JPS5844769A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPS5844769A JPS5844769A JP14294581A JP14294581A JPS5844769A JP S5844769 A JPS5844769 A JP S5844769A JP 14294581 A JP14294581 A JP 14294581A JP 14294581 A JP14294581 A JP 14294581A JP S5844769 A JPS5844769 A JP S5844769A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 14
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 13
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 5
- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims abstract description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims abstract description 3
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims abstract description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 12
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 3
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 2
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011669 selenium Substances 0.000 claims description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 claims 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 claims 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims 1
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000008267 milk Substances 0.000 claims 1
- 210000004080 milk Anatomy 0.000 claims 1
- 235000013336 milk Nutrition 0.000 claims 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000011135 tin Substances 0.000 claims 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 abstract description 5
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 4
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 abstract description 3
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 abstract 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 abstract 1
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 abstract 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 17
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 6
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 238000000197 pyrolysis Methods 0.000 description 3
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- MAKDTFFYCIMFQP-UHFFFAOYSA-N titanium tungsten Chemical compound [Ti].[W] MAKDTFFYCIMFQP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- 101100394045 Arabidopsis thaliana GXM2 gene Proteins 0.000 description 1
- 241000283690 Bos taurus Species 0.000 description 1
- 241000283153 Cetacea Species 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 Otori 11 Chemical compound 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000002109 crystal growth method Methods 0.000 description 1
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
- XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N trimethylgallium Chemical compound C[Ga](C)C XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/80—Field effect transistors with field effect produced by a PN or other rectifying junction gate, i.e. potential-jump barrier
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明ＩＸ酸素ドープ牛ｌＰ１鍬性ＧａムＩムーエピタ
キシャル層にイオン注入法を用いて、所望の不純物な圧
入して半導体装置を製造する方法に関する。
キシャル層にイオン注入法を用いて、所望の不純物な圧
入して半導体装置を製造する方法に関する。
エピタキシャル成長したＧａＡｊム−結晶中に酸素（０
，）をドーピングすることにより、当該結晶を半絶縁化
（比抵抗が１０６〜１ｇ７Ω・ｃｍ ） Ｌうることが
確−されて（・る、かかる半絶縁性ＧａＡＪム謳 結晶
は、二酸化シリコ；／ （８ｉ（ｈ ）や輩化シリ；ン
（８ｉ、Ｎ、 ）膜で被服して７二−ルすることによ
り。
，）をドーピングすることにより、当該結晶を半絶縁化
（比抵抗が１０６〜１ｇ７Ω・ｃｍ ） Ｌうることが
確−されて（・る、かかる半絶縁性ＧａＡＪム謳 結晶
は、二酸化シリコ；／ （８ｉ（ｈ ）や輩化シリ；ン
（８ｉ、Ｎ、 ）膜で被服して７二−ルすることによ
り。
熱処理温度が当該ＧａＡＪＡｓ 結晶成長温度より６
０〜７０（”Ｃ）高い場合でも、処理時間が３０分以内
であれば熱変成１にはとんと受けないことが経験されて
いる。
０〜７０（”Ｃ）高い場合でも、処理時間が３０分以内
であれば熱変成１にはとんと受けないことが経験されて
いる。
従来、電界効果トランジスタ（ＭＩＳＦＥＴ）など−こ
おける動作層の形成は、りｐム（Ｃｒ）などをドープし
りＧａＡｓ１板にシリコン（Ｓｌ）などの不純物をイオ
ン注入することによって行なわれていた。上述の方法に
よると、形成された動作層は、キャリヤーを捕獲するト
ラップ尋が多いためにその結晶特性が悪く、半導体装置
の高速性、信来性の不足の原因となっていた。
おける動作層の形成は、りｐム（Ｃｒ）などをドープし
りＧａＡｓ１板にシリコン（Ｓｌ）などの不純物をイオ
ン注入することによって行なわれていた。上述の方法に
よると、形成された動作層は、キャリヤーを捕獲するト
ラップ尋が多いためにその結晶特性が悪く、半導体装置
の高速性、信来性の不足の原因となっていた。
本発明の目的は上述した従来技術における欠点な解決す
るにあり、かかる目的のため本願の発明者は上述した半
絶縁性ＧａＡｊＡｓ結畠の特性を利用し、基板上にエピ
タキシャル成長した当ｄ半絶縁性Ｇ畠ム７Ａ廊 結晶に
不純物イオン注入することにより。
るにあり、かかる目的のため本願の発明者は上述した半
絶縁性ＧａＡｊＡｓ結畠の特性を利用し、基板上にエピ
タキシャル成長した当ｄ半絶縁性Ｇ畠ム７Ａ廊 結晶に
不純物イオン注入することにより。
結晶性の嵐い半導体装置の製造方法を提供する。
以下、添付図面を参照して本発明の詳細な説明する。
本発明の実施例はダブルへテロ構造レーザーダイオード
Ｃ以下ＤＨ−ＬＤと略記する）にモノリシックにＭＩＳ
ＦＥＴ が形成されている０ＫＩＣ（Ｏｐｔ。
Ｃ以下ＤＨ−ＬＤと略記する）にモノリシックにＭＩＳ
ＦＥＴ が形成されている０ＫＩＣ（Ｏｐｔ。
