JPS5851906B2 - 高周波スパッタリング用タ−ゲット磁器の製造方法 - Google Patents
高周波スパッタリング用タ−ゲット磁器の製造方法Info
- Publication number
- JPS5851906B2 JPS5851906B2 JP54105285A JP10528579A JPS5851906B2 JP S5851906 B2 JPS5851906 B2 JP S5851906B2 JP 54105285 A JP54105285 A JP 54105285A JP 10528579 A JP10528579 A JP 10528579A JP S5851906 B2 JPS5851906 B2 JP S5851906B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- high frequency
- porcelain
- frequency sputtering
- target
- zinc oxide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は酸化亜鉛の薄膜圧電結晶体を得るために使用す
る高周波スパッタリング用ターゲット磁器の製造方法に
関するものである。
る高周波スパッタリング用ターゲット磁器の製造方法に
関するものである。
従来、球面部分を有するターゲット磁器は酸化亜鉛を仮
焼後粉砕し、これをラバープレスを用いて成形後、球面
を有する形状に切削し、750〜1400℃で焼成する
ことにより得ていた。
焼後粉砕し、これをラバープレスを用いて成形後、球面
を有する形状に切削し、750〜1400℃で焼成する
ことにより得ていた。
しかし、この方法では焼成時の収縮率のバラツキが2%
前後と大きく、陰極が挿入できないという問題があった
。
前後と大きく、陰極が挿入できないという問題があった
。
本発明は、焼成時の収縮率のバラツキを小さくし、ター
ゲット磁器の不良率を低減することを目的とする。
ゲット磁器の不良率を低減することを目的とする。
以下、本発明の一実施例について説明する。
この実施例の高周波スパッタリング用ターゲット磁器は
、まず従来と同様に酸化亜鉛粉末を700〜1200℃
で空気中にて仮焼し、これを粉砕、乾燥し、粘結剤を加
えて造粒・成形した後、これを750〜1400℃で大
気中にて焼成する。
、まず従来と同様に酸化亜鉛粉末を700〜1200℃
で空気中にて仮焼し、これを粉砕、乾燥し、粘結剤を加
えて造粒・成形した後、これを750〜1400℃で大
気中にて焼成する。
この焼結体をライカイ機を用いて粉砕する。
この粉体に対して、5〜20wt%の上記酸化亜鉛仮焼
粉末を加え、ざらに粘結剤として5wt%のポリビニー
ルアルコール(PVA)溶液を試料に対シテ5〜8wt
%加えて造粒の後、静水圧成形・研削加工により中空球
状または半球面を有する形状に成形加工した後、再び7
50〜1400℃の大気中で約2時間焼成固化すること
により得た。
粉末を加え、ざらに粘結剤として5wt%のポリビニー
ルアルコール(PVA)溶液を試料に対シテ5〜8wt
%加えて造粒の後、静水圧成形・研削加工により中空球
状または半球面を有する形状に成形加工した後、再び7
50〜1400℃の大気中で約2時間焼成固化すること
により得た。
この形状の一例を図に示しており、半径rの球面部分を
有するスパッタリング用ターゲット磁器である。
有するスパッタリング用ターゲット磁器である。
このようにして得られたターゲット磁器は、焼成時の収
縮率が焼成温度750〜1400℃で0〜2%と非常に
小さく、寸法精度が高く、ターゲット磁器の不良率は従
来の5%から0.1%に減少した。
縮率が焼成温度750〜1400℃で0〜2%と非常に
小さく、寸法精度が高く、ターゲット磁器の不良率は従
来の5%から0.1%に減少した。
しかも、このターゲット磁器を使用して得られた薄膜圧
電体の特性は、従来法のものと何ら遜色ないだけでなく
、ターゲット寿命が従来の2力月から4ケ月と2倍の寿
命になり、生産性の向上に寄与し、その産業的価値は高
いものである。
電体の特性は、従来法のものと何ら遜色ないだけでなく
、ターゲット寿命が従来の2力月から4ケ月と2倍の寿
命になり、生産性の向上に寄与し、その産業的価値は高
いものである。
なお、粉体に対して加えられる酸化亜鉛仮焼粉末が5w
t%未満の場合は、仮焼粉末がバインダーとしての役目
を果さず、得られたターゲット磁器の焼結性が悪い。
t%未満の場合は、仮焼粉末がバインダーとしての役目
を果さず、得られたターゲット磁器の焼結性が悪い。
また、酸化亜鉛仮焼粉末が粉体に対して20wt%を超
えた場合は、再焼成時の構成粒子における収縮率のバラ
ツキが大きく、クラック発生の原因となる。
えた場合は、再焼成時の構成粒子における収縮率のバラ
ツキが大きく、クラック発生の原因となる。
図は本発明方法により得られた半径rの球面部分を有す
るスパッタリング用ターゲット磁器の一例を示す半断面
図である。
るスパッタリング用ターゲット磁器の一例を示す半断面
図である。
Claims (1)
- 1 酸化亜鉛粉末を仮焼後粉砕し、これを750〜14
00℃の温度で焼威後再び粉砕し、この粉体に5〜20
wt%の上記酸化亜鉛仮焼粉末を加え、球面部分を有す
る形状に成形切削し、これを750〜1400℃で再焼
成固化することを特徴とする高周波スパッタリング用タ
ーゲット磁器の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP54105285A JPS5851906B2 (ja) | 1979-08-17 | 1979-08-17 | 高周波スパッタリング用タ−ゲット磁器の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP54105285A JPS5851906B2 (ja) | 1979-08-17 | 1979-08-17 | 高周波スパッタリング用タ−ゲット磁器の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5632364A JPS5632364A (en) | 1981-04-01 |
JPS5851906B2 true JPS5851906B2 (ja) | 1983-11-18 |
Family
ID=14403397
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP54105285A Expired JPS5851906B2 (ja) | 1979-08-17 | 1979-08-17 | 高周波スパッタリング用タ−ゲット磁器の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5851906B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01129044U (ja) * | 1988-02-24 | 1989-09-04 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105565798B (zh) * | 2015-12-18 | 2018-09-04 | 广东风华高新科技股份有限公司 | 氧化锌靶材的制备方法及氧化锌薄膜的制备方法 |
-
1979
- 1979-08-17 JP JP54105285A patent/JPS5851906B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01129044U (ja) * | 1988-02-24 | 1989-09-04 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5632364A (en) | 1981-04-01 |
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