JPH0548106Y2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0548106Y2 JPH0548106Y2 JP1667087U JP1667087U JPH0548106Y2 JP H0548106 Y2 JPH0548106 Y2 JP H0548106Y2 JP 1667087 U JP1667087 U JP 1667087U JP 1667087 U JP1667087 U JP 1667087U JP H0548106 Y2 JPH0548106 Y2 JP H0548106Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- temperature
- sensitive magnetic
- terminal plate
- metal terminal
- detection element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 20
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 14
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 claims description 13
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 12
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 2
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
Description
【考案の詳細な説明】
<産業上の利用分野>
本考案は、自動車などの冷却水、油温の温度検
知、あるいは空調機、暖房機などの温度検知に利
用される温度検出素子に関する。
知、あるいは空調機、暖房機などの温度検知に利
用される温度検出素子に関する。
<従来の技術>
従来第7図に示すように、感温磁性体の透磁率
μに対する温度T特性を利用した温度検出素子の
構造例によれば、Mn−Znフエライト系のリング
状の感温磁性体コア11に絶縁被膜12を施こし
た導体13がトロイダルコイル状に巻かれて感温
磁性体1が形成され、そのコイル端子間に周波数
の交番電圧V1が印加されている。すなわち、
透磁率μに対する温度T特性は、第8図aに示す
ように温度Tが上昇するに従つて透磁率μが増加
し、キユリー温度Tcの直前で極大値となり、キ
ユリー温度Tcで急激に透磁率μが低下する。こ
こで低温域では透磁率μが単調に減小するので、
たとえば任意の一定値の透磁率μaに対応する温度
としてキユリー温度Tcに近い温度T1を通常の動
作温度として利用するときは低温側では温度T2
となる。この状態は第8図bのように端子電圧
V1がしきい電圧値VBEによつて生ずる。ここで第
9図に示すように第7図の温度検出素子の端子電
圧V1を発振回路14よりコンパレータ回路15
に投入し、コンパレータ15のしきい値電圧VBE
と比較して、LレベルまたはHレベルの検出出力
Vputを得ている。端子電圧V1は感温磁性体の透磁
率μに比例するので、その端子電圧V1対温度T
特性は第10図に示すように第8図aの特性とほ
ぼ相似の形であり、本来の目的とする検出温度
T1に対して低温側において誤動作温度T2′が存在
する結果となる。
μに対する温度T特性を利用した温度検出素子の
構造例によれば、Mn−Znフエライト系のリング
状の感温磁性体コア11に絶縁被膜12を施こし
た導体13がトロイダルコイル状に巻かれて感温
磁性体1が形成され、そのコイル端子間に周波数
の交番電圧V1が印加されている。すなわち、
透磁率μに対する温度T特性は、第8図aに示す
ように温度Tが上昇するに従つて透磁率μが増加
し、キユリー温度Tcの直前で極大値となり、キ
ユリー温度Tcで急激に透磁率μが低下する。こ
こで低温域では透磁率μが単調に減小するので、
たとえば任意の一定値の透磁率μaに対応する温度
としてキユリー温度Tcに近い温度T1を通常の動
作温度として利用するときは低温側では温度T2
となる。この状態は第8図bのように端子電圧
V1がしきい電圧値VBEによつて生ずる。ここで第
9図に示すように第7図の温度検出素子の端子電
圧V1を発振回路14よりコンパレータ回路15
に投入し、コンパレータ15のしきい値電圧VBE
