JPS58500880A - オプトエレクトロニクコンポ−ネント - Google Patents

オプトエレクトロニクコンポ−ネント

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JPS58500880A
JPS58500880A JP57502311A JP50231182A JPS58500880A JP S58500880 A JPS58500880 A JP S58500880A JP 57502311 A JP57502311 A JP 57502311A JP 50231182 A JP50231182 A JP 50231182A JP S58500880 A JPS58500880 A JP S58500880A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 オプトエレクトロニクコンポーネント 技術分野 本発明は、廉価でかつ任意の形の用途に使用し得るオプトエレクトロニクコンポ ーネントに関する。
背景技術 発光半導体(LED等)及び感光半導体は通常ユニットとして製造され、特殊機 械により個々のチンブ(一端の長さ約0.3鶴)に分割され、特殊工具により移 動されて担体材料、例えばプリント基板に付着する。接続するために、接点はポ ンディング工具により付着されるが、この作業は非常に複雑であり且つ高度のノ ウハウ及び多額の投資を必要とする臨界的作業である。加えて、ポンディング点 は機械的及び大気の影響を防ぐため迅速に覆われなければならない。
よって発光及び感光半導体に対するこのような従来の処理技術は、実際には多数 専門家のいる工場において大量に生産されるときのみ実施し得るのである。特殊 型をつくるのは非常に困難が又は非常に高価となる。結果として、従来がら使用 されているLED表示器は、例えばデジタル表示用7素子表示器、アルファヌメ リソク表示用の16素子表示器、点又は小さい符号としての発光ダイオードの如 き大幅に標準化されている。
それ故に、ユーザーに取っては、ディスプレー装置には非常に限られた範囲があ るだけである。特殊な用途に使う特殊表示器は上に述べた処理技術に関しては並 々ならぬ大きい出費を要する。
よりて本発明の目的は、これらの欠点を除去し、低廉な製造価格(よって必要な 場合にはユーザー自身により製造することができるような)であり、かつ任意用 途の形状のものを製造するため使用し得るオプトエレクトロニクコンポーネント を提供するにある。
発明の開示 本発明によれば、a)オブトエレクトロニク半導体、b)この半導体に対する絶 縁材料より成る担体、C)該担体の表面に付着され且つ該半導体に接続され、そ して該半導体を支持している担体の該外方表面から該担体の反対側の外方表面ま で伸びてそこに端子接触表面を形成する2個の端子、d)該半導体及び該半導体 と該2個の端子との接続部品を覆っている光透過層により成ることを特徴とする オプトエレクトロニクコンポーネントが提供される。
かくして、本発明によれば、該オブトエレクトロニク半導体は処理工程の第一工 程に於いて取扱容易なブロック形状とされる。
なかんづく、上述のポンディングという臨界的工程はこの第一工程において行わ れるので、この第一工程におけるオブトエレクトロニクコンポーネントの加工処 理がユーザーとは完全に関係がないことは、顕著な経済的重要性である。それに よってこのオブトエレクトロニクコンポーネントの製造は大量に標準化すること ができ、またそれ故に非常に経済的に行うことができる。
このようにして製造されたオブトエレクトロニクコンポーネントにおいては、該 半導体及び2(I!の端子への接続、特にポンディング線は光透過層によって覆 われて満足に保護され、それ故にこのコンポーネントの発送及びその後の取扱に ついて何等特別な注意を必要としない。
このようなコンポーネントを用いてユーザーが任意のディスプレー及びオプトエ レクトロニク装置を最も単純な方法で製造することができるということは特に有 利な点である。このためには、絶縁体によりつくられた担体の1つの外方表面上 にそれぞれの端子が接触表面を形成しているという本発明に係る端子の構造が特 に重要である。何故ならばこのコンポーネントとより大きい回路装置間の電気的 接続を最も単純な方法においてつくり得るからである。かくしてユーザーは本発 明に係るコンポーネントをプリント配線基板上に所望位置に配置しそれを単純な はんだ付は又は接着によって接続するだけでよいのである。このように需要が比 較的小量でしかも最も複雑なディスプレー装置をユーザー自身が苦もなく製造す ることができるのである。
図面の簡単な説明 第1図は本発明に係るオプトエレクトロニクコンポーネントの第1実施例の側面 図、第2図は第1図に係るコンポーネントの平面図、第3図及び第4図は第2実 施例の側面図及び平面図、第5゜6.7.8図は本発明に係るコンポーネントの 数個の応用例の路線図である。
