JPS5877202A - セラミツクバリスタ - Google Patents
セラミツクバリスタInfo
- Publication number
- JPS5877202A JPS5877202A JP56175999A JP17599981A JPS5877202A JP S5877202 A JPS5877202 A JP S5877202A JP 56175999 A JP56175999 A JP 56175999A JP 17599981 A JP17599981 A JP 17599981A JP S5877202 A JPS5877202 A JP S5877202A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- ceramic
- ceramic substrate
- heat
- varistor
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- Granted
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- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はセラミックバリスタに関するものであって、そ
の目的とするところは異常電゛圧又は過大な侵入サージ
によって破損されることのない自己防御作用を備えたセ
ラミックバリスタを！Ｍ供することにある。
の目的とするところは異常電゛圧又は過大な侵入サージ
によって破損されることのない自己防御作用を備えたセ
ラミックバリスタを！Ｍ供することにある。
酸化亜鉛を主体とするセラミックバリスタは、Ｍ 化曲
＆ｌ ニヒスマス、アンチモン、コバルト、々ンガン等
の金属酸化ｗ’ｔ−添加して混合成形し、１．０００〜
’１５００１１：”ｔ”焼結Ｌ？影形成わ、すぐれた非
直ｍ電圧抵抗特性を有するので各柚電飽回路のサージ吸
収器として広く用いられている。第１図は従来めセラミ
ックバリスタを示しび裏面には、鋏又は銅、あるいはア
ルミニューム等の導電性金属の焼き付け′、メッキある
いは溶射・寺によって平面電極２．２１を形成している
、３．３°は平面電極２．２１に半田付すされ九リード
線である。
＆ｌ ニヒスマス、アンチモン、コバルト、々ンガン等
の金属酸化ｗ’ｔ−添加して混合成形し、１．０００〜
’１５００１１：”ｔ”焼結Ｌ？影形成わ、すぐれた非
直ｍ電圧抵抗特性を有するので各柚電飽回路のサージ吸
収器として広く用いられている。第１図は従来めセラミ
ックバリスタを示しび裏面には、鋏又は銅、あるいはア
ルミニューム等の導電性金属の焼き付け′、メッキある
いは溶射・寺によって平面電極２．２１を形成している
、３．３°は平面電極２．２１に半田付すされ九リード
線である。
ところで上記構造のセラミックバリスタは、定格最大値
以上の異常電圧及印加されたとき、あるいは耐量以上の
過大サージが侵入したときは短絡、破壊されるので、回
路に遮断器又は電流ヒエーズを接続してこれを異常電圧
および過大サージから保護している。本発明はこの点に
かんがみ、セラミックパリス′りそれ自体に異常電圧お
よび過大サージに対する防伸機能を付与することによシ
、遮断器、電流ヒエーズ等を雀略し、配線基板を簡素化
することを意図するものである。
以上の異常電圧及印加されたとき、あるいは耐量以上の
過大サージが侵入したときは短絡、破壊されるので、回
路に遮断器又は電流ヒエーズを接続してこれを異常電圧
および過大サージから保護している。本発明はこの点に
かんがみ、セラミックパリス′りそれ自体に異常電圧お
よび過大サージに対する防伸機能を付与することによシ
、遮断器、電流ヒエーズ等を雀略し、配線基板を簡素化
することを意図するものである。
本発明の実施例を第２図、第３図および第４図によって
説明する。第２図において、４は長方形のセラミック基
板で、その表面および＃に面には中央部から片方によっ
た位置に、若干の巾をもつ耐熱絶縁層５．５１が設ゆで
ある。この耐熱絶縁層５．５′は耐熱ガラスあるいはア
ルミナなどの耐熱性無機絶縁材料を焼付け、溶射などの
方法によって数十μｍ程度の厚さに形成される。第３図
において６ａ、 ６ｂ、６ａ、６ｄおよび６１ａ、６１
ｂ、６１ｃ１６１ｄ＃′ｉ表面オヨヒ裏山の中央部に設
けた分離された複数個の対向電極で、６ａと６’ａ、
６ｂと６１ｂ１６ｃと６’（！、（５（１互い違いに設
けである。８ａ、ｓｂ、８ｃ、８ｄおよび８ ’ ａ
ｓ ８ ’ ｂ ｓ ８ ’ ｃ ｓ ８ ’ ｅＬ
ｉｉ複数個の対向電極（６１（６’）と共通電極７．７
１とを連通ずる渡！ｌｌ電極である。対向電極（６）、
（６つ鉱銀又は銅あるいはアルミニニームの焼付ケ、メ
ッキ、溶射などの方法によって形成される。渡シ電極（
