KR930002806B1 - 반도체 소자의 본딩(bonding)용 금선(金線) - Google Patents

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야스오 후꾸이
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다나까 덴시 고오교오 가부시기가이샤
가도오 요시아끼라
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Abstract

내용 없음.

Description

반도체 소자의 본딩(bonding)용 금선(金線)
본 발명은 반도체의 칩전극과 외부리이드부를 접속하기 위하여 사용하는 반도체소자의 본딩용 금선에 관한 것이다.
종래에 있어서, TC 본딩법에 사용되는 금선으로서 순도가 99.99-99.995%의 금(Au)에 30ppm이하의 게르마늄(Ge)을 첨가한 것을 볼수 있으나(일본국 특허공보 소화 54년 제 24265호), 또한 고순도 금을 사용하는 것에 의하여 불순물 원소의 영향을 피해서 전기저항을 적게하는 것이 가능하다.
그런데 상기와 같은 금보다도 한층더 순도가 높은 금으로 하면, 상기한 게르마늄의 첨가량으로서는 금선의 인장강도나 고온강도등의 기계적강도가 적게되기 때문에 선을 잡아당기는 가공중에 빈번하게 절단하거나, 금선끼리가 서로 엉킨다든가 하는등 제품수률(收率)이 나쁜 결점이 있었다.
따라서 이상의 문제를 해결할려고 하는 본 발명의 기술적과제는, 고순도금을 사용하는 것에 의하여 불순물의 영향을 피해서 전기저항을 적게함과 아울러, 인장강도나 고온강도등의 기계적강도가 우수하며, 또한 정확한 구(球)에 가까운 금구(金球)를 형성시키는 본딩용 금선을 제공함에 있다.
그러므로 이상의 기술적과제를 달성하기 위한 본 발명의 기술적 수단은, 전해정제법 및 대용융정제법에 의하여 제조한 99.996-99.99995wt%의 고순도금에 0.0032-0.008wt%의 고순도 게르마늄을 함유시키는 것이며, 그 게르마늄이 0.0032미만이면 효과가 나타나지 않고, 0.008을 초과하면 단단하게 되어서 사용불능하게 된다.
본 발명은 이상과 같은 구성으로 한것에 의하여 아래에 기재한 효과를 보유한다.
① 불순물 원소의 영향을 피하여 전기저항을 적게함과 아울러, 인장강도나 고온강도등의 기계적강도에 우수한 본딩용 금선을 제공할 수가 있다.
② 금구의 형상이 극히 양호하며, 또한 금구표면에 불순물의 산화물이 생기는 일이 없으므로, 접착강도가 강하게 되어서 본딩작업이 안정하다.
이하, 본 발명의 실시예에 대하여 설명한다.
본발명의 실시품의 각 시료는 99.997wt%, 99.999wt%, 99.9999wt%, 99.99995wt%의 각각의 금에 고순도 게르마늄을 첨가하여 용해주조하고, 선을 잡아당기는 가공과 중간열처리를 반복하여 지름 24μ의 금선으로 마무리 한 것이다.
다음 표(1)은 각 시료의 인장강도나 고온강도등의 기계적성질 및 구형상을 측정한 결과를 표시한 것이며, 각 시료에 있어서의 No.1-6은 본발명의 실시품, No.① ②는 비교품을 표시한다.
[표 1]
Figure kpo00001
이결과, 99.996-99.99995wt%의 금에 0.0032-0.008wt%의 게르마늄을 함유시키는 것에 의하여, 전기저항을 적게함과 아울러, 인장강도나 고온강도등의 기계정강도에 있어서 우수하며 또한 정확한 구에 가까운 금구를 형성시키는 본딩용 금선을 제공할 수가 있는 것을 확인할 수가 있었다.

Claims (1)

  1. 99.996-99.99995wt%의 고순도 금에 0.0032-0.008wt%의 게르마늄을 함유시킨 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 본딩용 금선.
KR1019860004239A 1985-10-01 1986-05-29 반도체 소자의 본딩(bonding)용 금선(金線) KR930002806B1 (ko)

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