発明を実施するための最良の形態 本発明の有利な構造は実施態様項の主題であり、以下図面を参照しながら実施例 について一層詳細に説明しよう。
第1図及び第2図に示すオプトエレクトロニクコンポーネント+11はオプトエ レクトロニク半導体(2)(例えばLED)、絶縁材料、好ましくはセラミック 材料より成る担体(3)、該担体(3)の表面に付着され、本実施例においては 、該半導体(2)を支持している担体の広い側面から、2個の前端を越えて、担 体の他の広い側面まで伸び、そこでそれぞれ接触端表面(4a) 、(5a)を 形成する2個の端子+41. (51を含む。
該半導体(2)の下方面は導電性接着剤(6)により、端子(4)の表面に接着 される。該半導体(2)の上方表面は他の端子(5)へ接続線、所謂ポンディン グ線(7)により接続される。
第1図及び第2図に示す実施例においては、該半導体(2)は担体(3)の上方 の広い側面より持上がって配置される。光透過層、好ましくはエポキシ樹脂より 成る該層は半導体(2)を支持している担体(3)の広い側面全体を覆うことに より、該半導体(2)、ポンディング線(7)及び端子+41. +51を保護 する。
担体は正方形構造とする。その幅Bは高々1.27鶴であって、慣用のプリント 回路のスキャン寸度(1/10”)に対応する。図示の実施例においては、担体 (3)の長さしは凡そ3.2鶴であり、高さHは凡そ0.6諺である。
半導体(2)を覆っているエポキシ樹脂の層(8)は、ドーム状に湾曲する。そ れは光透過性として無色又は着色のいずれでもよい。用途によっては、該層(8 )に光散乱特性を与えることも望ましい。
該2個の端子(4)及び(5)は異なる長さとして、ユーザーがそれらを容易に 見別けられるごとくするのもよい。
第3図及び第4図に示す第2実施例においては、担体(3′)は凹部(3’a) をそなえ、その中に半導体(2′)を配置する。該2個の端子(4′)及び(5 ′)は担体(3′)の2個の広い側面のそれぞれに設けられた2個の端子部分( 4’a)、(4’b)及び(5′aゝ(5’b)と、該2個の端子部分を接続し かつ担体(3′)の孔(9)又はαφを貫通する導体素子(4’c)又は(5’ c)より成る。
半導体(2′)は接着剤(6′)により該端子(4′)へそしてボンディングワ イヤ(7′)により該端子(5′)へ接続゛される。凹部(3’a)はエポキシ 樹脂の層(8′)により覆われる。
第5図乃至第8図は本発明に係るコンポーネントの若干の応用例を示す。
第5図は回路(12)を印刷した回路基板(11)の一部を示し、その上に2個 のオブトエレクトロニクコンポーネント(ll及び(1a)が置かれる。コンボ ーネン) (11の場合、接触端表面(4a) (第1図参照)は例えば回路( 12a)と接触しており、接触端表面(5a)(第1図参照)は回路(12b) と接触している。該コンポーネント(11,(la)と回路(12)の間の端子 接続ははんだ付は又は導電性接着剤により通常の方法で行われる。
リフレクタ(13)は、例えばその上方表面上に文字を描いてもよいが、該2個 のオプトエレクトロニクコンポーネント(11,(la)の上方に配置される。
図示の実施例においては、リフレクタ(13)はピン(15)によって回路基板 (11)上に取付けられる。
第6図は回路(17)及び電気的コンポーネン)(18)を取付けた回路基板( 16)のもう1つの実施例を示す。上方にリフレクタ(19)を配置した本発明 に係るオプトエレクトロニクコンボーネント(11は該回路基板の図示の断面上 の点に設けられる。
第7図に係る実施例においては、回路基板(20)は、なかんづくプレスキー( 21)とオプトエレクトロニクコンポーネント(1)を担持する。該回路基板( 20)の上方にはカバー板(22)が設けられ、これらの部品を支持する。
第8図は有孔条片又は有孔円板(23)を読むための装置を全く路線図の形で示 す。発光コンポーネント+11は送信器として一方の側に設けられ感光コンポー ネント(1a)は受信器として反対側に設けられる。これら2個のコンポーネン トはここではその接触端表面(例えば(4a) 、(5a) 、第1図参照)を 金属ピン(24) 。
(25)又は(24a ) 、(25a )の上に置かれそれにはんだ付けされ 又は導電的に接着される。
上記実施例においては該担体はセラミック材料より成るとしたが、勿論本発明の 範囲内においてガラス又はほうろうびき綱よりつくることも可能である。加えて 、該担体は正確に正方形であ不必要はなく、例えばその2個の前方端に凹部を有 してそこを通って該端子が1つの外方表面より他の外方表面へと伸びる如くして もよい。
FIG、 7 FIG、2 FIG、 3 FIG、4 F/G、8 国際調査報告

