JPH04315402A - チップバリスタ - Google Patents
チップバリスタInfo
- Publication number
- JPH04315402A JPH04315402A JP3082285A JP8228591A JPH04315402A JP H04315402 A JPH04315402 A JP H04315402A JP 3082285 A JP3082285 A JP 3082285A JP 8228591 A JP8228591 A JP 8228591A JP H04315402 A JPH04315402 A JP H04315402A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- varistor
- electrode
- varistor element
- lead terminals
- area
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 abstract 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 6
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N strontium titanate Chemical compound [Sr+2].[O-][Ti]([O-])=O VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は各種電子機器のサージ保
護に用いられるチップバリスタに関するものである。
護に用いられるチップバリスタに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、電子機器の小形化が進む中で、各
種電子部品のチップ化，リードレス化が急速に進んでい
る。そして、バリスタにおいても図３に示すような断面
をもったモールドタイプのチップバリスタが提案され、
実用に供されつつある。図３において、１は板状をなし
たるバリスタ素子で、一般に酸化亜鉛またはチタン酸ス
トロンチウムなどを主原料とする半導体セラミクスであ
る。２ａ，２ｂはバリスタ素子１の表裏の対向する位置
に銀ペーストの焼付けなどによって形成された電極であ
る。３ａ，３ｂは表面に半田メッキを施した銅や鉄など
の電気的良導体からなる薄板状のリード端子であり、電
極２ａ，２ｂにそれぞれ半田接続されている。このリー
ド端子３ａ，３ｂは互いに逆方向に引き出されている。 ４はそれらをモールド成型してなるエポキシ系樹脂など
からなる成型用樹脂であり、バリスタ素子１の耐湿特性
の向上に用いられている。また、成型用樹脂４の外部に
リード端子３ａ，３ｂの一部が露出されるようになって
おり、この部分が実装に供される形となる。
種電子部品のチップ化，リードレス化が急速に進んでい
る。そして、バリスタにおいても図３に示すような断面
をもったモールドタイプのチップバリスタが提案され、
実用に供されつつある。図３において、１は板状をなし
たるバリスタ素子で、一般に酸化亜鉛またはチタン酸ス
トロンチウムなどを主原料とする半導体セラミクスであ
る。２ａ，２ｂはバリスタ素子１の表裏の対向する位置
に銀ペーストの焼付けなどによって形成された電極であ
る。３ａ，３ｂは表面に半田メッキを施した銅や鉄など
の電気的良導体からなる薄板状のリード端子であり、電
極２ａ，２ｂにそれぞれ半田接続されている。このリー
ド端子３ａ，３ｂは互いに逆方向に引き出されている。 ４はそれらをモールド成型してなるエポキシ系樹脂など
からなる成型用樹脂であり、バリスタ素子１の耐湿特性
の向上に用いられている。また、成型用樹脂４の外部に
リード端子３ａ，３ｂの一部が露出されるようになって
おり、この部分が実装に供される形となる。
【０００３】以上のように構成された従来のチップバリ
スタの動作について、以下に説明する。
スタの動作について、以下に説明する。
【０００４】まず、チップバリスタのリード端子３ａ，
３ｂは被保護機器がつながる電源線あるいは信号線の線
間、アース間に接続され、線路に侵入する静電気放電，
雷サージ電圧などの異常電圧を吸収する。この時、異常
電圧に伴うサージ電流はリード端子３ａ→電極２ａ→バ
リスタ素子１→裏面から同様にリード端子３ｂへと流れ
、そしてバリスタ素子１によって抑制された安全な電圧
が被保護機器に印加されることになる。
３ｂは被保護機器がつながる電源線あるいは信号線の線
間、アース間に接続され、線路に侵入する静電気放電，
雷サージ電圧などの異常電圧を吸収する。この時、異常
電圧に伴うサージ電流はリード端子３ａ→電極２ａ→バ
リスタ素子１→裏面から同様にリード端子３ｂへと流れ
