JPH0812117B2 - 温度検出素子 - Google Patents
温度検出素子Info
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- JPH0812117B2 JPH0812117B2 JP24210586A JP24210586A JPH0812117B2 JP H0812117 B2 JPH0812117 B2 JP H0812117B2 JP 24210586 A JP24210586 A JP 24210586A JP 24210586 A JP24210586 A JP 24210586A JP H0812117 B2 JPH0812117 B2 JP H0812117B2
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- Japan
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- lead wire
- sensitive magnetic
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Description
【発明の詳細な説明】 ＜産業上の利用分野＞ 本発明は，空調機，暖房器等のヒーター等の温度検
知，あるいは自動車等の冷却水温度検知等に利用される
温度検出素子に関する。
知，あるいは自動車等の冷却水温度検知等に利用される
温度検出素子に関する。
＜従来の技術＞ 第７図に従来の温度検出素子の一例を，第９図に第７
図の温度検出素子を用いた温度検出回路のブロック図を
示す。感温磁性体１はMn−Zn系フェライト材でその形状
は円筒形状であり，導線21に絶縁被膜22を施したリード
線71がＮ回巻かれている。感温磁性体１の材料自体の透
磁率μの温度特性は，第８図（ｂ）に示すごとく，キュ
リー温度TCの直前にてμが最大値を示し，キュリー温度
TCにて急激にμが低下する特性である。
図の温度検出素子を用いた温度検出回路のブロック図を
示す。感温磁性体１はMn−Zn系フェライト材でその形状
は円筒形状であり，導線21に絶縁被膜22を施したリード
線71がＮ回巻かれている。感温磁性体１の材料自体の透
磁率μの温度特性は，第８図（ｂ）に示すごとく，キュ
リー温度TCの直前にてμが最大値を示し，キュリー温度
TCにて急激にμが低下する特性である。
＜発明が解決しようとする問題点＞ このキュリー温度TC直前での急激な透磁率μの低下を
回路的に検出することにより高精度の温度検知が可能で
あるが，μ−Ｔ特性はキュリー温度TC以下の低温度へ下
がるに従ってμは単調に下がる傾向にあり，低温側にて
μが低下する事により誤動作という問題点が生じてい
た。
回路的に検出することにより高精度の温度検知が可能で
あるが，μ−Ｔ特性はキュリー温度TC以下の低温度へ下
がるに従ってμは単調に下がる傾向にあり，低温側にて
μが低下する事により誤動作という問題点が生じてい
た。
第９図の検出回路において，第７図に示した温度セン
サー10に発振回路OSCにより周波数ｆの交流電流を印加
するが，温度センサー10の出力電圧V1対温度Ｔ特性は，
出力電圧V1が感温磁性材料のμに比例するので，第８図
（ａ）のごとく感温磁性体１の構成材料のμ−Ｔ特性と
ほぼ同一の傾向である。ここで，コンパレーターCOPの
しきい値をVBEに選択して，温度T1を検出するが（T1は
キュリー温度TCより0.2〜0.5℃低めである），材料自体
のμ−Ｔ特性上,VBEに相当する低温側での温度Ｔ′が存
在し,T′は誤動作温度となる。
サー10に発振回路OSCにより周波数ｆの交流電流を印加
するが，温度センサー10の出力電圧V1対温度Ｔ特性は，
出力電圧V1が感温磁性材料のμに比例するので，第８図
（ａ）のごとく感温磁性体１の構成材料のμ−Ｔ特性と
ほぼ同一の傾向である。ここで，コンパレーターCOPの
しきい値をVBEに選択して，温度T1を検出するが（T1は
キュリー温度TCより0.2〜0.5℃低めである），材料自体
のμ−Ｔ特性上,VBEに相当する低温側での温度Ｔ′が存
在し,T′は誤動作温度となる。
