JPS5870212A - 電子光学的表示素子およびその製造 - Google Patents
電子光学的表示素子およびその製造Info
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- JPS5870212A JPS5870212A JP57165187A JP16518782A JPS5870212A JP S5870212 A JPS5870212 A JP S5870212A JP 57165187 A JP57165187 A JP 57165187A JP 16518782 A JP16518782 A JP 16518782A JP S5870212 A JPS5870212 A JP S5870212A
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 12
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 title 1
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 40
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 22
- 239000011148 porous material Substances 0.000 claims description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 11
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 10
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 150000002902 organometallic compounds Chemical class 0.000 claims description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 3
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 claims description 3
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 claims description 2
- -1 dimethyl gold halide Chemical class 0.000 claims description 2
- 238000005476 soldering Methods 0.000 claims description 2
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 claims 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 11
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 7
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 7
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 238000007790 scraping Methods 0.000 description 3
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 3
- GSPQWXRMIXCELK-UHFFFAOYSA-M C[Au](Cl)C Chemical compound C[Au](Cl)C GSPQWXRMIXCELK-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000020 Nitrocellulose Substances 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 210000002858 crystal cell Anatomy 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 229920001220 nitrocellulos Polymers 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YYQHIZIOOVOYRK-UHFFFAOYSA-M C[Au](C)Br Chemical compound C[Au](C)Br YYQHIZIOOVOYRK-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- KDUAMBLHJYIJQH-UHFFFAOYSA-N C[Au](C)C#N Chemical compound C[Au](C)C#N KDUAMBLHJYIJQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AUFHQOUHGKXFEM-UHFFFAOYSA-N C[Au]C Chemical group C[Au]C AUFHQOUHGKXFEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 230000001680 brushing effect Effects 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 description 1
