JPH0590643A - 発光装置 - Google Patents
発光装置Info
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- JPH0590643A JPH0590643A JP27830391A JP27830391A JPH0590643A JP H0590643 A JPH0590643 A JP H0590643A JP 27830391 A JP27830391 A JP 27830391A JP 27830391 A JP27830391 A JP 27830391A JP H0590643 A JPH0590643 A JP H0590643A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light emitting
- emitting element
- epoxy resin
- glass transition
- transition temperature
- Prior art date
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- Pending
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 封止性を良くした上に発光素子がモールドか
ら受ける応力の影響を軽減した発光装置を提供する。 【構成】 発光素子１がリード部（アノード）３に直接
マウントされると共にボンディングワイヤ５を介してリ
ード部（カソード）４にボンディングされており、発光
素子１の周囲は、ガラス転移温度が低いエポキシ樹脂８
でモールドされ、リード３，４がモールドの外部に露出
する部分の近傍は、ガラス転移温度が高いエポキシ樹脂
９でモールドされている。そして、このような構造とす
ることにより、発光素子１への応力作用は緩衝され、リ
ード３，４が外部に露出する部分の近傍は、気密性が高
められている。
ら受ける応力の影響を軽減した発光装置を提供する。 【構成】 発光素子１がリード部（アノード）３に直接
マウントされると共にボンディングワイヤ５を介してリ
ード部（カソード）４にボンディングされており、発光
素子１の周囲は、ガラス転移温度が低いエポキシ樹脂８
でモールドされ、リード３，４がモールドの外部に露出
する部分の近傍は、ガラス転移温度が高いエポキシ樹脂
９でモールドされている。そして、このような構造とす
ることにより、発光素子１への応力作用は緩衝され、リ
ード３，４が外部に露出する部分の近傍は、気密性が高
められている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、エポキシ樹脂でモール
ドした発光ダイオード装置等の発光装置に関するもので
ある。
ドした発光ダイオード装置等の発光装置に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】従来の発光ダイオード装置の構造を図２
に示す。同図に示す発光ダイオード装置６は、発光素子
（発光ダイオードチップ）１がリード部（アノード）３
に直接マウントされると共にボンディングワイヤ５を介
してリード部（カソード）４にボンディングされてお
り、これらアセンブリがエポキシ樹脂（熱硬化性樹脂）
２によって図のようにモールドされている。このような
構造の発光ダイオード装置６においては、モールド材料
であるエポキシ樹脂２の物性が信頼性に大きく影響す
る。具体的には、発光素子１がエポキシ樹脂２から受け
る応力によって劣化したり、寿命が短くなったりする。
また、エポキシ樹脂２のモールドによる封止性が悪いと
リード部３，４とモールドとの間に剥離が生じて光出力
が低下する等の問題が生じる。
に示す。同図に示す発光ダイオード装置６は、発光素子
（発光ダイオードチップ）１がリード部（アノード）３
に直接マウントされると共にボンディングワイヤ５を介
してリード部（カソード）４にボンディングされてお
り、これらアセンブリがエポキシ樹脂（熱硬化性樹脂）
２によって図のようにモールドされている。このような
構造の発光ダイオード装置６においては、モールド材料
であるエポキシ樹脂２の物性が信頼性に大きく影響す
る。具体的には、発光素子１がエポキシ樹脂２から受け
る応力によって劣化したり、寿命が短くなったりする。
また、エポキシ樹脂２のモールドによる封止性が悪いと
リード部３，４とモールドとの間に剥離が生じて光出力
が低下する等の問題が生じる。
【０００３】発光素子１が受ける応力を減少させるに
は、エポキシ樹脂２としてガラス転移温度が低い（硬性
が小さい）エポキシ樹脂材料を使用すれば良いが、エポ
キシ樹脂２のモールドによる封止性を良くするには、ガ