第10図は第９図に示した検出回路の電圧−温度特性を
示し，低温側の温度Ｔ′以下においてコンパレーターCO
Pからハイレベル信号が出力されてしまい誤動作してし
まうことが理解できよう。
示し，低温側の温度Ｔ′以下においてコンパレーターCO
Pからハイレベル信号が出力されてしまい誤動作してし
まうことが理解できよう。
温度Ｔ′での誤動作をさけるためには，従来は使用環
境温度範囲をＴ′以上に設定した製品仕様とせざるを得
ない。従って，広範囲での使用環境温度範囲の要求され
る用途（例えば自動車用等）については利用する事が困
難であるという問題点を有していた。
境温度範囲をＴ′以上に設定した製品仕様とせざるを得
ない。従って，広範囲での使用環境温度範囲の要求され
る用途（例えば自動車用等）については利用する事が困
難であるという問題点を有していた。
一方，従来の他の対策としては，温度検出素子と直列
にサーミスター素子等の温度補償用素子を追加して，低
温域での出力電圧の低下を抑制する方法があったが，サ
ーミスター素子追加によるコストアップ，及びセンサー
部分が感温磁性体とサーミスター素子とを一体化するた
めに大型化して熱応答性が低下するという性能上の問題
があった。
にサーミスター素子等の温度補償用素子を追加して，低
温域での出力電圧の低下を抑制する方法があったが，サ
ーミスター素子追加によるコストアップ，及びセンサー
部分が感温磁性体とサーミスター素子とを一体化するた
めに大型化して熱応答性が低下するという性能上の問題
があった。
本発明は，かかる問題点を解決すべくなされたもので
あって，その技術的課題は，低温域での透磁率μの低下
を必要最小限の部品追加により補償し得る温度検出素子
を提供することにある。
あって，その技術的課題は，低温域での透磁率μの低下
を必要最小限の部品追加により補償し得る温度検出素子
を提供することにある。
＜問題点を解決するための手段＞ 本発明によれば，閉磁路を形成し，且つ抵抗−温度特
性において負の温度係数を示す感温磁性体にリード線を
巻回して成る温度検出素子において，感温磁性体には，
互いに対向する端面に第１の電極部分と第２の電極部分
とがそれぞれ設けられ，リード線は，感温磁性体に巻回
されてコイル部を成すと共に，一端が第１の電極部分と
電気的に接続され，且つ他端が電源端子用に供された第
１のリード線と，一端が第２の電極部分と電気的に接続
され，且つ他端が電源端子用に供された第２のリード線
とに区別されて成る温度検出素子が得られる。
性において負の温度係数を示す感温磁性体にリード線を
巻回して成る温度検出素子において，感温磁性体には，
互いに対向する端面に第１の電極部分と第２の電極部分
とがそれぞれ設けられ，リード線は，感温磁性体に巻回
されてコイル部を成すと共に，一端が第１の電極部分と
電気的に接続され，且つ他端が電源端子用に供された第
１のリード線と，一端が第２の電極部分と電気的に接続
され，且つ他端が電源端子用に供された第２のリード線
とに区別されて成る温度検出素子が得られる。
又，本発明によれば，上記温度検出素子において，感
温磁性体は中空部を有する環状又は矩形状であって，第
１の電極部分と第２の電極部分とは中空の延在方向に直
交する該感温磁性体の対向端面にそれぞれ設けられた温
度検出素子が得られる。
温磁性体は中空部を有する環状又は矩形状であって，第
１の電極部分と第２の電極部分とは中空の延在方向に直
交する該感温磁性体の対向端面にそれぞれ設けられた温
度検出素子が得られる。
一方，本発明によれば，閉磁路を形成し，且つ温度−
抵抗特性において負の温度係数を示す感温磁性体にリー
ド線を巻回して成る温度検出素子において，感温磁性体
は，中空部を有さない板状であって，且つ該感温磁性体
の最大占有面積を有する対向端面には，第１の電極部分
と第２の電極部分とがそれぞれ設けられ，リード線は，
対向端面の一方の面上にて渦巻き状に巻回されて渦巻き
平面状コイル部を成すと共に，一端が第１の電極部分と
電気的に接続され，且つ他端が電源端子用に供された第
１のリード線と，一端が第２の電極部分と電気的に接続
され，且つ他端が電源端子用に供された第２のリード線
とに区別されて成る温度検出素子が得られる。