- 239000001913 cellulose Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000280 densification Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 229910001507 metal halide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 238000007761 roller coating Methods 0.000 description 1
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000002604 ultrasonography Methods 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
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- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
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- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はガラス基板に電導層およびその上に絶縁層を被
覆し、この絶縁層をまず乾燥し、次に焼付処理し、電導
層の接触位置の範囲の絶縁層を除去する電子光学的表示
素子とくに液晶表示器の製法に関する。
覆し、この絶縁層をまず乾燥し、次に焼付処理し、電導
層の接触位置の範囲の絶縁層を除去する電子光学的表示
素子とくに液晶表示器の製法に関する。
たとえばネマチック表示器、2色性表示器または双極懸
濁液表示器のような多数の電子光学的表示器の場合、前
面または背面ガラス基板に支持した電導層を絶縁層で被
覆し、電導層が表示素子動作の間電解によって分解する
のを阻止することは公知である。絶縁層の被覆はこの場
合電導層の被覆およびパターン化の後、絶縁層を浸漬、
回転塗布またはローラコーティングによって被覆するよ
うに行われる。被覆径絶縁層は低温で短時間乾燥し、次
に約400 ’Cの温度で焼付けられる。焼付過程終了
後、電導層の後に制御導線を接続する接触位置の範囲の
絶縁層は掻取またはエツチングによって除去される。
濁液表示器のような多数の電子光学的表示器の場合、前
面または背面ガラス基板に支持した電導層を絶縁層で被
覆し、電導層が表示素子動作の間電解によって分解する
のを阻止することは公知である。絶縁層の被覆はこの場
合電導層の被覆およびパターン化の後、絶縁層を浸漬、
回転塗布またはローラコーティングによって被覆するよ
うに行われる。被覆径絶縁層は低温で短時間乾燥し、次
に約400 ’Cの温度で焼付けられる。焼付過程終了
後、電導層の後に制御導線を接続する接触位置の範囲の
絶縁層は掻取またはエツチングによって除去される。
接触位置のこの掻取またはエツチングは非常に時間を要
し、廃却率が大きくなる危険がある。
し、廃却率が大きくなる危険がある。
さらに掻取またはエツチング過程は大きい困難および大
きい工業的費用のもとにしか自動化できない。
きい工業的費用のもとにしか自動化できない。
電導層を絶縁層で完全に被覆しないで、接触位置を被覆
なしに残すこともすでに提案された。
なしに残すこともすでに提案された。
絶縁物質たとえば1酸化ケイ素、2酸化ケイ素ま庭は酸
化イツトリウムによる電導層の被覆はオフセット法で行
われるので、°各表示器のだめに被覆装置の広範な改変
が必要であり、そのため表示器製造の融通性が乏しく、
製造費用が高くなる。スクリン印刷法による層の被覆に
はこの欠点がないけれど、このようなスクリン印刷法に
よる絶縁層の被覆は技術的に非常に問題があり、そのた
め現在まで量産には実用されていない。
化イツトリウムによる電導層の被覆はオフセット法で行
われるので、°各表示器のだめに被覆装置の広範な改変
が必要であり、そのため表示器製造の融通性が乏しく、
製造費用が高くなる。スクリン印刷法による層の被覆に
はこの欠点がないけれど、このようなスクリン印刷法に
よる絶縁層の被覆は技術的に非常に問題があり、そのた
め現在まで量産には実用されていない。
公知法のこれらの欠点は本発明によって除去される。す
なわち本発明の目的は電導層の接触位置を絶縁被覆から
大きい費用なしに露出しうる製法を得ることである。さ
らにこの方法はできるだけ小さい工業的費用をもって自
動化しうるように形成されなければならない。
なわち本発明の目的は電導層の接触位置を絶縁被覆から
大きい費用なしに露出しうる製法を得ることである。さ
らにこの方法はできるだけ小さい工業的費用をもって自
動化しうるように形成されなければならない。
この目的は本発明により乾燥過程後、接触位置の範囲の
絶縁層へ、熱作用下に分解して絶縁層へ侵入する少なく
とも1つの分解成分を有する物質を被覆し、次に焼付過
程を実施することによって解決される。
絶縁層へ、熱作用下に分解して絶縁層へ侵入する少なく