と比較して、LレベルまたはHレベルの検出出力
Vputを得ている。端子電圧V1は感温磁性体の透磁
率μに比例するので、その端子電圧V1対温度T
特性は第10図に示すように第8図aの特性とほ
ぼ相似の形であり、本来の目的とする検出温度
T1に対して低温側において誤動作温度T2′が存在
する結果となる。
<考案が解決しようとする問題点>
しかし、従来これらの誤動作温度T2′の存在を
防止するため第11図のように直列にNTCサー
ミスタ素子16などを接続し、低温側のインピー
ダンスを上げるなどの手段があつたが、部品点数
としてサーミスタが1個追加となりコストが高く
なり、また素子部分の小型化に対し不利な欠点が
あつた。また、一点のみでなく多点温度検出の場
合、第12図のように温度検出素子を複数個
ch1,ch2のように合体させてケース10に収納
するが、それぞれの素子にトロイダル巻線がある
ため、素子を小型化にまとめる事が困難であり、
また各素子間の熱的密着性が外側のトロイダル巻
線のために、十分良くとれないという欠点があつ
た。
防止するため第11図のように直列にNTCサー
ミスタ素子16などを接続し、低温側のインピー
ダンスを上げるなどの手段があつたが、部品点数
としてサーミスタが1個追加となりコストが高く
なり、また素子部分の小型化に対し不利な欠点が
あつた。また、一点のみでなく多点温度検出の場
合、第12図のように温度検出素子を複数個
ch1,ch2のように合体させてケース10に収納
するが、それぞれの素子にトロイダル巻線がある
ため、素子を小型化にまとめる事が困難であり、
また各素子間の熱的密着性が外側のトロイダル巻
線のために、十分良くとれないという欠点があつ
た。
<問題点を解決するための手段>
本考案は従来のかかる欠点を除き、薄い円板形
状の一方の面にうず巻状の導体パターンを設け、
また他方の面に電極を設けたキユリー温度が違う
複数個の感温磁性体をそれぞれ電極面を対向させ
て、その間に金属端子板を挾持電気的に密着さ
せ、また導体パターンの外側になる端部、あるい
は内側になる端部を感温磁性体に電気的に接触さ
せるとともに、他の端部との間に絶縁層を設けた
温度検出素子である。
状の一方の面にうず巻状の導体パターンを設け、
また他方の面に電極を設けたキユリー温度が違う
複数個の感温磁性体をそれぞれ電極面を対向させ
て、その間に金属端子板を挾持電気的に密着さ
せ、また導体パターンの外側になる端部、あるい
は内側になる端部を感温磁性体に電気的に接触さ
せるとともに、他の端部との間に絶縁層を設けた
温度検出素子である。
<作用>
円板形状の面にうず巻状の導体パターンを施
し、コイルの代りをさせることにより、小形とし
てケース内に容易に収納でき、またコイル導体1
3にサーミスタ素子16を設けないので、低温側
のインピーダンスが上昇する。
し、コイルの代りをさせることにより、小形とし
てケース内に容易に収納でき、またコイル導体1
3にサーミスタ素子16を設けないので、低温側
のインピーダンスが上昇する。
<実施例>
第1図は本考案による一実施例の構造を示す斜
視図、第2図はその側面図を示す。図に示すよう
に、感温磁性体1は薄い円板形状を有し、一方の
底面は絶縁層4の中央部を中空とし、その上にう
ず巻き状導体パターン2が形成される。その内側
端部22は感温磁性体1と電気的に接触し、外側
端部21は外部リード線に接続されている。絶縁
層4の材質は、コーテイング用ガラス材、あるい
はポリイミド系コーテイング材などであり、導体
パターン2の材質は電極用材料として一般的な銀
ペーストなどが用いられ、熱処理などで内部端部
22を感温磁性体1と接触させている。
視図、第2図はその側面図を示す。図に示すよう
に、感温磁性体1は薄い円板形状を有し、一方の
底面は絶縁層4の中央部を中空とし、その上にう
ず巻き状導体パターン2が形成される。その内側
端部22は感温磁性体1と電気的に接触し、外側
端部21は外部リード線に接続されている。絶縁
層4の材質は、コーテイング用ガラス材、あるい
はポリイミド系コーテイング材などであり、導体
パターン2の材質は電極用材料として一般的な銀
ペーストなどが用いられ、熱処理などで内部端部
22を感温磁性体1と接触させている。
感温磁性体1のもう一方の底面のほぼ中央付近
には銀ペーストなどを用いた単純な形状の電極3
がもうけられている。感温磁性体1′のキユリー
温度は感温磁性体1と異なつているが、導体パタ
ーン2′、電極3′の形状は感温磁性体1とほぼ同
