JPH07167715A - 複合サーミスタ温度センサ - Google Patents
複合サーミスタ温度センサInfo
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- JPH07167715A JPH07167715A JP6220908A JP22090894A JPH07167715A JP H07167715 A JPH07167715 A JP H07167715A JP 6220908 A JP6220908 A JP 6220908A JP 22090894 A JP22090894 A JP 22090894A JP H07167715 A JPH07167715 A JP H07167715A
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- G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G01K7/00—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements
- G01K7/16—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using resistive elements
- G01K7/22—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using resistive elements the element being a non-linear resistance, e.g. thermistor
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
- H01C7/06—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material including means to minimise changes in resistance with changes in temperature
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- General Physics & Mathematics (AREA)
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- Measuring Temperature Or Quantity Of Heat (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 熱的および電気的に互いに接触している正お
よび負の温度係数を有する温度依存性抵抗（ＰＴＣサー
ミスタおよびＮＴＣサーミスタ）から成る２極素子の形
態の複合サーミスタ温度センサであって、抵抗の温度／
抵抗特性が予め定められた温度範囲内で一定の経過（平
坦部）を有し、また少なくとも２つの温度依存性抵抗が
少なくとも１つの電極を介して電気的に互いに接続され
ている複合サーミスタ温度センサを、正および負の抵抗
温度係数を有する個々の抵抗の間の移行抵抗ができるだ
け低抵抗であるように構成する。 【構成】 電極１２が、温度依存性抵抗のバリア層崩壊
接触を保証し、またそれにより接触させられる温度依存
性抵抗の構成部分のそれぞれ他の温度依存性抵抗中への
相互拡散に対する拡散バリアを形成する材料から作られ
る。
よび負の温度係数を有する温度依存性抵抗（ＰＴＣサー
ミスタおよびＮＴＣサーミスタ）から成る２極素子の形
態の複合サーミスタ温度センサであって、抵抗の温度／
抵抗特性が予め定められた温度範囲内で一定の経過（平
坦部）を有し、また少なくとも２つの温度依存性抵抗が
少なくとも１つの電極を介して電気的に互いに接続され
ている複合サーミスタ温度センサを、正および負の抵抗
温度係数を有する個々の抵抗の間の移行抵抗ができるだ
け低抵抗であるように構成する。 【構成】 電極１２が、温度依存性抵抗のバリア層崩壊
接触を保証し、またそれにより接触させられる温度依存
性抵抗の構成部分のそれぞれ他の温度依存性抵抗中への
相互拡散に対する拡散バリアを形成する材料から作られ
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は熱的および電気的に互い
