JPS6280240A - 半導体素子のボンデイング用金線 - Google Patents

半導体素子のボンデイング用金線

Info

Publication number
JPS6280240A
JPS6280240A JP60219593A JP21959385A JPS6280240A JP S6280240 A JPS6280240 A JP S6280240A JP 60219593 A JP60219593 A JP 60219593A JP 21959385 A JP21959385 A JP 21959385A JP S6280240 A JPS6280240 A JP S6280240A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
gold
gold wire
bonding
semiconductor device
strength
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP60219593A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0762186B2 (ja
Inventor
Koichiro Mukoyama
向山　光一郎
Yasuo Fukui
福井　康夫
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tanaka Denshi Kogyo KK
Original Assignee
Tanaka Denshi Kogyo KK
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tanaka Denshi Kogyo KK filed Critical Tanaka Denshi Kogyo KK
Priority to JP60219593A priority Critical patent/JPH0762186B2/ja
Priority to US06/863,530 priority patent/US4775512A/en
Priority to KR1019860004239A priority patent/KR930002806B1/ko
Priority to DE19863618560 priority patent/DE3618560A1/de
Priority to GB8613580A priority patent/GB2181157B/en
Publication of JPS6280240A publication Critical patent/JPS6280240A/ja
Publication of JPH0762186B2 publication Critical patent/JPH0762186B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22C—ALLOYS
    • C22C5/00—Alloys based on noble metals
    • C22C5/02—Alloys based on gold
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01004—Beryllium [Be]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/012—Semiconductor purity grades
    • H01L2924/01204—4N purity grades, i.e. 99.99%
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/012—Semiconductor purity grades
    • H01L2924/01205—5N purity grades, i.e. 99.999%
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/012—Semiconductor purity grades
    • H01L2924/01206—6N purity grades, i.e. 99.9999%

