JPS587861A - 集積回路装置 - Google Patents
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- JPS587861A JPS587861A JP10588881A JP10588881A JPS587861A JP S587861 A JPS587861 A JP S587861A JP 10588881 A JP10588881 A JP 10588881A JP 10588881 A JP10588881 A JP 10588881A JP S587861 A JPS587861 A JP S587861A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
- H01L27/06—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration
- H01L27/0605—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration integrated circuits made of compound material, e.g. AIIIBV
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
- H01L29/0603—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions
- H01L29/0642—Isolation within the component, i.e. internal isolation
- H01L29/0649—Dielectric regions, e.g. SiO2 regions, air gaps
- H01L29/0653—Dielectric regions, e.g. SiO2 regions, air gaps adjoining the input or output region of a field-effect device, e.g. the source or drain region
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- Computer Hardware Design (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Recrystallisation Techniques (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はシリ；ン基板を用いた集積回路素子の構造及び
その製造方法Ｋｌｌするものである。
その製造方法Ｋｌｌするものである。
従来半導体素子及びそれを集積したいわゆる半導体集積
囲路は、基板表面ＫＭ拡散、イオン注入、熱酸化、化学
気相成長、蒸着及び感光性樹脂を用いたリングラフィ技
術及びエツチング技術を用いて能動領域を半導体基板中
につくり込φ、抵抗配！！勢を基板能動領域上の絶縁物
上に形成した構造となりておシ、基板表面に２次元的な
配置で能動領域が形成されている。また絶縁物上に形成
された単結晶薄膜中に能動領域を形成したシリコンオン
サファイア（５ｉｌｉｃｏｎ ｏｎ ５ａｐｈｉｒｅ、
ＳＯ８）技術というものが知られ浮遊容量が少ないの
で、高速で動作する高精能ＩＣとして利用されている。
囲路は、基板表面ＫＭ拡散、イオン注入、熱酸化、化学
気相成長、蒸着及び感光性樹脂を用いたリングラフィ技
術及びエツチング技術を用いて能動領域を半導体基板中
につくり込φ、抵抗配！！勢を基板能動領域上の絶縁物
上に形成した構造となりておシ、基板表面に２次元的な
配置で能動領域が形成されている。また絶縁物上に形成
された単結晶薄膜中に能動領域を形成したシリコンオン
サファイア（５ｉｌｉｃｏｎ ｏｎ ５ａｐｈｉｒｅ、
ＳＯ８）技術というものが知られ浮遊容量が少ないの
で、高速で動作する高精能ＩＣとして利用されている。
またサファイアのみでなくスピネル結晶上にもシリコン
がエビクキシャル成長することも知られている。最近、