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1.8)オプトエレクトロニク半導体(2)、b)絶縁材料より成るこの半導体 用担体(3)、C)該担体(3)の表面に付着されかつ該半導体(2)に接続さ れ、゛ □該半導体を支持している担体(3)の外方表面から該担体の反対側の 外方表面まで伸びて、そこで接触端表面(4a又は5a)を形成する2個−の端 子(4又は5)、d)該半導体(2)及びそれと該2個の端子(4,5>との接 続部品を覆っている光透過層(8) を有することを特徴とするオプトエレクトロニクコンポーネント。 2、該半導体が発光ダイオード(LED)である特許請求の範囲第1項記載のオ プトエレクトロニクコンポーネント。 3、該半導体が感光半導体素子である特許請求の範囲第1項記載のオプトエレク トロニクコンポーネント。 4、該担体(3)が略々正方形であって高々1.27nの巾である特許請求の範 囲第1項記載のオプトエレクトロニクコンポーネント。 5、゛ 該半導体(2)の下面が該1つの端子(4)に導電性接着剤(6)によ り接続されそして該半導体の上方面が接続線(ボンディングワイヤ(7))によ り他の端子(5)に接続された特許請求の範囲第1項記載のオプトエレクトロニ クコンポーネント。 6、該2個の端子(4,5)が、該半導体(2)を支持している担体(3)の広 い側面から該担体の2個の端面を越えて担体の他の広い側面まで伸びて、そこで それぞれ接触端表面(4a、5a )を形成した特許請求の範囲第1項記載のオ プトエレクトロニクコンポーネント。 7、該2個の端子(4“、5′)がそれぞれ担体(3′)の2個の広い側面上に 設けられた2個の端子部(4′a、4’b、5’a、5’b)と該2個の端子部 を接続しかつ担体(3′)内の孔(9,10)を通過する導体素子(4′c、5 ’c)より成る特許請求の範囲第1項記載のオブトエレクトロニクコンポーネン ト。 8、該半導体(2)が担体(3)の1つの広い側面より立ち上がるように配列さ れた特許請求の範囲第1項記載のオプトエレクトロニクコンポーネント。 9、該半導体(2′)が担体(3′)の1つの広い側面に設けられた凹部(3’ a)内に配列された特許請求の範囲第1項記載のオブトエレクトロニクコンポー ネント。 10、該半導体(2)と、該半導体と1つの端子(5)の間の接続線(7)を覆 う光透過層(8)がエポキシ樹脂より成る特許請求の範囲第1項記載のオブトエ レクトロニクコンポーネント。 11、該エポキシ樹脂層(8)が半導体(2)を支持している担体(3)の広い 側面全体を覆った特許請求の範囲第8項又は第10項記載のオプトエレクトロニ クコンポーネント。 12、該エポキシ樹脂層(8′)が半導体(2′)を収容する凹部(3’a)を 覆った特許請求の範囲第9項又は第10項記載のオプトエレクトロニクコンポー ネント。 13、該担体(3)がセラミック材料より成る特許請求の範囲第1項記載のオ、 プトエレクトロニクコンポーネント。 14、該担体(3)が長さ・3.2鶴、中1.27fi及び高さ0.6日である 特許請求の範囲第4項記載のオプトエレクトロニクコンポーネント。 15、該半導体(2)を覆っているエポキシ樹脂層(8)がドーム状に湾曲した 特許請求の範囲第10項記載のオブトエレクトロニクコンポーネント。 16、該半導体を覆っている層が着色された特許請求の範囲第15項記載のオプ トエレクトロニクコンポーネント。 17、該半導体を覆っている層が光散乱特性を有する特許請求の範囲第15項記 載のオブトエレクトロニクコンポーネント。 18.リフレクタ(13)をその上に設けた特許請求の範囲第1項記載のオブト エレクトロニクコンポーネント。 19、該2個の端子(4,5)が異なる長さである特許請求の範囲第1項記載の オプトエレクトロニクコンポーネント。 20、該担体がガラースより成る特許請求の範囲該1項記載のオブトエレクトロ ニクコンポーネント。 21、該担体がほうろうびき鋼である特許請求の範囲第1綱記載のオプトエレク トロニクコンポーネント。 ’t!it1.l?58−500880 (2)
JP57502311A 1981-07-16 1982-07-16 オプトエレクトロニクコンポ−ネント Pending JPS58500880A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002064226A (ja) * 2000-06-28 2002-02-28 Agilent Technol Inc 光 源
WO2006132150A1 (ja) * 2005-06-07 2006-12-14 Fujikura Ltd. 発光素子実装用基板および発光素子モジュール
WO2006132147A1 (ja) * 2005-06-07 2006-12-14 Fujikura Ltd. 発光素子実装用ホーロー基板とその製造方法、発光素子モジュール、照明装置、表示装置及び交通信号機