、そしてバリスタ素子１によって抑制された安全な電圧
が被保護機器に印加されることになる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来の構成では、チップバリスタに異常電流、特に
時間幅がマイクロ秒程度と極めて短く、電流値が数百ア
ンペア（Ａ）と極めて大きい値を有する異常電流（サー
ジ電流という）が流れた時、電流が図３に示すリード端
子３ａ，３ｂの先端部に対応するバリスタ素子１の５の
部分に集中して流れる傾向にあり、バリスタ素子１の全
体を有効に利用することができないという問題があった
。これは電極２ａ，２ｂの厚さとリード端子３ａ，３ｂ
の電極面上の位置と関係している。すなわち、図３のよ
うにリード端子３ａ，３ｂがバリスタ素子１を介して、
重なり合う部分がほとんどなく、そして電極２ａ，２ｂ
の厚みが通常の数マイクロメートルでは、リード端子３
ａから流入してくる数百Ａの電流が電極面全体に広がら
ず、リード端子３ａ，３ｂの先端部に集中し、その結果
、図３に示すバリスタ素子１の先端部対応部分５に集中
すると考えられる。
うな従来の構成では、チップバリスタに異常電流、特に
時間幅がマイクロ秒程度と極めて短く、電流値が数百ア
ンペア（Ａ）と極めて大きい値を有する異常電流（サー
ジ電流という）が流れた時、電流が図３に示すリード端
子３ａ，３ｂの先端部に対応するバリスタ素子１の５の
部分に集中して流れる傾向にあり、バリスタ素子１の全
体を有効に利用することができないという問題があった
。これは電極２ａ，２ｂの厚さとリード端子３ａ，３ｂ
の電極面上の位置と関係している。すなわち、図３のよ
うにリード端子３ａ，３ｂがバリスタ素子１を介して、
重なり合う部分がほとんどなく、そして電極２ａ，２ｂ
の厚みが通常の数マイクロメートルでは、リード端子３
ａから流入してくる数百Ａの電流が電極面全体に広がら
ず、リード端子３ａ，３ｂの先端部に集中し、その結果
、図３に示すバリスタ素子１の先端部対応部分５に集中
すると考えられる。
【０００６】今、バリスタ素子１が一辺５ｍｍの正方形
であり、電極２ａ，２ｂが一辺４ｍｍの正方形、そして
電極２ａ，２ｂの厚みが約８μｍ、リード端子３ａ，３
ｂが幅３ｍｍ、厚み０．１ｍｍで重なり合う部分がない
場合、サージ電流耐量は８００Ａであった。この時、サ
ージ電流波形は８×２０マイクロ秒であった。さらに、
サージ耐量を増すには、バリスタ素子１の形状を大きく
し、電極面積を大きくするか、電極の厚みを増すことで
あるが、どちらにしてもコストアップの原因になるもの
であった。
であり、電極２ａ，２ｂが一辺４ｍｍの正方形、そして
電極２ａ，２ｂの厚みが約８μｍ、リード端子３ａ，３
ｂが幅３ｍｍ、厚み０．１ｍｍで重なり合う部分がない
場合、サージ電流耐量は８００Ａであった。この時、サ
ージ電流波形は８×２０マイクロ秒であった。さらに、
サージ耐量を増すには、バリスタ素子１の形状を大きく
し、電極面積を大きくするか、電極の厚みを増すことで
あるが、どちらにしてもコストアップの原因になるもの
であった。
【０００７】本発明はこのような課題を解決しようとす
るもので、バリスタ素子の形状及び電極の厚み、形状を
変えることなく、従来よりも大きいサージ耐量を有する
チップバリスタを提供することを目的としている。
るもので、バリスタ素子の形状及び電極の厚み、形状を
変えることなく、従来よりも大きいサージ耐量を有する
チップバリスタを提供することを目的としている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明のチップバリスタ
は上記課題を解決するために、リード端子の位置関係に
注目し、バリスタ素子を介して重なり合う部分の面積を
増やした構造にしたものである。つまり、対向するリー
ド端子は対向電極面でのバリスタ素子を介して重なり合
う部分の面積が、対向電極の電極面積の１０％以上であ
る構成にしたものである。
は上記課題を解決するために、リード端子の位置関係に
注目し、バリスタ素子を介して重なり合う部分の面積を
増やした構造にしたものである。つまり、対向するリー
ド端子は対向電極面でのバリスタ素子を介して重なり合
う部分の面積が、対向電極の電極面積の１０％以上であ
る構成にしたものである。
【０００９】
【作用】本発明は上記した構成により、リード端子から
流入するサージ電流がバリスタ素子におけるリード端子
の先端部に対応する部分に集中することなく、電極面全
体に均等に分布することになり、バリスタ素子全体に流
れることにより、大幅にサージ電流耐量を向上させるこ
とができる。
流入するサージ電流がバリスタ素子におけるリード端子
の先端部に対応する部分に集中することなく、電極面全
体に均等に分布することになり、バリスタ素子全体に流