ラス転移温度の高い（硬性が大きい）エポキシ樹脂材料
を使用して、リード部３，４のよじれや折曲げに対する
強度を上げ、モールドの変形を防ぐ必要がある。このよ
うに、上記した問題点を解決するエポキシ樹脂材料は、
二律背反的であり、同時に最高の特性を得ることは不可
能である。従って現実には、両者の妥協的な最良のポイ
ントを見いだして、そのガラス転移温度を有するエポキ
シ樹脂材料を使用していた。しかしながら、これらの問
題点に対して最高の対策を施せないだけでなく、モール
ドの形状、大きさ等によっては最良のポイントが変わる
こともあり、必ずしも一種類のエポキシ樹脂材料だけで
解決できるものではなかった。
は、エポキシ樹脂２としてガラス転移温度が低い（硬性
が小さい）エポキシ樹脂材料を使用すれば良いが、エポ
キシ樹脂２のモールドによる封止性を良くするには、ガ
ラス転移温度の高い（硬性が大きい）エポキシ樹脂材料
を使用して、リード部３，４のよじれや折曲げに対する
強度を上げ、モールドの変形を防ぐ必要がある。このよ
うに、上記した問題点を解決するエポキシ樹脂材料は、
二律背反的であり、同時に最高の特性を得ることは不可
能である。従って現実には、両者の妥協的な最良のポイ
ントを見いだして、そのガラス転移温度を有するエポキ
シ樹脂材料を使用していた。しかしながら、これらの問
題点に対して最高の対策を施せないだけでなく、モール
ドの形状、大きさ等によっては最良のポイントが変わる
こともあり、必ずしも一種類のエポキシ樹脂材料だけで
解決できるものではなかった。
【０００４】そこで、発光素子にSiゴムなどの透明な弾
性体をコーティングして、エポキシ樹脂と発光素子との
間にこの弾性体を介在させるようにして、発光素子に対
する応力の緩衝効果をもたせた発光ダイオード装置が考
えられている。この発光ダイオード装置では、発光素子
がエポキシ樹脂から受ける応力は間に介在する弾性体に
よって緩衝されるため、エポキシ樹脂の選択は主に封止
性を考慮してガラス転移温度の高いエポキシ樹脂材料を
使用すれば良く、この発光装置では、上記した問題点は
解消されている。
性体をコーティングして、エポキシ樹脂と発光素子との
間にこの弾性体を介在させるようにして、発光素子に対
する応力の緩衝効果をもたせた発光ダイオード装置が考
えられている。この発光ダイオード装置では、発光素子
がエポキシ樹脂から受ける応力は間に介在する弾性体に
よって緩衝されるため、エポキシ樹脂の選択は主に封止
性を考慮してガラス転移温度の高いエポキシ樹脂材料を
使用すれば良く、この発光装置では、上記した問題点は
解消されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところが、この弾性体
を使用した発光装置は、使用する透明な弾性体が非常に
高価であり、また、弾性体を発光素子にコーティングす
る作業は手間がかかるので、発光装置の製造単価を上昇
させるという問題点があった。さらに、弾性体として一
般にSiゴム系のものを使用しているが、Siゴム系の弾性
体はエポキシ樹脂及び発光素子との付着性が良くないた
め、各界面での剥離が発生しやすいという課題があっ
た。そこで、本発明は、封止性を良くした上で発光素子
がモールドから受ける応力の影響を軽減した発光装置を
低価格で提供することを目的とする。
を使用した発光装置は、使用する透明な弾性体が非常に
高価であり、また、弾性体を発光素子にコーティングす
る作業は手間がかかるので、発光装置の製造単価を上昇
させるという問題点があった。さらに、弾性体として一
般にSiゴム系のものを使用しているが、Siゴム系の弾性
体はエポキシ樹脂及び発光素子との付着性が良くないた
め、各界面での剥離が発生しやすいという課題があっ
た。そこで、本発明は、封止性を良くした上で発光素子
がモールドから受ける応力の影響を軽減した発光装置を
低価格で提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の手段として、少なくとも１個の発光素子とこの発光素
子に電力を供給するリード部の一部とを熱硬化性樹脂で
モールドした発光装置であって、少なくとも前記発光素
子の周囲をガラス転移温度の低い第１の熱硬化性樹脂で
モールドし、それ以外の少なくとも前記リード部の外部
に露出する部分の近傍を含む部分を前記第１の熱硬化性
樹脂よりもガラス転移温度の高い第２の熱硬化性樹脂で
モールドしたことを特徴とする発光装置を提供しようと
するものである。
の手段として、少なくとも１個の発光素子とこの発光素
子に電力を供給するリード部の一部とを熱硬化性樹脂で
モールドした発光装置であって、少なくとも前記発光素
子の周囲をガラス転移温度の低い第１の熱硬化性樹脂で
モールドし、それ以外の少なくとも前記リード部の外部