米国物理学会発行１９７９年７月１日号のアブライドフ
ィズイクスレター（ＡｐｐｌｉｅｄＰｈｙｓｉｃｓ Ｌ
ｅｔｔ＠ｒ ） 誌の７１ページから７４ページのエ
ム ダブリ鼻−・ガイス（Ｍ、 Ｗ、 Ｇａ１ｍ ）
他２名になる論文によれば、石英板上Ｋ Ｏ，１ミク
ロン深さで３．８ミクロン周期の 垂直断面を持つ線状
のレリーフを形成し、この上に５００ナノメーター厚の
アモルファス状のシリコンａｔ−化学気相成長し、その
後レーザー光を走査して結晶化することＫよシ向Ｋｌｌ
直な方向に（１０Ｇ）の結晶軸を持つ結晶が得られると
いう。又、日本応用物思学会主催の第１２回置体素子コ
ンファレンスの予稿集１３ページ〜１４ページにエム・
タムツ（Ｍ 、 Ｔａｍｕｒａ ）他ｚ名は、シリコン
基板上Ｋ ８ｉ０．パターンを形成し、この上ＫＯ２〜
０．６ンクロン厚のポリシリコンを付着し、Ｑスイッチ
ルビーレザーを用いて、ポリシリコンを再結晶化し基板
結晶と同じ結晶軸を持つシリコン層が、シリコン基板を
種に８１０ｚ膜上にまで成長することを報告している。
がエビクキシャル成長することも知られている。最近、
米国物理学会発行１９７９年７月１日号のアブライドフ
ィズイクスレター（ＡｐｐｌｉｅｄＰｈｙｓｉｃｓ Ｌ
ｅｔｔ＠ｒ ） 誌の７１ページから７４ページのエ
ム ダブリ鼻−・ガイス（Ｍ、 Ｗ、 Ｇａ１ｍ ）
他２名になる論文によれば、石英板上Ｋ Ｏ，１ミク
ロン深さで３．８ミクロン周期の 垂直断面を持つ線状
のレリーフを形成し、この上に５００ナノメーター厚の
アモルファス状のシリコンａｔ−化学気相成長し、その
後レーザー光を走査して結晶化することＫよシ向Ｋｌｌ
直な方向に（１０Ｇ）の結晶軸を持つ結晶が得られると
いう。又、日本応用物思学会主催の第１２回置体素子コ
ンファレンスの予稿集１３ページ〜１４ページにエム・
タムツ（Ｍ 、 Ｔａｍｕｒａ ）他ｚ名は、シリコン
基板上Ｋ ８ｉ０．パターンを形成し、この上ＫＯ２〜
０．６ンクロン厚のポリシリコンを付着し、Ｑスイッチ
ルビーレザーを用いて、ポリシリコンを再結晶化し基板
結晶と同じ結晶軸を持つシリコン層が、シリコン基板を
種に８１０ｚ膜上にまで成長することを報告している。
アイ イーイーイーのジャーナル オプ ソリッド ス
テート サーキット（ＩＥＥＥＪＯＵＲＮＡＬ ＯＦ
５ＯＬＩＤ−８ＴＡＴＥ ＣＩＲＣＵＩＴＳ）誌
の第８Ｃ−１３巻 第４号４６８−４７１ページに記載
されえジａンジ サク、ｙ イ（ＪＵＮＪＩ ５ＡＫ
ＵＲＡＩ）氏の論文に依れば、Ｓｓ Ｈｉｔ水嵩で希釈
したガス糸を用い九気相でのエピタキシャル成長で１０
５０１１：以上の基板温度で菖１図に示す如くシリコン
基板ｌ上に＃ｉ単結晶シリコン１１１２が、−万シリコ
ン酸化１［３上には多結晶シリコン４が成長する仁とを
報告し、高１１度のＭＯＳ （Ｍｅｔａｌ−８ｉｌｉｃ
ｏｎ ｄｉｏｘｉｄｅ−８ｉｌｉｃｏｎ ）集積回路が
製造できると述べている。
テート サーキット（ＩＥＥＥＪＯＵＲＮＡＬ ＯＦ
５ＯＬＩＤ−８ＴＡＴＥ ＣＩＲＣＵＩＴＳ）誌
の第８Ｃ−１３巻 第４号４６８−４７１ページに記載
されえジａンジ サク、ｙ イ（ＪＵＮＪＩ ５ＡＫ
ＵＲＡＩ）氏の論文に依れば、Ｓｓ Ｈｉｔ水嵩で希釈
したガス糸を用い九気相でのエピタキシャル成長で１０
５０１１：以上の基板温度で菖１図に示す如くシリコン
基板ｌ上に＃ｉ単結晶シリコン１１１２が、−万シリコ
ン酸化１［３上には多結晶シリコン４が成長する仁とを
報告し、高１１度のＭＯＳ （Ｍｅｔａｌ−８ｉｌｉｃ
ｏｎ ｄｉｏｘｉｄｅ−８ｉｌｉｃｏｎ ）集積回路が
製造できると述べている。
この論文の中で、シリコン酸化膜上には、均一な膜が成
長しないので、あらかじめ、Ｂ”、 ＢＰ、ｉ 、 Ｐ
”−な核生成を行うことが必要であると述べている◇本
発明の発明者の実験に依わば、水素希釈の５ｔＩ（２ｃ
ｔ、と塩酸混合ガスを用いると基板温度〜１０８０℃程
度で第２図に示す如＜（１１５） 基板シリコン１０
上にもまた非晶質のシリコン酸化膜ｌｌ上にもシリコン
単結晶層１２が成長した。この成長のもようを顕微鏡観
察したものを模式的に示したのが第３図である。（ａ）
、 （ｅ）は平面図、（ｂ） （ｄ）はその断面図Ｊ
