JP4300500B2 - 発光ダイオード及びその製造方法 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は反射型発光ダイオードの製造方法に関し、特に耐熱特性を改良した反射型発光ダイオードの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、発光ダイオードの発光素子から発する光を有効に前方へ放射するために、種々構造の発光ダイオードが提案されている。
凹状反射面を発光素子の発光面側に対向して設け、発光素子から発した光を反射する反射面とを具備してなる反射型の発光ダイオードが知られている。発光素子はリードフレーム上に導電性接着剤を介して取り付けられ、リードフレームとは金線により電気的に接続されている。そして、リードフレーム付き発光素子とを一体的に光透過性樹脂でモールドして成形したものである。
また、凹状反射面の表面に金属蒸着等の処理を行ない反射面とし、この蒸着面を保護するためにオーバーコート層を形成したものが実用化されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、上記した構造の発光ダイオードの場合、保護層を形成しているとはいえ発光ダイオードの実装あるいはハンドリングの際、半田付け時の過剰な加熱条件による反射面の劣化や部品間の接触、特にリード先端が反射面に強く接触することによる反射面のキズの発生により光学的性能の低下等が発生しやすい。
また、このような発光ダイオードを回路基板上に実装する際に通常雰囲気温度が２５０度前後のリフロー炉を通過させることによって生産性を上げる製造方法が採用されているが、処理温度が高温であるために反射面の劣化が発生し光学特性の低下が生じるなどの欠点があった。
【０００４】
さらに、発光ダイオードの輸送の際、各発光ダイオードが輸送時の振動により反射面にキズが付かないように特別な梱包方法にて発送しなくてはならない。
また、従来のように樹脂のみで一体化成形により構成する構造とすることによって、基板への実装時において外部に突出したリードの折り曲げる際、樹脂端面への応力が異常に加わることによってリードが突出した部位の樹脂部にクラックが発生する等の問題もあった。
【０００５】
本発明は上記の点に鑑みなされたものであり、前記構造の反射型発光ダイオードにおいて、製造時及び搬送時においても取り扱いが容易で、かつリフロー炉などの工程中の高温雰囲気においても反射面の反射率が低下することのない長寿命で高効率の反射型発光ダイオードの製造方法を提供することを目的とする。
【０００６】
本発明は上記課題を解決するために次の構成とする。従来の反射型発光ダイオードにおいては、反射面と発光素子とを透明樹脂にて一体的に成形することによって、光学的位置関係が精度よく加工することが可能となりその光学的性能を充分に引き出せることが一つの特徴であった。本発明の構成では、この反射面部位と発光素子部位とを別々に作成し、最終的に一体的に成形することによって、実質的にリフロー工程においても光学的性能を低下させることのない反射型発光ダイオードの製造方法とする。
発明の構成は、
一方のリードフレームの先端部に発光素子の電極部を導電性接着を介して接続し、該電極部と他方のリードフレームの先端部とをリード線を介して電気的に接続してなるリードフレーム部を、該リードフレーム部の発光素子が、ガラス体、プラスチックあるいはセラミック体よりなる凹面状反射体の反射面に対向するように配置する。
次に、リードフレーム部はその外端部を除き、反射体の開口部に取り付ける。
かかる後、該反射体の内部に透明エポキシ樹脂を充填し硬化してなる反射型発光ダイオードの製造方法である。
【０００７】
上記した構造の発光ダイオードを採用することによって、反射面はガラス体やセラミック体によって完全に外部からの機械的衝撃や熱衝撃から保護されるようになり、半田実装時における反射面の熱劣化やハンドリング時、搬送時の振動による反射面に発生するキズが完全に防止できる。
【０００８】
さらに、従来の製造方法は反射面と発光素子とを一体的に成形する手法、即ちトランスファーモールド法によっていたが、本構造を採用することによりポッティング法とし製造方法が容易となり、工業的にも量産性が大きくなる。
【０００９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づき説明する。