抵抗特性において負の温度係数を示す感温磁性体にリー
ド線を巻回して成る温度検出素子において，感温磁性体
は，中空部を有さない板状であって，且つ該感温磁性体
の最大占有面積を有する対向端面には，第１の電極部分
と第２の電極部分とがそれぞれ設けられ，リード線は，
対向端面の一方の面上にて渦巻き状に巻回されて渦巻き
平面状コイル部を成すと共に，一端が第１の電極部分と
電気的に接続され，且つ他端が電源端子用に供された第
１のリード線と，一端が第２の電極部分と電気的に接続
され，且つ他端が電源端子用に供された第２のリード線
とに区別されて成る温度検出素子が得られる。
＜作用＞ 上記構成により，温度−抵抗特性において負の温度係
数を示す感温磁性体自体の抵抗値を取り出させるように
し，一方,2つの電源端子の間に交流電流を流して，感温
磁性体の透磁率μとそれ自身の抵抗値Ｒとの直列接続回
路を形成して，低温側でのインピーダンス低下を改善し
ている。
数を示す感温磁性体自体の抵抗値を取り出させるように
し，一方,2つの電源端子の間に交流電流を流して，感温
磁性体の透磁率μとそれ自身の抵抗値Ｒとの直列接続回
路を形成して，低温側でのインピーダンス低下を改善し
ている。
＜実施例＞ 以下に実施例を挙げ本発明の温度検出素子について，
図面を参照して詳細に説明する。
図面を参照して詳細に説明する。
第１図は，本発明の一実施例に係る温度検出素子の基
本構成を示したものである。又，第３図は温度検出素子
の要部を示したもので，同図（ａ）はその要部を斜視図
により示し，同図（ｂ）はその要部を側面図により示し
たものである。
本構成を示したものである。又，第３図は温度検出素子
の要部を示したもので，同図（ａ）はその要部を斜視図
により示し，同図（ｂ）はその要部を側面図により示し
たものである。
この温度検出素子においては，閉磁路を形成し，且つ
抵抗−温度特性において負の温度係数を示す感温磁性体
11の互いに対向する端面に第１の電極31と第２の電極32
とがそれぞれ設けられ，これら第１及び第２の電極31,3
2はそれぞれ２本のリード線41,42によって電気的に接続
されている。但し，感温磁性体11は中空部を有する環状
あって（矩形状であっても良い），第１の電極31と第２
の電極32とは中空の延在方向に直交する感温磁性体11の
対向端面にそれぞれ設けられている。
抵抗−温度特性において負の温度係数を示す感温磁性体
11の互いに対向する端面に第１の電極31と第２の電極32
とがそれぞれ設けられ，これら第１及び第２の電極31,3
2はそれぞれ２本のリード線41,42によって電気的に接続
されている。但し，感温磁性体11は中空部を有する環状
あって（矩形状であっても良い），第１の電極31と第２
の電極32とは中空の延在方向に直交する感温磁性体11の
対向端面にそれぞれ設けられている。
又，第１のリード線41は，中途部分が感温磁性体11に
巻回されてコイル部43を成すと共に，一端が電気的接合
部51にて第１の電極31と電気的に接続され，且つ他端が
電源端子に供されている。又，第２のリード線42は，一
端が電気的接合部52にて第２の電極32と電気的に接続さ
れ，且つ他端が電源端子用に供されている。
巻回されてコイル部43を成すと共に，一端が電気的接合
部51にて第１の電極31と電気的に接続され，且つ他端が
電源端子に供されている。又，第２のリード線42は，一
端が電気的接合部52にて第２の電極32と電気的に接続さ
れ，且つ他端が電源端子用に供されている。
因みに，第１のリード線41は，導体部分411を絶縁被
膜部分401で覆ったもので，第２のリード線41にも，導
体部分422を絶縁被膜部分402で覆ったものが使用されて
いる。ここでは，感温磁性体11に電極31,32を設けてい
るが，この温度検出素子は電気的な受動体としては単体
で構成される。
膜部分401で覆ったもので，第２のリード線41にも，導
体部分422を絶縁被膜部分402で覆ったものが使用されて
いる。ここでは，感温磁性体11に電極31,32を設けてい
るが，この温度検出素子は電気的な受動体としては単体
で構成される。
電極31,32は，一般に銀ペースト材を塗布した後，熱