ｅ）は（ａ） （ｅ）の平面図の基板結晶方位を示すも
のである。成長の初期でｕ （ａ） ｔ （ｂ）図に示
す如くシリコン基板３１上に付着されたシリコン酸化膜
３２に＠目された穴の部分のみにエピタキシャル成長す
せられたシリコン層は存在しているが、時間の経過とと
もに（ｃ） （ｄ）図に示す如く開口部からシリコン酸
化膜上にせり出して行く。このとき（ｌｌ′５）面方位
を持つ基板の場合、（、）図中の面方位（１１０’Ｉｔ
−持つ７アセツ）Ｋ平行な一方向にのみに早くｌＩｔ、
−ｊ）ニジているのが確かめられた。シリコン酸化膜上
のシリコン膜厚が１００ナノメータのときＹの部分は３
ミクロン、Ｘの方向＃１２ミクｐンのせ夛出しの長さで
ある。このことは明らかにシリコン酸化膜上のシリコン
層が単結晶であることを示しているＯまた走査瀝電１ｍ
（Ｓ、ＩＭ）Ｋよる断面観察の際、エッチビットの出や
すいエツチング薬品を用いて確かめたが、ジーンジ・サ
クライの論文中の２１ｇ２に示されているようなポリシ
リコンに特有なＳＥＭ像を得ることはなかつ九〇 しかしながら、本方法をＩＣ製造工楊が進み凹凸のはげ
しいシリコン酸化膜やシリコン窒化層上に適用した場合
、エピタキシャル成長したくない絶縁膜上での異状な被
生成の丸め、異状成長が生じ突起が発生し九カ、電気回
路的に浮いたシリコンの島が形成されることがあるため
、塩酸の添加濃度、及び基板温度の最適値の範囲が極め
て狭くなる問題があった。
長しないので、あらかじめ、Ｂ”、 ＢＰ、ｉ 、 Ｐ
”−な核生成を行うことが必要であると述べている◇本
発明の発明者の実験に依わば、水素希釈の５ｔＩ（２ｃ
ｔ、と塩酸混合ガスを用いると基板温度〜１０８０℃程
度で第２図に示す如＜（１１５） 基板シリコン１０
上にもまた非晶質のシリコン酸化膜ｌｌ上にもシリコン
単結晶層１２が成長した。この成長のもようを顕微鏡観
察したものを模式的に示したのが第３図である。（ａ）
、 （ｅ）は平面図、（ｂ） （ｄ）はその断面図Ｊ
ｅ）は（ａ） （ｅ）の平面図の基板結晶方位を示すも
のである。成長の初期でｕ （ａ） ｔ （ｂ）図に示
す如くシリコン基板３１上に付着されたシリコン酸化膜
３２に＠目された穴の部分のみにエピタキシャル成長す
せられたシリコン層は存在しているが、時間の経過とと
もに（ｃ） （ｄ）図に示す如く開口部からシリコン酸
化膜上にせり出して行く。このとき（ｌｌ′５）面方位
を持つ基板の場合、（、）図中の面方位（１１０’Ｉｔ
−持つ７アセツ）Ｋ平行な一方向にのみに早くｌＩｔ、
−ｊ）ニジているのが確かめられた。シリコン酸化膜上
のシリコン膜厚が１００ナノメータのときＹの部分は３
ミクロン、Ｘの方向＃１２ミクｐンのせ夛出しの長さで
ある。このことは明らかにシリコン酸化膜上のシリコン
層が単結晶であることを示しているＯまた走査瀝電１ｍ
（Ｓ、ＩＭ）Ｋよる断面観察の際、エッチビットの出や
すいエツチング薬品を用いて確かめたが、ジーンジ・サ
クライの論文中の２１ｇ２に示されているようなポリシ
リコンに特有なＳＥＭ像を得ることはなかつ九〇 しかしながら、本方法をＩＣ製造工楊が進み凹凸のはげ
しいシリコン酸化膜やシリコン窒化層上に適用した場合
、エピタキシャル成長したくない絶縁膜上での異状な被
生成の丸め、異状成長が生じ突起が発生し九カ、電気回
路的に浮いたシリコンの島が形成されることがあるため
、塩酸の添加濃度、及び基板温度の最適値の範囲が極め
て狭くなる問題があった。
本発明の目的はこのエピタキシャル技術の適用範囲を広
は得る構造の集積回路鋏１１を提供することにある＠ 本発Ｉｊ１によれば、絶縁膜を介してシリコン単結晶層
をシリコン単結晶基板上に少くとも１層積層し、単結晶
基板上及び積層したエピタキシャル単結晶膜層を利用し
て、それぞれの層ＫＭＯ８ｊｌｌＩあるいはパイボー２
製等のトランジスタ、その他能動素子あるいは抵抗キャ
パシタンス等またあるいは配線をほどこし集積回路を形
成することができ、さらにこれら集積回路の形成される
単結晶の基板あるいはエピタキシャル単結晶膜間にリン
硅甑ガフスあるいはボロン硅酸ガラス層の少くとも一つ
の層を含むことを特徴とする集積１路装置が得られる◇ 次に、実施例によシ本発明の有効性を示す。
