JPS645460B2 - - Google Patents

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JPS645460B2
JPS645460B2 JP56187332A JP18733281A JPS645460B2 JP S645460 B2 JPS645460 B2 JP S645460B2 JP 56187332 A JP56187332 A JP 56187332A JP 18733281 A JP18733281 A JP 18733281A JP S645460 B2 JPS645460 B2 JP S645460B2
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JP
Japan
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bonding
strength
wire
improved
tensile strength
Prior art date
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Expired
Application number
JP56187332A
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English (en)
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JPS5887841A (ja
Inventor
Shozo Hayashi
Yasuo Fukui
Kenichi Kurihara
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tanaka Denshi Kogyo KK
Original Assignee
Tanaka Denshi Kogyo KK
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Publication date
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Publication of JPS5887841A publication Critical patent/JPS5887841A/ja
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  • Power Engineering (AREA)
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Description

【発明の詳細な説明】
本発明は半導体素子のチツプ電極と外部リード
を接続するために使用するワイヤボンデイング用
Al線に関する。 従来、一般的に使用されているAu線はシリコ
ンチツプ電極として蒸着されているAlと容易に
金属間化合物をつくり、その結果ボンデイング強
度を著しく低下させるため該Au線の代替として
シリコンチツプ電極と同種のAl線が使用されて
いる。 このAl線は高純度の場合にあつては軟かすぎ
て超音波ボンデイング強度が十分に得られないの
で、その硬さを増すためと極細線加工をし易すく
するために1wt％のシリコン（Si）を添加して使
用している。 しかし、このAl線は化学的に活性金属である
ことから酸化し易すく高温下で接合させる熱圧着
法には不適であつて、もつぱら超音波接合法によ
り接合作業が行なわれていた。 最近、アルゴンガスなど不活性ガス雰囲気を利
用することにより、Al線においてもAu線と同様
に熱圧着法の採用が可能となつた。 しかるに従来使用されるAl線は前述のように
高純度（99.9％以上）のAlに1wt％のシリコンを
含有させたものであるが、このAl線で熱圧着し
た場合にはAlボールの形状が安定しないばかり
でなく、結晶微細化に劣り接着強度が小さすぎる
とともに高速ボンダーを使用するに十分な機械的
強度が得られないなど、ボンデイング性能に劣る
不具合がみられた。 本発明は斯る従来Al線の不具合を所定の添加
元素を含有させることによつて解消し、熱圧着法
によるボンデイング性能を向上させることを目的
とするもので、1wt％のシリコンを添加しない高
純度のAlに、0.3〜0.7wt％Cr、0.05〜0.2wt％Ti、
0.1〜0.3wt％Zrおよび0.05〜0.1wt％Ｖの群より選
択された少くとも１元素を含有せしめたことを特
徴とする。 尚、上記本発明のAl線は熱圧着法だけではな
く、超音波接合法にあつても十分その使用に供し
得るものである。 上記添加元素、Cr，Ti，Zr，Ｖは夫々Alのボ
ンデイング強度を高めるもので、その含有量が
0.3wt％Cr、0.05wt％Ti、0.1wt％Zr、0.05wt％
Ｖ以下ではその実効が少なく、0.7wt％Cr、
0.2wt％Ti、0.3wt％Zr、0.1wt％Ｖを越えるとAl
中に固溶せずに析出してボンデイング強度が劣化
する弊害を生ずる。 以下に実施例を示す。 各試料はAl合金を溶解鋳造し、線引加工によ
り直径30μmmの極線ボンデイングAl線としたもの
である。 各試料の添加元素及びその含有量は次表(1)に示
す通りであつて、その試料No.１〜20は本発明の実
施品、No.21は1wt％Siを添加せる従来品である。
【表】
【表】 上記各試料をもつて機械的性質、Alボールの
形状を測定した結果を表(2)に示す。
【表】
【表】 上記表から知られるように本発明実施品のAl
線は従来Al線に較べて引張強さが改善されるの
で線引加工中に断線したり、ボンデイング作業中
に断線を起したりすることがないとともにAlボ
ールの形状が真球状に安定することによつてボン
デイング後の引張強さが高く接着強度が改善され
るなど熱圧着法を使用する際のボンデイング性能
が向上する。 又、引張強さが向上するので、従来の超音波接
合法を利用しても断線等の不具合がなく有益であ
る。 尚、本発明は前述した配合のAl線にさらに他
の特性を増すための元素を１又は複数含有させる
ことも任意であり、例えばAlの結晶微細化、高
温特性を増大させるために0.01〜0.05wt％Caを含
有させる等である。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １ 高純度のAlに、0.3〜0.7wt％のクロム（Cr）、
    0.05〜0.2wt％のチタン（Ti）、0.1〜0.3wt％のジ
    ルコニウム（Zr）および0.05〜0.1wt％のバナジ
    ウム（Ｖ）の群より選択された少なくとも１元素
    を含有せしめた半導体素子のボンデイング用Al
    線。
JP56187332A 1981-11-20 1981-11-20 半導体素子のボンデイング用Ａｌ線 Granted JPS5887841A (ja)

Priority Applications (1)

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JP56187332A JPS5887841A (ja) 1981-11-20 1981-11-20 半導体素子のボンデイング用Ａｌ線

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Publication Number Publication Date
JPS5887841A JPS5887841A (ja) 1983-05-25
JPS645460B2 true JPS645460B2 (ja) 1989-01-30

Family

ID=16204141

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2020153868A (ja) * 2019-03-20 2020-09-24 日立Ｇｅニュークリア・エナジー株式会社 遠隔測定システム、および、遠隔測定方法

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JPS59208770A (ja) * 1983-05-12 1984-11-27 Hitachi Ltd ボ−ルボンデイング用アルミ合金極細線
JPS607164A (ja) * 1983-06-24 1985-01-14 Sumitomo Electric Ind Ltd ボンデイングワイヤ
JPS607165A (ja) * 1983-06-24 1985-01-14 Sumitomo Electric Ind Ltd ボンディングワイヤ

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