に接触している正および負の温度係数を有する温度依存
性の抵抗から成る２極素子の形態の複合サーミスタ温度
センサであって、抵抗の温度／抵抗特性が予め定められ
た温度範囲内で一定の経過を有し、また少なくとも２つ
の温度依存性抵抗が少なくとも１つの電極を介して電気
的に互いに接続されている複合サーミスタ温度センサに
関する。
に接触している正および負の温度係数を有する温度依存
性の抵抗から成る２極素子の形態の複合サーミスタ温度
センサであって、抵抗の温度／抵抗特性が予め定められ
た温度範囲内で一定の経過を有し、また少なくとも２つ
の温度依存性抵抗が少なくとも１つの電極を介して電気
的に互いに接続されている複合サーミスタ温度センサに
関する。
【０００２】
【従来の技術】熱的および電気的に互いに接触している
正および負の温度係数を有する温度依存性の抵抗から成
る２極素子の形態の複合サーミスタ温度センサはたとえ
ばヨーロッパ特許出願公開第 0532890A1号明細書から公
知である。このような公知のサーミスタ温度センサは負
の温度係数を有する温度依存性の抵抗および正の温度係
数を有する温度依存性の抵抗、すなわちＮＴＣサーミス
タおよびＰＴＣサーミスタの１つの電気的直列回路であ
る。このサーミスタ温度センサの温度／抵抗特性は全体
として負であり、また予め定められた温度を中心とする
平坦部を有する。このようなサーミスタ温度センサが自
動車用の温度センサとして利用されるときには、平坦部
は自動車の検出すべき正常な動作温度を中心としてお
り、従ってセンサの許容誤差および動作温度の通常の変
動は自動車の温度指示によっては検出されず、誤りまた
は過負荷条件に基づく異常な温度変化のみが指示され
る。このようなサーミスタ温度センサの温度／抵抗特性
が図５に示されている。この図のダイアグラムにはサー
ミスタ温度センサの抵抗Ｒ（対数尺度）が温度Ｔ（°
Ｃ）を横軸にとって示されている。曲線１はＮＴＣサー
ミスタの特性であり、曲線２はＰＴＣサーミスタの特性
である。それ自体は公知のようにＰＴＣサーミスタの特
性曲線２は抵抗極大値を越えるとＰＴＣサーミスタがＮ
ＴＣサーミスタ特性を有するような特性範囲に移行す
る。ＮＴＣサーミスタまたはＰＴＣサーミスタに対する
特性曲線１および２の重畳によりこのサーミスタ温度セ
ンサの特性曲線３が生ずる。ＮＴＣサーミスタと直列に
接続されているＰＴＣサーミスタが特性曲線２の抵抗極
大値を越えるサーミスタ温度センサの運転温度範囲内で
作動すると、サーミスタ温度センサ特性曲線３に予め定
め得る温度範囲内で一定の抵抗経過または平坦部４が生
じ、従って温度変動に対して上に説明されたような特性
が得られる。
正および負の温度係数を有する温度依存性の抵抗から成
る２極素子の形態の複合サーミスタ温度センサはたとえ
ばヨーロッパ特許出願公開第 0532890A1号明細書から公
知である。このような公知のサーミスタ温度センサは負
の温度係数を有する温度依存性の抵抗および正の温度係
数を有する温度依存性の抵抗、すなわちＮＴＣサーミス
タおよびＰＴＣサーミスタの１つの電気的直列回路であ
る。このサーミスタ温度センサの温度／抵抗特性は全体
として負であり、また予め定められた温度を中心とする
平坦部を有する。このようなサーミスタ温度センサが自
動車用の温度センサとして利用されるときには、平坦部
は自動車の検出すべき正常な動作温度を中心としてお
り、従ってセンサの許容誤差および動作温度の通常の変
動は自動車の温度指示によっては検出されず、誤りまた
は過負荷条件に基づく異常な温度変化のみが指示され
る。このようなサーミスタ温度センサの温度／抵抗特性
が図５に示されている。この図のダイアグラムにはサー
ミスタ温度センサの抵抗Ｒ（対数尺度）が温度Ｔ（°
Ｃ）を横軸にとって示されている。曲線１はＮＴＣサー
ミスタの特性であり、曲線２はＰＴＣサーミスタの特性
である。それ自体は公知のようにＰＴＣサーミスタの特
性曲線２は抵抗極大値を越えるとＰＴＣサーミスタがＮ
ＴＣサーミスタ特性を有するような特性範囲に移行す
る。ＮＴＣサーミスタまたはＰＴＣサーミスタに対する
特性曲線１および２の重畳によりこのサーミスタ温度セ
ンサの特性曲線３が生ずる。ＮＴＣサーミスタと直列に
接続されているＰＴＣサーミスタが特性曲線２の抵抗極
大値を越えるサーミスタ温度センサの運転温度範囲内で
作動すると、サーミスタ温度センサ特性曲線３に予め定
め得る温度範囲内で一定の抵抗経過または平坦部４が生
