
ードとの接合信頼性が高い、Ag合金からなるボンディ
ングワイヤを提供することを目的とする。
体デバイスの低コスト化に対応できる、チップや外部リ
ードとの接合信頼性が高い、Ag合金からなるボンディ
ングワイヤを提供することを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めの本発明のボンディングワイヤは、Pt、Pd、C
u、Ru、Os、Rh、Irの1種または2種以上を合
計で0.1〜10重量%含み、Ptが10重量%以下、
Pdが10重量%以下、Cuが5重量%以下、Ruが1
重量%以下、Osが1重量%以下、Rhが1重量%以
下、Irが1重量%以下であり、残部がAg及び不可避
不純物からなることを特徴とする。
めの本発明のボンディングワイヤは、Pt、Pd、C
u、Ru、Os、Rh、Irの1種または2種以上を合
計で0.1〜10重量%含み、Ptが10重量%以下、
Pdが10重量%以下、Cuが5重量%以下、Ruが1
重量%以下、Osが1重量%以下、Rhが1重量%以
下、Irが1重量%以下であり、残部がAg及び不可避
不純物からなることを特徴とする。
【0007】また、上記構成で更にAuを40重量%以
下含んでいても良い。
下含んでいても良い。
【0008】また、上記いずれかの構成で更にCa、S
r、Y、La、Ce、Eu、Be、Ge、In、Snの
1種または2種以上を合計で0.0001〜0.01重
量%含んでいても良い。
r、Y、La、Ce、Eu、Be、Ge、In、Snの
1種または2種以上を合計で0.0001〜0.01重
量%含んでいても良い。
【0009】
【発明の実施の形態】本発明において、Pt、Pd、C
u、Ru、Os、Rh、Irの1種または2種以上を合
計で0.1〜10重量%含むことにするのは、これらの
元素の添加により、その機構は明らかではないがAg合
金の接合信頼性を向上させるからである。これら元素の
添加量の合計は、0.1重量%未満では効果が不十分で
あり、10重量%を超えるとワイヤ硬度が硬くなりすぎ
てかえって接合信頼性が低下する。
u、Ru、Os、Rh、Irの1種または2種以上を合
計で0.1〜10重量%含むことにするのは、これらの
元素の添加により、その機構は明らかではないがAg合
金の接合信頼性を向上させるからである。これら元素の
添加量の合計は、0.1重量%未満では効果が不十分で
あり、10重量%を超えるとワイヤ硬度が硬くなりすぎ
てかえって接合信頼性が低下する。
【0010】Ptを10重量%以下、Pdを10重量%
以下、Cuを5重量%以下、Ruを1重量%以下、Os
を1重量%以下、Rhを1重量%以下、Irを1重量%
以下とするのは、それぞれの上限を超えるとワイヤの加
工性が低下して細線を得るのが困難になるからである。
以下、Cuを5重量%以下、Ruを1重量%以下、Os
を1重量%以下、Rhを1重量%以下、Irを1重量%
以下とするのは、それぞれの上限を超えるとワイヤの加
工性が低下して細線を得るのが困難になるからである。
【0011】Auはワイヤの耐食性を向上させる元素で
あり、40重量%以下含めても良いが、40重量%を超
えるとワイヤ価格が高くなり、本発明の目的を逸脱す
る。
あり、40重量%以下含めても良いが、40重量%を超
えるとワイヤ価格が高くなり、本発明の目的を逸脱す
る。
【0012】Ca、Sr、Y、La、Ce、Eu、B
e、Ge、In、Snの1種または2種以上を合計で
0.01重量%以下含めても良く、これら添加元素はワ
イヤの強度や耐熱性を向上させる。0.01重量%を超
えるとワイヤの接合信頼性が低下する。0.0001重
量%未満ではその添加による効果を検知できない。
e、Ge、In、Snの1種または2種以上を合計で
0.01重量%以下含めても良く、これら添加元素はワ
イヤの強度や耐熱性を向上させる。0.01重量%を超
えるとワイヤの接合信頼性が低下する。0.0001重
量%未満ではその添加による効果を検知できない。
【0013】
【実施例】表1、表2に示す組成のAg合金を溶解鋳造
で得、得られた鋳塊に溝ロール加工を施し、更にダイヤ
モンドダイスを用いた伸線加工を施し、直径0.025
mmのワイヤを得た。試料番号No.1〜19は本発明
の実施例、No.20〜22は比較例である。
で得、得られた鋳塊に溝ロール加工を施し、更にダイヤ
モンドダイスを用いた伸線加工を施し、直径0.025
mmのワイヤを得た。試料番号No.1〜19は本発明
の実施例、No.20〜22は比較例である。
【0014】このように作製された試料を以下のように
評価した。まず、Al−1%Si−0.5%Cuの組成
の電極を有する半導体チップと、Agメッキを施した4
2アロイ製リードフレームを用い、ステージ温度250
℃で超音波熱圧着方式により各ワイヤをボンディング
し、ワイヤにフックをかけて引張り試験を行った。そし
て、破断がワイヤの部分で起こった場合を「良」、接合
部で起こった場合を「不良」と判断した。
評価した。まず、Al−1%Si−0.5%Cuの組成
の電極を有する半導体チップと、Agメッキを施した4
2アロイ製リードフレームを用い、ステージ温度250
℃で超音波熱圧着方式により各ワイヤをボンディング
