JPS5851906B2 - 高周波スパッタリング用タ−ゲット磁器の製造方法 - Google Patents

高周波スパッタリング用タ−ゲット磁器の製造方法

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Publication number
JPS5851906B2
JPS5851906B2 JP54105285A JP10528579A JPS5851906B2 JP S5851906 B2 JPS5851906 B2 JP S5851906B2 JP 54105285 A JP54105285 A JP 54105285A JP 10528579 A JP10528579 A JP 10528579A JP S5851906 B2 JPS5851906 B2 JP S5851906B2
Authority
JP
Japan
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high frequency
porcelain
frequency sputtering
target
zinc oxide
Prior art date
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Expired
Application number
JP54105285A
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English (en)
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JPS5632364A (en
Inventor
孝之 黒田
新二 島崎
拓興 畑
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication date
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  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は酸化亜鉛の薄膜圧電結晶体を得るために使用す
る高周波スパッタリング用ターゲット磁器の製造方法に
関するものである。
従来、球面部分を有するターゲット磁器は酸化亜鉛を仮
焼後粉砕し、これをラバープレスを用いて成形後、球面
を有する形状に切削し、７５０〜１４００℃で焼成する
ことにより得ていた。
しかし、この方法では焼成時の収縮率のバラツキが２％
前後と大きく、陰極が挿入できないという問題があった
。
本発明は、焼成時の収縮率のバラツキを小さくし、ター
ゲット磁器の不良率を低減することを目的とする。
以下、本発明の一実施例について説明する。
この実施例の高周波スパッタリング用ターゲット磁器は
、まず従来と同様に酸化亜鉛粉末を７００〜１２００℃
で空気中にて仮焼し、これを粉砕、乾燥し、粘結剤を加
えて造粒・成形した後、これを７５０〜１４００℃で大
気中にて焼成する。
この焼結体をライカイ機を用いて粉砕する。
この粉体に対して、５〜２０ｗｔ％の上記酸化亜鉛仮焼
粉末を加え、ざらに粘結剤として５ｗｔ％のポリビニー
ルアルコール（ＰＶＡ）溶液を試料に対シテ５〜８ｗｔ
％加えて造粒の後、静水圧成形・研削加工により中空球
状または半球面を有する形状に成形加工した後、再び７
５０〜１４００℃の大気中で約２時間焼成固化すること
により得た。
この形状の一例を図に示しており、半径ｒの球面部分を
有するスパッタリング用ターゲット磁器である。
このようにして得られたターゲット磁器は、焼成時の収
縮率が焼成温度７５０〜１４００℃で０〜２％と非常に
小さく、寸法精度が高く、ターゲット磁器の不良率は従
来の５％から０．１％に減少した。
しかも、このターゲット磁器を使用して得られた薄膜圧
電体の特性は、従来法のものと何ら遜色ないだけでなく
、ターゲット寿命が従来の２力月から４ケ月と２倍の寿
命になり、生産性の向上に寄与し、その産業的価値は高
いものである。
なお、粉体に対して加えられる酸化亜鉛仮焼粉末が５ｗ
ｔ％未満の場合は、仮焼粉末がバインダーとしての役目
を果さず、得られたターゲット磁器の焼結性が悪い。
また、酸化亜鉛仮焼粉末が粉体に対して２０ｗｔ％を超
えた場合は、再焼成時の構成粒子における収縮率のバラ
ツキが大きく、クラック発生の原因となる。
【図面の簡単な説明】
図は本発明方法により得られた半径ｒの球面部分を有す
るスパッタリング用ターゲット磁器の一例を示す半断面
図である。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １ 酸化亜鉛粉末を仮焼後粉砕し、これを７５０〜１４
    ００℃の温度で焼威後再び粉砕し、この粉体に５〜２０
    ｗｔ％の上記酸化亜鉛仮焼粉末を加え、球面部分を有す
    る形状に成形切削し、これを７５０〜１４００℃で再焼
    成固化することを特徴とする高周波スパッタリング用タ
    ーゲット磁器の製造方法。
JP54105285A 1979-08-17 1979-08-17 高周波スパッタリング用タ−ゲット磁器の製造方法 Expired JPS5851906B2 (ja)

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JPS5632364A JPS5632364A (en) 1981-04-01
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