８）（８つは比較的融点の低いアルミニューム等の易溶
性金属の溶射あるいは蒸着によって耐熱絶縁層５．５′
の上に形成され、その厚さは数ミクロンないしＦｉ５０
μｍで′ある。９．９１は表面および裏面の共通電極７
．７′に半田付けされたリード線である。リード線９．
９′の半田付けされたセラミック基板４の８面はエポキ
シ樹脂などによってコーティングされる。第４図は本発
明の他の実施例である。この実施１１ｉ Ｆｉ耐熱絶縁
層および渡シ電極を含む上記の電極輛糸をセラミック基
板４０表面にのみ設け、表面ｔζは第１図の平面電極２
′と同様な裏Ｅｋｌｌ［極１０を設け、これにリード＃
９′が半田付けしである。
説明する。第２図において、４は長方形のセラミック基
板で、その表面および＃に面には中央部から片方によっ
た位置に、若干の巾をもつ耐熱絶縁層５．５１が設ゆで
ある。この耐熱絶縁層５．５′は耐熱ガラスあるいはア
ルミナなどの耐熱性無機絶縁材料を焼付け、溶射などの
方法によって数十μｍ程度の厚さに形成される。第３図
において６ａ、 ６ｂ、６ａ、６ｄおよび６１ａ、６１
ｂ、６１ｃ１６１ｄ＃′ｉ表面オヨヒ裏山の中央部に設
けた分離された複数個の対向電極で、６ａと６’ａ、
６ｂと６１ｂ１６ｃと６’（！、（５（１互い違いに設
けである。８ａ、ｓｂ、８ｃ、８ｄおよび８ ’ ａ
ｓ ８ ’ ｂ ｓ ８ ’ ｃ ｓ ８ ’ ｅＬ
ｉｉ複数個の対向電極（６１（６’）と共通電極７．７
１とを連通ずる渡！ｌｌ電極である。対向電極（６）、
（６つ鉱銀又は銅あるいはアルミニニームの焼付ケ、メ
ッキ、溶射などの方法によって形成される。渡シ電極（
８）（８つは比較的融点の低いアルミニューム等の易溶
性金属の溶射あるいは蒸着によって耐熱絶縁層５．５′
の上に形成され、その厚さは数ミクロンないしＦｉ５０
μｍで′ある。９．９１は表面および裏面の共通電極７
．７′に半田付けされたリード線である。リード線９．
９′の半田付けされたセラミック基板４の８面はエポキ
シ樹脂などによってコーティングされる。第４図は本発
明の他の実施例である。この実施１１ｉ Ｆｉ耐熱絶縁
層および渡シ電極を含む上記の電極輛糸をセラミック基
板４０表面にのみ設け、表面ｔζは第１図の平面電極２
′と同様な裏Ｅｋｌｌ［極１０を設け、これにリード＃
９′が半田付けしである。
次に本発明のセラミックバリスタの作用を欧明する。い
ま、過大すｉシフの侵入によって第６図０）および第５
図に示すようにセラミック基板４に短絡ａが発生したと
する。このときの短絡電流はリード線９から渡多電極８
ｃ、８’ｃを通過してリード線９１に流れるから易溶性
金属よりなる渡少電極８Ｃ１８１Ｃのどちらか一方又は
双方が通過電流によって溶断される。すなわち、渡シ電
極（８）（８つは電流ヒエーズとして作用するからその
材料、厚み、巾、長さは遮断電流によって設定される。
ま、過大すｉシフの侵入によって第６図０）および第５
図に示すようにセラミック基板４に短絡ａが発生したと
する。このときの短絡電流はリード線９から渡多電極８
ｃ、８’ｃを通過してリード線９１に流れるから易溶性
金属よりなる渡少電極８Ｃ１８１Ｃのどちらか一方又は
双方が通過電流によって溶断される。すなわち、渡シ電
極（８）（８つは電流ヒエーズとして作用するからその
材料、厚み、巾、長さは遮断電流によって設定される。
第１図の従来のセラミック通過する過大電流のジュール
熱によってセラミック基板が焼情するが、本発明は渡シ
電極の解析によってこれを未然に防止するばがシでなく
、短絡が発生した懐も、残余の約７５１がセラミックバ
リスタとしての作用を保持している。
熱によってセラミック基板が焼情するが、本発明は渡シ
電極の解析によってこれを未然に防止するばがシでなく
、短絡が発生した懐も、残余の約７５１がセラミックバ
リスタとしての作用を保持している。
以上述べたように本発明のセラミックバリスタは、セラ
ミック基板４の表面および裏′面に、部伸に分離された
被数個の対向ｗ椿（６）（Ｓつを □前記セラミック基
板４０表向および裏面に相対７１を前記セラミック基板
４の表向および真向に互い違いに杉成し、徐数個の前記
対向電極（６）（６１）と前記共通１１１ｔ＊７．７１
とを前記耐熱絶縁層５．５′の上に形成した巾の狭い易
溶性金属よシなる渡り電極（８）（８つによって連通さ
せ、表面および裏面の共通電極７．７１にはそれ゛ぞれ
リード線９．９１を半田付けした構造を有するので、定
格最大以上の異常電圧が印加され九とき、あるいは耐量
以上の過大サージが侵入したときには渡ル電極の）（８
つが溶断してセラミックバリスタの破壊焼損を未然に防
止する。したがつて、セラミックバリスタを保護するた
めの遮断器又は電流ヒ為−ズの必要がないから配線基板
が簡素化され、菅頭で述べた本発明の目。
ミック基板４の表面および裏′面に、部伸に分離された