し、ワイヤにフックをかけて引張り試験を行った。そし
て、破断がワイヤの部分で起こった場合を「良」、接合
部で起こった場合を「不良」と判断した。
【0015】また、上記と同様にワイヤボンディング
し、エポキシ樹脂(住友ベークライト製、EME−63
00)を用いて樹脂封入した試料に、大気中200℃で
保管したときの電気抵抗値変化を測定し、接合信頼性を
評価した。半導体チップとワイヤの接合部、Agメッキ
とワイヤの接合部、ワイヤ、リード、の各部分を含む位
置で電気抵抗値変化を測定し、電気抵抗値が上昇を開始
する時間(「抵抗上昇開始時間」)を調べた。抵抗上昇
開始時間が遅いほど接合信頼性が高いことになり、20
時間以上であれば十分である。なお、市販のAu合金ワ
イヤの抵抗上昇開始時間は、上記と同様に測定したとこ
ろ、48時間であった。結果を表1、表2に示す。
し、エポキシ樹脂(住友ベークライト製、EME−63
00)を用いて樹脂封入した試料に、大気中200℃で
保管したときの電気抵抗値変化を測定し、接合信頼性を
評価した。半導体チップとワイヤの接合部、Agメッキ
とワイヤの接合部、ワイヤ、リード、の各部分を含む位
置で電気抵抗値変化を測定し、電気抵抗値が上昇を開始
する時間(「抵抗上昇開始時間」)を調べた。抵抗上昇
開始時間が遅いほど接合信頼性が高いことになり、20
時間以上であれば十分である。なお、市販のAu合金ワ
イヤの抵抗上昇開始時間は、上記と同様に測定したとこ
ろ、48時間であった。結果を表1、表2に示す。
【0016】
【表1】
【表2】
【0017】以上の結果から明らかなように、本発明の
ボンディングワイヤは比較例に比べ接合信頼性が向上
し、市販のAu合金ワイヤに近い信頼性を示した。
ボンディングワイヤは比較例に比べ接合信頼性が向上
し、市販のAu合金ワイヤに近い信頼性を示した。
【0018】
【発明の効果】以上から明らかなように、本発明によ
り、半導体デバイスの低コスト化に対応できる、チップ
や外部リードとの接合信頼性が高いAg合金からなるボ
ンディングワイヤを提供することができた。
り、半導体デバイスの低コスト化に対応できる、チップ
や外部リードとの接合信頼性が高いAg合金からなるボ
ンディングワイヤを提供することができた。
Claims (4)
- 【請求項1】 Pt、Pd、Cu、Ru、Os、Rh、
Irの1種または2種以上を合計で0.1〜10重量%
含み、Ptが10重量%以下、Pdが10重量%以下、
Cuが5重量%以下、Ruが1重量%以下、Osが1重
量%以下、Rhが1重量%以下、Irが1重量%以下で
あり、残部がAg及び不可避不純物からなることを特徴
とするボンディングワイヤ。 - 【請求項2】 Pt、Pd、Cu、Ru、Os、Rh、
Irの1種または2種以上を合計で0.1〜10重量%
含み、Ptが10重量%以下、Pdが10重量%以下、
Cuが5重量%以下、Ruが1重量%以下、Osが1重
量%以下、Rhが1重量%以下、Irが1重量%以下で
あり、更にAuを40重量%以下含み、残部がAg及び
不可避不純物からなることを特徴とするボンディングワ
イヤ。 - 【請求項3】 Pt、Pd、Cu、Ru、Os、Rh、
Irの1種または2種以上を合計で0.1〜10重量%
含み、Ptが10重量%以下、Pdが10重量%以下、
Cuが5重量%以下、Ruが1重量%以下、Osが1重
量%以下、Rhが1重量%以下、Irが1重量%以下で
あり、更にCa、Sr、Y、La、Ce、Eu、Be、
Ge、In、Snの1種または2種以上を合計で0.0
001〜0.01重量%以下含み、残部がAg及び不可
避不純物からなることを特徴とするボンディングワイ
ヤ。 - 【請求項4】 Pt、Pd、Cu、Ru、Os、Rh、
Irの1種または2種以上を合計で0.1〜10重量%
含み、Ptが10重量%以下、Pdが10重量%以下、
Cuが5重量%以下、Ruが1重量%以下、Osが1重
量%以下、Rhが1重量%以下、Irが1重量%以下で
あり、Auを40重量%以下含み、更にCa、Sr、
Y、La、Ce、Eu、Be、Ge、In、Snの1種
または2種以上を合計で0.0001〜0.01重量%
含み、残部がAg及び不可避不純物からなることを特徴
とするボンディングワイヤ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8834998A JPH11288962A (ja) | 1998-04-01 | 1998-04-01 | ボンディングワイヤ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8834998A JPH11288962A (ja) | 1998-04-01 | 1998-04-01 | ボンディングワイヤ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11288962A true JPH11288962A (ja) | 1999-10-19 |
Family
ID=13940362