に露出する部分の近傍を含む部分を前記第１の熱硬化性
樹脂よりもガラス転移温度の高い第２の熱硬化性樹脂で
モールドしたことを特徴とする発光装置を提供しようと
するものである。
【０００７】
【実施例】本発明の発光装置の一実施例として発光ダイ
オード装置の例を図面と共に説明する。図１に示す発光
ダイオード装置７は、発光素子（発光ダイオードチッ
プ）１がリード部（アノード）３に直接マウントされる
と共にボンディングワイヤ５を介してリード部（カソー
ド）４にボンディングされており、発光素子１の周囲
は、ガラス転移温度が低いエポキシ樹脂（第１の熱硬化
性樹脂）８でモールドされ、リード３，４がモールドの
外部に露出する部分の近傍は、ガラス転移温度が高いエ
ポキシ樹脂（第２の熱硬化性樹脂）９でモールドされて
いる。そして、このような構造とすることにより、発光
素子１への応力作用はガラス転移温度が低いエポキシ樹
脂８によって緩衝され、リード３，４が外部に露出する
部分の近傍は、ガラス転移温度が高いエポキシ樹脂９に
よって封止性が高められている。
オード装置の例を図面と共に説明する。図１に示す発光
ダイオード装置７は、発光素子（発光ダイオードチッ
プ）１がリード部（アノード）３に直接マウントされる
と共にボンディングワイヤ５を介してリード部（カソー
ド）４にボンディングされており、発光素子１の周囲
は、ガラス転移温度が低いエポキシ樹脂（第１の熱硬化
性樹脂）８でモールドされ、リード３，４がモールドの
外部に露出する部分の近傍は、ガラス転移温度が高いエ
ポキシ樹脂（第２の熱硬化性樹脂）９でモールドされて
いる。そして、このような構造とすることにより、発光
素子１への応力作用はガラス転移温度が低いエポキシ樹
脂８によって緩衝され、リード３，４が外部に露出する
部分の近傍は、ガラス転移温度が高いエポキシ樹脂９に
よって封止性が高められている。
【０００８】次に、この発光ダイオード装置７の製造方
法を図３（Ａ）〜（Ｄ）に示す。同図（Ｄ）に示す発光
ダイオード装置７を製造するには、一般に注型法が用い
られる。この注型法は、同図（Ａ）に示すように、凸レ
ンズを含む光学面を成形するために、耐熱性樹脂材料で
作られた成形型１０の中にガラス転移温度が100℃のエ
ポキシ樹脂８を成形型１０の深さ約３分の２のところま
で注入し、続いてこのエポキシ樹脂８中に、予め発光素
子１が直接マウントされたリード部（アノード）３やボ
ンディングワイヤ５を介してボンディングされたリード
部（カソード）４等からなるアセンブリを挿入し（同図
（Ｂ））、成形型１０ごと高温炉（図示せず）に入れ、
エポキシ樹脂８を熱硬化させる。このエポキシ樹脂８の
硬化後は全体を高温炉から取り出して、同図（Ｃ）に示
すように、成形型１０の残り３分の１が満たされるよう
にガラス転移温度が150 ℃のエポキシ樹脂９を注入し、
再び高温炉に入れてこのエポキシ樹脂９を熱硬化させ、
高温炉から取り出した後、成形型１０から離型すること
により、同図（Ｄ）に示すような発光ダイオード装置７
を得ることができる。このように、本発明の発光装置
は、簡単に製造することができる。
法を図３（Ａ）〜（Ｄ）に示す。同図（Ｄ）に示す発光
ダイオード装置７を製造するには、一般に注型法が用い
られる。この注型法は、同図（Ａ）に示すように、凸レ
ンズを含む光学面を成形するために、耐熱性樹脂材料で
作られた成形型１０の中にガラス転移温度が100℃のエ
ポキシ樹脂８を成形型１０の深さ約３分の２のところま
で注入し、続いてこのエポキシ樹脂８中に、予め発光素
子１が直接マウントされたリード部（アノード）３やボ
ンディングワイヤ５を介してボンディングされたリード
部（カソード）４等からなるアセンブリを挿入し（同図
（Ｂ））、成形型１０ごと高温炉（図示せず）に入れ、
エポキシ樹脂８を熱硬化させる。このエポキシ樹脂８の
硬化後は全体を高温炉から取り出して、同図（Ｃ）に示
すように、成形型１０の残り３分の１が満たされるよう
にガラス転移温度が150 ℃のエポキシ樹脂９を注入し、
再び高温炉に入れてこのエポキシ樹脂９を熱硬化させ、
高温炉から取り出した後、成形型１０から離型すること
により、同図（Ｄ）に示すような発光ダイオード装置７
を得ることができる。このように、本発明の発光装置
は、簡単に製造することができる。
【０００９】
【発明の効果】本発明の発光装置は、発光素子の周囲を
ガラス転移温度の低い第１の熱硬化性樹脂でモールド
し、それ以外の前記リード部の外部に露出する部分の近
傍を含む部分を第１の熱硬化性樹脂よりもガラス転移温
度の高い第２の熱硬化性樹脂でモールドしたので、ガラ
ス転移温度の低い第１の熱硬化性樹脂によって、発光素
子がモールドから受ける応力が軽減されて性能及び寿命
の劣化を防止することができると共に、ガラス転移温度