じ、従って温度変動に対して上に説明されたような特性
が得られる。
【０００３】さらに一般に、２つ以上の温度依存性抵抗
の組み合わせ、たとえば１つのＮＴＣサーミスタおよび
２つのＰＴＣサーミスタを組み合わせたものはヨーロッ
パ特許第 0125366号明細書から公知である。
の組み合わせ、たとえば１つのＮＴＣサーミスタおよび
２つのＰＴＣサーミスタを組み合わせたものはヨーロッ
パ特許第 0125366号明細書から公知である。
【０００４】個々の温度依存性抵抗の電気的接続のため
には、移行抵抗が低抵抗であり、従ってまたできるだけ
低損失であることが重要である。しかしこの問題には前
記の文献は立ち入っていない。
には、移行抵抗が低抵抗であり、従ってまたできるだけ
低損失であることが重要である。しかしこの問題には前
記の文献は立ち入っていない。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従って本発明の課題
は、冒頭に記載した種類の複合サーミスタ温度センサで
あって、正および負の抵抗温度係数を有する個々の抵抗
の間の移行抵抗ができるだけ低抵抗である複合サーミス
タ温度センサを提供することにある。
は、冒頭に記載した種類の複合サーミスタ温度センサで
あって、正および負の抵抗温度係数を有する個々の抵抗
の間の移行抵抗ができるだけ低抵抗である複合サーミス
タ温度センサを提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この課題は、冒頭に記載
した種類の複合サーミスタ温度センサにおいて、本発明
によれば、電極が、温度依存性抵抗のバリア層崩壊接触
を保証し、またそれにより接触させられる温度依存性抵
抗の構成部分のそれぞれ他の温度依存性抵抗中への相互
拡散に対する拡散バリアを形成する材料から製造されて
いることにより解決される。
した種類の複合サーミスタ温度センサにおいて、本発明
によれば、電極が、温度依存性抵抗のバリア層崩壊接触
を保証し、またそれにより接触させられる温度依存性抵
抗の構成部分のそれぞれ他の温度依存性抵抗中への相互
拡散に対する拡散バリアを形成する材料から製造されて
いることにより解決される。
【０００７】本発明の実施態様は請求項２以下に記載さ
れている。
れている。
【０００８】
【実施例】以下、図面に示されている実施例により本発
明を一層詳細に説明する。
明を一層詳細に説明する。
【０００９】本発明による複合サーミスタ温度センサの
図１に示す実施例では負の温度係数を有する温度依存性
抵抗１０の上に電極１２を介して正の温度係数を有する
温度依存性抵抗１１が設けられている。従ってこの複合
サーミスタ温度センサは、接続線１３を介して外部から
アクセス可能な電気的２極素子である。
図１に示す実施例では負の温度係数を有する温度依存性
抵抗１０の上に電極１２を介して正の温度係数を有する
温度依存性抵抗１１が設けられている。従ってこの複合
サーミスタ温度センサは、接続線１３を介して外部から
アクセス可能な電気的２極素子である。
【００１０】本発明によれば電極１２は、ＮＴＣサーミ
スタ１０とＰＴＣサーミスタ１１との間にバリア層を崩
壊する接触を保証し、また接触させられる温度依存性抵
抗１０および１１の各構成部分がそれぞれ他の温度依存
性抵抗へ互いに拡散することに対する拡散バリアを形成
するような材料から作られている。
スタ１０とＰＴＣサーミスタ１１との間にバリア層を崩
壊する接触を保証し、また接触させられる温度依存性抵
抗１０および１１の各構成部分がそれぞれ他の温度依存
性抵抗へ互いに拡散することに対する拡散バリアを形成
するような材料から作られている。
【００１１】このようなサーミスタ温度センサの製造の
際にＮＴＣサーミスタ１０はそれ自体は公知の技術、た
とえばディスクまたはウェーハ技術により作られ、その
際にジオメトリはその他の製造工程に影響を及ぼさな
い。このＮＴＣサーミスタ１０の上に層形成技術、たと
えばスパッタリング、ＣＶＤ、ＭＯＣＶＤ、レーザーア
ブレーションまたはスクリーン印刷により結合すべき電
極１２が施される。この電極１２の上に再び上記の層形
成技術の１つを用いてＰＴＣサーミスタ１１が施され
る。
際にＮＴＣサーミスタ１０はそれ自体は公知の技術、た
とえばディスクまたはウェーハ技術により作られ、その
際にジオメトリはその他の製造工程に影響を及ぼさな
い。このＮＴＣサーミスタ１０の上に層形成技術、たと