様で、一方の底面に絶縁層4′、導体パターン
2′、また他方の面に電極部分3′が形成されてい
る。ここで感温磁性体1,1′を複合化し、熱的
にも密着させるために、感温磁性体1,1′の電
極3,3′面を相対向させ、中間の金属端子板5
を介して、ハンダ付けなどにより両電極3,3′
金属端子板5とを電気的および機械的に接合させ
る。金属端子板5は感温磁性体1,1′の外径よ
り突出され、外部リード線に接続される。金属端
子板5は電気的な共通端子であり、外側端部21
と金属端子板5間および外側端部21′と金属端
子板5間に周波数の交流電圧Va,Vbが印加さ
れる。ここで、電気的動作について、外側端部2
1と金属端子板5はうず巻き状導体パターン2に
よりインダクタンスL成分と内側端子22と電極
3間の感温磁性体1の自体の抵抗Rとの直列接続
とに作用する。感温磁性体1はMn−Zn系フエラ
イトであり、磁性体としての特性を持つとともに
半導体としての特性もあり、そのインピーダンス
Zに対する温度T特性は第3図に示すごとく
NTCサーミスタ素子16と同様な単調な減少曲
線を示す。従つて外側端部21と、金属端子板5
間より見た回路合成インピーダンスは点線のよう
に、明らかに低温側のインピーダンスを持ち上げ
る事ができる。したがつて、従来の場合のように
透磁率μ対温度T特性のみの場合の低温側のイン
ピーダンス低下を補正することができ、また従来
のように補正用サーミスタ素子16を要しない。
感温磁性体1′に対して外側端部21と金属端子
板5間のインピーダンスに対しても全く同様な低
温側インピーダンスを補正した形の特性が示され
る。
には銀ペーストなどを用いた単純な形状の電極3
がもうけられている。感温磁性体1′のキユリー
温度は感温磁性体1と異なつているが、導体パタ
ーン2′、電極3′の形状は感温磁性体1とほぼ同
様で、一方の底面に絶縁層4′、導体パターン
2′、また他方の面に電極部分3′が形成されてい
る。ここで感温磁性体1,1′を複合化し、熱的
にも密着させるために、感温磁性体1,1′の電
極3,3′面を相対向させ、中間の金属端子板5
を介して、ハンダ付けなどにより両電極3,3′
金属端子板5とを電気的および機械的に接合させ
る。金属端子板5は感温磁性体1,1′の外径よ
り突出され、外部リード線に接続される。金属端
子板5は電気的な共通端子であり、外側端部21
と金属端子板5間および外側端部21′と金属端
子板5間に周波数の交流電圧Va,Vbが印加さ
れる。ここで、電気的動作について、外側端部2
1と金属端子板5はうず巻き状導体パターン2に
よりインダクタンスL成分と内側端子22と電極
3間の感温磁性体1の自体の抵抗Rとの直列接続
とに作用する。感温磁性体1はMn−Zn系フエラ
イトであり、磁性体としての特性を持つとともに
半導体としての特性もあり、そのインピーダンス
Zに対する温度T特性は第3図に示すごとく
NTCサーミスタ素子16と同様な単調な減少曲
線を示す。従つて外側端部21と、金属端子板5
間より見た回路合成インピーダンスは点線のよう
に、明らかに低温側のインピーダンスを持ち上げ
る事ができる。したがつて、従来の場合のように
透磁率μ対温度T特性のみの場合の低温側のイン
ピーダンス低下を補正することができ、また従来
のように補正用サーミスタ素子16を要しない。
感温磁性体1′に対して外側端部21と金属端子
板5間のインピーダンスに対しても全く同様な低
温側インピーダンスを補正した形の特性が示され
る。
従来用いられている第9図の検出回路を2台そ
れぞれ感温磁性体1の内側端子部21と金属端子
板5間、および感温磁性体1′に対し内側端子2
1′と金属端子板5間に接続した場合の検出特性
を第4図に示す。図において感温磁性体1によつ
て温度Txが検出され、また感温磁性体2によつ
て温度Tyが検出されることにより、低温側での
誤動作は全く起らない。第5図は、第1図の温度
検出素子をケース10に実装した縦断面図で従来
のものにくらべて温度検出素子の形状は小形とな
る。
れぞれ感温磁性体1の内側端子部21と金属端子
板5間、および感温磁性体1′に対し内側端子2
1′と金属端子板5間に接続した場合の検出特性
を第4図に示す。図において感温磁性体1によつ
て温度Txが検出され、また感温磁性体2によつ
て温度Tyが検出されることにより、低温側での
誤動作は全く起らない。第5図は、第1図の温度
検出素子をケース10に実装した縦断面図で従来
のものにくらべて温度検出素子の形状は小形とな
