JPH04315402A - チップバリスタ - Google Patents
チップバリスタInfo
- Publication number
- JPH04315402A JPH04315402A JP3082285A JP8228591A JPH04315402A JP H04315402 A JPH04315402 A JP H04315402A JP 3082285 A JP3082285 A JP 3082285A JP 8228591 A JP8228591 A JP 8228591A JP H04315402 A JPH04315402 A JP H04315402A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- varistor
- electrode
- varistor element
- lead terminals
- area
- Prior art date
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- Pending
Links
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- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 6
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Landscapes
- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は各種電子機器のサージ保
護に用いられるチップバリスタに関するものである。
護に用いられるチップバリスタに関するものである。
【0002】
【従来の技術】近年、電子機器の小形化が進む中で、各
種電子部品のチップ化,リードレス化が急速に進んでい
る。そして、バリスタにおいても図3に示すような断面
をもったモールドタイプのチップバリスタが提案され、
実用に供されつつある。図3において、1は板状をなし
たるバリスタ素子で、一般に酸化亜鉛またはチタン酸ス
トロンチウムなどを主原料とする半導体セラミクスであ
る。2a,2bはバリスタ素子1の表裏の対向する位置
に銀ペーストの焼付けなどによって形成された電極であ
る。3a,3bは表面に半田メッキを施した銅や鉄など
の電気的良導体からなる薄板状のリード端子であり、電
極2a,2bにそれぞれ半田接続されている。このリー
ド端子3a,3bは互いに逆方向に引き出されている。 4はそれらをモールド成型してなるエポキシ系樹脂など
からなる成型用樹脂であり、バリスタ素子1の耐湿特性
の向上に用いられている。また、成型用樹脂4の外部に
リード端子3a,3bの一部が露出されるようになって
おり、この部分が実装に供される形となる。
種電子部品のチップ化,リードレス化が急速に進んでい
る。そして、バリスタにおいても図3に示すような断面
をもったモールドタイプのチップバリスタが提案され、
実用に供されつつある。図3において、1は板状をなし
たるバリスタ素子で、一般に酸化亜鉛またはチタン酸ス
トロンチウムなどを主原料とする半導体セラミクスであ
る。2a,2bはバリスタ素子1の表裏の対向する位置
に銀ペーストの焼付けなどによって形成された電極であ
る。3a,3bは表面に半田メッキを施した銅や鉄など
の電気的良導体からなる薄板状のリード端子であり、電
極2a,2bにそれぞれ半田接続されている。このリー
ド端子3a,3bは互いに逆方向に引き出されている。 4はそれらをモールド成型してなるエポキシ系樹脂など
からなる成型用樹脂であり、バリスタ素子1の耐湿特性
の向上に用いられている。また、成型用樹脂4の外部に
リード端子3a,3bの一部が露出されるようになって
おり、この部分が実装に供される形となる。
【0003】以上のように構成された従来のチップバリ
スタの動作について、以下に説明する。
スタの動作について、以下に説明する。
【0004】まず、チップバリスタのリード端子3a,
3bは被保護機器がつながる電源線あるいは信号線の線
間、アース間に接続され、線路に侵入する静電気放電,
雷サージ電圧などの異常電圧を吸収する。この時、異常
電圧に伴うサージ電流はリード端子3a→電極2a→バ
リスタ素子1→裏面から同様にリード端子3bへと流れ
、そしてバリスタ素子1によって抑制された安全な電圧
が被保護機器に印加されることになる。
3bは被保護機器がつながる電源線あるいは信号線の線
間、アース間に接続され、線路に侵入する静電気放電,
雷サージ電圧などの異常電圧を吸収する。この時、異常
電圧に伴うサージ電流はリード端子3a→電極2a→バ
リスタ素子1→裏面から同様にリード端子3bへと流れ
、そしてバリスタ素子1によって抑制された安全な電圧
が被保護機器に印加されることになる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来の構成では、チップバリスタに異常電流、特に
時間幅がマイクロ秒程度と極めて短く、電流値が数百ア
ンペア(A)と極めて大きい値を有する異常電流(サー
ジ電流という)が流れた時、電流が図3に示すリード端
子3a,3bの先端部に対応するバリスタ素子1の5の
部分に集中して流れる傾向にあり、バリスタ素子1の全
体を有効に利用することができないという問題があった
。これは電極2a,2bの厚さとリード端子3a,3b
の電極面上の位置と関係している。すなわち、図3のよ
うにリード端子3a,3bがバリスタ素子1を介して、
重なり合う部分がほとんどなく、そして電極2a,2b
の厚みが通常の数マイクロメートルでは、リード端子3