処理により形成され，感温磁性体11とオーミックコンタ
クトを有しており，電極31,32間にて感温磁性体11自体
の抵抗値Ｒが取り出される。感温磁性体11はMn−Zn系フ
ェライト材であるが，抵抗特性は半導体的な性質を有し
ており，その抵抗値Ｒ対温度Ｔ特性は，第４図（ｂ）の
如くであり，温度上昇に対して単調に減少する傾向を示
す。一般に，常温での抵抗値Ｒは数ＫΩで，抵抗値Ｒの
変化率は１℃当たり0.4％であり，ほぼ通常のサーミス
タ等と同程度である。
処理により形成され，感温磁性体11とオーミックコンタ
クトを有しており，電極31,32間にて感温磁性体11自体
の抵抗値Ｒが取り出される。感温磁性体11はMn−Zn系フ
ェライト材であるが，抵抗特性は半導体的な性質を有し
ており，その抵抗値Ｒ対温度Ｔ特性は，第４図（ｂ）の
如くであり，温度上昇に対して単調に減少する傾向を示
す。一般に，常温での抵抗値Ｒは数ＫΩで，抵抗値Ｒの
変化率は１℃当たり0.4％であり，ほぼ通常のサーミス
タ等と同程度である。
第４図は透磁率μ対温度Ｔ特性であり，電極31,32を
つけたことによる影響は殆ど受けず，従来のμ−Ｔ特性
とほぼ同じである。接合部分51,52は通常，半田付け等
により形成される。リード線41,42の導体411,422間はコ
イル部43によるインダクタンスＬ成分と感温磁性体11自
体の抵抗値Ｒとの直列接続となり，その合成インピーダ
ンスの温度特性は第２図（ａ）の破線の如く，キュリー
温度TC近傍で急げきに低下し,TCから低下するにつれて
単調にインピーダンスが増加する傾向である。
つけたことによる影響は殆ど受けず，従来のμ−Ｔ特性
とほぼ同じである。接合部分51,52は通常，半田付け等
により形成される。リード線41,42の導体411,422間はコ
イル部43によるインダクタンスＬ成分と感温磁性体11自
体の抵抗値Ｒとの直列接続となり，その合成インピーダ
ンスの温度特性は第２図（ａ）の破線の如く，キュリー
温度TC近傍で急げきに低下し,TCから低下するにつれて
単調にインピーダンスが増加する傾向である。
第９図の検出回路を用いれば，温度検出素子の端子電
圧V2の温度特性はほぼ第２図（ａ）のインピーダンスの
傾向と同様となり，従って第２図（ｂ）のごとくなる。
このようにして，従来，誤動作を起こしていた温度Ｔ′
に相当する端子電圧VT′はコンパレーターのしきい値電
圧VBEに比較して数倍以上の値に保たれる。従って，従
来問題となっていた低温域での誤動作がなくなり，広範
囲の動作温度範囲を保証できる。
圧V2の温度特性はほぼ第２図（ａ）のインピーダンスの
傾向と同様となり，従って第２図（ｂ）のごとくなる。
このようにして，従来，誤動作を起こしていた温度Ｔ′
に相当する端子電圧VT′はコンパレーターのしきい値電
圧VBEに比較して数倍以上の値に保たれる。従って，従
来問題となっていた低温域での誤動作がなくなり，広範
囲の動作温度範囲を保証できる。
又，温度検出素子自体の大きさは，感温磁性体11のみ
に依存し，従来の外づけサーミスター素子追加等による
場合に比べて明らかに大きさはコンパクトであり，部品
点数もサーミスター機能を感温磁性体自身が兼ねるた
め，部品点数は従来よりも少なくなり，コスト的にも従
来より有利である。
に依存し，従来の外づけサーミスター素子追加等による
場合に比べて明らかに大きさはコンパクトであり，部品
点数もサーミスター機能を感温磁性体自身が兼ねるた
め，部品点数は従来よりも少なくなり，コスト的にも従
来より有利である。
第５図は，本発明の他の実施例に係る温度検出素子の
基本構成を示したものである。又，第６図は温度検出素
子の要部を示したもので，同図（ａ）はその要部を斜視
図により示し，同図（ｂ）はその要部を側面図により示
したものである。
基本構成を示したものである。又，第６図は温度検出素
子の要部を示したもので，同図（ａ）はその要部を斜視
図により示し，同図（ｂ）はその要部を側面図により示
したものである。
この温度検出素子においても，閉磁路を形成し，且つ
抵抗−温度特性において負の温度係数を示す感温磁性体
12の互いに対向する端面に第１の電極33と第２の電極34
とがそれぞれ設けられ，これら第１及び第２の電極33,3