る。
第6図は本考案による他の実施例の構成を示し
たものである。この図において、4個の感温磁性
体6,7,8,9が互に凸状の中間の金属端子板
5′を介して、互に電気的、熱的に密着されてい
る。一方、外側面にはうず巻状の導体パターン2
がそれぞれの感温磁性体6,7,8,9に対して
形成されており、これによつて4点の温度検出を
単独に誤動作なく行なわせることができる。
たものである。この図において、4個の感温磁性
体6,7,8,9が互に凸状の中間の金属端子板
5′を介して、互に電気的、熱的に密着されてい
る。一方、外側面にはうず巻状の導体パターン2
がそれぞれの感温磁性体6,7,8,9に対して
形成されており、これによつて4点の温度検出を
単独に誤動作なく行なわせることができる。
<考案の効果>
以上に述べたように、本考案によれば、感温磁
性体1の低温側の透磁率μの低下を部品を追加す
ることなく実現でき、多点検出に対して従来より
もセンサ部分を小型化するとともに、熱的密着性
を改良することによつて、低価格で信頼性の高い
温度検出素子が得られる。
性体1の低温側の透磁率μの低下を部品を追加す
ることなく実現でき、多点検出に対して従来より
もセンサ部分を小型化するとともに、熱的密着性
を改良することによつて、低価格で信頼性の高い
温度検出素子が得られる。
第1図は本考案の温度検出素子の実施例の構造
を示す斜視図、第2図は第1図における外観側面
図、第3図は第1図におけるインピーダンスZと
温度Tとの関係を示す特性図、第4図は第1図に
おける出力電圧Vputと温度Tとの関係を示す特性
図、第5図は本考案の温度検出素子をケースに収
納した縦断側面図、第6図は本考案による他の実
施例の構造を示す斜視図、第7図は従来の温度検
出素子の構造例を示す斜視図、第8図aは第7図
における温度Tと透磁率μとの関係を示す特性
図、第8図bは第7図における温度Tと端子電圧
V1との関係を示す特性図、第9図は従来の温度
検出素子を用いた検出回路の例を示すブロツク
図、第10図は第9図の回路における温度Tと出
力電圧Vputとの関係を示す特性図、第11図は従
来の温度検出素子の他の例の構造を示す斜視図、
第12図は従来の温度検出素子を2個ケースに収
納した例の構造を示す縦断側面図である。 参照符号、1,1′,6,7,8,9……感温
磁性体、2,2′……導体パターン、3,3′……
電極、4,4′……絶縁層、5,5′……金属端子
板、10……ケース、11……感温磁性体コア、
12……絶縁被膜、13……導体、14……発振
回路、15……コンパレータ回路、16……サー
ミスタ素子、21,21′……外側端部、22,
22′……内側端部。
を示す斜視図、第2図は第1図における外観側面
図、第3図は第1図におけるインピーダンスZと
温度Tとの関係を示す特性図、第4図は第1図に
おける出力電圧Vputと温度Tとの関係を示す特性
図、第5図は本考案の温度検出素子をケースに収
納した縦断側面図、第6図は本考案による他の実
施例の構造を示す斜視図、第7図は従来の温度検
出素子の構造例を示す斜視図、第8図aは第7図
における温度Tと透磁率μとの関係を示す特性
図、第8図bは第7図における温度Tと端子電圧
V1との関係を示す特性図、第9図は従来の温度
検出素子を用いた検出回路の例を示すブロツク
図、第10図は第9図の回路における温度Tと出
力電圧Vputとの関係を示す特性図、第11図は従
来の温度検出素子の他の例の構造を示す斜視図、
第12図は従来の温度検出素子を2個ケースに収
納した例の構造を示す縦断側面図である。 参照符号、1,1′,6,7,8,9……感温
磁性体、2,2′……導体パターン、3,3′……
電極、4,4′……絶縁層、5,5′……金属端子
板、10……ケース、11……感温磁性体コア、
12……絶縁被膜、13……導体、14……発振
回路、15……コンパレータ回路、16……サー
ミスタ素子、21,21′……外側端部、22,
22′……内側端部。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 1 薄い円板形状の一方の面にうず巻状の薄体パ
ターン2が設けられ、他方の面に電極3が設け
られたそれぞれキユリー温度の異なる複数個の
感温磁性体1の前記電極3面を金属端子板5を
挾持密着させて電気的に接続してなる温度検出
素子。 2 前記薄体パターン2の外側端部21、あるい
は内側端部22のみが前記感温磁性体1と電気
的に接触するとともに、他の端部との間に絶縁