Ｋｌｅｅｔｒｏｎｉｅｌｎｔ＠ｇｒａｔｓｄＣｉｒｃｕ
ｉｔ ）の製作に関す心。
ｉｔ ）の製作に関す心。
ＤＨ−ＬＤ結晶の成長は有機金属熱分解法によって行な
われた。第１図を工かかる結晶成長方法の装置の械略図
である。同図を参照すると、縦属反応管１内に結晶基板
２が設−され、車紋反応管外周部には高周波加熱コイル
３が配値されている。原料となるガスは各ボンベから反
応管ｌ内に導入されるが、それらはトリメチルガリウム
（ＣＨａ ）ｓ Ｇａ（以下ＴＭＧと略す）、トリメ
チルフルミニラム（ＣＬ ）ａ Ａｎ （以下ＴＭＡ
ト略ス） 、 ７ ｋ ｊ ７ Ａｓ＆（ａｔ−＜−ス
中５饅の重量比で含まれる）、ドーパントガス（ｐ型に
はジグチル亜鉛、鳳１１工愼化水素＆８がｌｌ量比１０
０ ｐｐｍ で水素ベースで含まれたもの）であり。
われた。第１図を工かかる結晶成長方法の装置の械略図
である。同図を参照すると、縦属反応管１内に結晶基板
２が設−され、車紋反応管外周部には高周波加熱コイル
３が配値されている。原料となるガスは各ボンベから反
応管ｌ内に導入されるが、それらはトリメチルガリウム
（ＣＨａ ）ｓ Ｇａ（以下ＴＭＧと略す）、トリメ
チルフルミニラム（ＣＬ ）ａ Ａｎ （以下ＴＭＡ
ト略ス） 、 ７ ｋ ｊ ７ Ａｓ＆（ａｔ−＜−ス
中５饅の重量比で含まれる）、ドーパントガス（ｐ型に
はジグチル亜鉛、鳳１１工愼化水素＆８がｌｌ量比１０
０ ｐｐｍ で水素ベースで含まれたもの）であり。
結晶成長は１配ガスの流量および温度な必＊に応じて変
化させて行なうが。
化させて行なうが。
本発明においてを工Ｖ下のような条件下で結晶成長が行
なわれた。
なわれた。
すなわち％ＴＭＧバブラー４およびＴＭムバプラー６の
温曵をそれぞれ−２０（℃） 、 −１０（’Ｃ） Ｋ
保ち、 ＴＭＧの鳥ｔｌ／Ｌ１を３ Ｕ Ｏ（ＣＩ：／
ｍｉｎ ） 、 ’ＩＭＡ のル流量を１００ （
（ｊｅ／ｍ１ｎ） 、ムｓＨ，の扼皇を １２００
（ｃｃ／ｍ１ｎ）、キャリヤーガスＨ１の流量を５ｏθ
（Ｃｃ／ ｍ１ｎ） Ｋ ｅ定Ｌ テｎ” ＧａＡｓＪ
板上Ｋ ＤＭ−ＬＤの結晶成長が行なわれた。ＤＨ−Ｌ
Ｄの１−ＧａＡ轟バッファ 層＊ ｎ Ｇａ・、マムｌ
・４．ム畠クラッド層、シーＧ＆ムｌ活性層、ｐ−Ｇａ
・、マム１・０．ムＳタラッド層、Ｇａム膳フンタクト
層の５つの結晶層はすべ【当該有機金属熱分解法によっ
て行なわれ、各層の成長は原料ガスの−ｓＲ量を変える
ことにより、成長速度、および組成を制御しながら行な
われた。
温曵をそれぞれ−２０（℃） 、 −１０（’Ｃ） Ｋ
保ち、 ＴＭＧの鳥ｔｌ／Ｌ１を３ Ｕ Ｏ（ＣＩ：／
ｍｉｎ ） 、 ’ＩＭＡ のル流量を１００ （
（ｊｅ／ｍ１ｎ） 、ムｓＨ，の扼皇を １２００
（ｃｃ／ｍ１ｎ）、キャリヤーガスＨ１の流量を５ｏθ
（Ｃｃ／ ｍ１ｎ） Ｋ ｅ定Ｌ テｎ” ＧａＡｓＪ
板上Ｋ ＤＭ−ＬＤの結晶成長が行なわれた。ＤＨ−Ｌ
Ｄの１−ＧａＡ轟バッファ 層＊ ｎ Ｇａ・、マムｌ
・４．ム畠クラッド層、シーＧ＆ムｌ活性層、ｐ−Ｇａ
・、マム１・０．ムＳタラッド層、Ｇａム膳フンタクト
層の５つの結晶層はすべ【当該有機金属熱分解法によっ
て行なわれ、各層の成長は原料ガスの−ｓＲ量を変える
ことにより、成長速度、および組成を制御しながら行な
われた。
以上Ｉｌ！明した如き方法によってＤＨ−ＬＤの低龜度
バッフ７層を含めて５層すべてをｎ＋型ＧｍＡｓ ＩＩ
ｓ板上に成長させ、続いて０ＩＣＩＣなモノリシックに
作成するため酸素ドープ半絶縁性Ｇａム１ム１ｔｌ−成
長させる。かかる半絶縁性ＧａＡｓ１板成！には、ＤＨ
−ＬＤ ｍ造をエピタキシャル成長した段階で、一度基
板な成長炉から取り出し、しかる後ＬＤ 形成部分１２
を残してノすエツチングする。他の部分は基板までエツ
チングする。次に再び結晶成長炉に基板を入れ、ドーパ
ントガスとして重量比で５０ ｐｐｍ の酸系な含む水
素ガスを１０〜１５ （Ｃｃ ／ ｗｉｍ ）の流量で
流して、＃嵩ドープ牛絶縁性ＧａＡｊＡｓ結晶な成長さ
せる。当該酸素ドープ牛絶縁性ＧａＡｊＡｓ 膜はＤＩ
！−ＬＤのバッジベージ３ン撫となると同時に、Ｍｌｇ
）’ＥＴ を基本素子とするスイッチング、センスア
ンプ、ドライバー等のＩＣ形成の母・材料となる。
バッフ７層を含めて５層すべてをｎ＋型ＧｍＡｓ ＩＩ
ｓ板上に成長させ、続いて０ＩＣＩＣなモノリシックに
作成するため酸素ドープ半絶縁性Ｇａム１ム１ｔｌ−成
長させる。かかる半絶縁性ＧａＡｓ１板成！には、ＤＨ
−ＬＤ ｍ造をエピタキシャル成長した段階で、一度基
板な成長炉から取り出し、しかる後ＬＤ 形成部分１２
を残してノすエツチングする。他の部分は基板までエツ
チングする。次に再び結晶成長炉に基板を入れ、ドーパ
ントガスとして重量比で５０ ｐｐｍ の酸系な含む水
素ガスを１０〜１５ （Ｃｃ ／ ｗｉｍ ）の流量で