れることにより、大幅にサージ電流耐量を向上させるこ
とができる。
【００１０】
【実施例】図１は本発明の一実施例によるチップバリス
タの断面図を示しており、図２は本発明のポイントであ
るリード端子と電極とバリスタ素子の関係を示したもの
で、同図（ａ）は正面図、同図（ｂ）は上面図である。 図１及び図２において、６は例えば酸化亜鉛を主原料と
したバリスタ素子、７ａ，７ｂはバリスタ素子６の表面
及び裏面に形成された電極、８ａ，８ｂは表面に半田メ
ッキやスズメッキを施した薄板状のリード端子であり、
電極７ａ，７ｂにそれぞれ半田接続されている。９はリ
ード端子８ａ，８ｂの一部を残して上記各部品をモール
ド成型してなるエポキシ系樹脂などの成型用樹脂である
。また、１０は対向電極面でリード端子８ａ，８ｂがバ
リスタ素子６を介して重なり合う部分を示しており、そ
の面積は対向電極の電極面積の１０％以上とされている
。
タの断面図を示しており、図２は本発明のポイントであ
るリード端子と電極とバリスタ素子の関係を示したもの
で、同図（ａ）は正面図、同図（ｂ）は上面図である。 図１及び図２において、６は例えば酸化亜鉛を主原料と
したバリスタ素子、７ａ，７ｂはバリスタ素子６の表面
及び裏面に形成された電極、８ａ，８ｂは表面に半田メ
ッキやスズメッキを施した薄板状のリード端子であり、
電極７ａ，７ｂにそれぞれ半田接続されている。９はリ
ード端子８ａ，８ｂの一部を残して上記各部品をモール
ド成型してなるエポキシ系樹脂などの成型用樹脂である
。また、１０は対向電極面でリード端子８ａ，８ｂがバ
リスタ素子６を介して重なり合う部分を示しており、そ
の面積は対向電極の電極面積の１０％以上とされている
。
【００１１】次に、以上のように構成されたチップバリ
スタの動作を説明する。ここで、全体としての動作は従
来例と同様である。今、バリスタ素子６が一辺５ｍｍの
正方形であり、バリスタ電圧Ｖ１ｍＡ＝２２０Ｖの場合
で電極７ａ，７ｂが一辺４ｍｍの正方形、そして電極厚
み約８μｍ、リード端子８ａ，８ｂが幅３ｍｍ、厚み０
．１ｍｍで、リード端子８ａ，８ｂが重なり合う部分１
０の面積を種々変えて、サージ耐量を測定した。その結
果を下記の（表１）に示すが、重なり合う部分１０の面
積が電極面積の１０％以上になると、サージ耐量が大き
くなることがわかった。一方、リード端子８ａ，８ｂが
重なり合う部分１０の面積が電極面積の１０％未満の場
合、サージ電流が電極面全体に均等に分布するという形
になりにくいため、サージ耐量をあまり大きくすること
ができないものであった。
スタの動作を説明する。ここで、全体としての動作は従
来例と同様である。今、バリスタ素子６が一辺５ｍｍの
正方形であり、バリスタ電圧Ｖ１ｍＡ＝２２０Ｖの場合
で電極７ａ，７ｂが一辺４ｍｍの正方形、そして電極厚
み約８μｍ、リード端子８ａ，８ｂが幅３ｍｍ、厚み０
．１ｍｍで、リード端子８ａ，８ｂが重なり合う部分１
０の面積を種々変えて、サージ耐量を測定した。その結
果を下記の（表１）に示すが、重なり合う部分１０の面
積が電極面積の１０％以上になると、サージ耐量が大き
くなることがわかった。一方、リード端子８ａ，８ｂが
重なり合う部分１０の面積が電極面積の１０％未満の場
合、サージ電流が電極面全体に均等に分布するという形
になりにくいため、サージ耐量をあまり大きくすること
ができないものであった。
【００１２】
【表１】
【００１３】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、リード端
子の電極面での重なり合う部分の面積を電極面積の１０
％以上にすることにより、従来と比べて大幅にサージ耐
量が向上したチップバリスタが得られ、その実用的価値
は大なるものがある。
子の電極面での重なり合う部分の面積を電極面積の１０
％以上にすることにより、従来と比べて大幅にサージ耐
量が向上したチップバリスタが得られ、その実用的価値
は大なるものがある。
【図１】本発明の一実施例によるチップバリスタを示す
断面図
断面図
【図２】（ａ），（ｂ）は本発明の一実施例によるリー
ド端子と電極とバリスタ素子の関係を示す正面図と上面
図
ド端子と電極とバリスタ素子の関係を示す正面図と上面
図
【図３】従来のチップバリスタを示す断面図
６ バリスタ素子
７ａ，７ｂ 電極
８ａ，８ｂ リード端子
９ 成型用樹脂
１０ リード端子の重なり合う部分
Claims (1)
- 【請求項１】板状のバリスタ素子の対向面に形成した対
向電極からリード端子を互いに逆方向に取出し、モール
ド成型してなる構成を具備し、かつ対向する上記リード
端子は上記対向電極面での上記バリスタ素子を介して重
なり合う部分の面積が、上記対向電極の電極面積の１０