4はそれぞれ２本のリード線61,62によって電気的に接続
されている。
抵抗−温度特性において負の温度係数を示す感温磁性体
12の互いに対向する端面に第１の電極33と第２の電極34
とがそれぞれ設けられ，これら第１及び第２の電極33,3
4はそれぞれ２本のリード線61,62によって電気的に接続
されている。
但し，ここで感温磁性体12は，中空部を有さない円板
状であって，且つ感温磁性体12の最大占有面積を有する
対向端面に，第１の電極33と第２の電極34とがそれぞれ
局部的に設けられている。
状であって，且つ感温磁性体12の最大占有面積を有する
対向端面に，第１の電極33と第２の電極34とがそれぞれ
局部的に設けられている。
更に，ここで第１のリード線61は，感温磁性体12の対
向端面の一方の面上にてその中途部分が渦巻き状に巻回
された渦巻き平面状コイル部６を成すと共に，一端が第
１の電極33と電気的に接続され，且つ他端が電源端子用
に供されている。又，第２のリード線62は，一端が第２
の電極34と電気的に接続され，且つ他端が電源端子用に
供されている。因みに，リード線61,62の端部間は，渦
巻き平面状コイル部６によるインダクタンスＬ成分と電
極33,34間の感温磁性体12自体の抵抗値Ｒとの直列回路
とみなせる。従って，第２図（ｂ）と同様に端子電圧対
温度特性が得られ，低温側での誤動作が防止される。
向端面の一方の面上にてその中途部分が渦巻き状に巻回
された渦巻き平面状コイル部６を成すと共に，一端が第
１の電極33と電気的に接続され，且つ他端が電源端子用
に供されている。又，第２のリード線62は，一端が第２
の電極34と電気的に接続され，且つ他端が電源端子用に
供されている。因みに，リード線61,62の端部間は，渦
巻き平面状コイル部６によるインダクタンスＬ成分と電
極33,34間の感温磁性体12自体の抵抗値Ｒとの直列回路
とみなせる。従って，第２図（ｂ）と同様に端子電圧対
温度特性が得られ，低温側での誤動作が防止される。
第５図の実施例は感温磁性体12を薄型化しているた
め，熱応答性にすぐれた温度検出機能が確保される。
め，熱応答性にすぐれた温度検出機能が確保される。
＜発明の効果＞ 以上本発明によれば，従来の低温域での透磁率μの低
下を部品点数の追加を最小限として補償し得る温度検出
素子を提供でき，従来よりも広範囲の使用温度範囲を確
保した低コスト，しかも小型化の可能な信頼性の高い温
度検出素子を提供できるものである。
下を部品点数の追加を最小限として補償し得る温度検出
素子を提供でき，従来よりも広範囲の使用温度範囲を確
保した低コスト，しかも小型化の可能な信頼性の高い温
度検出素子を提供できるものである。
第１図は本発明による温度検出素子の一実施例の斜視
図，第２図（ａ），（ｂ）は第１図の実施例でのインピ
ーダンスＺ−温度Ｔ特性及び出力電圧V2−温度Ｔ特性の
説明図，第３図（ａ），（ｂ）は第１図の実施例に用い
る感温磁性体の斜視図，側面図，第４図（ａ），（ｂ）
は第３図における感温磁性体の透磁率μ−温度Ｔ特性及
び抵抗Ｒ−温度Ｔ特性の説明図，第５図は本発明による
温度検出素子の他の実施例の斜視図，第６図（ａ），
（ｂ）は第５図での感温磁性体の斜視図及び側面図，第
７図は従来の温度検出素子の一例の斜視図，第８図
（ａ），（ｂ）は，第７図での出力電圧V1−温度特性及
び透磁率μ−温度Ｔ特性，第９図は温度センサーを用い
た温度検出回路の一例を示し，第10図は従来の温度検出
素子による検出回路の動作例を示す。 1,11,12:感温磁性体,6:渦巻き平面状コイル部,31,33:第
１の電極,32,34:第２の電極,41,61:第１のリード線,42,
62:第２のリード線,71:リード線。
図，第２図（ａ），（ｂ）は第１図の実施例でのインピ
ーダンスＺ−温度Ｔ特性及び出力電圧V2−温度Ｔ特性の
説明図，第３図（ａ），（ｂ）は第１図の実施例に用い
る感温磁性体の斜視図，側面図，第４図（ａ），（ｂ）
は第３図における感温磁性体の透磁率μ−温度Ｔ特性及
び抵抗Ｒ−温度Ｔ特性の説明図，第５図は本発明による
温度検出素子の他の実施例の斜視図，第６図（ａ），
（ｂ）は第５図での感温磁性体の斜視図及び側面図，第