えばスパッタリング、ＣＶＤ、ＭＯＣＶＤ、レーザーア
ブレーションまたはスクリーン印刷により結合すべき電
極１２が施される。この電極１２の上に再び上記の層形
成技術の１つを用いてＰＴＣサーミスタ１１が施され
る。
【００１２】電極１２の材料としては導電性の炭化物、
窒化物、酸化窒化物および／または酸化物が使用され、
その際特にＴｉＣ、ＳｉＣ、ＴｉＮ、ＴｉＡｌＮ、Ｔｉ
ＯＮ、ＴｉＡｌＯＮ、ＩｎＳｎ酸化物の群からの材料が
使用される。
窒化物、酸化窒化物および／または酸化物が使用され、
その際特にＴｉＣ、ＳｉＣ、ＴｉＮ、ＴｉＡｌＮ、Ｔｉ
ＯＮ、ＴｉＡｌＯＮ、ＩｎＳｎ酸化物の群からの材料が
使用される。
【００１３】複合サーミスタ温度センサの両側の接触は
好適にはＣｒ‐Ｎｉ‐Ａｇ電極のスパッタリングにより
行われる。
好適にはＣｒ‐Ｎｉ‐Ａｇ電極のスパッタリングにより
行われる。
【００１４】ＰＴＣサーミスタ１１は必要な小さいオー
ム抵抗の実現のために薄い層として形成されている。
ム抵抗の実現のために薄い層として形成されている。
【００１５】図２に示す複合サーミスタ温度センサの実
施例では負の温度係数を有する温度依存性抵抗２０（Ｎ
ＴＣサーミスタ）と正の温度係数を有する温度依存性抵
抗２１（ＰＴＣサーミスタ）とを組み合わせたものが設
けられており、これらの抵抗は電極２２を介して互いに
電気的に接続されている。この実施例ではＰＴＣサーミ
スタ２１は４層要素として形成されており、その個別層
はそれぞれ内部電極２３により互いに隔てられており、
内部電極自体は交互に金属接触ストリップ２４により互
いに電気的に接続されている。サーミスタ温度センサ全
体は接続線２５および詳細には図示されていない接触電
極を介して外部から電気的にアクセス可能である。
施例では負の温度係数を有する温度依存性抵抗２０（Ｎ
ＴＣサーミスタ）と正の温度係数を有する温度依存性抵
抗２１（ＰＴＣサーミスタ）とを組み合わせたものが設
けられており、これらの抵抗は電極２２を介して互いに
電気的に接続されている。この実施例ではＰＴＣサーミ
スタ２１は４層要素として形成されており、その個別層
はそれぞれ内部電極２３により互いに隔てられており、
内部電極自体は交互に金属接触ストリップ２４により互
いに電気的に接続されている。サーミスタ温度センサ全
体は接続線２５および詳細には図示されていない接触電
極を介して外部から電気的にアクセス可能である。
【００１６】図２に示すようなサーミスタ温度センサを
製造するためには上記の技術が使用可能であり、このこ
とは特にＮＴＣサーミスタ２０およびＰＴＣサーミスタ
２１を電気的に結合する電極２２の本発明による形成に
対しても当てはまる。
製造するためには上記の技術が使用可能であり、このこ
とは特にＮＴＣサーミスタ２０およびＰＴＣサーミスタ
２１を電気的に結合する電極２２の本発明による形成に
対しても当てはまる。
【００１７】図３に示す本発明によるサーミスタ温度セ
ンサの実施例では、負の温度係数を有する温度依存性抵
抗３０（ＮＴＣサーミスタ）が電気的に非能動的な（絶
縁性の）基板３４の上に設けられており、また上記の本
発明による構成の電極３２の上に正の温度係数を有する
温度依存性抵抗３１（ＰＴＣサーミスタ）が設けられて
いる。ＮＴＣサーミスタ３０の接触のために基板３４の
周りに電極３３が巡らされており、その際に外部からの
電気的なアクセス可能性は同様に接続線３５により保証
されている。この実施例でも製造は上記の技術により行
われ、その際特に電極３２および３３に対して図１に示
す電極１２に対して述べたことが当てはまる。
ンサの実施例では、負の温度係数を有する温度依存性抵
抗３０（ＮＴＣサーミスタ）が電気的に非能動的な（絶
縁性の）基板３４の上に設けられており、また上記の本
発明による構成の電極３２の上に正の温度係数を有する
温度依存性抵抗３１（ＰＴＣサーミスタ）が設けられて
いる。ＮＴＣサーミスタ３０の接触のために基板３４の
周りに電極３３が巡らされており、その際に外部からの
電気的なアクセス可能性は同様に接続線３５により保証
されている。この実施例でも製造は上記の技術により行
われ、その際特に電極３２および３３に対して図１に示
す電極１２に対して述べたことが当てはまる。
【００１８】図４には、負の温度係数を有する２つの温
度依存性抵抗４０‐１および４０‐２（ＮＴＣサーミス
タ）および正の温度係数を有する１つの温度依存性抵抗