図１において、１はリードフレーム部であり、発光素子２、一対のリードフレーム３ａ，３ｂ、リード線（金線）４とよりなる。発光素子２は、リードフレーム３ａ上の所定の位置に設けられた素子搭載用ラウンドの部位に導電性接着剤５を介して固定され、発光素子２と他方のリードフレーム３ｂとの電気的接続は金線４によってなされている。
【００１０】
一方、凹面状反射体１１は図２に示すように、その内面にアルミニウムあるいは銀からなる蒸着又はメッキ層からなる反射面１３を備えたガラス製凹面体１２からなる。
この際、前記リードフレームを嵌合して取り付け、リード位置に合わせるための凹部１４を形成しておく。
【００１１】
このように構成したリードフレーム部と凹面状反射面を形成したガラス体とを発光素子が反射面に対向するように配置し、ガラス端面に設けた凹部１４，１４にリードフレーム３ａ，３ｂを嵌合させる。
次に、ガラス体の凹部に嵌合させたリードフレーム部位に光硬化性樹脂をディスペンサーなどを用いて少量滴下した後に硬化させる。また、次工程における透明エポキシ樹脂のポッティング時におけける凹部からの樹脂漏れを防止するために、該空間部に接着性の樹脂１５を充填して、硬化させる。
そして、この発光素子と凹面状ガラス体との間の隙間に透明エポキシ樹脂１６をガラス体の縁面まで充填させた後に１２０〜１６０℃の雰囲気炉にて樹脂１６を硬化させて完成する。
【００１２】
前記実施例は凹面状ガラス体を使用した場合について説明したが、プラスチック、セラミック体を用いても同様の効果が得られる。ただし、この場合凹面には釉薬層をコーティングし、焼成したものを使用し銀蒸着後に凹面ミラーにおいて鏡面が得られるようにしてある。このように用意したものを前記実施例と同様の工程にて発光ダイオードを作成する。
【００１３】
本発明は、発光素子を搭載したリードフレーム体と凹面状反射体とを透明樹脂にて一体成形することによって、製造の際のリフロー炉における熱衝撃による反射面の劣化や輸送中あるいは反射型発光ダイオードのハンドリング時における反射面へのキズの発生などによる特性劣化が防止でき、実用上問題がなく、長寿命で、高効率の反射型発光ダイオードの製造方法を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る発光ダイオードの要部側面図である。
【図２】同じく、図１をリードフレームの軸方向から見た場合の説明図である。
【図３】同じくガラス体の外観図である。
【符号の説明】
１ リードフレーム部
２ 発光素子
３ａ，３ｂ リードフレーム
４ リード線（金線）
５ 導電性接着剤
１１ 凹面状反射体
１２ ガラス製反射体
１３ 反射面
１４ 凹部
１５ 接着性樹脂
１６ 透明エポキシ樹脂
【発明の属する技術分野】
本発明は反射型発光ダイオードの製造方法に関し、特に耐熱特性を改良した反射型発光ダイオードの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、発光ダイオードの発光素子から発する光を有効に前方へ放射するために、種々構造の発光ダイオードが提案されている。
凹状反射面を発光素子の発光面側に対向して設け、発光素子から発した光を反射する反射面とを具備してなる反射型の発光ダイオードが知られている。発光素子はリードフレーム上に導電性接着剤を介して取り付けられ、リードフレームとは金線により電気的に接続されている。そして、リードフレーム付き発光素子とを一体的に光透過性樹脂でモールドして成形したものである。
また、凹状反射面の表面に金属蒸着等の処理を行ない反射面とし、この蒸着面を保護するためにオーバーコート層を形成したものが実用化されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、上記した構造の発光ダイオードの場合、保護層を形成しているとはいえ発光ダイオードの実装あるいはハンドリングの際、半田付け時の過剰な加熱条件による反射面の劣化や部品間の接触、特にリード先端が反射面に強く接触することによる反射面のキズの発生により光学的性能の低下等が発生しやすい。
また、このような発光ダイオードを回路基板上に実装する際に通常雰囲気温度が２５０度前後のリフロー炉を通過させることによって生産性を上げる製造方法が採用されているが、処理温度が高温であるために反射面の劣化が発生し光学特性の低下が生じるなどの欠点があった。
【０００４】
さらに、発光ダイオードの輸送の際、各発光ダイオードが輸送時の振動により反射面にキズが付かないように特別な梱包方法にて発送しなくてはならない。
