JPH03145920A - 半導体感温素子 - Google Patents
半導体感温素子Info
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- JPH03145920A JPH03145920A JP28445189A JP28445189A JPH03145920A JP H03145920 A JPH03145920 A JP H03145920A JP 28445189 A JP28445189 A JP 28445189A JP 28445189 A JP28445189 A JP 28445189A JP H03145920 A JPH03145920 A JP H03145920A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、被保護回路中に生じた過電流を所定の電流値
に限流するのに通した正の温度係数を有する半導体感温
素子に関するものである。
に限流するのに通した正の温度係数を有する半導体感温
素子に関するものである。
従来より、被保護回路中に生じた過電流を所定の電流値
に限流するものとして、正の温度係数を有する限流抵抗
体がよく知られ、かつ採用されている。即ち、正の温度
係数を有する限流抵抗体は、温度の上昇に伴ってその抵
抗値が大きくなることを利用して被保護回路中に流れる
電流値を所定の値に限流している。限流抵抗体としては
、例えばＰ Ｔ Ｃ（Ｐｏｓｉｔｉｖｅ Ｔｅｍｐｅｒ
ａｔｕｒｅ Ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ）特性を有するＢ
ａＴｉ０ｚ系の半導体感温素子（正の温度係数を有する
サーミスタ）等が挙げられる。
に限流するものとして、正の温度係数を有する限流抵抗
体がよく知られ、かつ採用されている。即ち、正の温度
係数を有する限流抵抗体は、温度の上昇に伴ってその抵
抗値が大きくなることを利用して被保護回路中に流れる
電流値を所定の値に限流している。限流抵抗体としては
、例えばＰ Ｔ Ｃ（Ｐｏｓｉｔｉｖｅ Ｔｅｍｐｅｒ
ａｔｕｒｅ Ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ）特性を有するＢ
ａＴｉ０ｚ系の半導体感温素子（正の温度係数を有する
サーミスタ）等が挙げられる。
ＰＴＣ特性としては、主として限流特性と定温発熱特性
とが挙げられる。このうち、定温発熱特性を利用したも
のには、電子ジャー、電子蚊取り器、ヘアドライヤ、衣
類乾燥機などがある。ＢａＴｉ０１系の半導体感温素子
は、過熱の危険がない、長寿命である、組み込みが容易
である、温度特性の立ち上がりが速いなどの長所を有し
ており、一般によく使用されている。一方、ＰＴＣ特性
の限流特性は、電源回路、モータ駆動回路、リレー回路
等の比較的大きな電流が印加される各種回路に利用され
ている。例えば、これらの回路において、何らかの異常
により過大な電流が該回路に継続して流れた場合、所定
の電流値以下になるように、その電流値が制限されるよ
うになっている。即ち、上記の過大な電流が該回路に流
れ続けると、８ａＴｉＯ：、系の該半導体感温素子の温
度が上昇するとともに、その抵抗値も大きくなる。この
結果、該回路に流れる電流値は、」二記抵抗値等の回路
定数により決まる所定の値に制限され、該回路を保証し
、過熱による火災等の事故を未然に防止できる。
とが挙げられる。このうち、定温発熱特性を利用したも
のには、電子ジャー、電子蚊取り器、ヘアドライヤ、衣
類乾燥機などがある。ＢａＴｉ０１系の半導体感温素子
は、過熱の危険がない、長寿命である、組み込みが容易
である、温度特性の立ち上がりが速いなどの長所を有し
ており、一般によく使用されている。一方、ＰＴＣ特性
の限流特性は、電源回路、モータ駆動回路、リレー回路
等の比較的大きな電流が印加される各種回路に利用され
ている。例えば、これらの回路において、何らかの異常
により過大な電流が該回路に継続して流れた場合、所定
の電流値以下になるように、その電流値が制限されるよ
うになっている。即ち、上記の過大な電流が該回路に流
れ続けると、８ａＴｉＯ：、系の該半導体感温素子の温
度が上昇するとともに、その抵抗値も大きくなる。この
結果、該回路に流れる電流値は、」二記抵抗値等の回路
定数により決まる所定の値に制限され、該回路を保証し
、過熱による火災等の事故を未然に防止できる。