とも1つの分解成分を有する物質を被覆し、次に焼付過
程を実施することによって解決される。
本発明は乾燥後に絶縁層がなお非常に多孔性であること
の認識から出発する。この多孔性絶縁層へ適当な性質の
物質を導入し、次に焼付過程を実施すると、絶縁層の個
々の孔は閉鎖されない。絶縁層の多孔性部分の電導層に
対する付着力に影響するこの効果はこの層部分の次の処
理す々わちこの層部分の除去の際または層部分を電導材
料の支持体として利用する際に有利に利用することがで
きる。
の認識から出発する。この多孔性絶縁層へ適当な性質の
物質を導入し、次に焼付過程を実施すると、絶縁層の個
々の孔は閉鎖されない。絶縁層の多孔性部分の電導層に
対する付着力に影響するこの効果はこの層部分の次の処
理す々わちこの層部分の除去の際または層部分を電導材
料の支持体として利用する際に有利に利用することがで
きる。
本発明の有利な実施例によれば少なくとも1つの金属成
分が絶縁層へ浸入しうる有機金属化合物が物質として被
覆される。この実施例の場合したがって多孔性絶縁層は
物質の電導性金属成分の支持体として使用され、この成
分は焼付過程の間に絶縁層の孔へ拡散し、孔は互いに結
合しているので、絶縁層の電導層に隣接する側と絶縁層
の他の側との間に電導ブリッジが形成される。このブリ
ッジの自由端は次に接続導線の接触に使用することがで
きる。接続導線と電導ブリッジ自由端との費用の低い迅
速に実施しうる結合を達成するため、絶縁層へ浸入しう
る・・ンダ付は性金属成分たとえば銅または金を含む有
機金属化合物を被覆するのが有利である。
分が絶縁層へ浸入しうる有機金属化合物が物質として被
覆される。この実施例の場合したがって多孔性絶縁層は
物質の電導性金属成分の支持体として使用され、この成
分は焼付過程の間に絶縁層の孔へ拡散し、孔は互いに結
合しているので、絶縁層の電導層に隣接する側と絶縁層
の他の側との間に電導ブリッジが形成される。このブリ
ッジの自由端は次に接続導線の接触に使用することがで
きる。接続導線と電導ブリッジ自由端との費用の低い迅
速に実施しうる結合を達成するため、絶縁層へ浸入しう
る・・ンダ付は性金属成分たとえば銅または金を含む有
機金属化合物を被覆するのが有利である。
この目的に適する有機金属化合物としてたとえばジメチ
ル金・・ロゲニドが挙げられる。
ル金・・ロゲニドが挙げられる。
本発明の他の有利な実施例によれば少なくとも1つの成
分が絶縁層へ浸入することができ、かつ焼付過程の間に
この成分が電導性になる有機化合物が物質として被覆さ
れる。このような物質はたとえばポリビニルアルコール
であり、これは焼付過程の間に少なくとも1部炭素に変
化する。それゆえ電導ブリッジはこの実施例では炭素か
ら々る。その際表示器の接触は常用法により電導ゴムを
介して行われる。
分が絶縁層へ浸入することができ、かつ焼付過程の間に
この成分が電導性になる有機化合物が物質として被覆さ
れる。このような物質はたとえばポリビニルアルコール
であり、これは焼付過程の間に少なくとも1部炭素に変
化する。それゆえ電導ブリッジはこの実施例では炭素か
ら々る。その際表示器の接触は常用法により電導ゴムを
介して行われる。
本発明のもう1つの有利な実施例によれば焼付過程の間
少なくとも1部蒸発または燃焼する有機物質が被覆され
、焼付過程後分解成分を含む絶縁層が除去される。この
方法の場合前記方法と異なり電導材料からなるブリッジ
は得られず、少なくとも1部蒸発または燃焼する物質に
よって、この有機物質が絶縁物質の孔へ導入された位置
では多孔層と電導層の間に大きい付着効果の発生が阻止
され、それによって焼付過程後、層の多孔性に留まる部
分はブラッシングま゛たは超音波に°よって容易に除去
することができる。とくに良好な結果すなわち物質を被
覆した範囲の絶縁層の低いち密化は残渣なく蒸発する有
機物質を被覆する場合に達成されることが明らかになっ
た。すなわち残渣が少しも存在しないことによって、個
々の孔壁はその厚さが拡大されないので、絶縁層のこの
部分はとくに容易にきれいに除去することができる。こ
の方法にハセルロース化合物タトえばニトロセルロース
を使用することができる。
少なくとも1部蒸発または燃焼する有機物質が被覆され
、焼付過程後分解成分を含む絶縁層が除去される。この
方法の場合前記方法と異なり電導材料からなるブリッジ
は得られず、少なくとも1部蒸発または燃焼する物質に
よって、この有機物質が絶縁物質の孔へ導入された位置
では多孔層と電導層の間に大きい付着効果の発生が阻止
され、それによって焼付過程後、層の多孔性に留まる部
分はブラッシングま゛たは超音波に°よって容易に除去
することができる。とくに良好な結果すなわち物質を被
覆した範囲の絶縁層の低いち密化は残渣なく蒸発する有
機物質を被覆する場合に達成されることが明らかになっ
た。すなわち残渣が少しも存在しないことによって、個
々の孔壁はその厚さが拡大されないので、絶縁層のこの
部分はとくに容易にきれいに除去することができる。こ
の方法にハセルロース化合物タトえばニトロセルロース
を使用することができる。
本発明はさらに離れて配置された2つのガラス基板を有
し、その上にそれぞれ電導層、絶縁層および場合により
配向層ならびにその間に電場内で整列する結晶を有する
液体が存在し、かつ電導層の接触位置と結合している電
気的接続要素を有する電子光学的表示素子とくに液晶表
示器に関する。
し、その上にそれぞれ電導層、絶縁層および場合により
配向層ならびにその間に電場内で整列する結晶を有する