％以上であることを特徴としたチップバリスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3082285A JPH04315402A (ja) | 1991-04-15 | 1991-04-15 | チップバリスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3082285A JPH04315402A (ja) | 1991-04-15 | 1991-04-15 | チップバリスタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04315402A true JPH04315402A (ja) | 1992-11-06 |
Family
ID=13770253
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3082285A Pending JPH04315402A (ja) | 1991-04-15 | 1991-04-15 | チップバリスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04315402A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6094128A (en) * | 1998-08-11 | 2000-07-25 | Maida Development Company | Overload protected solid state varistors |
| CN103098150A (zh) * | 2010-06-21 | 2013-05-08 | 兴亚株式会社 | 表面安装压敏电阻 |
-
1991
- 1991-04-15 JP JP3082285A patent/JPH04315402A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6094128A (en) * | 1998-08-11 | 2000-07-25 | Maida Development Company | Overload protected solid state varistors |
| CN103098150A (zh) * | 2010-06-21 | 2013-05-08 | 兴亚株式会社 | 表面安装压敏电阻 |
| US8912876B2 (en) | 2010-06-21 | 2014-12-16 | Koa Corporation | Surface mounting varistor |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4706060A (en) | Surface mount varistor | |
| US4660017A (en) | Chip-type varistor | |
| JPS589566B2 (ja) | タソウカトデンアツヨクアツソウチ | |
| JPH04315402A (ja) | チップバリスタ | |
| JPS63107106A (ja) | 電圧増大可能なバリスタ | |
| JP2760039B2 (ja) | サージ吸収器の製造方法 | |
| JPH0834138B2 (ja) | サ−ジ吸収器 | |
| JPS595601A (ja) | 多電極電圧非直線抵抗器 | |
| US20230140922A1 (en) | Current detection resistor and current detection apparatus | |
| JPH0121527Y2 (ja) | ||
| JPS63285906A (ja) | 積層セラミックバリスタ | |
| JPS62163Y2 (ja) | ||
| JPS6032753Y2 (ja) | サ−ジ吸収器 | |
| JP3003369B2 (ja) | 電圧依存性非直線抵抗体磁器素子 | |
| JPS6289301A (ja) | サ−ジ吸収器 | |
| JPH0422004B2 (ja) | ||
| JPS63128605A (ja) | プラスチツク正特性サ−ミスタ | |
| JPS61202402A (ja) | サ−ジ吸収器 | |
| JPH027402A (ja) | 酸化亜鉛型バリスタ | |
| JPH0139066Y2 (ja) | ||
| JPH02156508A (ja) | サージ吸収器 | |
| JP3356508B2 (ja) | サーミスタセンサ | |
| JPS6037795Y2 (ja) | 保安器用チツプ形ヒユ−ズ | |
| JPH04313201A (ja) | サージ吸収器 | |
| JPS61111502A (ja) | チツプバリスタ |