７図は従来の温度検出素子の一例の斜視図，第８図
（ａ），（ｂ）は，第７図での出力電圧V1−温度特性及
び透磁率μ−温度Ｔ特性，第９図は温度センサーを用い
た温度検出回路の一例を示し，第10図は従来の温度検出
素子による検出回路の動作例を示す。 1,11,12:感温磁性体,6:渦巻き平面状コイル部,31,33:第
１の電極,32,34:第２の電極,41,61:第１のリード線,42,
62:第２のリード線,71:リード線。
Claims (3)
- 【請求項１】閉磁路を形成し，且つ抵抗−温度特性にお
いて負の温度係数を示す感温磁性体にリード線を巻回し
て成る温度検出素子において，前記感温磁性体には，互
いに対向する端面に第１の電極部分と第２の電極部分と
がそれぞれ設けられ，前記リード線は，前記感温磁性体
に巻回されてコイル部を成すと共に，一端が第１の電極
部分と電気的に接続され，且つ他端が電源端子用に供さ
れた第１のリード線と，一端が第２の電極部分と電気的
に接続され，且つ他端が電源端子用に供された第２のリ
ード線とに区別されて成ることを特徴とする温度検出素
子。 - 【請求項２】請求項１記載の温度検出素子において，前
記感温磁性体は中空部を有する環状又は矩形状であっ
て，前記第１の電極部分と前記第２の電極部分とは前記
中空の延在方向に直交する該感温磁性体の対向端面にそ
れぞれ設けられたことを特徴とする温度検出素子。 - 【請求項３】閉磁路を形成し，且つ抵抗−温度特性にお
いて負の温度係数を示す感温磁性体にリード線を巻回し
て成る温度検出素子において，前記感温磁性体は，中空
部を有さない板状であって，且つ該感温磁性体の最大占
有面積を有する対向端面には，第１の電極部分と第２の
電極部分とがそれぞれ設けられ，前記リード線は，前記
対向端面の一方の面上にて渦巻き状に巻回されて渦巻き
平面状コイル部を成すと共に，一端が第１の電極部分と
電気的に接続され，且つ他端が電源端子用に供された第
１のリード線と，一端が第２の電極部分と電気的に接続
され，且つ他端が電源端子用に供された第２のリード線
とに区別されて成ることを特徴とする温度検出素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24210586A JPH0812117B2 (ja) | 1986-10-14 | 1986-10-14 | 温度検出素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24210586A JPH0812117B2 (ja) | 1986-10-14 | 1986-10-14 | 温度検出素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6396525A JPS6396525A (ja) | 1988-04-27 |
| JPH0812117B2 true JPH0812117B2 (ja) | 1996-02-07 |
Family
ID=17084370
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24210586A Expired - Fee Related JPH0812117B2 (ja) | 1986-10-14 | 1986-10-14 | 温度検出素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0812117B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4710322B2 (ja) * | 2005-01-11 | 2011-06-29 | 株式会社島津製作所 | 真空ポンプ |
-
1986
- 1986-10-14 JP JP24210586A patent/JPH0812117B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6396525A (ja) | 1988-04-27 |
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