４１（ＰＴＣサーミスタ）を有する本発明によるサーミ
スタ温度センサの実施例が示されており、その際ＮＴＣ
サーミスタ４０‐２とＰＴＣサーミスタ４１との間に絶
縁体４３が設けられている。接触は、図示されているよ
うに、適当な仕方で温度依存性抵抗４０‐２および４１
ならびに絶縁体４３の周りに巡らされている電極４２‐
１および４２‐２により行われる。外部からの電気的ア
クセスは同様に接続線４４により行われる。この実施例
でも個々の要素の製造に関しては図１ないし図３による
上記の実施例で述べたことが当てはまる。
度依存性抵抗４０‐１および４０‐２（ＮＴＣサーミス
タ）および正の温度係数を有する１つの温度依存性抵抗
４１（ＰＴＣサーミスタ）を有する本発明によるサーミ
スタ温度センサの実施例が示されており、その際ＮＴＣ
サーミスタ４０‐２とＰＴＣサーミスタ４１との間に絶
縁体４３が設けられている。接触は、図示されているよ
うに、適当な仕方で温度依存性抵抗４０‐２および４１
ならびに絶縁体４３の周りに巡らされている電極４２‐
１および４２‐２により行われる。外部からの電気的ア
クセスは同様に接続線４４により行われる。この実施例
でも個々の要素の製造に関しては図１ないし図３による
上記の実施例で述べたことが当てはまる。
【図１】本発明による複合サーミスタ温度センサの１つ
の実施例を示す概略構成図。
の実施例を示す概略構成図。
【図２】本発明による複合サーミスタ温度センサの別の
実施例を示す概略構成図。
実施例を示す概略構成図。
【図３】本発明による複合サーミスタ温度センサの別の
実施例を示す概略構成図。
実施例を示す概略構成図。
【図４】本発明による複合サーミスタ温度センサの別の
実施例を示す概略構成図。
実施例を示す概略構成図。
【図５】公知の複合サーミスタ温度センサの温度／抵抗
特性を示すダイアグラム。
特性を示すダイアグラム。
１０、２０、３０、４０‐１、４０‐２ ＮＴＣサー
ミスタ １１、２１、３１、４１ ＰＴＣサーミスタ １２、２２、３２、３３、４２‐１、４２‐２ 電極 １３、２５、３５、４４ 接続線 ２３ 内部電極 ２４ 金属接触ストリップ ３４ 基板 ４３ 絶縁体
ミスタ １１、２１、３１、４１ ＰＴＣサーミスタ １２、２２、３２、３３、４２‐１、４２‐２ 電極 １３、２５、３５、４４ 接続線 ２３ 内部電極 ２４ 金属接触ストリップ ３４ 基板 ４３ 絶縁体
フロントページの続き (71)出願人 390041508 シーメンス、マツシタ、コンポーネンツ、 ゲゼルシヤフト、ミツト、ベシユレンクテ ル、ハフツング、ウント、コンパニ、コマ ンデイート、ゲゼルシヤフト ＳＩＥＭＥＮＳ ＭＡＴＳＵＳＨＩＴＡ ＣＯＭＰＯＮＥＮＴＳ ＧＥＳＥＬＬＳＣ ＨＡＦＴ ＭＩＴ ＢＥＳＣＨＲＡＮＫＴ ＥＲ ＨＡＦＴＵＮＧ ＆ ＣＯＭＰＡＮ Ｙ ＫＯＭＭＡＮＤＩＴＧＥＳＥＬＬＳＣ ＨＡＦＴ ドイツ連邦共和国ミユンヘン （番地な し) (72)発明者 フランツ シユランク オーストリア国 8042 グラーツ ペータ ースベルゲンシユトラーセ ２ (72)発明者 ゲラルト クロイバー オーストリア国 8073 フエルトキルヒエ ン／グラーツ ワグニツツシユトラーセ 16
Claims (11)
- 【請求項１】 熱的および電気的に互いに接触している
正および負の温度係数を有する温度依存性の抵抗（１
０、１１；２０、２１；３０、３１；４０‐１、４０‐
２、４１）から成る２極素子の形態の複合サーミスタ温
度センサであって、抵抗の温度／抵抗特性が予め定めら
れた温度範囲内で一定の経過を有し、また少なくとも２
つの温度依存性抵抗が少なくとも１つの電極（１２；２
２、２４；３２；４２‐１、４２‐２）を介して電気的
に互いに接続されている複合サーミスタ温度センサにお
いて、電極（１２；２２、２４；３２；４２‐１、４２
‐２）が、温度依存性抵抗のバリア層崩壊接触を保証
し、またそれにより接触させられる温度依存性抵抗の構
成部分のそれぞれ他の温度依存性抵抗中への相互拡散に
対する拡散バリアを形成する材料から製造されているこ
とを特徴とする複合サーミスタ温度センサ。 - 【請求項２】 電極材料として導電性の炭化物、窒化
物、酸化窒化物および／または酸化物が使用されること
を特徴とする請求項１記載のサーミスタ温度センサ。 - 【請求項３】 電極材料としてＴｉＣ、ＳｉＣ、Ｔｉ
Ｎ、ＴｉＡｌＮ、ＴｉＯＮ、ＴｉＡｌＯＮ、ＩｎＳｎ酸
化物の群からの材料が使用されることを特徴とする請求