流して、＃嵩ドープ牛絶縁性ＧａＡｊＡｓ結晶な成長さ
せる。当該酸素ドープ牛絶縁性ＧａＡｊＡｓ 膜はＤＩ
！−ＬＤのバッジベージ３ン撫となると同時に、Ｍｌｇ
）’ＥＴ を基本素子とするスイッチング、センスア
ンプ、ドライバー等のＩＣ形成の母・材料となる。
以上述べた処理の結果ＧＸＭ２図（ａ） Ｋ示す如（に
なる、同図において１１はｎ＋ 型Ｇａム一 基板、１
２６よりＨ−ＬＤ形成部分、１３は酸系ドープ半絶縁性
ＧａＡｊＡａ 結晶層（犀さ２ 声−）であり、ムで
示さされる領域はスイフチ及びアンプ等のＩＣ形成領域
であう、以下第２図を参照してＭＩＣｇｊ”ｌＴ を
基本素子とす金スイッチング、ドライバー等の ＩＣ形
成について説明する。ＩＣＧ工第２図（ａ）におけるム
の部分にイオン仕入法によりＭｉＣｌｌＦＩＴ を作
成し、形成される。
なる、同図において１１はｎ＋ 型Ｇａム一 基板、１
２６よりＨ−ＬＤ形成部分、１３は酸系ドープ半絶縁性
ＧａＡｊＡａ 結晶層（犀さ２ 声−）であり、ムで
示さされる領域はスイフチ及びアンプ等のＩＣ形成領域
であう、以下第２図を参照してＭＩＣｇｊ”ｌＴ を
基本素子とす金スイッチング、ドライバー等の ＩＣ形
成について説明する。ＩＣＧ工第２図（ａ）におけるム
の部分にイオン仕入法によりＭｉＣｌｌＦＩＴ を作
成し、形成される。
すなわち第２図ｔａｒの素子載面全面にｓ魚へ 膜１４
を４５００１．の厚さに化学気相成長法（ｅＶｄ法）あ
るいはスパッター沃で沈着させる６次にホトリングラフ
イー法な用いて、 ＭＫｉｌＦＩＴ のオーミック電
極領域および動作層領域（第２ｌ−）の１５ 、１６の
位＊）を選択的に窓開きする０次いで該領域の戚素ドー
プ半絶縁性ＧａＡｊＡｓ 層１３にイオン仕入機を用
いて不純物（シリコン（８１）等）原子を加速電圧１２
０ Ｋ（ｅＶ） ｅドーズ量＄ Ｘ １０” （ＣＪ−
” ）＃） ４ｋｆＦ 下で注入′″ｆる（注入領域を
１７に示す）、シかる後リフトオフ法を用いて、ゲート
電極となる、チタン・タングステン（Ｔｉ＋Ｗ）金属（
ショットキーバリヤ電極）１５を動作層上に作成する。
を４５００１．の厚さに化学気相成長法（ｅＶｄ法）あ
るいはスパッター沃で沈着させる６次にホトリングラフ
イー法な用いて、 ＭＫｉｌＦＩＴ のオーミック電
極領域および動作層領域（第２ｌ−）の１５ 、１６の
位＊）を選択的に窓開きする０次いで該領域の戚素ドー
プ半絶縁性ＧａＡｊＡｓ 層１３にイオン仕入機を用
いて不純物（シリコン（８１）等）原子を加速電圧１２
０ Ｋ（ｅＶ） ｅドーズ量＄ Ｘ １０” （ＣＪ−
” ）＃） ４ｋｆＦ 下で注入′″ｆる（注入領域を
１７に示す）、シかる後リフトオフ法を用いて、ゲート
電極となる、チタン・タングステン（Ｔｉ＋Ｗ）金属（
ショットキーバリヤ電極）１５を動作層上に作成する。
さらに当該ゲート金属１５をセルフ７ラインによりマス
クとし℃セレン（８・）等不純−を加速電圧１２０Ｋ（
・Ｖ）ドーズ量４ Ｘ １Ｇ” （ｃａ−” ）の条件
で注入し、ソース・ドレインとなる？低抵抗電極層１８
を形成する。この！ＲＩｌｌｉｔＫおける当該半導体装
置の概略断面図が第２ｌ−）Ｋ示される・ 次にチタン・タングステン（Ｔｉ＋Ｗ）のシミツトキー
バリヤー電極１５を付けたまま、該半導体素子表面全面
に二酸化シリコン（１ｉ１０ｍ）膜な厚さ２５００１に
沈着させる。しかる後当該幻ｏａ Ｍをアニール保ｍ
＊として、温度８０Ｇ （”Ｃ） 、処理時間１５分で
７二−ルな行なう、この時ＤＨ−Ｌｔｌσ〕スＦライプ
部の亜鉛（ハ）の再拡敏も行なう。熱処理後の＃嵩ドー
プ半杷縁性ＧａＡｊＡｓ エピタ千ツヤル層の活性化
率は約７０〜７６−であり、また動作層１７およびｎ
−極層１８のキャリヤー酸度・工それぞれ８Ｘ１Ｇ’・
（ｃｍ−１） 、 ６ Ｘ １Ｇ” （ｃｍ ” ）で
あ６．第２図（ｃ） ＋ｘ当ｄＤｉｌ−ＬＤドライバー
＠ ＭｌｉｊｌＦＩＴの完成した場合の値略断ｍｉ図で
ある。なお上述した処場工楊におけるリングラフイーで
＆Ｘ、第２図に示すＤＩ−ＬＤの基板面からの＾さｄが
１（μ園 ）以下になるよ５メサエツチングの深さ及び
酸素ドープの半絶縁性Ｇ１ムＪＡａ の厚み制御が当
該半導体装置製作においてＪｋ要な因子となる。
クとし℃セレン（８・）等不純−を加速電圧１２０Ｋ（
・Ｖ）ドーズ量４ Ｘ １Ｇ” （ｃａ−” ）の条件
で注入し、ソース・ドレインとなる？低抵抗電極層１８
を形成する。この！ＲＩｌｌｉｔＫおける当該半導体装
置の概略断面図が第２ｌ−）Ｋ示される・ 次にチタン・タングステン（Ｔｉ＋Ｗ）のシミツトキー
バリヤー電極１５を付けたまま、該半導体素子表面全面
に二酸化シリコン（１ｉ１０ｍ）膜な厚さ２５００１に
沈着させる。しかる後当該幻ｏａ Ｍをアニール保ｍ
＊として、温度８０Ｇ （”Ｃ） 、処理時間１５分で
７二−ルな行なう、この時ＤＨ−Ｌｔｌσ〕スＦライプ