ところが、上記従来の正の温度係数を有する半導体感温
素子は、容易に人手できるものの抵（）°〔値が数Ω以
上であり、これより小さい抵抗値のものは入手するのが
困難であった。これは、製造技術上、半導体感温素子を
構成する基体の比抵抗が６Ωｃａｎ〜８Ωｃｍ程度のも
のしか量産化できないからである。例えば、６Ωａｎの
基体を使用して、０゜ｌΩの抵抗値を有する円盤状の半
導体感温素子を製造する場合、その厚みを１鵬とすると
、直径が約２．７６ｃｍとなる。これに、さらにリード
線を設けると、その強度が弱くなり、基板等に装着した
場合、スペースの面においても、また保持性の面におい
ても問題が残る。
素子は、容易に人手できるものの抵（）°〔値が数Ω以
上であり、これより小さい抵抗値のものは入手するのが
困難であった。これは、製造技術上、半導体感温素子を
構成する基体の比抵抗が６Ωｃａｎ〜８Ωｃｍ程度のも
のしか量産化できないからである。例えば、６Ωａｎの
基体を使用して、０゜ｌΩの抵抗値を有する円盤状の半
導体感温素子を製造する場合、その厚みを１鵬とすると
、直径が約２．７６ｃｍとなる。これに、さらにリード
線を設けると、その強度が弱くなり、基板等に装着した
場合、スペースの面においても、また保持性の面におい
ても問題が残る。
また、低電圧を動作電源に使用している回路、例えば自
動車のように、１２Ｖまたは２４Ｖの電圧埴の蓄電池を
動作電源として使用している回路では、異常時における
回路電流の限流値が小さく、加えて通常の回路電流値も
小さいので、非常に抵抗値の小さい（例えば０． １Ω
〜１．０Ω）半導体感温素子が要求される。また、場合
によっては回路ごとに種々の抵抗値を有する半導体感温
素子が要求されるが、上記従来のものでそれを実現する
のは難しい。また、自動車で使用される場合のように、
振動等の環境が厳しいところでは、信頼性の面から安心
して使用できない等の問題点を有している。
動車のように、１２Ｖまたは２４Ｖの電圧埴の蓄電池を
動作電源として使用している回路では、異常時における
回路電流の限流値が小さく、加えて通常の回路電流値も
小さいので、非常に抵抗値の小さい（例えば０． １Ω
〜１．０Ω）半導体感温素子が要求される。また、場合
によっては回路ごとに種々の抵抗値を有する半導体感温
素子が要求されるが、上記従来のものでそれを実現する
のは難しい。また、自動車で使用される場合のように、
振動等の環境が厳しいところでは、信頼性の面から安心
して使用できない等の問題点を有している。
本発明に係る半導体感温素子は、上記課題を解決するた
めに、キュリー温度付近で電気抵抗が急増する正の温度
係数を有する基体を備えている。
めに、キュリー温度付近で電気抵抗が急増する正の温度
係数を有する基体を備えている。
この基体としては、例えばチタン酸バリウム（ＢａＴｉ
０３）系のサーミスタなどが挙げられる。上記基体の少
なくとも上下両面上には、導電性の電極部材が塗布され
た電極部が形成されている。本発明は、このように構成
された半導体感温素子を複数個積み上げ、しかも各半導
体感温素子の電極部間を電気的に並列になるように相互
接続することを特徴としている。
０３）系のサーミスタなどが挙げられる。上記基体の少
なくとも上下両面上には、導電性の電極部材が塗布され
た電極部が形成されている。本発明は、このように構成
された半導体感温素子を複数個積み上げ、しかも各半導
体感温素子の電極部間を電気的に並列になるように相互
接続することを特徴としている。
上記の構成によれば、使用する半導体感温素子の温度特
性により、半導体感温素子を含む回路の電流が所定の電
流値に制限される。即ち、何らかの原因によって過大な
電流が半導体感温素子に流れ続けると、半導体感温素子
の温度が上昇する。
性により、半導体感温素子を含む回路の電流が所定の電
流値に制限される。即ち、何らかの原因によって過大な
電流が半導体感温素子に流れ続けると、半導体感温素子
の温度が上昇する。
そして、上昇温度がキュリー温度付近に到達すると、そ
の電気抵抗が急増するので、その電気抵抗を含む回路定
数で決まる所定の電流値に制限される。したがって、過
大な電流が流れることにより生しる火災等の事故を未然
に防止できる。
の電気抵抗が急増するので、その電気抵抗を含む回路定
数で決まる所定の電流値に制限される。したがって、過
大な電流が流れることにより生しる火災等の事故を未然
に防止できる。
また、上記のように構成された半導体感温素子の積み上