層4を介在させてなる実用新案登録請求の範囲
第1項記載の温度検出素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1667087U JPH0548106Y2 (ja) | 1987-02-09 | 1987-02-09 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1667087U JPH0548106Y2 (ja) | 1987-02-09 | 1987-02-09 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63124634U JPS63124634U (ja) | 1988-08-15 |
JPH0548106Y2 true JPH0548106Y2 (ja) | 1993-12-20 |
Family
ID=30808742
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1667087U Expired - Lifetime JPH0548106Y2 (ja) | 1987-02-09 | 1987-02-09 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0548106Y2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004271182A (ja) * | 2003-03-04 | 2004-09-30 | Osaka Sealing Printing Co Ltd | センシング材料、センシングシールおよびセンシングシステム |
-
1987
- 1987-02-09 JP JP1667087U patent/JPH0548106Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004271182A (ja) * | 2003-03-04 | 2004-09-30 | Osaka Sealing Printing Co Ltd | センシング材料、センシングシールおよびセンシングシステム |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS63124634U (ja) | 1988-08-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5372427A (en) | Temperature sensor | |
US4883366A (en) | Temperature sensor | |
WO2005112049A1 (ja) | 複合素子 | |
JP2000150204A (ja) | Ntcサーミスタ及びチップ型ntcサーミスタ | |
JPH0548106Y2 (ja) | ||
JPH0197144A (ja) | 充電完了検知器 | |
US4344062A (en) | Humidity sensor element | |
JPH0311420B2 (ja) | ||
JPH0812117B2 (ja) | 温度検出素子 | |
JP3106385B2 (ja) | 高周波検出素子とそれを用いた高周波加熱装置 | |
JPH075050A (ja) | 温度センサ | |
US10453603B2 (en) | Integration of inductor and damper for power filters | |
JPH03189526A (ja) | サーモパイル | |
JPS60159621A (ja) | 温度依存測定素子を有する温度センサ | |
JPS6041474B2 (ja) | 信号伝達素子 | |
JPH0449801Y2 (ja) | ||
JPH0535294Y2 (ja) | ||
JPH03145920A (ja) | 半導体感温素子 | |
JPS5850641Y2 (ja) | 制御回路 | |
JPH02176531A (ja) | 温度感知素子 | |
JPH0643915B2 (ja) | 連続式液位計 | |
KR200167234Y1 (ko) | 적층형칩을내장한엑씨얼타입엔티시써미스타 | |
JP2002311115A (ja) | 磁気センサー | |
JPH02234033A (ja) | 温度検出器 | |
JPS6236243Y2 (ja) |