また、従来のように樹脂のみで一体化成形により構成する構造とすることによって、基板への実装時において外部に突出したリードの折り曲げる際、樹脂端面への応力が異常に加わることによってリードが突出した部位の樹脂部にクラックが発生する等の問題もあった。
【０００５】
本発明は上記の点に鑑みなされたものであり、前記構造の反射型発光ダイオードにおいて、製造時及び搬送時においても取り扱いが容易で、かつリフロー炉などの工程中の高温雰囲気においても反射面の反射率が低下することのない長寿命で高効率の反射型発光ダイオードの製造方法を提供することを目的とする。
【０００６】
本発明は上記課題を解決するために次の構成とする。従来の反射型発光ダイオードにおいては、反射面と発光素子とを透明樹脂にて一体的に成形することによって、光学的位置関係が精度よく加工することが可能となりその光学的性能を充分に引き出せることが一つの特徴であった。本発明の構成では、この反射面部位と発光素子部位とを別々に作成し、最終的に一体的に成形することによって、実質的にリフロー工程においても光学的性能を低下させることのない反射型発光ダイオードの製造方法とする。
発明の構成は、
一方のリードフレームの先端部に発光素子の電極部を導電性接着を介して接続し、該電極部と他方のリードフレームの先端部とをリード線を介して電気的に接続してなるリードフレーム部を、該リードフレーム部の発光素子が、ガラス体、プラスチックあるいはセラミック体よりなる凹面状反射体の反射面に対向するように配置する。
次に、リードフレーム部はその外端部を除き、反射体の開口部に取り付ける。
かかる後、該反射体の内部に透明エポキシ樹脂を充填し硬化してなる反射型発光ダイオードの製造方法である。
【０００７】
上記した構造の発光ダイオードを採用することによって、反射面はガラス体やセラミック体によって完全に外部からの機械的衝撃や熱衝撃から保護されるようになり、半田実装時における反射面の熱劣化やハンドリング時、搬送時の振動による反射面に発生するキズが完全に防止できる。
【０００８】
さらに、従来の製造方法は反射面と発光素子とを一体的に成形する手法、即ちトランスファーモールド法によっていたが、本構造を採用することによりポッティング法とし製造方法が容易となり、工業的にも量産性が大きくなる。
【０００９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づき説明する。
図１において、１はリードフレーム部であり、発光素子２、一対のリードフレーム３ａ，３ｂ、リード線（金線）４とよりなる。発光素子２は、リードフレーム３ａ上の所定の位置に設けられた素子搭載用ラウンドの部位に導電性接着剤５を介して固定され、発光素子２と他方のリードフレーム３ｂとの電気的接続は金線４によってなされている。
【００１０】
一方、凹面状反射体１１は図２に示すように、その内面にアルミニウムあるいは銀からなる蒸着又はメッキ層からなる反射面１３を備えたガラス製凹面体１２からなる。
この際、前記リードフレームを嵌合して取り付け、リード位置に合わせるための凹部１４を形成しておく。
【００１１】
このように構成したリードフレーム部と凹面状反射面を形成したガラス体とを発光素子が反射面に対向するように配置し、ガラス端面に設けた凹部１４，１４にリードフレーム３ａ，３ｂを嵌合させる。
次に、ガラス体の凹部に嵌合させたリードフレーム部位に光硬化性樹脂をディスペンサーなどを用いて少量滴下した後に硬化させる。また、次工程における透明エポキシ樹脂のポッティング時におけける凹部からの樹脂漏れを防止するために、該空間部に接着性の樹脂１５を充填して、硬化させる。
そして、この発光素子と凹面状ガラス体との間の隙間に透明エポキシ樹脂１６をガラス体の縁面まで充填させた後に１２０〜１６０℃の雰囲気炉にて樹脂１６を硬化させて完成する。
【００１２】
前記実施例は凹面状ガラス体を使用した場合について説明したが、プラスチック、セラミック体を用いても同様の効果が得られる。ただし、この場合凹面には釉薬層をコーティングし、焼成したものを使用し銀蒸着後に凹面ミラーにおいて鏡面が得られるようにしてある。このように用意したものを前記実施例と同様の工程にて発光ダイオードを作成する。
【００１３】