液体が存在し、かつ電導層の接触位置と結合している電
気的接続要素を有する電子光学的表示素子とくに液晶表
示器に関する。
このような表示素子は原則的に公知であるけれど、前記
公知法によって比較的大きい費用によらなければ製造し
得ない欠点を有する。製造を簡単にするため本発明によ
り各接触位置の範囲で絶縁層の孔は電導物質によって充
てんされ、この物質は一方では接触位置と、他方では接
続要素と結合している。
公知法によって比較的大きい費用によらなければ製造し
得ない欠点を有する。製造を簡単にするため本発明によ
り各接触位置の範囲で絶縁層の孔は電導物質によって充
てんされ、この物質は一方では接触位置と、他方では接
続要素と結合している。
接触位置の範囲の絶縁層の孔の充てんは前記方法によっ
て実現することができる。しかし個々の接触位置の範囲
の絶縁層の孔を充てんするため、さらに他の方法も考え
られる。たとえば孔を圧力を使用して、または絶縁層の
接触位置に隣接する部分へ真空を適用して電導物質で充
てんすることもできる。
て実現することができる。しかし個々の接触位置の範囲
の絶縁層の孔を充てんするため、さらに他の方法も考え
られる。たとえば孔を圧力を使用して、または絶縁層の
接触位置に隣接する部分へ真空を適用して電導物質で充
てんすることもできる。
孔を2メチル金ハロゲニドからなる物質によって充てん
するのが有利なことが明らかになった。このような物質
によって電導層および叛続導線と物質との接触のとくに
良好な結果が達成される。
するのが有利なことが明らかになった。このような物質
によって電導層および叛続導線と物質との接触のとくに
良好な結果が達成される。
次に本発明を図面により説明する。
第1図の液晶セルは互いに離れて配置された2つのガラ
ス基板1,2およびその間に収容した液晶物質3からな
る。ガラス基板1.2の液晶物質側表面にインジウム−
スズ酸化物かうする電導層牛が被覆される。この層の上
に2酸化ケイ素からなる絶縁層5、その上にたとえばポ
リイミドからなる配向層6がある。2つのガラス基板l
および2はその上に配置された層とともにガラスハンダ
フレーム7または接着剤フレームによって互いに結合さ
れる。
ス基板1,2およびその間に収容した液晶物質3からな
る。ガラス基板1.2の液晶物質側表面にインジウム−
スズ酸化物かうする電導層牛が被覆される。この層の上
に2酸化ケイ素からなる絶縁層5、その上にたとえばポ
リイミドからなる配向層6がある。2つのガラス基板l
および2はその上に配置された層とともにガラスハンダ
フレーム7または接着剤フレームによって互いに結合さ
れる。
液晶セルに種々の制御導線8を接続するため、ガラスハ
ンダフレーム7の外側で配向層6および絶縁層5が除去
される。露出した電導層4に接続導線8がハンダ付けさ
れる。配向層の除去はこの場合一般に困難は少しもない
けれど、絶縁層5の除去はこの層を公知法で除去する限
り前記欠点を伴う。
ンダフレーム7の外側で配向層6および絶縁層5が除去
される。露出した電導層4に接続導線8がハンダ付けさ
れる。配向層の除去はこの場合一般に困難は少しもない
けれど、絶縁層5の除去はこの層を公知法で除去する限
り前記欠点を伴う。
絶縁層5の除去は本発明の方法によれば第2図に示すよ
うに、短い乾燥過程の後なお多孔性の絶縁層5′へ焼付
過程の間に蒸発する物質9を被覆することによって行わ
れる。焼付過程の間この物質9の蒸気は絶縁層5′の孔
へ侵入するので、焼付過程終了後被覆した物質9の範囲
の絶縁層5′は多孔性に留まり、この範囲外の絶縁層は
閉鎖され、しかがってその下にある電導層牛へ強力に付
着する。
うに、短い乾燥過程の後なお多孔性の絶縁層5′へ焼付
過程の間に蒸発する物質9を被覆することによって行わ
れる。焼付過程の間この物質9の蒸気は絶縁層5′の孔
へ侵入するので、焼付過程終了後被覆した物質9の範囲
の絶縁層5′は多孔性に留まり、この範囲外の絶縁層は
閉鎖され、しかがってその下にある電導層牛へ強力に付
着する。
次に超音波洗浄法によって多孔性材料は容易に除去され
るので、洗浄法に続いて接続導線8を電導層牛ヘハンダ
付けすることができる。
るので、洗浄法に続いて接続導線8を電導層牛ヘハンダ
付けすることができる。
蒸発または燃焼する有機物質としてはニトロセルロース
を使用することができる。
を使用することができる。
第3図に示す方法の場合、絶縁層を局部的に除去するの
でなくて、絶縁層は電導ブリッジを備える。そのために
短い乾燥処理した多孔性絶縁層5′ヘジメチル金・・ロ
ゲ=ドた左えばジメチル金クロリド、ジメチル金プロミ
ドもしくはジメチル金シアニドまたは他のジメチル金属
ハロゲニド物質を被覆し、この物質が絶縁層5′の孔へ
拡散する。多孔性絶縁層5′の孔へこの物質が拡散浸入
した後、基板を焼付処理し、その結果絶縁層5′は拡散
浸入した電導材料を有する範囲まで硬化し、その下にあ
る電導層牛と固く結合する。
でなくて、絶縁層は電導ブリッジを備える。そのために
短い乾燥処理した多孔性絶縁層5′ヘジメチル金・・ロ
ゲ=ドた左えばジメチル金クロリド、ジメチル金プロミ
ドもしくはジメチル金シアニドまたは他のジメチル金属
ハロゲニド物質を被覆し、この物質が絶縁層5′の孔へ
拡散する。多孔性絶縁層5′の孔へこの物質が拡散浸入
した後、基板を焼付処理し、その結果絶縁層5′は拡散
浸入した電導材料を有する範囲まで硬化し、その下にあ
る電導層牛と固く結合する。
