JPS6280241A - 半導体素子のボンデイング用銅線 - Google Patents
半導体素子のボンデイング用銅線Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は半導体のチップ電極と外部リード部とを接続す
るために使用するワイヤボンディング用銅線に関するも
のである。
るために使用するワイヤボンディング用銅線に関するも
のである。
(従来の技術とその問題点)
従来、ボンディング用線としては、All線及びN線等
が使用されてきた。
が使用されてきた。
しかしながら、Au線は極めて高価な上に、シリコンチ
ップのAI電極との間に脆い金属間化合物を形成しやす
く、ワイヤーの剥離を起す欠点があった。
ップのAI電極との間に脆い金属間化合物を形成しやす
く、ワイヤーの剥離を起す欠点があった。
一方、N線はボール形状の不安定やループ形状の不良及
びボンディング時にキャピラリーが詰りやすいため、ボ
ンディング特性の低下をきたすという不具合があった。
びボンディング時にキャピラリーが詰りやすいため、ボ
ンディング特性の低下をきたすという不具合があった。
(発明が解決しようとする技術的課題)以上の問題を解
決するための本発明の技術的課題は、低価格であると共
にボール形状が安定し、且つネック切れ及びシリコン(
Si)のチップ割れ等を起さない引張強度の強いボンデ
ィング用線を提供することである。
決するための本発明の技術的課題は、低価格であると共
にボール形状が安定し、且つネック切れ及びシリコン(
Si)のチップ割れ等を起さない引張強度の強いボンデ
ィング用線を提供することである。
(技術的課題を達成するための技術的手段)以上の技術
的課題を達成するための本発明の技術的手段は、99.
99 wt%以上の高純度無酸素銅に、第3周期元素中
より、マグネシウム(Mg)、アルミニウム(M)、シ
リコン(Si)、リン(P)及び第4周期元素中より、
カルシウム(Ca)の1種又は2種以上を3〜40重量
ppm含有せしめることであり、その添加mが3重量p
pm未満だと効果が認められず、40重Mnpmを越え
ると電気抵抗が増大すると共に、硬くなってチップ割れ
等を生ずる。
的課題を達成するための本発明の技術的手段は、99.
99 wt%以上の高純度無酸素銅に、第3周期元素中
より、マグネシウム(Mg)、アルミニウム(M)、シ
リコン(Si)、リン(P)及び第4周期元素中より、
カルシウム(Ca)の1種又は2種以上を3〜40重量
ppm含有せしめることであり、その添加mが3重量p
pm未満だと効果が認められず、40重Mnpmを越え
ると電気抵抗が増大すると共に、硬くなってチップ割れ
等を生ずる。
(発明の効果)
本発明は以上の様な構成にしたことにより、下記の効果
を有する。
を有する。
■ 低価格のボンディング用へ線を提供することができ
る。
る。
■ 添加元素のr、/V、SL、P及びCaが銅の脱酸
作用をするので、ボール形成時における酸化を防止し、
清浄な真球形状が得られ、且つボンディング作業中にお
けるチップ割れやネック切れを防止して引張強度の向上
を図ることが出来る。
作用をするので、ボール形成時における酸化を防止し、
清浄な真球形状が得られ、且つボンディング作業中にお
けるチップ割れやネック切れを防止して引張強度の向上
を図ることが出来る。
依って、ボンディング特性大なる伍線を提供し得る。
(実施例)
ここにいう、高純度無酸素銅とは、99.99%以上の
純度で且つ酸素濃度5 ppm以下の銅をいう。
純度で且つ酸素濃度5 ppm以下の銅をいう。
各試料はへ合金を溶解鋳造し、線引加工により直径30
μの極細線ボンディング用へ線としたものである。
μの極細線ボンディング用へ線としたものである。
各試料の添加元素及び添加量は次表(1)に示す通りで
あり、比較量の試料N011は99.99 vt%及び
99.995wt%のNに1wt%のS、を含有した比
較量である。
あり、比較量の試料N011は99.99 vt%及び
99.995wt%のNに1wt%のS、を含有した比
較量である。
この結果、99.99 wt%以上の高純度無酸素銅に
、第3周期元素中より1.#、Sj、P及び第4周期元
素中よりCaの1種又は2種以上を3〜40重Gfpp
m含有せしめることにより、上記発明の効果を確認する
ことができた。
、第3周期元素中より1.#、Sj、P及び第4周期元
素中よりCaの1種又は2種以上を3〜40重Gfpp
m含有せしめることにより、上記発明の効果を確認する
ことができた。
特 許 出 願 人 田中電子工業株式会社手続補
正書 昭和61年 2月l 日 特許庁長官 宇 賀 道 部 殿(特許
庁審査官 殿)1、!J件の
表示 昭和 60 年 特許願 第 219594 号2、
発明の名称 半導体素子のボンディング用銅線 3、補正をする者 事件との関係 特 許 出 願 人氏名(名称)
田中電子工業株式会社4、代理人 5、補正命令の日付(自発補正) 昭和 年 月 日 6、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄 7、補正の内容
正書 昭和61年 2月l 日 特許庁長官 宇 賀 道 部 殿(特許
庁審査官 殿)1、!J件の
表示 昭和 60 年 特許願 第 219594 号2、
発明の名称 半導体素子のボンディング用銅線 3、補正をする者 事件との関係 特 許 出 願 人氏名(名称)
田中電子工業株式会社4、代理人 5、補正命令の日付(自発補正) 昭和 年 月 日 6、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄 7、補正の内容
Claims (1)
- 99.99wt%以上の高純度無酸素銅に、第3周期元