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8834998A Pending JPH11288962A (ja) | 1998-04-01 | 1998-04-01 | ボンディングワイヤ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH11288962A (ja) |
Cited By (29)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100427749B1 (ko) * | 2002-05-07 | 2004-04-28 | 엠케이전자 주식회사 | 반도체 소자 본딩용 금-은 합금 와이어 |
JP2006351699A (ja) * | 2005-06-14 | 2006-12-28 | Mitsubishi Materials Corp | 高い接合信頼性、圧着ボールの高い真円性、高い直進性および高い耐樹脂流れ性を有するボンディングワイヤ用金合金線 |
JP2007142271A (ja) * | 2005-11-21 | 2007-06-07 | Tanaka Electronics Ind Co Ltd | バンプ材料および接合構造 |
US20080240975A1 (en) * | 2007-03-30 | 2008-10-02 | Mk Electron Co. Ltd. | Ag-based alloy wire for semiconductor package |
JP2010171378A (ja) * | 2009-01-23 | 2010-08-05 | Junde Li | 合金線およびその製造方法 |
JP2010167490A (ja) * | 2009-01-23 | 2010-08-05 | Junde Li | 合金ワイヤの製造方法およびその製品 |
US7857189B2 (en) * | 2005-06-14 | 2010-12-28 | Tanaka Denshi Kogyo K.K. | Gold alloy wire for bonding wire having high initial bondability, high bonding reliability, high roundness of compression ball, high straightness, and high resin flowability resistance |
CN102130069A (zh) * | 2008-07-14 | 2011-07-20 | Mk电子株式会社 | 用于半导体封装的Ag基合金引线 |
JP4771562B1 (ja) * | 2011-02-10 | 2011-09-14 | 田中電子工業株式会社 | Ag−Au−Pd三元合金系ボンディングワイヤ |
CN102592700A (zh) * | 2011-07-11 | 2012-07-18 | 大瑞科技股份有限公司 | 复合银线 |
WO2012098771A1 (ja) * | 2011-01-20 | 2012-07-26 | タツタ電線株式会社 | ボールボンディング用ワイヤ |
CN103131885A (zh) * | 2011-11-21 | 2013-06-05 | 赫劳斯材料工艺有限及两合公司 | 用于半导体器件的接合线 |
JP2013135042A (ja) * | 2011-12-26 | 2013-07-08 | Tatsuta Electric Wire & Cable Co Ltd | ボールボンディング用ワイヤ |
TWI408787B (zh) * | 2008-06-27 | 2013-09-11 | Mk Electron Co Ltd | 半導體封裝之含銀合金焊接導線 |
JP2013187508A (ja) * | 2012-03-09 | 2013-09-19 | Tatsuta Electric Wire & Cable Co Ltd | Agボンディングワイヤおよびその製造方法 |
JP5399581B1 (ja) * | 2013-05-14 | 2014-01-29 | 田中電子工業株式会社 | 高速信号用ボンディングワイヤ |
JP2014053610A (ja) * | 2012-09-04 | 2014-03-20 | Heraeus Materials Technology Gmbh & Co Kg | ボンディング適用のための銀合金ワイヤ |
JP2014096403A (ja) * | 2012-11-07 | 2014-05-22 | Tatsuta Electric Wire & Cable Co Ltd | ボンディング用ワイヤ |
JP5507730B1 (ja) * | 2013-04-02 | 2014-05-28 | 田中電子工業株式会社 | ボールボンディング用貴金属希薄銀合金ワイヤ |
KR20140121330A (ko) * | 2013-04-05 | 2014-10-15 | 타나카 덴시 코오교오 카부시키가이샤 | 고속 신호선용 본딩 와이어 |
JP5839763B1 (ja) * | 2014-07-10 | 2016-01-06 | 新日鉄住金マテリアルズ株式会社 | 半導体装置用ボンディングワイヤ |
