JPS5864065A - 半導体集積回路の腐食作用防止装置 - Google Patents

半導体集積回路の腐食作用防止装置

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JPS5864065A
JPS5864065A JP57163786A JP16378682A JPS5864065A JP S5864065 A JPS5864065 A JP S5864065A JP 57163786 A JP57163786 A JP 57163786A JP 16378682 A JP16378682 A JP 16378682A JP S5864065 A JPS5864065 A JP S5864065A
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JP
Japan
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ring
semiconductor integrated
integrated circuit
corrosion
positive ions
Prior art date
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Pending
Application number
JP57163786A
Other languages
English (en)
Inventor
ユルゲン・ロルフ・ゲ−ツ
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Siemens Schuckertwerke AG
Siemens AG
Original Assignee
Siemens Schuckertwerke AG
Siemens AG
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Publication date
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Pending legal-status Critical Current

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    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/564—Details not otherwise provided for, e.g. protection against moisture
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
    • H01L23/585—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries comprising conductive layers or plates or strips or rods or rings
    • H—ELECTRICITY
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    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
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  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、半導体集積回路の酸化物絶縁膜内を急速に動
く正イオンによって生じる腐食作用を防止するための装
置に関するものである。
半導体素子、特に半導体集積回路の酸化物絶縁膜内には
急速に動く正イオンが遊離していることは知られている
。このイオンは、回路上に設けられているアルミニウム
導体路を腐食したり、あるいは半導体集積回路内の機能
ユニットの動作電圧を変動させたりする可能性がある。
本発明の目的は、上述の正イオンによって生じる腐食作
用を防止する可能性を提供することである。
この目的は、初めに述べた型の装置において、本発明に
よれば、半導体集積回路の表面上に、その動作時の正イ
オンによる腐食に対して安定な材料から成り負電圧に接
続されたリングを設けることによって達成される。
本発明の実施態様については特許請求の範囲第２項以下
に記載されている。
次に図面を参照して本発明をさらに詳細に説明する。
半導体集積回路１０の表面は酸化物によって形成されて
おり、その上に本発明により、集積回路動作時の正イオ
ンによる腐食に対して安定な材料から成るリング１１が
設けられている。リング１１の材料としてはポリシリコ
ンや、ケイ化タンタル、ケイ化モリブデンあるいはケイ
化タングステン等のケイ化物を用いることができる。こ
のリング１１の外側忙は端子電極（パッド）１２を配設
することができ、この端子電極１２を介して、半導体集
積回路１０内に構成されている電気回路は外部へ導出さ
れる。
リング１１を負電圧に接続するために、例えばアルミニ
ウム導体路またはポリシリコン導体路の形の導電接続部
１３を端子電極１２に導くことができ、この端子電極工
２１（リング１１のための負電圧を印加する。
−負電圧を印加されたリングＩＩは半導体集積回路の表
面上の醒化物内に遊離した急速に動く正イオンに対する
落し穴として作用する。
腐食防止のために負電圧ヲ面加されるリングを設けると
いう対策は、半導体素子や半導体集積回路の酸化物絶縁
膜内には実際上玉イオンのみが遊離しており、負イオン
は遊離しないために可能である。
半導体集積回路の表面上には正イオンによる腐食に対し
て保護されなければならない特にアルミニウム導体路の
形の導体路も延びているので、リング１１は例えば端子
電極１２へ導体路を導くため疋中断することもできる。
このような手段は、図には端子電極１２に導かれている
導体路１４によって略示されている。
【図面の簡単な説明】
図は本発明の一実施例を示す平面図である。 １０・・・半導体集積回路、　１１・・・リング、１２
・・・端子電極０

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １）半導体集積回路の酸化物絶縁膜内を急速に勧く正イ
    オンによって生じる腐食作用を防止するための装置にお
    いて、半導体集積回路の表面上に、半導体集積回路の動
    作時の正イオンによる腐食に対して安定な材料から成り
    負電圧に接続されたリングを設けたことを特徴、とする
    半導体集積回路の腐食作用防止装置。 ２）リングの材料としてポリシリコンが用いられている
    ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の腐食作用
    防止装置。 ３）リングの材料として、ケイ化タンタル、ケイ化モリ
    ブデン、あるいはケイ化タングステン等のケイ化物が用
    いられていることを特徴とする特許請求の範囲第１項記
    載の腐食作用防止装置。 ４）リングは半導体集積回路の端子電極の内側に設けら
    れていることを特徴とする特許請求の範囲第１項（いし
    第３項のいずれかに記載の腐食作用防止装置。 ５）リングは、導体路が端子電極に導かれている箇所で
    中断されていることを特徴とする特許請求の範囲第１項
    ないし第４項のいずれかに記載の腐食作用防止装置。 ６）少くとも一つの導電接続部がポリシリコンから成る
    リングより少なくとも一つの端子電極に導かれているこ
    とを特徴とする特許請求の範囲第１項ないし第５項のい
    ずれかに記載の腐食作用防止装置。
JP57163786A 1981-09-23 1982-09-20 半導体集積回路の腐食作用防止装置 Pending JPS5864065A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE31379141 1981-09-23
DE19813137914 DE3137914A1 (de) 1981-09-23 1981-09-23 Anordnung zur kompensation von korrosionseffekten inintegrierten halbleiterschaltkreisen

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS5864065A true JPS5864065A (ja) 1983-04-16

Family

ID=6142440

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP57163786A Pending JPS5864065A (ja) 1981-09-23 1982-09-20 半導体集積回路の腐食作用防止装置

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Country Link
US (1) US4583109A (ja)
EP (1) EP0075331B1 (ja)
JP (1) JPS5864065A (ja)
AT (1) ATE39035T1 (ja)
DE (2) DE3137914A1 (ja)

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Also Published As

Publication number Publication date
US4583109A (en) 1986-04-15
EP0075331A3 (en) 1985-03-20
EP0075331B1 (de) 1988-11-30
DE3137914A1 (de) 1983-04-07
ATE39035T1 (de) 1988-12-15
EP0075331A2 (de) 1983-03-30
DE3279261D1 (en) 1989-01-05

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