は得る構造の集積回路鋏１１を提供することにある＠ 本発Ｉｊ１によれば、絶縁膜を介してシリコン単結晶層
をシリコン単結晶基板上に少くとも１層積層し、単結晶
基板上及び積層したエピタキシャル単結晶膜層を利用し
て、それぞれの層ＫＭＯ８ｊｌｌＩあるいはパイボー２
製等のトランジスタ、その他能動素子あるいは抵抗キャ
パシタンス等またあるいは配線をほどこし集積回路を形
成することができ、さらにこれら集積回路の形成される
単結晶の基板あるいはエピタキシャル単結晶膜間にリン
硅甑ガフスあるいはボロン硅酸ガラス層の少くとも一つ
の層を含むことを特徴とする集積１路装置が得られる◇ 次に、実施例によシ本発明の有効性を示す。
第４図には、基板４０上に識化膜４１で重子間分離され
たポリシリコンゲート４２を持つＭＯ８１１トランジス
ｊを含む一層目の集積回路上Ｋ、不純物の１１度が低い
シリコン酸化＄４３と、リンを一濃度含み上面が平滑な
表面に仕上けられたシリコン酸化膜（リン硫酸ガラス）
４４とさらにその上に低換度にしか不純物を含まない、
シリコン酸化膜あるいはシリコン窒化展層４５が付着さ
れ、Ｆ層のポリシリコンゲートのＭＯＳ）ランジスタの
ドレイン部４６に設置され九４３％ ４４ ％ ４５の
複合絶縁物層の開口部を通してエピタキシャル成長され
たシリコン単ｍ 晶ＩＩ ＩＩ ４７上に形成されたポ
リシリコン層−）４８を含むＭＯＳ）ｊンジスタを含む
集積１路、っま９、能動素子が２段に積層された、いわ
ゆる３次元構造の集積回路装置の断面の一例を示してい
る。
たポリシリコンゲート４２を持つＭＯ８１１トランジス
ｊを含む一層目の集積回路上Ｋ、不純物の１１度が低い
シリコン酸化＄４３と、リンを一濃度含み上面が平滑な
表面に仕上けられたシリコン酸化膜（リン硫酸ガラス）
４４とさらにその上に低換度にしか不純物を含まない、
シリコン酸化膜あるいはシリコン窒化展層４５が付着さ
れ、Ｆ層のポリシリコンゲートのＭＯＳ）ランジスタの
ドレイン部４６に設置され九４３％ ４４ ％ ４５の
複合絶縁物層の開口部を通してエピタキシャル成長され
たシリコン単ｍ 晶ＩＩ ＩＩ ４７上に形成されたポ
リシリコン層−）４８を含むＭＯＳ）ｊンジスタを含む
集積１路、っま９、能動素子が２段に積層された、いわ
ゆる３次元構造の集積回路装置の断面の一例を示してい
る。
本実施例の集積回路装置は上・下２段の集積回路装置か
らなりているが、本発明によるリン硅酸ガ２ス層４４を
含んでいるので、上層の集積回路装置もシリコンが平滑
にされた面上にエピタキシャルされるととになるので、
平滑なｍを持ち極めて簾い結晶性を持つ単結晶シリコン
層内に形成できる。これ社、単結晶シリコンが単に開口
され、露出し九シリコン単結晶内のみを核として成長し
、凹凸のある庚での異常な成長がなくなうたためである
０本夾施例中４５０シリコン酸化換上に成長されたシリ
コン単結晶４７はこれらの界面近傍でｎ製にな夛やすく
、ｎチャンネルＭＯ８）ランジスタｔ２層目に形成しよ
うとすると、ソース・ドレイン関にリーク電流が流れる
こととなってしまう。
らなりているが、本発明によるリン硅酸ガ２ス層４４を
含んでいるので、上層の集積回路装置もシリコンが平滑
にされた面上にエピタキシャルされるととになるので、
平滑なｍを持ち極めて簾い結晶性を持つ単結晶シリコン
層内に形成できる。これ社、単結晶シリコンが単に開口
され、露出し九シリコン単結晶内のみを核として成長し
、凹凸のある庚での異常な成長がなくなうたためである
０本夾施例中４５０シリコン酸化換上に成長されたシリ
コン単結晶４７はこれらの界面近傍でｎ製にな夛やすく
、ｎチャンネルＭＯ８）ランジスタｔ２層目に形成しよ
うとすると、ソース・ドレイン関にリーク電流が流れる
こととなってしまう。
このリーク電ＲＦｉ４５のシリコン酸化ｌＩＫあらかじ
め高濃度のボロンの）の如きｐＨの伝導性を与える不純
物を混入させておくか、エピタキシャル展成長後に高エ
ネルギーを持つポロン＠）の如ｉ！ｐｆｆｉの伝導性を
与える不純物イオン４５絶縁膜と４７のエビ層界面に注
入することＫよシ防止することができる。また４４のリ
ン硅酸ガラスと４５の絶縁膜Ｋかわって、一層のボロ／
シリク−トガ２スによって置き換えても良い。