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業の利用分野） 本願は半導体のチップ電極と外部リード部とを接続する
ために使用する半導体素子のボンディング用金線の発明
に関するものである。
（従来の技術とその問題点） 従来、ＴＣボンディング法に使用される金線として純度
が９９．９９〜９９．９９５駕の金に３０ｐｐｍ以下の
ゲルマニウム（Ｇｅ）を添加したものがみられるが（特
公昭５４−２４２６５）　、さらに高純度金を使用する
ことにより不純物元素の影響を避けて電気抵抗を小さく
することが可能である。
ところが、上記の様な金よりも、さらに純度の高い金に
すると、上記ゲルマニウム（Ｇｅ）の添加量では金線の
機械的強度が弱くなるため線引加工中に頻繁に切断して
歩留りが悪くなり、或いは柔かくなって金線同志がから
んだりする欠点があることが知られていた。
（発明が解決しようとする技術的課題）以上の問題を解
決しようとする本発明の技術的課題は、高純度金を使用
することにより不純物の影響を避けて電気抵抗を小さく
すると共に、機械的強度及び耐軟化性の向上を図ること
である。
（技術的課題を達成するための技術的手段）以上の技術
的課題を達成するための本発明の技術的手段は、電解精
製法及び帯溶融精製法によって製造した９９．９９６〜
９９．９９９９５ｗｔＸ　（７）ＢＮＮ合金＾Ｕ）に０
．００３２〜０．００８ｗｔ％　（７）高純ｆｌ　ｌｊ
　ＩＩ、ｒマニウム（Ｇｅ）を含有せしめることであり
、該ゲルマニウム（Ｇｅ）が０．００３２未満であると
効果が現われず、ｏ、　ｏｏａを越えると硬くなって使
用不能となる。
（発明の効果） 本発明は以上の様な構成にしたことにより、下記の効果
を有する。
■不純物元素の影響を避けて電気抵抗を小さくすると共
に、機械的強度及び耐軟化性の向上を図ることができる
。
■金ボールの形状が極めて良好であり、かつ金ボール表
面に不純物の酸化物が生ずることがないので、接着強度
が強くなりボンディング作業が安定する。
（実施例） 本発明の実施量の各資料は９９．９９７ｗＨ。
９９、９９９ｗｔ％、　９９．９９９９ｗｔ％、　９９
．９９９９５ｗｔ％の各々の金（Ａｕ）に高ＩｉＩ！ｉ
のゲルマニウム（Ｇｅ）を添加して溶解鋳造し、線引加
工と中間熱処理とをくり返して直径２５μのＡｕ線に仕
上げたものである。　次表（１）は、各試料の機械的性
質等を測定した結果を示すものである。
この結果、９９．９９６〜９９．９９９５ｗｔ％の金に
０．００３２〜０．００８ｗｔ％のＧｅを含有せしめる
ことにより、電気抵抗を小さくすると共に機械的性質の
向上を図ることが可能であることを確認することができ
た。
特許出願人　　　田中電子工業株式会社手続補正占 昭和６１年　２月２５日 特許庁長官　　　宇　　賀　　道　　部　　　殿（特許
庁審査官　　　　　　　　　　　　Ｆり１、＠件の表示 昭和　６０　年　特　　許　　願　第　２１９５９３　
　号２、発明の名称 半導体素子のボンディング用金線 ３、補正をする者 事件との関係　　　　　特　許　出　願　人氏名（名称
）　　　　田中電子工業株式会社４、代理人 住　所　　東京都文京区白山５丁目１４番７号早川ビル
　電話東京９４６−０５３１番（代表）昭和　　年　　
月　　日 ６、補正の対象　　　　　　　　　　　　　　　　　７
−（１）明ＩＩの発明の詳ｌｌ１ｌな説明の罷補　　　
　正　　　　潟 １）明細書中筒２頁の３行目〜６行目の「添加Ｇでは・
・・あることが知られていた。」を［添加量では金線の
引張強度や高温強度等の機械的強度が小さくなるため線
引加工中に頻繁に切断したり、金線同志がからんだりす
る等歩留りが悪い欠点があった。」と補正する。
２）−明細書中筒２頁の９行目〜１２行目の「的課題は
、・・・図ることである。」を「的課題は、高純度金を
使用することにより不純物の影響を避けて電気抵抗を小
さくすると共に、引張強度や高温強度等の機械的強度に
優れ、かつ真球に近い金ボールを形成せしめるボンディ
ング用金線を提供することである。」と補正する。
３）明細書中箱３頁の６行目〜７行目の「すると共に、
・・・を図ることができる。」を［すると共に、引張強
度や高温強度等の機械的強度に優れたボンディング用金
線を提供することができる。
］と補正する。
４）明細書中箱３頁の１３行目の「・・・各資料・・・
」を「各試料」と補正する。
５）明りＩｌ書中第３頁の１８８行目〜１９目の「・・
・次表（１）は・・・示すものである。」を「・・・次
表（１）は、各試料の引張強度や高温強度等の機械的性
質及びボール形状を測定した結果を示したものであり、
各試料におけるＮＯ，１〜６は本発明の実施品、Ｎｏ■
、■は比較量を示す。」と補正する。
６）明細書中箱４頁の表（１）を下記の通り補正する。
７）明細書中東５頁の３行目〜５行目の［・・・電気抵
抗を小さくすると共に、引張強度や高温強度等の機械的
強度に優れ、かつ真珠に近い金ボールを形成せしめるボ
ンディング用金線を提供することができることを確認す
ることができた。」と補正する。
特許出願人　　　　　田中電子工業株式会社手続補正書 昭和６１年　３月２２日 特許庁長官　　　宇　　賀　　道　　部　　殿（特許庁
審査官　　　　　　　　　　　　殿）１、事件の表示 昭和６０年特許願第２１９５９３号 ２、発明の名称 半導体素子のボンディング用金線 ３、補正をする者 事件との関係　　　　特　許　出　願　人氏名（名称）
　　　田中電子工業株式会社４、代理人 住　所　　東京都文京区白山５丁目１４番７号５、補正
命令の日付（自発補正） 昭和　　年　　月　　日 ６、補正の対象 明ＩＩＩ書の発明の詳細な説明 ７、補正の内容 別紙の通り 補　　　正　　　書 １）昭和６１年２月２５日付出願の手続補正害中箱４頁
の１行目〜７行目を下記の通り補正する。
記 「７）明細書中筒５頁の３行目〜５行目の［・・・電気
抵抗を・・・ことができた。」を「・・・電気抵抗を小
さくすると共に、引張強度や高温強度等の機械的強度に
優れ、かつ真球に近い金ボールを形成せしめるボンディ
ング用金線を提供づることができることを＆ｆ１ｇする
ことができた。」と補正する。
特　許　出　願　人　　　日中電子り業株式会社手続補
正書 昭和６１年１０月２１日 特許庁長官　　黒　　１）　明　　雄　　殿（特許庁審
査官　　　　　　　　　　　　毀）１、事件の表示 昭和６０年特許願第２１９５９３号 ２、発明の名称 半導体素子のボンディング用金線 ３、補正をする者 事件との関係　　　　　　特許出願人 氏名（名称）　　　　田中電子工業株式会社５、補正命
令の日付（自発補正） 昭和　　年　　月　　日 昭和６１年２月２５日付提出の手続補正書の第３頁の表
（１）を別紙の通り補正する。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. ９９．９９６〜９９．９９９９５ｗｔ％の高純度金（Ａ
    ｕ）に０．００３２〜０．００８ｗｔ％のゲルマニウム
    （Ｇｅ）を含有せしめたことを特徴とする半導体素子の
    ボンディング用金線。
JP60219593A 1985-10-01 1985-10-01 半導体素子のボンデイング用金線 Expired - Lifetime JPH0762186B2 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP60219593A JPH0762186B2 (ja) 1985-10-01 1985-10-01 半導体素子のボンデイング用金線
US06/863,530 US4775512A (en) 1985-10-01 1986-05-15 Gold line for bonding semiconductor element
KR1019860004239A KR930002806B1 (ko) 1985-10-01 1986-05-29 반도체 소자의 본딩(bonding)용 금선(金線)
DE19863618560 DE3618560A1 (de) 1985-10-01 1986-06-03 Goldleitung zum verbinden von halbleiterelementen
GB8613580A GB2181157B (en) 1985-10-01 1986-06-04 Gold line for bonding semiconductor element