げ個数を変えて、その合成抵抗値を変化させることによ
り、広範囲な抵抗値が要求される各種回路にも対応でき
る。また、半導体感温素子は、一般に、抵抗値等の特性
が個体間によって異なるが、基体の厚みや電極部の面積
等の寸法を適当に設定することにより、正確な抵抗値の
ものを製造することができる。
げ個数を変えて、その合成抵抗値を変化させることによ
り、広範囲な抵抗値が要求される各種回路にも対応でき
る。また、半導体感温素子は、一般に、抵抗値等の特性
が個体間によって異なるが、基体の厚みや電極部の面積
等の寸法を適当に設定することにより、正確な抵抗値の
ものを製造することができる。
〔実施例１〕
本発明の一実施例を第１図ないし第３図に基づいて説明
すれば、以下のとおりである。
すれば、以下のとおりである。
第２図に示すように、半導体感温素子としてのサーミス
タ素子Ｂ（第１図参′照）の構成単位であるサーミスタ
Ａは、基体１および電極部２・・・から構成されている
。上記基体１は、キュリー温度付近で電気抵抗が急増す
る正の温度係数を有しており、例えばチタン酸バリウム
のバリウムの一部をストロンチウムで置換したもの（（
Ｂａ、５ｒ）ＴｉＯｚ）に、半導体化させるために、ラ
ンタン、セリウム、イツトリウム、サマリウムなどの希
土類元素等を微量添加して坑底したものである。これに
より、サーミスタＡのＰＴＣ特性（温度特性）が選択で
きるとともに、室温での比抵抗を数桁程度小さくできる
。
タ素子Ｂ（第１図参′照）の構成単位であるサーミスタ
Ａは、基体１および電極部２・・・から構成されている
。上記基体１は、キュリー温度付近で電気抵抗が急増す
る正の温度係数を有しており、例えばチタン酸バリウム
のバリウムの一部をストロンチウムで置換したもの（（
Ｂａ、５ｒ）ＴｉＯｚ）に、半導体化させるために、ラ
ンタン、セリウム、イツトリウム、サマリウムなどの希
土類元素等を微量添加して坑底したものである。これに
より、サーミスタＡのＰＴＣ特性（温度特性）が選択で
きるとともに、室温での比抵抗を数桁程度小さくできる
。
上記基体１の上下面は、例えば長方形、あるいは正方形
などの形状を有しており、その面上にはそれぞれオーム
性の電極部材が塗布されている。
などの形状を有しており、その面上にはそれぞれオーム
性の電極部材が塗布されている。
電極部材としては、例えば銀などの金属が使用され、そ
れを印刷法等により、第２図に示すように、上記基体１
の上下面上、および側面上にまたがるようにＬ字形に電
極部２・・・（例えば数百μｍの厚み）が形成されてい
る。なお、これら２つのＬ字形の電極部２・・・は、互
いに接触しないように、例えば上下両面上の一部が電極
部にならないように形成されている。
れを印刷法等により、第２図に示すように、上記基体１
の上下面上、および側面上にまたがるようにＬ字形に電
極部２・・・（例えば数百μｍの厚み）が形成されてい
る。なお、これら２つのＬ字形の電極部２・・・は、互
いに接触しないように、例えば上下両面上の一部が電極
部にならないように形成されている。
上記のように構成されたサーミスタＡを複数個積み上げ
るとともに、各電極部２間を電気的に互いに並列になる
ように相互接続することにより、後述するサーミスタ素
子Ｂの合成抵抗値が可変できる。第１図に基づいて、サ
ーミスタＡを複数個積み上げた場合について説明すると
、以下のとおりである。
るとともに、各電極部２間を電気的に互いに並列になる
ように相互接続することにより、後述するサーミスタ素
子Ｂの合成抵抗値が可変できる。第１図に基づいて、サ
ーミスタＡを複数個積み上げた場合について説明すると
、以下のとおりである。
第１図に開示したサーミスタ素子Ｂは、例えば形状等が
同一の６個のサーミスタＡが積み上げられて構成されて
いる。同図において、上から２個ずつを１組として、同
じ組に属するサーミスタＡ・・・は電気的に互いに並列
に接続されており、さらにこれら３組に属する各サーミ
スタＡが霊気的に互いに並列になるように接続されてい
る。
同一の６個のサーミスタＡが積み上げられて構成されて
いる。同図において、上から２個ずつを１組として、同
じ組に属するサーミスタＡ・・・は電気的に互いに並列
に接続されており、さらにこれら３組に属する各サーミ
スタＡが霊気的に互いに並列になるように接続されてい
る。
即ち、同し組に属するサーミスタＡ・・・において、第
１図に示すように、基体１の向かって左側面上に端を発
する電極部２・・・は互いに直接接触している。一方、