aから流入してくる数百Aの電流が電極面全体に広がら
ず、リード端子3a,3bの先端部に集中し、その結果
、図3に示すバリスタ素子1の先端部対応部分5に集中
すると考えられる。
うな従来の構成では、チップバリスタに異常電流、特に
時間幅がマイクロ秒程度と極めて短く、電流値が数百ア
ンペア(A)と極めて大きい値を有する異常電流(サー
ジ電流という)が流れた時、電流が図3に示すリード端
子3a,3bの先端部に対応するバリスタ素子1の5の
部分に集中して流れる傾向にあり、バリスタ素子1の全
体を有効に利用することができないという問題があった
。これは電極2a,2bの厚さとリード端子3a,3b
の電極面上の位置と関係している。すなわち、図3のよ
うにリード端子3a,3bがバリスタ素子1を介して、
重なり合う部分がほとんどなく、そして電極2a,2b
の厚みが通常の数マイクロメートルでは、リード端子3
aから流入してくる数百Aの電流が電極面全体に広がら
ず、リード端子3a,3bの先端部に集中し、その結果
、図3に示すバリスタ素子1の先端部対応部分5に集中
すると考えられる。
【0006】今、バリスタ素子1が一辺5mmの正方形
であり、電極2a,2bが一辺4mmの正方形、そして
電極2a,2bの厚みが約8μm、リード端子3a,3
bが幅3mm、厚み0.1mmで重なり合う部分がない
場合、サージ電流耐量は800Aであった。この時、サ
ージ電流波形は8×20マイクロ秒であった。さらに、
サージ耐量を増すには、バリスタ素子1の形状を大きく
し、電極面積を大きくするか、電極の厚みを増すことで
あるが、どちらにしてもコストアップの原因になるもの
であった。
であり、電極2a,2bが一辺4mmの正方形、そして
電極2a,2bの厚みが約8μm、リード端子3a,3
bが幅3mm、厚み0.1mmで重なり合う部分がない
場合、サージ電流耐量は800Aであった。この時、サ
ージ電流波形は8×20マイクロ秒であった。さらに、
サージ耐量を増すには、バリスタ素子1の形状を大きく
し、電極面積を大きくするか、電極の厚みを増すことで
あるが、どちらにしてもコストアップの原因になるもの
であった。
【0007】本発明はこのような課題を解決しようとす
るもので、バリスタ素子の形状及び電極の厚み、形状を
変えることなく、従来よりも大きいサージ耐量を有する
チップバリスタを提供することを目的としている。
るもので、バリスタ素子の形状及び電極の厚み、形状を
変えることなく、従来よりも大きいサージ耐量を有する
チップバリスタを提供することを目的としている。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明のチップバリスタ
は上記課題を解決するために、リード端子の位置関係に
注目し、バリスタ素子を介して重なり合う部分の面積を
増やした構造にしたものである。つまり、対向するリー
ド端子は対向電極面でのバリスタ素子を介して重なり合
う部分の面積が、対向電極の電極面積の10%以上であ
る構成にしたものである。
は上記課題を解決するために、リード端子の位置関係に
注目し、バリスタ素子を介して重なり合う部分の面積を
増やした構造にしたものである。つまり、対向するリー
ド端子は対向電極面でのバリスタ素子を介して重なり合
う部分の面積が、対向電極の電極面積の10%以上であ
る構成にしたものである。
【0009】
【作用】本発明は上記した構成により、リード端子から
流入するサージ電流がバリスタ素子におけるリード端子
の先端部に対応する部分に集中することなく、電極面全
体に均等に分布することになり、バリスタ素子全体に流
れることにより、大幅にサージ電流耐量を向上させるこ
とができる。
流入するサージ電流がバリスタ素子におけるリード端子
の先端部に対応する部分に集中することなく、電極面全
体に均等に分布することになり、バリスタ素子全体に流
れることにより、大幅にサージ電流耐量を向上させるこ
とができる。
【0010】
【実施例】図1は本発明の一実施例によるチップバリス
タの断面図を示しており、図2は本発明のポイントであ
るリード端子と電極とバリスタ素子の関係を示したもの
で、同図(a)は正面図、同図(b)は上面図である。 図1及び図2において、6は例えば酸化亜鉛を主原料と
したバリスタ素子、7a,7bはバリスタ素子6の表面
及び裏面に形成された電極、8a,8bは表面に半田メ
ッキやスズメッキを施した薄板状のリード端子であり、
電極7a,7bにそれぞれ半田接続されている。9はリ
ード端子8a,8bの一部を残して上記各部品をモール
ド成型してなるエポキシ系樹脂などの成型用樹脂である
。また、10は対向電極面でリード端子8a,8bがバ
リスタ素子6を介して重なり合う部分を示しており、そ
の面積は対向電極の電極面積の10%以上とされている
。
タの断面図を示しており、図2は本発明のポイントであ
るリード端子と電極とバリスタ素子の関係を示したもの
で、同図(a)は正面図、同図(b)は上面図である。 図1及び図2において、6は例えば酸化亜鉛を主原料と
したバリスタ素子、7a,7bはバリスタ素子6の表面
及び裏面に形成された電極、8a,8bは表面に半田メ
ッキやスズメッキを施した薄板状のリード端子であり、
電極7a,7bにそれぞれ半田接続されている。9はリ
ード端子8a,8bの一部を残して上記各部品をモール
ド成型してなるエポキシ系樹脂などの成型用樹脂である
。また、10は対向電極面でリード端子8a,8bがバ
リスタ素子6を介して重なり合う部分を示しており、そ
の面積は対向電極の電極面積の10%以上とされている
。
【0011】次に、以上のように構成されたチップバリ
スタの動作を説明する。ここで、全体としての動作は従