この電導性になった物質10へ接続導線8をハンダ付け
することができる。電導物質はその外側範囲で硬化した
絶縁層5′に固定されているので、絶縁層から電導物質
が離脱することは普通の使用の際には発生しない過大な
機械的応力がハンダ付は位置にかかる場合にしか考えら
れない。
することができる。電導物質はその外側範囲で硬化した
絶縁層5′に固定されているので、絶縁層から電導物質
が離脱することは普通の使用の際には発生しない過大な
機械的応力がハンダ付は位置にかかる場合にしか考えら
れない。
ある。
1.2・・・ガラス基板、3・・・液晶物質、4・・・
電導層、5・・・絶縁層、6・・・配向層、7・・・ガ
ラスノーンダフレーム、8・・・接続導線、9,1o・
・・有機物質
電導層、5・・・絶縁層、6・・・配向層、7・・・ガ
ラスノーンダフレーム、8・・・接続導線、9,1o・
・・有機物質
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、 互いに離れて配置された2つのガラス基板を有し
、その上にそれぞれ電導層、絶縁層およびその間に電場
内で整列する結晶を有する液体が存在し、かつ電導層の
接触位置と結合している電気的接続要素を有する電子光
学的素子において、各接触位置の範囲で絶縁層(5、5
’)の孔が電導物質(lO)で充てんされ、この物質が
一方で接触位置と、他方で接続要素(8)と結合してい
ることを特徴とする電子光学的表示素子。 2、物質(10)がジメチル金ハロゲニドカラなる特許
請求の範囲第1項記載の素子。 3、 ガラス基板へ電導層、その上へ絶縁層を被覆し、
この絶縁層をまず乾燥し、次に焼付処理し、電導層の接
触位置の範囲の絶縁層を除去する、互いに離れて配置さ
れた2つのガラス基板、その上の電導層、絶縁層、その
間の電場内で整列する結晶を有する液体および電導層の
接触位置と結合している電気的接続要素を有する電子光
学的表示素子の製法において、乾燥過程後、接触位置の
範囲の絶縁層(5、5’)へ熱作用下に分解して絶縁層
(5゜5′)へ侵入する少なくとも1つの分解成分を有
する物質(9,10)を被覆し、次に焼付過程を実施す
ることを特徴とする電子光学的表示素子の製法。 東 物質(10)として、少なくとも1つの金属成分が
絶縁層へ侵入する有機金属化合物を被覆する特許請求の
範囲第3項記載の製法。 5、絶縁層(5、5’)へ侵入するハンダ付は性金属成
分を有する有機金属化合物(10)を被覆する特許請求
の範囲第4項記載の製法。 6 物質として、少なくとも1つの成分が絶縁層(5、
5’)へ侵入して焼付過程の間に電導性になる有機化合
物を被覆する特許請求の範囲第3項記載の製法。 7 焼付過程の間に少なくとも一部蒸発または燃焼する
有機物質(9)を被覆し、焼付過程後、分解生成物を有
する絶縁層(’5.5’)を除去する特許請求の範囲第
3項記載の製法。 8、残渣なく蒸発または燃焼する有機物質を被覆する特
許請求の範囲第7項記載の製法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE31383734 | 1981-09-26 | ||
DE19813138373 DE3138373A1 (de) | 1981-09-26 | 1981-09-26 | Elektrooptisches anzeigeelement sowie verfahren zum herstellen elektrooptischer anzeigeelemente |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5870212A true JPS5870212A (ja) | 1983-04-26 |
Family
ID=6142695
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57165187A Pending JPS5870212A (ja) | 1981-09-26 | 1982-09-24 | 電子光学的表示素子およびその製造 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4483591A (ja) |
EP (1) | EP0075706B1 (ja) |
JP (1) | JPS5870212A (ja) |
DE (1) | DE3138373A1 (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60220317A (ja) * | 1984-04-18 | 1985-11-05 | Hitachi Ltd | 液晶表示素子 |
JPS61130927A (ja) * | 1984-11-30 | 1986-06-18 | Hitachi Ltd | 液晶表示装置 |
JPS6438726A (en) * | 1987-08-05 | 1989-02-09 | Hitachi Ltd | Liquid crystal display device |
US6894758B1 (en) | 1999-03-08 | 2005-05-17 | Seiko Epson Corporation | Liquid crystal device and manufacturing method thereof |