素中より、マグネシウム(Mg)、アルミニウム(Al
)、シリコン(Si)、リン(P)及び第4周期元素中
より、カルシウム(Ca)の1種又は2種以上を3〜4
0重量ppm含有せしめたことを特徴とする半導体素子
のボンディング用銅線。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60219594A JPS6280241A (ja) | 1985-10-01 | 1985-10-01 | 半導体素子のボンデイング用銅線 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60219594A JPS6280241A (ja) | 1985-10-01 | 1985-10-01 | 半導体素子のボンデイング用銅線 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6280241A true JPS6280241A (ja) | 1987-04-13 |
JPH0564224B2 JPH0564224B2 (ja) | 1993-09-14 |
Family
ID=16737979
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60219594A Granted JPS6280241A (ja) | 1985-10-01 | 1985-10-01 | 半導体素子のボンデイング用銅線 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6280241A (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01159338A (ja) * | 1987-12-15 | 1989-06-22 | Fujikura Ltd | 極細線用銅線材 |
JP2010062395A (ja) * | 2008-09-04 | 2010-03-18 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 銅ボンディングワイヤ |
JP4482605B1 (ja) * | 2009-01-23 | 2010-06-16 | 田中電子工業株式会社 | 高純度Cuボンディングワイヤ |
US8004094B2 (en) | 2006-08-31 | 2011-08-23 | Nippon Steel Materials Co., Ltd. | Copper alloy bonding wire for semiconductor device |
JPWO2011129256A1 (ja) * | 2010-04-14 | 2013-07-18 | タツタ電線株式会社 | ボンディングワイヤ |
CN104994974A (zh) * | 2013-01-11 | 2015-10-21 | 千住金属工业株式会社 | 铜球 |
Citations (5)
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JPS5929093A (ja) * | 1982-08-10 | 1984-02-16 | Power Reactor & Nuclear Fuel Dev Corp | スケ−ルの除去方法 |
JPS59139663A (ja) * | 1983-01-31 | 1984-08-10 | Mitsubishi Metal Corp | 半導体装置のワイヤ・ボンデイング用Cu合金細線 |
JPS6120693A (ja) * | 1984-07-06 | 1986-01-29 | Toshiba Corp | ボンデイングワイヤ− |
JPS61163194A (ja) * | 1985-01-09 | 1986-07-23 | Toshiba Corp | 半導体素子用ボンデイング線 |
-
1985
- 1985-10-01 JP JP60219594A patent/JPS6280241A/ja active Granted
Patent Citations (5)
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US8004094B2 (en) | 2006-08-31 | 2011-08-23 | Nippon Steel Materials Co., Ltd. | Copper alloy bonding wire for semiconductor device |
US8610291B2 (en) * | 2006-08-31 | 2013-12-17 | Nippon Steel & Sumikin Materials Co., Ltd. | Copper alloy bonding wire for semiconductor device |
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JP4482605B1 (ja) * | 2009-01-23 | 2010-06-16 | 田中電子工業株式会社 | 高純度Cuボンディングワイヤ |
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CN104994974A (zh) * | 2013-01-11 | 2015-10-21 | 千住金属工业株式会社 | 铜球 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0564224B2 (ja) | 1993-09-14 |
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