JPS5841480A - 磁気バブルメモリデバイスの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は高速で駆動でき、薄形かつ放熱性の良１、ｎ１
％傷頼性の磁気バブルメモリデバイスを祷るためＯ１ｌ
造方法に関するものである。

ｇｉｍｌは従来Ｃ）ＤＩＰ（Ｄｕａｌ　１ｍ１ｌｎ會Ｐ
ａｅ１ｃｍｇ＊）ＩＩＯ磁気パプルメ峰リゾすイス〇−
例を示す断曹構成図である。　ＰＩＷＡにおいて、例え
ばセライックなどくよ）形成された絶縁性１職１０中央
部にはキャビティ１ａが形成され、このキャビティ１ａ
内に磁気バブルメモリチップ！が接着して同定されてい
る。また図示されてい１に−が、この磁気バブルメモリ
チップ２上の電極と基ｓｉ上の電極間はボンディングワ
イヤ３で電気的に接続され、この基板１のキャビティ１
ａ内には磁気バブルメモリチップ２とポンディワイヤ３
とを保護する目的で応力緩和効果を有するチップコート
レジン４が注入して優化されている。又、磁気バブルメ
モリチップ２がチップコートレジン４で固着された基板
１の外局部には回転磁界発生用Ｏ内コイル５、外コイル
６が互に直交して組込まれている。図示していないが基
ｉｌｌ上の電極とＩＪ−ドフレームＴとは電気的および
機械的Ｋｍ続固定されている。

そして、基１１１全体とリードフレーム７の外部リード
を除く中央部分とがモールドレジン８で覆うように成形
されている。この場合の成形法としては、一般に作業性
および量産性の優れたトランスファーモールド法が用い
られる。この後、整磁板８と磁石１１１０とを接着剤で
貼合せた磁石板ブロック１組を互いに平行にして向い合
うように、モールドレジン魯の外表ｍ１１に接着剤で固
着する。

この後、外乱磁界からチップを守るシールドケ−ス１ズ
の中に入れる。磁石板ブロック取付は部分の詳細は第２
図に示すようになっている。磁石板ブ寵ツクと平行に向
い合うモールドレジン面は、モールド部分全体がトラン
スファーモールド用金型にある場合には、図の点線１３
の位置にあるが金型取外し螢に図の実線１１＜２）よう
に外＠に凸になるように変形する。この変形は、トラン
スファモールド時に生じ走モールドレジン内部のＥＥ＠
応力が金層取シ外し直後に解放されて生じるものである
。そこで、磁石ｗ取付は部分の端部には予め平行出し用
段部１４を設けておき、磁石板ブロックがチップ面と平
行になるようにしてｂる。なお、磁石板ブロックがチッ
プ国と平行でない場合ＫＦｉ、磁石板によって作られる
磁界分布が１され、磁気パプルメ毫りとしての十分な４
？性が得られなくなる。王妃のように磁石板ブロックを
取シ付けた構造の磁気バブルメモリデバイスにおいては
、磁石板ブロックとモールドレジンｌ１ｌｉＫ接着剤１
ｓ＋−関１・があるため盆体Ｏ厚さが大きくな）放熱性
が悪いという問題がある。したがって、大メモリ容量Ｏ
パプルメ篭りチップを梧載した磁気パズルメモリデバイ
スを高速で動作させた場合、回転磁界発生用の外コイル
及び内コイルの発熱が大きくなシ、チップと磁石板ブロ
ック間の温度差が大きくなる、このため、磁石１１Ｏ磁
束密度が変化しチップ内のバブルが動作するに必要な適
正バイアス磁界が得られなくなる。

この問題を解決する方法としては、第３図に示すように
論述の平行出し用段部を烏止し、レジンモールドをする
際に磁石板プルツク％同時にモールドする方法がある。

しかし、との場合には、全型取ル外しＩＬ＊に、磁石板
ブロックに比較して熱膨張係数の大きいモールドレジン
が熱収縮して磁石板ブロックＦｉ周辺から中央部の方向
に圧縮力１７を費ける。この丸め、磁石板ブロックが外
側を凸にして変形し、磁石板は〒般にフェライトででき
ているために磁石板及び整１ｍ職社脆性が大きくクラッ
ク１宿を生じ易−０こＯようにクラックが生じた場合に
は、バイアス磁界分布が不均一になってバブルメモリと
しての十分ｅ特性が得られなぐなる。なお、モールド方
式としてはトランスファーモールド方式および注型方式
で行う場合があるが、いずれも磁石板ブロックにクラッ
クが生じ易い。