US9362249B2 (en) | 2014-09-26 | 2016-06-07 | Tanaka Denshi Kogyo K.K. | Silver—gold alloy bonding wire |
WO2017187653A1 (ja) * | 2016-04-28 | 2017-11-02 | 日鉄住金マイクロメタル株式会社 | 半導体装置用ボンディングワイヤ |
CN111504065A (zh) * | 2020-03-30 | 2020-08-07 | 安徽广宇电子材料有限公司 | 一种银基合金键合线合金材料熔炼设备 |
WO2021100583A1 (ja) | 2019-11-22 | 2021-05-27 | 日鉄ケミカル&マテリアル株式会社 | 半導体装置用Ag合金ボンディングワイヤ |
WO2021205931A1 (ja) | 2020-04-07 | 2021-10-14 | 日鉄マイクロメタル株式会社 | 半導体装置用Ag合金ボンディングワイヤ及び半導体装置 |
WO2022085365A1 (ja) | 2020-10-20 | 2022-04-28 | 日鉄マイクロメタル株式会社 | 半導体装置用Ag合金ボンディングワイヤ |
US11342299B2 (en) | 2016-04-28 | 2022-05-24 | Nippon Micrometal Corporation | Bonding wire for semiconductor devices |
TWI802555B (zh) * | 2017-03-31 | 2023-05-21 | 日商拓自達電線股份有限公司 | 接合線 |
-
1998
- 1998-04-01 JP JP8834998A patent/JPH11288962A/ja active Pending
Cited By (46)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100427749B1 (ko) * | 2002-05-07 | 2004-04-28 | 엠케이전자 주식회사 | 반도체 소자 본딩용 금-은 합금 와이어 |
JP4596467B2 (ja) * | 2005-06-14 | 2010-12-08 | 田中電子工業株式会社 | 高い接合信頼性、圧着ボールの高い真円性、高い直進性および高い耐樹脂流れ性を有するボンディングワイヤ用金合金線 |
JP2006351699A (ja) * | 2005-06-14 | 2006-12-28 | Mitsubishi Materials Corp | 高い接合信頼性、圧着ボールの高い真円性、高い直進性および高い耐樹脂流れ性を有するボンディングワイヤ用金合金線 |
US7857189B2 (en) * | 2005-06-14 | 2010-12-28 | Tanaka Denshi Kogyo K.K. | Gold alloy wire for bonding wire having high initial bondability, high bonding reliability, high roundness of compression ball, high straightness, and high resin flowability resistance |
JP2007142271A (ja) * | 2005-11-21 | 2007-06-07 | Tanaka Electronics Ind Co Ltd | バンプ材料および接合構造 |
US20080240975A1 (en) * | 2007-03-30 | 2008-10-02 | Mk Electron Co. Ltd. | Ag-based alloy wire for semiconductor package |
TWI408787B (zh) * | 2008-06-27 | 2013-09-11 | Mk Electron Co Ltd | 半導體封裝之含銀合金焊接導線 |
CN102130069A (zh) * | 2008-07-14 | 2011-07-20 | Mk电子株式会社 | 用于半导体封装的Ag基合金引线 |
JP2010167490A (ja) * | 2009-01-23 | 2010-08-05 | Junde Li | 合金ワイヤの製造方法およびその製品 |
JP2014073529A (ja) * | 2009-01-23 | 2014-04-24 | Junde Li | 合金ワイヤ |
JP2010171378A (ja) * | 2009-01-23 | 2010-08-05 | Junde Li | 合金線およびその製造方法 |
WO2012098771A1 (ja) * | 2011-01-20 | 2012-07-26 | タツタ電線株式会社 | ボールボンディング用ワイヤ |
JP2012151350A (ja) * | 2011-01-20 | 2012-08-09 | Tatsuta Electric Wire & Cable Co Ltd | ボールボンディング用ワイヤ |