Families Citing this family (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0225131A3 (en) * 1985-11-29 1989-05-31 AT&T Corp. Semiconductor light emitting device and method of forming same
DE3607142A1 (de) * 1986-03-05 1987-09-10 Ap Products Gmbh Leuchtdioden-anordnung
GB2228618B (en) * 1989-02-27 1993-04-14 Philips Electronic Associated Radiation detector
DE58908841D1 (de) * 1989-05-31 1995-02-09 Siemens Ag Oberflächenmontierbares Opto-Bauelement.
ES2150409T3 (es) * 1989-05-31 2000-12-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Procedimiento para montar un opto-componente que se puede montar sobre una superficie.
JP3127195B2 (ja) * 1994-12-06 2001-01-22 シャープ株式会社 発光デバイスおよびその製造方法
US6274890B1 (en) 1997-01-15 2001-08-14 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor light emitting device and its manufacturing method
DE19746893B4 (de) 1997-10-23 2005-09-01 Siemens Ag Optoelektronisches Bauelement mit Wärmesenke im Sockelteil und Verfahren zur Herstellung
DE19755734A1 (de) 1997-12-15 1999-06-24 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung eines oberflächenmontierbaren optoelektronischen Bauelementes
DE19918370B4 (de) 1999-04-22 2006-06-08 Osram Opto Semiconductors Gmbh LED-Weißlichtquelle mit Linse
DE19963264B4 (de) * 1999-12-17 2007-05-31 Optotransmitter-Umweltschutz-Technologie E.V. Trägermaterial für elektronische Hochleistungs-Bauelemente in SMD-Bauform und ein damit hergestelltes elektronisches Hochleistungs-Bauelement
DE10159544A1 (de) * 2001-12-05 2003-06-26 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiter-Bauelementes und damit hergestelltes Bauelement
TWI237546B (en) 2003-01-30 2005-08-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Semiconductor-component sending and/or receiving electromagnetic radiation and housing-basebody for such a component
EP1620903B1 (en) * 2003-04-30 2017-08-16 Cree, Inc. High-power solid state light emitter package
DE10342263A1 (de) 2003-09-11 2005-04-28 Infineon Technologies Ag Optoelektronisches Bauelement und optoelektronische Anordnung mit einem optoelektronischen Bauelement
US8975646B2 (en) 2004-05-31 2015-03-10 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelectronic semiconductor component and housing base for such a component
US7534633B2 (en) 2004-07-02 2009-05-19 Cree, Inc. LED with substrate modifications for enhanced light extraction and method of making same
DE102006032416A1 (de) 2005-09-29 2007-04-05 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierendes Bauelement
JP2009534866A (ja) 2006-04-24 2009-09-24 クリー, インコーポレイティッド 横向き平面実装白色led
US8021904B2 (en) 2007-02-01 2011-09-20 Cree, Inc. Ohmic contacts to nitrogen polarity GaN
US11114594B2 (en) 2007-08-24 2021-09-07 Creeled, Inc. Light emitting device packages using light scattering particles of different size
US8368100B2 (en) 2007-11-14 2013-02-05 Cree, Inc. Semiconductor light emitting diodes having reflective structures and methods of fabricating same
US8536584B2 (en) 2007-11-14 2013-09-17 Cree, Inc. High voltage wire bond free LEDS
US9634191B2 (en) 2007-11-14 2017-04-25 Cree, Inc. Wire bond free wafer level LED
US9431589B2 (en) 2007-12-14 2016-08-30 Cree, Inc. Textured encapsulant surface in LED packages
US9093293B2 (en) 2009-04-06 2015-07-28 Cree, Inc. High voltage low current surface emitting light emitting diode
US8476668B2 (en) 2009-04-06 2013-07-02 Cree, Inc. High voltage low current surface emitting LED
US8329482B2 (en) 2010-04-30 2012-12-11 Cree, Inc. White-emitting LED chips and method for making same
USD826871S1 (en) 2014-12-11 2018-08-28 Cree, Inc. Light emitting diode device