本発明の目的は、上記従来技術の問題を解決し、薄型で
放熱性の優れた高速で駆動できる磁気バブルメモリの製
造方法を提供することにある。

このような目的を達成するために不発ＩｊｌＩは、少な
くとも周辺の４側面に弾性を有する物質をコーティング
などして取付けた磁石板ブロックを用いテ、他の磁気バ
ブルメモリデバイス用部品と一緒にレジンモールドする
ことにある。この弾性を有する物質としては、ジエン系
合成ゴム、オレフィンｌｋ　合成ゴム、ポリウレタン系
合成ゴム及びシリコーンゴム等が使用可能であるが、耐
熱及び耐寒性に優れかつ熱膨張係数がモールドレジンよ
ｐ太をいものが本発明の磁気バブルメモリデバイス用と
して最も適している。

以下、本発明の内容を実施例を用いて説明する。

実施例１ 第４図にてこＯ実施例を説明する。フェライトでできて
いる正方形Ｏ磁石１！１０と整磁板８とを接着剤で貼合
せた磁石板ブロックの周辺の４１１面に熱硬化型の未硬
化シリコーンゴム液を塗布し。

１２０℃の炉に入れて６０分間加熱して熱硬化させた。

熱硬化後のシリ；−ンゴＡ１９の厚さは約１００β賜で
あった。このようにして周側間にシリコーンゴム１ｓを
職夛付は九磁石なブロックをＥ気バブルメモリデバイス
１個について２＃Ｉづつ準備し、他の部品と一緒にトラ
ンスファーモールド法でレジンそ一ルドを行つ九、この
場合にｔｉｂ金型を取シ外して室温に冷却後も磁石板ブ
ロックにクラックの発生がなかった。また、このように
して作製した磁気バブルメモリデバイスを回転磁界駆動
周波数４００ＫＨｚで駆動させても、チップと磁石蓼ブ
ロック間０Ｉｌｌ差は５℃以下であった。すなわち、本
発明の製造方法によシ、磁石クブロックとモールドレジ
ン面との間に隙間をつくることなく、極めて放熱性に優
れ友薄型の磁気バブルメモリデバイスを提供できた。こ
のようにして作製した磁気バブルメモリデバイスＯ１！
幀性試験を行った結果、２０年以上の使用でも磁石板ブ
ロックのクラック発生がなく十分な信頼性を有すること
がわかった。なお、以上の実施例にょ夛磁石砿ブロック
にクラックが生じない理由は次の通シである。

（１）モールド後の冷却過程で０レジンの熱収縮力は、
シリコーンゴム自体のゴム弾性のため緩和。

分（され、磁石板ブロックに集中的な方が加わらなくな
る。

（２）モールド後の冷却過程で、シリコーンゴム自身の
熱膨張係数がモールドレジンのそれよりもはるかに大き
いため、ゴム自身が毫−ルドレジン↓）も大きく収縮し
てモールドレジンの熱収縮力を吸収し、磁石板ブロック
に力が加わらくなる。

５ｊ！施例２ 末端にメタクリル基又はアクリル基を有するポリブタジ
ェンプレポリマを主成分とする紫外１１ｉＦ！化レジン
の未硬化物を磁石板ブロック周側面に塗布し、四方から
紫外線を解剖して硬化させ丸、このようにして周辺にポ
リブタジェン系ゴムを敗り付けた磁石板ブロックを実施
例１と同じ方法で他の部品と一緒にレジンモールドした
。このよりにしてでき九磁気バブルメモリデバイスは、
実施例１と同様に１１１１１で優れた放熱性を有し、か
つ十分な個Ｉｌｉ性をもっていることが確認された。

以上の実施例においては、磁石板ブロックに取り付けた
弾性を有する物質の厚さは約１００μｍであったが、１
０μ賜以上の厚さで目的効果が得られることが分ってい
る。

又、弾性を有する物質は、上記の２実施例に限定される
ものではなく、同様の特性を有する他の各種物質も使用
可能であることは言うまでもない。

又、弾性を有する物質は磁石板ブロックの周側面以外に
も必！！に応じて取）付けることができる。

本発明によれば、落蓋で放熱の優れた磁気バブルメモリ
デバイス、すなわち大容Ｉのチップを搭載し、極めて高
速で駆動できる高性能でかつ高偏頼性の磁気バブルメモ
リデバイスを提供できる。

【図面の簡単な説明】

ｊ［１１図は従来の磁気バブルメモリデバイス０叛造を
示す断面図、第２図は第１ＥＣ）磁石板取付り部分を詳
細に説明する断面図、第３図は別の従来の磁石板取付は
方法を示す断面図、第４図は本発明の磁気バブルメモリ
デバイスの製造方法の一笑施例による磁石板取付は部分
の断面図である。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 整磁榎と磁石板とを貼合せた磁石板ブロックの少なくと
   も周側面に弾性を有する物質を取り付けた後、デバイス
   の他の部品とともにレジンモールドすることを特徴とす
   る磁気バブルメモ豐デノ（イスＯＳ造方法。