基体１の向かって右側面上に端を発する電極部２・・・
は直接接触してはいないが、導電仕ホールダ３（便宜上
、ハツチングで示す）を介して電気的に接続されている
（他の２組も同様な接続関係を有している）。このよう
に、他の組に属するサーミスタＡ・・・であっても、そ
れらは導電性ホールダ３・・・を介して電気的に互いに
並列に接続されることになる。なお、導電性ホールダ３
・・・は、サーミスタＡ・・・を固定するとともに、サ
ーミスタＡ・・・の相互間の電気的な接触を密ならしめ
ている。このように構成されたサーミスタ素子Ｂの外形
寸法は、例えば縦が１２ｍｍ、横が１２ｍｍ、厚みが８
ｎｕｎであり、その抵抗値はＯ，ｌΩである。
１図に示すように、基体１の向かって左側面上に端を発
する電極部２・・・は互いに直接接触している。一方、
基体１の向かって右側面上に端を発する電極部２・・・
は直接接触してはいないが、導電仕ホールダ３（便宜上
、ハツチングで示す）を介して電気的に接続されている
（他の２組も同様な接続関係を有している）。このよう
に、他の組に属するサーミスタＡ・・・であっても、そ
れらは導電性ホールダ３・・・を介して電気的に互いに
並列に接続されることになる。なお、導電性ホールダ３
・・・は、サーミスタＡ・・・を固定するとともに、サ
ーミスタＡ・・・の相互間の電気的な接触を密ならしめ
ている。このように構成されたサーミスタ素子Ｂの外形
寸法は、例えば縦が１２ｍｍ、横が１２ｍｍ、厚みが８
ｎｕｎであり、その抵抗値はＯ，ｌΩである。
このサーミスタ素子Ｂの抵抗値の温度特性を第３図に示
す。同図から明らかなように、サーミスタ素子Ｂは室温
（例えば２０°Ｃ）付近でＯ，ｌΩの抵抗値を有するが
、温度が上昇して１００″Ｃを越えた付近から急に抵抗
値が大きくなる。１５０°Ｃ付近では室温時と比べて２
桁程大きい抵抗値を有するようになる。
す。同図から明らかなように、サーミスタ素子Ｂは室温
（例えば２０°Ｃ）付近でＯ，ｌΩの抵抗値を有するが
、温度が上昇して１００″Ｃを越えた付近から急に抵抗
値が大きくなる。１５０°Ｃ付近では室温時と比べて２
桁程大きい抵抗値を有するようになる。
上記の構成によれば、サーミスタ素子Ｂを構成するサー
ミスタＡ・・・を電気的に互いに並列になるように接続
することにより、サーミスタ素子Ｂの合成抵抗値を小さ
くすることができる。なお、本実施例では、サーミスタ
素子Ｂを構成するサーミスタＡ・・・の個数が６個の場
合について説明したが、これに限定されることなく、電
気的に並列接続するサーミスタＡ・・・の個数を増やせ
ば０．１Ωよりもさらに低い抵抗値のものも製造可能で
ある。
ミスタＡ・・・を電気的に互いに並列になるように接続
することにより、サーミスタ素子Ｂの合成抵抗値を小さ
くすることができる。なお、本実施例では、サーミスタ
素子Ｂを構成するサーミスタＡ・・・の個数が６個の場
合について説明したが、これに限定されることなく、電
気的に並列接続するサーミスタＡ・・・の個数を増やせ
ば０．１Ωよりもさらに低い抵抗値のものも製造可能で
ある。
また、サーミスタＡ・・・における電極部２の面積を変
化させたり、基体１・・・の積み上げ方向の厚みを変化
させたりしても、サーミスタ素子Ｂの合成抵抗値が変化
するので、サーミスタＡ・・・の個数を変化させること
と併用することより、サーミスタ素子Ｂの抵抗値を広範
囲に、しかも正確に所望の抵抗値に設定できる。
化させたり、基体１・・・の積み上げ方向の厚みを変化
させたりしても、サーミスタ素子Ｂの合成抵抗値が変化
するので、サーミスタＡ・・・の個数を変化させること
と併用することより、サーミスタ素子Ｂの抵抗値を広範
囲に、しかも正確に所望の抵抗値に設定できる。
〔実施例２〕
本発明の他の実施例を第４図ないし第６図に基づいて説
明すると、以下のとおりである。なお、説明の便宜上、
上記実施例１と同一の機能を有する部材については同一
の符号を付し、その詳細な説明を省略する。
明すると、以下のとおりである。なお、説明の便宜上、
上記実施例１と同一の機能を有する部材については同一
の符号を付し、その詳細な説明を省略する。
ここに開示する例は、電極部２・・・の形状、およびそ
れに伴う相互間の接続方法が異なる点を除いて、上記実
施例１と本質的には同じである。即ち、実施例１では、
電極部２・・・は基体１の上下面上の一部およびその側
面上にまたがるようにＬ字形に形成されていたが、本実
施例２においては、第５図に示すように、基体ｌの側面