部の亜鉛（ハ）の再拡敏も行なう。熱処理後の＃嵩ドー
プ半杷縁性ＧａＡｊＡｓ エピタ千ツヤル層の活性化
率は約７０〜７６−であり、また動作層１７およびｎ
−極層１８のキャリヤー酸度・工それぞれ８Ｘ１Ｇ’・
（ｃｍ−１） 、 ６ Ｘ １Ｇ” （ｃｍ ” ）で
あ６．第２図（ｃ） ＋ｘ当ｄＤｉｌ−ＬＤドライバー
＠ ＭｌｉｊｌＦＩＴの完成した場合の値略断ｍｉ図で
ある。なお上述した処場工楊におけるリングラフイーで
＆Ｘ、第２図に示すＤＩ−ＬＤの基板面からの＾さｄが
１（μ園 ）以下になるよ５メサエツチングの深さ及び
酸素ドープの半絶縁性Ｇ１ムＪＡａ の厚み制御が当
該半導体装置製作においてＪｋ要な因子となる。
以上説明した如く、ば素ドープ半絶縁性ｏａＡｊム畠結
晶に不純物イオン注入を行なうことによって結晶性の喪
いモノリシックＫ ＭＩＳＦＩＴ が形成されていΦ
ｏｚｌｃ ｔｒｌｊｉ作することができる。同一にし
て、当＆！酸本ドープ牛絶縁性Ｇ１ム１ムＳ 結晶にイ
オン注入法を適用することにより、 ＭｉｅｇＦＩＴ
を基本素子とするドライバースイッチング素子、セン
スアンプ、論理回路を形成することが可能であり、さら
に個別半導体索子１例えばマイクル波帯領域やＵＩＦ
ｔ＆ｐｇ餉域のＭＩＳＦＩＴ丁 作成Ｖこも一用可此
であるため、牛４体鯨置屓作に奇与するところかきわめ
て大で、更に装置の信８ｉ性のｔ＝ｊ上１歩留まりの改
善などが期待できるものである。
晶に不純物イオン注入を行なうことによって結晶性の喪
いモノリシックＫ ＭＩＳＦＩＴ が形成されていΦ
ｏｚｌｃ ｔｒｌｊｉ作することができる。同一にし
て、当＆！酸本ドープ牛絶縁性Ｇ１ム１ムＳ 結晶にイ
オン注入法を適用することにより、 ＭｉｅｇＦＩＴ
を基本素子とするドライバースイッチング素子、セン
スアンプ、論理回路を形成することが可能であり、さら
に個別半導体索子１例えばマイクル波帯領域やＵＩＦ
ｔ＆ｐｇ餉域のＭＩＳＦＩＴ丁 作成Ｖこも一用可此
であるため、牛４体鯨置屓作に奇与するところかきわめ
て大で、更に装置の信８ｉ性のｔ＝ｊ上１歩留まりの改
善などが期待できるものである。
Ｍ１ｔｌＪｋ工有機金属熱分解法におけΦ気相成長装置
の械略図、ｌｉｉ２ｗＪｋ工ｍ” Ｇａム１ 基板上
にＤＢ−ＬＤとＭＮＪｉＦｌ’ｒ をモノリシックに
作成する工程における該デバイスの１７Ｉｍの概略断面
図である。 １１−・・低ｍ度ａ” ＧａＡ１基ｇ 、 １２−ＤＨ
−ＬＤ １Ｍ５分、１３−＠嵩ドープ半絶縁性Ｇａム！
ム畠、１４・・・ＳｉＯ！ＩｉＩ！。 １５・・・ＴＩ＋Ｗ高融点ゲート金属。 １６・・・オーミンク電＆部分（ンｉス電憾嘗ドレイン
電極）１７・・・動作層、 １ｇ・・・−低抵抗電幌層
。 １９・・・オーミンク電極 第１図
の械略図、ｌｉｉ２ｗＪｋ工ｍ” Ｇａム１ 基板上
にＤＢ−ＬＤとＭＮＪｉＦｌ’ｒ をモノリシックに
作成する工程における該デバイスの１７Ｉｍの概略断面
図である。 １１−・・低ｍ度ａ” ＧａＡ１基ｇ 、 １２−ＤＨ
−ＬＤ １Ｍ５分、１３−＠嵩ドープ半絶縁性Ｇａム！
ム畠、１４・・・ＳｉＯ！ＩｉＩ！。 １５・・・ＴＩ＋Ｗ高融点ゲート金属。 １６・・・オーミンク電＆部分（ンｉス電憾嘗ドレイン
電極）１７・・・動作層、 １ｇ・・・−低抵抗電幌層
。 １９・・・オーミンク電極 第１図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１） 基板上に酸素ドープ半絶縁性ガ□ウム１ルｉ
ニウム砒素（ＧａＡｊム−）層をエピタキシャル成長す
る工程、＠ ＧａＡｊＡｓ 層の所定領域に不純物を
イオン注入する工程、該不純物をイオン注入した領域を
活性化し半導体装置を形成する工程を有する半導体装置
の製造方法。 し） モノ替シックで金属−半導体電界効果トランジス
タ（ｍｚＢｉｔ ） を基本素子とする半導体装置の
製造において、基板上の＃素ドープ牛絶縁性ガリウムフ
ルミニウム砒嵩（ＧａＡｊＡｓ）エピタキシャル層を母
材とし、当＠ ＧａＡｊム易 層のＭＩ８ＦＫ丁のす−
ミツタ電極領域および動作層領域に不純物原子をイオン
注入する工程、しかる後当峡動作層領緘上にゲート電極
を形成する工程、ゲート金１４なマスクにして不純物原
子をドーピングしてｎ 低抵抗電極層を形成する工程、
当該半導体装ｔｌｌ衆向全面に二酸化シリコン（８１０
ｍ）ｍｉｌＫを沈着させ、当該８ｉＯ８膜を保−編とし
て、熱処理を行ない注入不純物を活性化する工程を含む
ことな％黴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体装
置の製造方法。 （３） 上記不純物原子がセレニウム、錫又はシリコ
ンであることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14294581A JPS5844769A (ja) | 1981-09-10 | 1981-09-10 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14294581A JPS5844769A (ja) | 1981-09-10 | 1981-09-10 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5844769A true JPS5844769A (ja) | 1983-03-15 |
| JPH023548B2 JPH023548B2 (ja) | 1990-01-24 |
Family
ID=15327296
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14294581A Granted JPS5844769A (ja) | 1981-09-10 | 1981-09-10 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5844769A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4940672A (en) * | 1989-03-17 | 1990-07-10 | Kopin Corporation | Method of making monolithic integrated III-V type laser devices and silicon devices on silicon |
| US4996163A (en) * | 1988-02-29 | 1991-02-26 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method for producing an opto-electronic integrated circuit |
| US5075239A (en) * | 1989-03-30 | 1991-12-24 | Alcatel N.V. | Method of making monolithic integrated optoelectronic modules |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5012985A (ja) * | 1973-06-01 | 1975-02-10 | ||
| JPS55117295A (en) * | 1979-03-02 | 1980-09-09 | Hitachi Ltd | Semiconductor light emitting element and fabricating the same |
-
1981
- 1981-09-10 JP JP14294581A patent/JPS5844769A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5012985A (ja) * | 1973-06-01 | 1975-02-10 | ||
| JPS55117295A (en) * | 1979-03-02 | 1980-09-09 | Hitachi Ltd | Semiconductor light emitting element and fabricating the same |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4996163A (en) * | 1988-02-29 | 1991-02-26 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method for producing an opto-electronic integrated circuit |
| US4940672A (en) * | 1989-03-17 | 1990-07-10 | Kopin Corporation | Method of making monolithic integrated III-V type laser devices and silicon devices on silicon |
| US5075239A (en) * | 1989-03-30 | 1991-12-24 | Alcatel N.V. | Method of making monolithic integrated optoelectronic modules |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH023548B2 (ja) | 1990-01-24 |
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