被数個の対向ｗ椿（６）（Ｓつを □前記セラミック基
板４０表向および裏面に相対７１を前記セラミック基板
４の表向および真向に互い違いに杉成し、徐数個の前記
対向電極（６）（６１）と前記共通１１１ｔ＊７．７１
とを前記耐熱絶縁層５．５′の上に形成した巾の狭い易
溶性金属よシなる渡り電極（８）（８つによって連通さ
せ、表面および裏面の共通電極７．７１にはそれ゛ぞれ
リード線９．９１を半田付けした構造を有するので、定
格最大以上の異常電圧が印加され九とき、あるいは耐量
以上の過大サージが侵入したときには渡ル電極の）（８
つが溶断してセラミックバリスタの破壊焼損を未然に防
止する。したがつて、セラミックバリスタを保護するた
めの遮断器又は電流ヒ為−ズの必要がないから配線基板
が簡素化され、菅頭で述べた本発明の目。
的を達成する作用効果を有する。
第１図：従来のセラきツクバリスタを示す図で、ｆｌ）
は平面図、←）は側面図 第２図二本発明のセラミック基板の実施例を示す図で、
０）は平面図、←）は側面同 第３因二本発明のセラミックバリスタの婁施例の側面図 第５図：本発明のセラミックバリスタの作用説明図 〔記号〕４・・・セラミック基板、５．５１・・耐熱絶
縁層、６．６’一対向電極、７．７雷−・共通電極、８
．８１−・渡シ電極、９．９１・・・リード線、１０−
・裏面電極
は平面図、←）は側面図 第２図二本発明のセラミック基板の実施例を示す図で、
０）は平面図、←）は側面同 第３因二本発明のセラミックバリスタの婁施例の側面図 第５図：本発明のセラミックバリスタの作用説明図 〔記号〕４・・・セラミック基板、５．５１・・耐熱絶
縁層、６．６’一対向電極、７．７雷−・共通電極、８
．８１−・渡シ電極、９．９１・・・リード線、１０−
・裏面電極
Claims (2)
- （１） セラミック基板のｇｋ面および裏面に、その
部側に分離された複数個の対向電極を前記上動の側には
巾の狭い共通電極を前記セラミック基板の表面および裏
面゛に互い違いに形成し、前記複数個の対向電極と前記
共通電極とを前記耐熱絶縁層の上に設けた巾の狭い易溶
性金属よシなる複数個の渡シ電極によって連通させ、表
面お、よび裏面の前記共通電極にはそれぞれリード線を
半田付けしたセラミックバリスタ - （２）耐熱絶縁層および渡シ電稙を含む特許請求の範囲
（１）の電極構造をセラミック基板の表面にのみ設け、
セラミック基板の緩曲には１個の平１１［ｉ 蝋ｋを設
けてこれにリード線を半田付けしたセラミックバリスタ
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56175999A JPH0247843B2 (ja) | 1981-11-02 | 1981-11-02 | Seramitsukubarisuta |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56175999A JPH0247843B2 (ja) | 1981-11-02 | 1981-11-02 | Seramitsukubarisuta |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5877202A true JPS5877202A (ja) | 1983-05-10 |
| JPH0247843B2 JPH0247843B2 (ja) | 1990-10-23 |
Family
ID=16005932
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56175999A Expired - Lifetime JPH0247843B2 (ja) | 1981-11-02 | 1981-11-02 | Seramitsukubarisuta |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0247843B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62168604U (ja) * | 1986-04-14 | 1987-10-26 |
-
1981
- 1981-11-02 JP JP56175999A patent/JPH0247843B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62168604U (ja) * | 1986-04-14 | 1987-10-26 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0247843B2 (ja) | 1990-10-23 |
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