JPS5845143B2 - ケ−ブル接続部 - Google Patents

ケ−ブル接続部

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Publication number
JPS5845143B2
JPS5845143B2 JP54057025A JP5702579A JPS5845143B2 JP S5845143 B2 JPS5845143 B2 JP S5845143B2 JP 54057025 A JP54057025 A JP 54057025A JP 5702579 A JP5702579 A JP 5702579A JP S5845143 B2 JPS5845143 B2 JP S5845143B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
cable connection
insulating layer
tape
shrinkable tube
cable
Prior art date
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Expired
Application number
JP54057025A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS55150573A (en
Inventor
勲 水沼
俊夫 又吉
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Fujikura Cable Works Ltd
Original Assignee
Fujikura Cable Works Ltd
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Publication date
Application filed by Fujikura Cable Works Ltd filed Critical Fujikura Cable Works Ltd
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Publication of JPS55150573A publication Critical patent/JPS55150573A/ja
Publication of JPS5845143B2 publication Critical patent/JPS5845143B2/ja
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Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、接続部の耐電圧特性を向上させるケーブル接
続部に関するものである。
従来、ケーブルを接続するのに、導体を接続した上に、
ケーブル絶縁体と同程度か、それ以上の電気的特性を有
する絶縁テープを纏巻するか、モールド、プレモールド
等により絶縁層を形成していた。
ケーブルの接続部は、ケーブル自体のように工場の機械
で均一な作業により製造した製品と違って、手作業が入
るので均一性に欠け、電気的性能がどうしても劣ること
はまぬがれ得ない。
従って、接続部の絶縁厚を厚くすることが行なわれてい
るが、寸法的な制約もあり、どうしても電気的性能、特
に耐電圧特性に弱点が生ずることがあるのは避けられな
い。
本発明は、上述の点に鑑みてなされたもので、接続部の
絶縁層が導体側から外側に向って順次誘電率が小さくな
るように形成されていることを特徴とするものである。
本発明の実施例を図面について説明すると、第１図にお
いて、導体１をスリーブ２で接続し、その上に内側半導
電性テープ３をまく。
次に両側の半導電層を剥ぎとったケーブル絶縁体４の上
にまたがって、誘電率の異なる絶縁層を誘電率の大きさ
の順に、第１のテープ巻絶縁層５、第２のテープ巻絶縁
層６、第３のテープ巻絶縁層７等を施し、最後にテープ
巻外部半導電層８を施ｉ、てケーブル接続部を得る。
本発明の他の実施例を第２図について説明すると、導体
１をスリーブ２で接続し、その上に半導電収縮性チュー
ブを両側のケーブル絶縁体４をまたいで被せ、熱等によ
り収縮させる。
次いで誘電率の異なる絶縁収縮性チューブを誘電率の大
きさの順に、第１絶縁収縮性チユーブ１０、第２絶縁収
縮性チユーブ１１、第３絶縁収縮性チユーブ１２等を順
次熱等で収縮被覆し、最後に外部半導収縮性チューブ１
３を施してケーブル接続部を得る。
以−Ｌのように本発明のケーブル接続部は、その絶縁層
が導体側は誘電率が大きな絶縁材料で構成され、外側に
いくにつれて誘電率の小さい絶縁材料で形成されている
が、電界は誘電率に逆比例するので絶縁層全体を同一の
絶縁材料（平均誘電率）で構成した場合に比して電界強
度の大きい導体近傍の最大電界強度を低くおさえること
ができ、また絶縁層内の電界を均一に近くする効果が得
られる。
したがって電気的性能、特に耐電圧特性のすぐれたケー
ブル接続部が構成できる。
又、第２図の方法によると、絶縁テープを巻かないで熱
収縮等によって、誘電率の異なった複数の収縮性チュー
ブを予め重ねておき、これを一度に収縮させて絶縁層を
形成することも出来るので工数の節約にもなるという利
点がある。
【図面の簡単な説明】
第１図、第２図は本発明ケーブル接続部の一部縦断面図
で、第１図はテープ巻による場合、第２図は収縮性チュ
ーブによる場合を示す。 １・・・・・・導体、２・・・・・・スリーブ、３・・
・・・・内部半導電層、４・・・・・・ケーフル絶縁体
、５・−・・・・第１テープ巻絶縁層、６・・・・・・
第２テープ巻絶縁層、８・・曲外部テープ巻半導電層、
９・・・・・・内部半導電収縮性チューブ、１０・・・
・・・第１絶縁収縮性チユーブ、１３・・・・・・外部
半導電収縮性チューブ。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １ ケーブル接続部の絶縁層が、導体側から外側に向っ
    て順次誘電率が小さくなるように形成されていることを
    特徴とするケーブル接続部。
JP54057025A 1979-05-11 1979-05-11 ケ−ブル接続部 Expired JPS5845143B2 (ja)

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JPS55150573A JPS55150573A (en) 1980-11-22
JPS5845143B2 true JPS5845143B2 (ja) 1983-10-07

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60140460U (ja) * 1984-02-29 1985-09-17 池田物産株式会社 座席の肘掛け
JPS60158449U (ja) * 1984-03-29 1985-10-22 しげる工業株式会社 ア−ムレスト装置
JPS61116549U (ja) * 1984-12-30 1986-07-23
DE112021001083T5 (de) 2020-02-19 2022-12-15 Globalwafers Japan Co., Ltd. Herstellungsverfahren für Halbleitersiliziumwafer

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