本発明は、発光素子を搭載したリードフレーム体と凹面状反射体とを透明樹脂にて一体成形することによって、製造の際のリフロー炉における熱衝撃による反射面の劣化や輸送中あるいは反射型発光ダイオードのハンドリング時における反射面へのキズの発生などによる特性劣化が防止でき、実用上問題がなく、長寿命で、高効率の反射型発光ダイオードの製造方法を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る発光ダイオードの要部側面図である。
【図２】同じく、図１をリードフレームの軸方向から見た場合の説明図である。
【図３】同じくガラス体の外観図である。
【符号の説明】
１ リードフレーム部
２ 発光素子
３ａ，３ｂ リードフレーム
４ リード線（金線）
５ 導電性接着剤
１１ 凹面状反射体
１２ ガラス製反射体
１３ 反射面
１４ 凹部
１５ 接着性樹脂
１６ 透明エポキシ樹脂
Claims (2)
- 一方のリードフレームの先端部に発光素子の電極部を導電性接着を介して接続し、該電極部と他方のリードフレームの先端部とをリード線を介して電気的に接続してなるリードフレーム部を、該リードフレーム部の発光素子が、ガラス体、プラスチックあるいはセラミック体よりなる凹面状反射体の反射面に対向するように配置し、次に、リードフレーム部はその外端部を除き、反射体の開口部に取り付け、かかる後、該反射体の内部に透明エポキシ樹脂を充填し硬化してなる反射型発光ダイオードの製造方法。
- 前記凹面状反射体の開口部に一対のリードフレームの位置決め用の凹部を形成し、該凹部に各リードフレームを嵌合して取り付け、次に該凹部の空間部に接着性の樹脂を充填、硬化し、かかる後該反射体の内部に透明エポキシ樹脂を充填し硬化してなる請求項１記載の反射型発光ダイオードの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP36856499A JP4300500B2 (ja) | 1999-12-27 | 1999-12-27 | 発光ダイオード及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP36856499A JP4300500B2 (ja) | 1999-12-27 | 1999-12-27 | 発光ダイオード及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001185760A JP2001185760A (ja) | 2001-07-06 |
| JP4300500B2 true JP4300500B2 (ja) | 2009-07-22 |
Family
ID=18492159
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP36856499A Expired - Fee Related JP4300500B2 (ja) | 1999-12-27 | 1999-12-27 | 発光ダイオード及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4300500B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005142174A (ja) * | 2002-04-25 | 2005-06-02 | Opto Device Kenkyusho:Kk | 発光ダイオード及びその製造方法 |
| CN100394618C (zh) * | 2003-04-16 | 2008-06-11 | 株式会社珍珠电球制作所 | 反射型发光二极管 |
| JP5002228B2 (ja) | 2006-10-03 | 2012-08-15 | キヤノン株式会社 | 画像表示装置 |
| JP2021124536A (ja) * | 2020-01-31 | 2021-08-30 | 京セラ株式会社 | 光学部材、発光装置、回転数計測装置および光学測定装置 |
-
1999
- 1999-12-27 JP JP36856499A patent/JP4300500B2/ja not_active Expired - Fee Related
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|---|---|
| JP2001185760A (ja) | 2001-07-06 |
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