め高濃度のボロンの）の如きｐＨの伝導性を与える不純
物を混入させておくか、エピタキシャル展成長後に高エ
ネルギーを持つポロン＠）の如ｉ！ｐｆｆｉの伝導性を
与える不純物イオン４５絶縁膜と４７のエビ層界面に注
入することＫよシ防止することができる。また４４のリ
ン硅酸ガラスと４５の絶縁膜Ｋかわって、一層のボロ／
シリク−トガ２スによって置き換えても良い。
本発明になる装置１は、すてに第１層目の集積回路が形
成されたシリコン基板上に付着された絶縁膜上に１この
絶縁膜及び下地の絶縁膜を開口して下地の単結晶を露呈
せしめ、この露呈した単結晶面をＩＩ Ｋ ５ＩＨ２Ｃ
１２ソースを用いかつ水嵩希釈した５−未満のＨＣＩガ
スを導入して減圧ある°いは常圧下でシリコン単結晶を
上記開口部のシリコン表面及び開口部周辺の絶縁膜上に
もエピタキシャル成長するに先立ち、まずリン又はボロ
ン會高淡度含む硅素ガラスを下地集積回路上に下地の凹
凸の程度あ°わせｏ、ａＩ１ｍ以上付着せしめ、熱処理
を行うことＫより％なだらかではは平滑な絶縁膜を得、
さらＫｌｐ＊に応じて他のシリコン酸化ｌ［あるいは窒
化膜を付着せしめ良後、写真蝕刻法によ〕絶縁物をエツ
チングし、下地の単結晶層を露呈せしめるととにより得
ることができる。
成されたシリコン基板上に付着された絶縁膜上に１この
絶縁膜及び下地の絶縁膜を開口して下地の単結晶を露呈
せしめ、この露呈した単結晶面をＩＩ Ｋ ５ＩＨ２Ｃ
１２ソースを用いかつ水嵩希釈した５−未満のＨＣＩガ
スを導入して減圧ある°いは常圧下でシリコン単結晶を
上記開口部のシリコン表面及び開口部周辺の絶縁膜上に
もエピタキシャル成長するに先立ち、まずリン又はボロ
ン會高淡度含む硅素ガラスを下地集積回路上に下地の凹
凸の程度あ°わせｏ、ａＩ１ｍ以上付着せしめ、熱処理
を行うことＫより％なだらかではは平滑な絶縁膜を得、
さらＫｌｐ＊に応じて他のシリコン酸化ｌ［あるいは窒
化膜を付着せしめ良後、写真蝕刻法によ〕絶縁物をエツ
チングし、下地の単結晶層を露呈せしめるととにより得
ることができる。
下層の集積回路は、１０００℃ 程度の熱処理で変質し
ない材料により構成されなければならないが、絶縁物と
しては上記のシリコン酸化膜あるいはシリコン窒化膜を
問題なく使用できる。気相成長法によ） ７００℃〜ｓ
ｏｏ′ｃｓ直の温度で付着したシリコン窒化膜は１００
０ ｔ？＃熱処理により多結晶化する傾向のため、その
絶縁性がやや劣下するが、不揮発性メモリへの応用等の
特別きびしい条件を必要とするものでないかぎゃ、はと
んどの場合、全く問題となる程ではない。一方配線材料
ＫＦｉ多用されているアルミニウムや金といった材料は
使用できないが、モリブデン、タングステン、タンタル
といった高融点金属及びそれらのシリコンとの合金等が
使用できる。
ない材料により構成されなければならないが、絶縁物と
しては上記のシリコン酸化膜あるいはシリコン窒化膜を
問題なく使用できる。気相成長法によ） ７００℃〜ｓ
ｏｏ′ｃｓ直の温度で付着したシリコン窒化膜は１００
０ ｔ？＃熱処理により多結晶化する傾向のため、その
絶縁性がやや劣下するが、不揮発性メモリへの応用等の
特別きびしい条件を必要とするものでないかぎゃ、はと
んどの場合、全く問題となる程ではない。一方配線材料
ＫＦｉ多用されているアルミニウムや金といった材料は
使用できないが、モリブデン、タングステン、タンタル
といった高融点金属及びそれらのシリコンとの合金等が
使用できる。
最上層に使用される配線金属材料はもちろんこれらの制
約はうけないことはいうまでもない。
約はうけないことはいうまでもない。
またＭＯ８！Ｍの集積回路にりいての多層化技術につい
てのみ述べたが、バイポーラ屋、接合型電界効果トラン
ジスタ、ツェナーダイオード、他の各種の能動あるいは
受動素子を含む集積回路であっても何ら問題でになく応
用できる。
てのみ述べたが、バイポーラ屋、接合型電界効果トラン
ジスタ、ツェナーダイオード、他の各種の能動あるいは
受動素子を含む集積回路であっても何ら問題でになく応
用できる。
第１図は ＳｉＨ４を用いたエピタキシャル成長のもよ
うを示す模式図で、ｌＦｉシリコン基板、２＃′ｉ工ピ
タキシヤルシリコン単結晶層、３Ｆｉシリコン酸化躾、