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP60219593A JPH0762186B2 (ja) 1985-10-01 1985-10-01 半導体素子のボンデイング用金線

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS6280240A true JPS6280240A (ja) 1987-04-13
JPH0762186B2 JPH0762186B2 (ja) 1995-07-05

Family

ID=16737963

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP60219593A Expired - Lifetime JPH0762186B2 (ja) 1985-10-01 1985-10-01 半導体素子のボンデイング用金線

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JPH0762186B2 (ja)
KR (1) KR930002806B1 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03273653A (ja) * 1990-03-23 1991-12-04 Nippon Steel Corp 樹脂被覆ボンディング細線
US5987004A (en) * 1993-08-27 1999-11-16 Sony Corporation Optical disk with reinforcing plate

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5424265A (en) * 1977-07-27 1979-02-23 Shii Bii Esu Yuugen Method of forming prefabbreinforcinggiron cage
JPS61238933A (ja) * 1985-04-15 1986-10-24 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> ボンデイングワイヤ

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5424265A (en) * 1977-07-27 1979-02-23 Shii Bii Esu Yuugen Method of forming prefabbreinforcinggiron cage
JPS61238933A (ja) * 1985-04-15 1986-10-24 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> ボンデイングワイヤ

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03273653A (ja) * 1990-03-23 1991-12-04 Nippon Steel Corp 樹脂被覆ボンディング細線
US5987004A (en) * 1993-08-27 1999-11-16 Sony Corporation Optical disk with reinforcing plate

Also Published As

Publication number Publication date
KR930002806B1 (ko) 1993-04-10
JPH0762186B2 (ja) 1995-07-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4080485A (en) Fine gold wire for use in connection in a semiconductor device
JPS62127438A (ja) 半導体素子用ボンディング線
JPS6280240A (ja) 半導体素子のボンデイング用金線
JPS63211731A (ja) ボンデイング線
JPS61234063A (ja) 半導体素子のボンデイング用銅線
JPS63235440A (ja) 銅細線及びその製造方法
JPH0713273B2 (ja) 半導体素子用ボンディング線およびその製造方法
US4775512A (en) Gold line for bonding semiconductor element
JPH0123540B2 (ja)
JPS5826662B2 (ja) 半導体素子のボンデイング用金線
JP3147601B2 (ja) 高温強度に優れた半導体装置組立用Ｐｂ合金はんだ材
JPS62290836A (ja) 半導体素子のボンデイング用金線
JP2661249B2 (ja) 半導体素子ボンディング用金合金線
JPS62101061A (ja) 半導体素子のボンデイング用金線
JPS6245297B2 (ja)
JPS61110735A (ja) 耐熱性に優れた金合金
JPS6123741A (ja) モリブデン材料
JP3026381B2 (ja) 半導体素子用のＡｕ極細線
JPS63260698A (ja) はんだ成型品の製造方法
JPS59119752A (ja) 半導体素子用ボンデイング金線
JPS63255336A (ja) ボンデイングワイヤ
JPS6246618B2 (ja)
JPS63247325A (ja) 銅細線及びその製造方法
JPS63238234A (ja) ボンデイングワイヤ
JPS62127436A (ja) 半導体素子用ボンディング線