US9103001B2 (en) | 2011-02-10 | 2015-08-11 | Tanaka Denshi Kogyo K.K. | Ag—Au—Pd ternary alloy bonding wire |
JP4771562B1 (ja) * | 2011-02-10 | 2011-09-14 | 田中電子工業株式会社 | Ag−Au−Pd三元合金系ボンディングワイヤ |
WO2012108082A1 (ja) * | 2011-02-10 | 2012-08-16 | 田中電子工業株式会社 | Ag-Au-Pd三元合金系ボンディングワイヤ |
CN102592700A (zh) * | 2011-07-11 | 2012-07-18 | 大瑞科技股份有限公司 | 复合银线 |
JP2013021280A (ja) * | 2011-07-11 | 2013-01-31 | Profound Material Technology Co Ltd | 複合銀ワイヤ |
CN103131885A (zh) * | 2011-11-21 | 2013-06-05 | 赫劳斯材料工艺有限及两合公司 | 用于半导体器件的接合线 |
EP2595184A3 (en) * | 2011-11-21 | 2013-11-06 | Heraeus Materials Technology GmbH & Co. KG | Silver bond wire for semiconductor devices |
CN105679926A (zh) * | 2011-11-21 | 2016-06-15 | 贺利氏德国有限责任两合公司 | 用于半导体器件的接合线 |
JP2013110410A (ja) * | 2011-11-21 | 2013-06-06 | Heraeus Materials Technology Gmbh & Co Kg | 半導体素子のためのボンディングワイヤ |
JP2013135042A (ja) * | 2011-12-26 | 2013-07-08 | Tatsuta Electric Wire & Cable Co Ltd | ボールボンディング用ワイヤ |
JP2013187508A (ja) * | 2012-03-09 | 2013-09-19 | Tatsuta Electric Wire & Cable Co Ltd | Agボンディングワイヤおよびその製造方法 |
JP2014053610A (ja) * | 2012-09-04 | 2014-03-20 | Heraeus Materials Technology Gmbh & Co Kg | ボンディング適用のための銀合金ワイヤ |
JP2014096403A (ja) * | 2012-11-07 | 2014-05-22 | Tatsuta Electric Wire & Cable Co Ltd | ボンディング用ワイヤ |
JP5507730B1 (ja) * | 2013-04-02 | 2014-05-28 | 田中電子工業株式会社 | ボールボンディング用貴金属希薄銀合金ワイヤ |
KR20140121330A (ko) * | 2013-04-05 | 2014-10-15 | 타나카 덴시 코오교오 카부시키가이샤 | 고속 신호선용 본딩 와이어 |
JP5399581B1 (ja) * | 2013-05-14 | 2014-01-29 | 田中電子工業株式会社 | 高速信号用ボンディングワイヤ |
US10381320B2 (en) | 2014-07-10 | 2019-08-13 | Nippon Steel Chemical & Material Co., Ltd. | Silver bonding wire for semiconductor device containing indium, gallium, and/or cadmium |
WO2016006326A1 (ja) * | 2014-07-10 | 2016-01-14 | 新日鉄住金マテリアルズ株式会社 | 半導体装置用ボンディングワイヤ |
JP5839763B1 (ja) * | 2014-07-10 | 2016-01-06 | 新日鉄住金マテリアルズ株式会社 | 半導体装置用ボンディングワイヤ |
KR20160028516A (ko) | 2014-07-10 | 2016-03-11 | 신닛테츠스미킹 마테리알즈 가부시키가이샤 | 반도체 장치용 본딩 와이어 |
US9362249B2 (en) | 2014-09-26 | 2016-06-07 | Tanaka Denshi Kogyo K.K. | Silver—gold alloy bonding wire |
WO2017187653A1 (ja) * | 2016-04-28 | 2017-11-02 | 日鉄住金マイクロメタル株式会社 | 半導体装置用ボンディングワイヤ |
EP3382747A4 (en) * | 2016-04-28 | 2019-06-12 | Nippon Micrometal Corporation | CONNECTING WIRE FOR SEMICONDUCTOR COMPONENTS |