上には電極部２・・・は形成されずに、基体１のに下面
上の一部に形成されているのみである。
れに伴う相互間の接続方法が異なる点を除いて、上記実
施例１と本質的には同じである。即ち、実施例１では、
電極部２・・・は基体１の上下面上の一部およびその側
面上にまたがるようにＬ字形に形成されていたが、本実
施例２においては、第５図に示すように、基体ｌの側面
上には電極部２・・・は形成されずに、基体１のに下面
上の一部に形成されているのみである。
第４図に基づいて、上記のように構成されたサミスタへ
〇個から成るサーミスタ素子Ｂの例について説明すると
、以下のとおりである。
〇個から成るサーミスタ素子Ｂの例について説明すると
、以下のとおりである。
ここに例示した半導体感音素子としての４ノー−ミスタ
素子Ｉ３は、実施例１と同様に、それを構成する０個の
ザーミスタへが霊気的に互いに並列になるように接続さ
れている。第４図に示すように、土から２つずつのサー
ミスタＡ・・・を１組として考えた場合、同し組に属す
るサーミスタＡ・・・において、各基体１の上面上もし
くは下面」二の、＋ｉ＋かってＡニ一端に端を発する電
極部２・・・は、導電性板４・・・を介して電気的に互
いに接続されている。また、同し組に属するサーミスタ
Ａ・・・において、各旦体１（７）−に面一）二もしく
は下面上の、ｔｉすかってイボ端に端を発する電極部２
・・・は、導電性板４・・・を介して電気的に互いに接
続されている。上記導電性板４・・・は、銅やリン青銅
などの金属の薄い板で形成されており、例えばコの字形
の形状を有している。さらに、これら３ｍに属する各サ
ーミスタＡは、電気的に互いに並列になるように、導電
性ホールダ３・・・を介して接続されている。
素子Ｉ３は、実施例１と同様に、それを構成する０個の
ザーミスタへが霊気的に互いに並列になるように接続さ
れている。第４図に示すように、土から２つずつのサー
ミスタＡ・・・を１組として考えた場合、同し組に属す
るサーミスタＡ・・・において、各基体１の上面上もし
くは下面」二の、＋ｉ＋かってＡニ一端に端を発する電
極部２・・・は、導電性板４・・・を介して電気的に互
いに接続されている。また、同し組に属するサーミスタ
Ａ・・・において、各旦体１（７）−に面一）二もしく
は下面上の、ｔｉすかってイボ端に端を発する電極部２
・・・は、導電性板４・・・を介して電気的に互いに接
続されている。上記導電性板４・・・は、銅やリン青銅
などの金属の薄い板で形成されており、例えばコの字形
の形状を有している。さらに、これら３ｍに属する各サ
ーミスタＡは、電気的に互いに並列になるように、導電
性ホールダ３・・・を介して接続されている。
上記の構成によれば、前記の実施例１と同様に、サーミ
スタ素子Ｂ全体の抵抗値（合成抵抗値）を小さくするこ
とができる。ここでは、→ノ“−ミスタ素子Ｂを構成す
るサーミスタＡ・・・の個数が６個の場合について説明
したが、これに限定されることなく、電気的に並列接続
するサーミスタＡ・・・の個数を増やせば０．１Ωより
もさらに低い抵抗値のものも実現可能であり、また、電
極部２の面積や、基体１の積み上げ方向の厚みを変化さ
せることと併用すれば、より広範囲に、しかも正確に所
望の抵抗値を有するサーミスタ素子Ｂを実現できる。ま
た、電極部２・・・を側面上に形成しないことにより、
基体ｌ・・・上のコーナ一部上に形成された電極部２・
・・が断線することもなくなり、信頼性が向上する。
スタ素子Ｂ全体の抵抗値（合成抵抗値）を小さくするこ
とができる。ここでは、→ノ“−ミスタ素子Ｂを構成す
るサーミスタＡ・・・の個数が６個の場合について説明
したが、これに限定されることなく、電気的に並列接続
するサーミスタＡ・・・の個数を増やせば０．１Ωより
もさらに低い抵抗値のものも実現可能であり、また、電
極部２の面積や、基体１の積み上げ方向の厚みを変化さ
せることと併用すれば、より広範囲に、しかも正確に所
望の抵抗値を有するサーミスタ素子Ｂを実現できる。ま
た、電極部２・・・を側面上に形成しないことにより、
基体ｌ・・・上のコーナ一部上に形成された電極部２・
・・が断線することもなくなり、信頼性が向上する。
なお、導電性ホールダ３・・・によってサーミスタＡ・
・・、および導電性板４・・・を固定する代わりに、第
６図に示すように、導電性ホールダ３・・・をり−ト状
に形成して全体を絶縁ゲース５に収納してもよい。
・・、および導電性板４・・・を固定する代わりに、第