来例と同様である。今、バリスタ素子6が一辺5mmの
正方形であり、バリスタ電圧V1mA=220Vの場合
で電極7a,7bが一辺4mmの正方形、そして電極厚
み約8μm、リード端子8a,8bが幅3mm、厚み0
.1mmで、リード端子8a,8bが重なり合う部分1
0の面積を種々変えて、サージ耐量を測定した。その結
果を下記の(表1)に示すが、重なり合う部分10の面
積が電極面積の10%以上になると、サージ耐量が大き
くなることがわかった。一方、リード端子8a,8bが
重なり合う部分10の面積が電極面積の10%未満の場
合、サージ電流が電極面全体に均等に分布するという形
になりにくいため、サージ耐量をあまり大きくすること
ができないものであった。
スタの動作を説明する。ここで、全体としての動作は従
来例と同様である。今、バリスタ素子6が一辺5mmの
正方形であり、バリスタ電圧V1mA=220Vの場合
で電極7a,7bが一辺4mmの正方形、そして電極厚
み約8μm、リード端子8a,8bが幅3mm、厚み0
.1mmで、リード端子8a,8bが重なり合う部分1
0の面積を種々変えて、サージ耐量を測定した。その結
果を下記の(表1)に示すが、重なり合う部分10の面
積が電極面積の10%以上になると、サージ耐量が大き
くなることがわかった。一方、リード端子8a,8bが
重なり合う部分10の面積が電極面積の10%未満の場
合、サージ電流が電極面全体に均等に分布するという形
になりにくいため、サージ耐量をあまり大きくすること
ができないものであった。
【0012】
【表1】
【0013】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、リード端
子の電極面での重なり合う部分の面積を電極面積の10
%以上にすることにより、従来と比べて大幅にサージ耐
量が向上したチップバリスタが得られ、その実用的価値
は大なるものがある。
子の電極面での重なり合う部分の面積を電極面積の10
%以上にすることにより、従来と比べて大幅にサージ耐
量が向上したチップバリスタが得られ、その実用的価値
は大なるものがある。
【図1】本発明の一実施例によるチップバリスタを示す
断面図
断面図
【図2】(a),(b)は本発明の一実施例によるリー
ド端子と電極とバリスタ素子の関係を示す正面図と上面
図
ド端子と電極とバリスタ素子の関係を示す正面図と上面
図
【図3】従来のチップバリスタを示す断面図
6 バリスタ素子
7a,7b 電極
8a,8b リード端子
9 成型用樹脂
10 リード端子の重なり合う部分
Claims (1)
- 【請求項1】板状のバリスタ素子の対向面に形成した対
向電極からリード端子を互いに逆方向に取出し、モール
ド成型してなる構成を具備し、かつ対向する上記リード
端子は上記対向電極面での上記バリスタ素子を介して重
なり合う部分の面積が、上記対向電極の電極面積の10
%以上であることを特徴としたチップバリスタ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3082285A JPH04315402A (ja) | 1991-04-15 | 1991-04-15 | チップバリスタ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3082285A JPH04315402A (ja) | 1991-04-15 | 1991-04-15 | チップバリスタ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04315402A true JPH04315402A (ja) | 1992-11-06 |
Family
ID=13770253
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3082285A Pending JPH04315402A (ja) | 1991-04-15 | 1991-04-15 | チップバリスタ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04315402A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6094128A (en) * | 1998-08-11 | 2000-07-25 | Maida Development Company | Overload protected solid state varistors |
CN103098150A (zh) * | 2010-06-21 | 2013-05-08 | 兴亚株式会社 | 表面安装压敏电阻 |
-
1991
- 1991-04-15 JP JP3082285A patent/JPH04315402A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6094128A (en) * | 1998-08-11 | 2000-07-25 | Maida Development Company | Overload protected solid state varistors |
CN103098150A (zh) * | 2010-06-21 | 2013-05-08 | 兴亚株式会社 | 表面安装压敏电阻 |
US8912876B2 (en) | 2010-06-21 | 2014-12-16 | Koa Corporation | Surface mounting varistor |
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