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5224878B1 (ja) * 1970-11-18 1977-07-04
JPS5343884B2 (ja) * 1972-11-13 1978-11-24
JPS55107283A (en) * 1979-02-09 1980-08-16 Matsushita Electric Ind Co Ltd Luminous diode

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL290121A (ja) * 1963-03-12
US3374533A (en) 1965-05-26 1968-03-26 Sprague Electric Co Semiconductor mounting and assembly method
FR1480988A (fr) 1965-05-27 1967-05-12 Ass Elect Ind Perfectionnement au montage des dispositifs semi-conducteurs
FR1490665A (fr) * 1966-06-14 1967-08-04 Radiotechnique Coprim Rtc Diode électroluminescente et son procédé de fabrication
GB1258660A (ja) * 1969-12-19 1971-12-30
GB1425829A (en) * 1972-04-26 1976-02-18 Rca Corp Vertical deflection circuit
DE2227322C3 (de) * 1972-06-05 1980-12-18 Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt Diffusstrahlende Lumineszenz-Halbleiterdiode mit einem Halbleiterkörper
JPS5310862Y2 (ja) * 1972-12-28 1978-03-23
DE2351997A1 (de) 1973-10-17 1975-04-30 Licentia Gmbh Mit kunststoff umhuellter halbleiter mit mindestens drei flaechenhaften anschlusselementen
US3911430A (en) * 1974-04-17 1975-10-07 Fairchild Camera Instr Co Alpha-numeric display package
DE2425855C2 (de) * 1974-05-28 1982-09-23 Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt Fotoelektrische Leseeinheit zum Lesen optisch abtastbarer Vorlagen
CA1016679A (en) * 1975-02-14 1977-08-30 Stephen C. Fowler Alpha-numeric display package
CA1023039A (en) * 1975-02-28 1977-12-20 Bowmar Canada Limited Light emitting diode display
JPS5257789A (en) * 1975-11-07 1977-05-12 Hitachi Ltd Photo coupled semiconductor device
JPS5353983U (ja) * 1976-10-12 1978-05-09
FR2400817A1 (fr) * 1977-08-19 1979-03-16 Radiotechnique Compelec Dispositifs electroluminescents pour affichage au soleil
DD138852A1 (de) * 1978-09-18 1979-11-21 Guenter Heine Kunststoffumhuelltes optoelektronisches halbleiterbauelement
FR2471054A1 (fr) * 1979-11-30 1981-06-12 Bosch Gmbh Robert Dispositif lumineux a diode

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5224878B1 (ja) * 1970-11-18 1977-07-04
JPS5343884B2 (ja) * 1972-11-13 1978-11-24
JPS55107283A (en) * 1979-02-09 1980-08-16 Matsushita Electric Ind Co Ltd Luminous diode

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002064226A (ja) * 2000-06-28 2002-02-28 Agilent Technol Inc 光 源
WO2006132150A1 (ja) * 2005-06-07 2006-12-14 Fujikura Ltd. 発光素子実装用基板および発光素子モジュール
WO2006132147A1 (ja) * 2005-06-07 2006-12-14 Fujikura Ltd. 発光素子実装用ホーロー基板とその製造方法、発光素子モジュール、照明装置、表示装置及び交通信号機
US7537359B2 (en) 2005-06-07 2009-05-26 Fujikura Ltd. Substrate for mounting light-emitting element and light-emitting element module
US7572039B2 (en) 2005-06-07 2009-08-11 Fujikura, Ltd. Porcelain enamel substrate for mounting light emitting device and method of manufacturing the same, light emitting device module, illumination device, display unit and traffic signal
US8382345B2 (en) 2005-06-07 2013-02-26 Fujikara Ltd. Porcelain enamel substrate for mounting light emitting device and method of manufacturing the same, light emitting device module, illumination device, display unit and traffic signal

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Publication number Publication date
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EP0083627B1 (de) 1985-10-30

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