６図に示すように、導電性ホールダ３・・・をり−ト状
に形成して全体を絶縁ゲース５に収納してもよい。
（発明の効果）
本発明に係る半導体感温素子は、以上のように、複数個
の基体を積み上げるとともに、各電極部間を電気的に並
列に相互接続した構成である。
の基体を積み上げるとともに、各電極部間を電気的に並
列に相互接続した構成である。
これにより、半導体感温素子を構成する基体の積み上げ
個数を変化させることによって、所望の低抵抗値を有す
る半導体感温素子を実現することができる。上記基体の
抵抗値は個体間でばらつきがあるが、積み上げ方向の基
体の厚み、あるいは電極部の面積等を変化させることと
併用すれば、所望の抵抗値を広範囲に、しかも正確に設
定できる。また、半導体感温素子の形状を立方体や直方
体等に形成できるので、回路基板等に装着した場合、省
スペース化が可能となり、特に、自動車の小型モータな
どの振動系に使用される場合、素子の信頼性が向上する
。さらに、外部引き出し用のリード等も設けることなく
、チップ抵抗と同様な接続方法がおこなえる等の効果を
併せて奏する。
個数を変化させることによって、所望の低抵抗値を有す
る半導体感温素子を実現することができる。上記基体の
抵抗値は個体間でばらつきがあるが、積み上げ方向の基
体の厚み、あるいは電極部の面積等を変化させることと
併用すれば、所望の抵抗値を広範囲に、しかも正確に設
定できる。また、半導体感温素子の形状を立方体や直方
体等に形成できるので、回路基板等に装着した場合、省
スペース化が可能となり、特に、自動車の小型モータな
どの振動系に使用される場合、素子の信頼性が向上する
。さらに、外部引き出し用のリード等も設けることなく
、チップ抵抗と同様な接続方法がおこなえる等の効果を
併せて奏する。
第１図ないし第３図は、本発明の一実施例を示すもので
ある。 第１図は、本発明に係るサーミスタ素子の一構成例を示
す図である。 第２図は、第１図のサーミスタ素子における基体と電極
部との関係を示す図である。 第３図は、第１図に示したサーミスタ素子の抵抗値と温
度との関係を示す図である。 第４図ないし第６図は、本発明の他の実施例を示すもの
である。 第４図は、本発明に係る他のサーミスタ素子の構成例を
示す図である。 第５図は、第４図のサーミスタ素子における基体と電極
部との関係を示す図である。 第６図は、第４図のサーミスタ素子において導電性ホー
ルダをリード状に形成し、さらに全体を絶縁ケースに収
納した場合の一構成例を示す図である。 １は基体、２は電極部、３は導電性ホールダ、４は導電
性板、５は絶縁ケース、Ｂはサーミスク素子（半導体感
音素子）である。
ある。 第１図は、本発明に係るサーミスタ素子の一構成例を示
す図である。 第２図は、第１図のサーミスタ素子における基体と電極
部との関係を示す図である。 第３図は、第１図に示したサーミスタ素子の抵抗値と温
度との関係を示す図である。 第４図ないし第６図は、本発明の他の実施例を示すもの
である。 第４図は、本発明に係る他のサーミスタ素子の構成例を
示す図である。 第５図は、第４図のサーミスタ素子における基体と電極
部との関係を示す図である。 第６図は、第４図のサーミスタ素子において導電性ホー
ルダをリード状に形成し、さらに全体を絶縁ケースに収
納した場合の一構成例を示す図である。 １は基体、２は電極部、３は導電性ホールダ、４は導電
性板、５は絶縁ケース、Ｂはサーミスク素子（半導体感
音素子）である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、キュリー温度付近で電気抵抗が急増する正の温度係
数を有する基体と、 上記基体の少なくとも上下両面上に導電性の電極部材が
塗布されてなる電極部とを備えた半導体感温素子であっ
て、 上記半導体感温素子を複数個積み上げるとともに、各電
極部間を電気的に並列に相互接続することを特徴とする
半導体感温素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1284451A JP2511538B2 (ja) | 1989-10-31 | 1989-10-31 | 半導体感温素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1284451A JP2511538B2 (ja) | 1989-10-31 | 1989-10-31 | 半導体感温素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03145920A true JPH03145920A (ja) | 1991-06-21 |