項１または２記載のサーミスタ温度センサ。 - 【請求項４】 負の温度係数を有する温度依存性抵抗
（１０；２０；３０）および正の温度係数を有する温度
依存性抵抗（１１；２１；３１）がそれらの間に配置さ
れている電極（１２；２２；３２）を介して直列に接続
されていることを特徴とする請求項１ないし３の１つに
記載のサーミスタ温度センサ。 - 【請求項５】 負の温度係数を有する抵抗（１０；２
０）が電極（１２；２２）および正の温度係数を有する
抵抗（１１；２１）に対する基板として用いられること
を特徴とする請求項４記載のサーミスタ温度センサ。 - 【請求項６】 正の温度係数を有する抵抗（１１；３
１；４１）が一体のディスクとして構成されていること
を特徴とする請求項１ないし５の１つに記載のサーミス
タ温度センサ。 - 【請求項７】 正の温度係数を有する抵抗（２１）が４
層要素として構成されていることを特徴とする請求項１
ないし５の１つに記載のサーミスタ温度センサ。 - 【請求項８】 負および正の温度係数を有する抵抗（３
０、３１）から成る組み合わせが電気的に非能動的な基
板（３４）の上に設けられていることを特徴とする請求
項１ないし７の１つに記載のサーミスタ温度センサ。 - 【請求項９】 電極を介して電気的に互いに接続されて
いる負および正の温度係数を有する少なくとも３つの抵
抗（４０‐１、４０‐２、４１）から成る組み合わせが
使用されていることを特徴とする請求項１ないし３の１
つに記載のサーミスタ温度センサ。 - 【請求項１０】 電極（４２‐１、４２‐２）を介して
電気的に、正の温度係数を有する１つの抵抗（４１）お
よび負の温度係数を有する２つの抵抗（４０‐２）の並
列回路に対して負の温度係数を有する２つの抵抗（４０
‐１）が直列に位置するように互いに接続されている負
の温度係数を有する２つの抵抗（４０‐１、４０‐２）
および正の温度係数を有する１つの抵抗（４１）の組み
合わせが使用されていることを特徴とする請求項９記載
のサーミスタ温度センサ。 - 【請求項１１】 負の温度係数を有する直列抵抗（４０
‐１）が負または正の温度係数を有する抵抗（４０‐
２、４１）から成る並列回路に対する基板として、負の
温度係数を有する並列抵抗（４０‐２）が基板抵抗（４
０‐１）の上に、また正の温度係数を有する抵抗（４
１）が絶縁体（４３）を介して負の温度係数を有する並
列抵抗（４０‐２）の上に設けられていることを特徴と
する請求項１０記載のサーミスタ温度センサ。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE4328791.3 | 1993-08-26 | ||
| DE4328791A DE4328791C2 (de) | 1993-08-26 | 1993-08-26 | Hybrid-Thermistortemperaturfühler |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07167715A true JPH07167715A (ja) | 1995-07-04 |
| JP3452282B2 JP3452282B2 (ja) | 2003-09-29 |
Family
ID=6496124
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22090894A Expired - Fee Related JP3452282B2 (ja) | 1993-08-26 | 1994-08-22 | 複合サーミスタ温度センサ |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5519374A (ja) |
| EP (1) | EP0640816B1 (ja) |
| JP (1) | JP3452282B2 (ja) |
| DE (2) | DE4328791C2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2012035938A1 (ja) * | 2010-09-14 | 2012-03-22 | 株式会社村田製作所 | 半導体セラミック素子およびその製造方法 |
Families Citing this family (3)
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