の高い第２の熱硬化性樹脂によってリード部とモールド
との密着部分の封止性及び耐久性が上がり、信頼性が向
上する。そして、通常の注型法と同様の方法によって簡
単に製造することができるという効果がある。
ガラス転移温度の低い第１の熱硬化性樹脂でモールド
し、それ以外の前記リード部の外部に露出する部分の近
傍を含む部分を第１の熱硬化性樹脂よりもガラス転移温
度の高い第２の熱硬化性樹脂でモールドしたので、ガラ
ス転移温度の低い第１の熱硬化性樹脂によって、発光素
子がモールドから受ける応力が軽減されて性能及び寿命
の劣化を防止することができると共に、ガラス転移温度
の高い第２の熱硬化性樹脂によってリード部とモールド
との密着部分の封止性及び耐久性が上がり、信頼性が向
上する。そして、通常の注型法と同様の方法によって簡
単に製造することができるという効果がある。
【図１】本発明の発光装置の一実施例を示す構成図であ
る。
る。
【図２】従来の発光ダイオード装置の構造を示す構成図
である。
である。
【図３】本発明の発光装置の製造方法を説明するための
工程図である。
工程図である。
１ 発光素子 ２，８，９ エポキシ樹脂（熱硬化性樹脂） ３ リード部（アノード） ４ リード部（カソード） ５ ボンディングワイヤ ６，７ 発光ダイオード装置 １０ 成形型
Claims (1)
- 【請求項１】少なくとも１個の発光素子とこの発光素子
に電力を供給するリード部の一部とを熱硬化性樹脂でモ
ールドした発光装置であって、 少なくとも前記発光素子の周囲をガラス転移温度の小さ
い第１の熱硬化性樹脂でモールドし、 それ以外の少なくとも前記リード部の外部に露出する部
分の近傍を含む部分を前記第１の熱硬化性樹脂よりもガ
ラス転移温度の大きい第２の熱硬化性樹脂でモールドし
たことを特徴とする発光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27830391A JPH0590643A (ja) | 1991-09-30 | 1991-09-30 | 発光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27830391A JPH0590643A (ja) | 1991-09-30 | 1991-09-30 | 発光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0590643A true JPH0590643A (ja) | 1993-04-09 |
Family
ID=17595468
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27830391A Pending JPH0590643A (ja) | 1991-09-30 | 1991-09-30 | 発光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0590643A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5656847A (en) * | 1994-02-28 | 1997-08-12 | Rohm Co., Ltd. | Led lamp arrangement and led matrix display panel |
| US6538306B1 (en) * | 1999-07-02 | 2003-03-25 | Rohm Co., Ltd. | Electronic part |
| JP2007324213A (ja) * | 2006-05-30 | 2007-12-13 | Stanley Electric Co Ltd | 半導体表示装置 |
-
1991
- 1991-09-30 JP JP27830391A patent/JPH0590643A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5656847A (en) * | 1994-02-28 | 1997-08-12 | Rohm Co., Ltd. | Led lamp arrangement and led matrix display panel |
| US6538306B1 (en) * | 1999-07-02 | 2003-03-25 | Rohm Co., Ltd. | Electronic part |
| JP2007324213A (ja) * | 2006-05-30 | 2007-12-13 | Stanley Electric Co Ltd | 半導体表示装置 |
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