| JP2511538B2 JP2511538B2 (ja) | 1996-06-26 |
Family
ID=17678711
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1284451A Expired - Fee Related JP2511538B2 (ja) | 1989-10-31 | 1989-10-31 | 半導体感温素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2511538B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5493266A (en) * | 1993-04-16 | 1996-02-20 | Murata Manufacturing Co | Multilayer positive temperature coefficient thermistor device |
| JP2010027985A (ja) * | 2008-07-23 | 2010-02-04 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 太陽光発電システムにおける電流電圧特性測定装置。 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5656601A (en) * | 1979-10-15 | 1981-05-18 | Nippon Soken | Overcurrent preventing device |
| JPS5814044A (ja) * | 1981-07-20 | 1983-01-26 | Asahi Chem Ind Co Ltd | 固体電解質評価装置 |
| JPS6110203A (ja) * | 1984-06-25 | 1986-01-17 | 株式会社村田製作所 | 有機正特性サ−ミスタ |
| JPH01134937U (ja) * | 1988-03-08 | 1989-09-14 |
-
1989
- 1989-10-31 JP JP1284451A patent/JP2511538B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5656601A (en) * | 1979-10-15 | 1981-05-18 | Nippon Soken | Overcurrent preventing device |
| JPS5814044A (ja) * | 1981-07-20 | 1983-01-26 | Asahi Chem Ind Co Ltd | 固体電解質評価装置 |
| JPS6110203A (ja) * | 1984-06-25 | 1986-01-17 | 株式会社村田製作所 | 有機正特性サ−ミスタ |
| JPH01134937U (ja) * | 1988-03-08 | 1989-09-14 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5493266A (en) * | 1993-04-16 | 1996-02-20 | Murata Manufacturing Co | Multilayer positive temperature coefficient thermistor device |
| JP2010027985A (ja) * | 2008-07-23 | 2010-02-04 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 太陽光発電システムにおける電流電圧特性測定装置。 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2511538B2 (ja) | 1996-06-26 |
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|---|---|---|---|
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