４Ｆｉ３の上に付着したポリシリコン層を示す。第２図
Ｆｉ８１Ｈ２Ｃ１ｚ系によるエピタキシャル成長のもよ
うを示す模式図で１０＃′ｉンリコン基板、１１＃′ｉ
シリコン酸化膜、 １２はエビタキシャ゛ルシリコン層
を示す。第３図は同じ＜ ５ｉＨｚＣ１−系による工ビ
タキシャル成長の過程ｆ綱像鏡観察の結果ｔｉ式的に示
す図で（ａ） 、 （ｃ） Ｆ （ｅ）Ｆｉ平面図、（
ｂ） ｔ （ａ）Ｆｉその断面図である。３０ｔｊ：
（１１５）面方位を持つ基板０管示し、３１は１１５Ｊ
じく基板、３２はシリコン酸化膜、あはエピタキシャル
してくる単結晶シリコン層を示す。第４図は本発明の５
１！施例で、４０は基板シリコン、４１は分離用の酸化
膜、４２はポリシリコングー ） 、４３はシリコン酸
化膜、４４Ｆｉリン硅酸ガラス層、４５はシリコン酸化
膜あるいはシリコン窒化膜、４６はＦ層集積回路内のＭ
Ｏ８型トランジスタのドレイン、４７Ｆｉエピタキシヤ
ルシリコン［，４８に上層の集積回路内のシリコンゲー
トを示す。 代１人 弁理士 内 原 晋 第 ｌ の 璃 Ｚ 口 ／Ｚ 第う記 （Ｄ＞ １８、°ム・ 隼 ４ 図
うを示す模式図で、ｌＦｉシリコン基板、２＃′ｉ工ピ
タキシヤルシリコン単結晶層、３Ｆｉシリコン酸化躾、
４Ｆｉ３の上に付着したポリシリコン層を示す。第２図
Ｆｉ８１Ｈ２Ｃ１ｚ系によるエピタキシャル成長のもよ
うを示す模式図で１０＃′ｉンリコン基板、１１＃′ｉ
シリコン酸化膜、 １２はエビタキシャ゛ルシリコン層
を示す。第３図は同じ＜ ５ｉＨｚＣ１−系による工ビ
タキシャル成長の過程ｆ綱像鏡観察の結果ｔｉ式的に示
す図で（ａ） 、 （ｃ） Ｆ （ｅ）Ｆｉ平面図、（
ｂ） ｔ （ａ）Ｆｉその断面図である。３０ｔｊ：
（１１５）面方位を持つ基板０管示し、３１は１１５Ｊ
じく基板、３２はシリコン酸化膜、あはエピタキシャル
してくる単結晶シリコン層を示す。第４図は本発明の５
１！施例で、４０は基板シリコン、４１は分離用の酸化
膜、４２はポリシリコングー ） 、４３はシリコン酸
化膜、４４Ｆｉリン硅酸ガラス層、４５はシリコン酸化
膜あるいはシリコン窒化膜、４６はＦ層集積回路内のＭ
Ｏ８型トランジスタのドレイン、４７Ｆｉエピタキシヤ
ルシリコン［，４８に上層の集積回路内のシリコンゲー
トを示す。 代１人 弁理士 内 原 晋 第 ｌ の 璃 Ｚ 口 ／Ｚ 第う記 （Ｄ＞ １８、°ム・ 隼 ４ 図
Claims (1)
- 絶縁物腰を介してシリコン単結晶ｊｉｌＫをシリコン単
結晶基板上に少くとも１層積層し、単結晶基板上、及び
積層したエピタキシャル層を利用して集積回路を形成し
た装置に於て、単結晶の基板と単結晶膜あるいは２つの
単結晶展間に存在する絶縁物中に、リン硅酸ガラス層、
ボロン破除ガラス層の少くとも一つを含むことを特長と
する集積回路装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10588881A JPS587861A (ja) | 1981-07-07 | 1981-07-07 | 集積回路装置 |
| US06/395,110 US4637127A (en) | 1981-07-07 | 1982-07-06 | Method for manufacturing a semiconductor device |
| DE19823225398 DE3225398A1 (de) | 1981-07-07 | 1982-07-07 | Halbleitervorrichtung und verfahren zu ihrer herstellung |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10588881A JPS587861A (ja) | 1981-07-07 | 1981-07-07 | 集積回路装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS587861A true JPS587861A (ja) | 1983-01-17 |
Family
ID=14419451