JP2007199664A (ja) * | 2005-12-28 | 2007-08-09 | Citizen Miyota Co Ltd | 液晶表示装置とその製造方法 |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6246482U (ja) * | 1985-09-06 | 1987-03-20 | ||
CH676889A5 (ja) * | 1988-09-16 | 1991-03-15 | Asulab Sa | |
US5130833A (en) * | 1989-09-01 | 1992-07-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal device and manufacturing method therefor |
US5818562A (en) * | 1995-01-12 | 1998-10-06 | Goldstar Co., Ltd. | Liquid crystal display device |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US3682700A (en) * | 1968-08-15 | 1972-08-08 | Gale Ind Inc | Method of imparting electrical conductivity to an amorphous substrate by ion implantation,and the product thereof |
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JPS5068688A (ja) * | 1973-10-19 | 1975-06-09 | ||
FR2290762A1 (fr) * | 1974-11-06 | 1976-06-04 | Lignes Telegraph Telephon | Procede de realisation de contacts ohmiques pour circuits en couche mince |
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DE2735493C2 (de) * | 1977-08-05 | 1981-10-15 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren zur Herstellung einer Flüssigkristallzelle und danach hergestellte Flüssigkristallzelle |
DE2929589A1 (de) * | 1979-07-04 | 1981-01-22 | Bbc Brown Boveri & Cie | Verfahren zur herstellung eines optisch transparenten und elektrisch leitfaehigen filmmusters |
US4362903A (en) * | 1980-12-29 | 1982-12-07 | General Electric Company | Electrical conductor interconnect providing solderable connections to hard-to-contact substrates, such as liquid crystal cells |
US4413257A (en) * | 1981-07-13 | 1983-11-01 | Beckman Instruments, Inc. | Conductive particle lead termination for an electro-optic display |
-
1981
- 1981-09-26 DE DE19813138373 patent/DE3138373A1/de active Granted
-
1982
- 1982-08-16 EP EP82107424A patent/EP0075706B1/de not_active Expired
- 1982-09-13 US US06/416,994 patent/US4483591A/en not_active Expired - Fee Related
- 1982-09-24 JP JP57165187A patent/JPS5870212A/ja active Pending
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JP2007199664A (ja) * | 2005-12-28 | 2007-08-09 | Citizen Miyota Co Ltd | 液晶表示装置とその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE3138373A1 (de) | 1983-04-07 |
US4483591A (en) | 1984-11-20 |
EP0075706A2 (de) | 1983-04-06 |
DE3138373C2 (ja) | 1989-11-23 |
EP0075706B1 (de) | 1987-04-08 |
EP0075706A3 (en) | 1984-10-03 |
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