US11342299B2 (en) | 2016-04-28 | 2022-05-24 | Nippon Micrometal Corporation | Bonding wire for semiconductor devices |
TWI802555B (zh) * | 2017-03-31 | 2023-05-21 | 日商拓自達電線股份有限公司 | 接合線 |
US11612966B2 (en) | 2019-11-22 | 2023-03-28 | Nippon Steel Chemical & Material Co., Ltd. | Ag alloy bonding wire for semiconductor device |
WO2021100583A1 (ja) | 2019-11-22 | 2021-05-27 | 日鉄ケミカル&マテリアル株式会社 | 半導体装置用Ag合金ボンディングワイヤ |
KR20210148421A (ko) | 2019-11-22 | 2021-12-07 | 닛테츠 케미컬 앤드 머티리얼 가부시키가이샤 | 반도체 장치용 Ag 합금 본딩 와이어 |
CN111504065A (zh) * | 2020-03-30 | 2020-08-07 | 安徽广宇电子材料有限公司 | 一种银基合金键合线合金材料熔炼设备 |
WO2021205931A1 (ja) | 2020-04-07 | 2021-10-14 | 日鉄マイクロメタル株式会社 | 半導体装置用Ag合金ボンディングワイヤ及び半導体装置 |
KR20220163956A (ko) | 2020-04-07 | 2022-12-12 | 닛데쓰마이크로메탈가부시키가이샤 | 반도체 장치용 Ag 합금 본딩 와이어 및 반도체 장치 |
KR20230069202A (ko) | 2020-10-20 | 2023-05-18 | 닛데쓰마이크로메탈가부시키가이샤 | 반도체 장치용 Ag 합금 본딩 와이어 |
WO2022085365A1 (ja) | 2020-10-20 | 2022-04-28 | 日鉄マイクロメタル株式会社 | 半導体装置用Ag合金ボンディングワイヤ |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPH11288962A (ja) | ボンディングワイヤ | |
JP4130843B1 (ja) | 高信頼性金合金ボンディングワイヤ及び半導体装置 | |
JP3672063B2 (ja) | ボンディングワイヤ | |
JP2000208533A (ja) | ダイボンディング用Zn合金 | |
JP2656236B2 (ja) | 半導体装置 | |
JPH1145900A (ja) | ボンディングワイヤ | |
JP3633222B2 (ja) | ボンディングワイヤ | |
JPH10275820A (ja) | 半導体素子ボンディング用金合金線 | |
JPS60248861A (ja) | ボンデイングワイヤ用アルミニウム合金 | |
JP2001127076A (ja) | ダイボンディング用合金部材 | |
JP3744131B2 (ja) | ボンディングワイヤ | |
US20020056915A1 (en) | Base metal-gold wire for wire bonding in semiconductor fabrication | |
KR930001265B1 (ko) | 반도체 소자용 접합 와이어 | |
JP3522048B2 (ja) | ボンディングワイヤ | |
JPH104114A (ja) | ボンディングワイヤ | |
JP5080682B1 (ja) | 金−白金−パラジウム合金ボンディングワイヤ | |
JP3550812B2 (ja) | ボンディングワイヤ | |
JPH09321075A (ja) | ボンディングワイヤ | |
JPH06112252A (ja) | 半導体素子用Pt合金極細線 | |
JPS62130254A (ja) | ボンデイングワイヤ用アルミニウム合金 | |
JP2656237B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP3426473B2 (ja) | 半導体素子用金合金細線 | |
JP3586909B2 (ja) | ボンディングワイヤ | |
JP3615901B2 (ja) | 半導体素子ボンディング用金合金線 | |
JPS6126745A (ja) | ボンデイングワイヤ |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040705 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050316 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060713 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20061102 |