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10588881A Pending JPS587861A (ja) | 1981-07-07 | 1981-07-07 | 集積回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS587861A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5952861A (ja) * | 1982-09-20 | 1984-03-27 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体集積回路装置 |
| JPS62137360U (ja) * | 1986-02-24 | 1987-08-29 | ||
| DE3936677A1 (de) * | 1988-11-05 | 1990-05-10 | Mitsubishi Electric Corp | Geschichtete halbleitervorrichtung und verfahren zu deren herstellung |
| WO2005019316A1 (ja) | 2003-08-21 | 2005-03-03 | Toyo Boseki Kabushiki Kaisha | 光学用易接着性ポリエステルフィルム及び光学用積層ポリエステルフィルム |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56112743A (en) * | 1980-02-12 | 1981-09-05 | Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Thin film semiconductor device and manufacture thereof |
-
1981
- 1981-07-07 JP JP10588881A patent/JPS587861A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56112743A (en) * | 1980-02-12 | 1981-09-05 | Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Thin film semiconductor device and manufacture thereof |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5952861A (ja) * | 1982-09-20 | 1984-03-27 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体集積回路装置 |
| JPS62137360U (ja) * | 1986-02-24 | 1987-08-29 | ||
| DE3936677A1 (de) * | 1988-11-05 | 1990-05-10 | Mitsubishi Electric Corp | Geschichtete halbleitervorrichtung und verfahren zu deren herstellung |
| US5006913A (en) * | 1988-11-05 | 1991-04-09 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Stacked type semiconductor device |
| DE3936677C2 (ja) * | 1988-11-05 | 1993-03-04 | Mitsubishi Denki K.K., Tokio/Tokyo, Jp | |
| WO2005019316A1 (ja) | 2003-08-21 | 2005-03-03 | Toyo Boseki Kabushiki Kaisha | 光学用易接着性ポリエステルフィルム及び光学用積層ポリエステルフィルム |
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