JPS5830673Y2 - トランスフアモ−ルド金型 - Google Patents

トランスフアモ−ルド金型

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Publication number
JPS5830673Y2
JPS5830673Y2 JP1977136451U JP13645177U JPS5830673Y2 JP S5830673 Y2 JPS5830673 Y2 JP S5830673Y2 JP 1977136451 U JP1977136451 U JP 1977136451U JP 13645177 U JP13645177 U JP 13645177U JP S5830673 Y2 JPS5830673 Y2 JP S5830673Y2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
mold
resin
lead frame
transfer
side wall
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Expired
Application number
JP1977136451U
Other languages
English (en)
Other versions
JPS5462574U (ja
Inventor
晃徳 沼田
佐登志 渡苅
Original Assignee
日本電気株式会社
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Filing date
Publication date
Application filed by 日本電気株式会社 filed Critical 日本電気株式会社
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Publication of JPS5462574U publication Critical patent/JPS5462574U/ja
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Publication of JPS5830673Y2 publication Critical patent/JPS5830673Y2/ja
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
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    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation

Landscapes

  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
  • Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
  • Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)

Description

【考案の詳細な説明】 本考案は光素子のトランスファモールド金型に関し、と
くに先端が球面などの光透過窓となるように樹脂封止を
行なうための光素子、例えば発光ダイオードなどのトラ
ンスファモールド金型の構造に関する。
従来の電子部品の樹脂封止を行なうためのトランスファ
モールド金型を第1図および第2図a。
bを用いて説明する。
第1図において1はペレットマウントおよびワイヤボン
ディング済リードフレームである。
2は樹脂を示す。第2図aおよびbは従来の金型の部分
的平面図および断面図をそれぞれ示す。
第2図a、bにおいて、3は上型、4は下型であり、リ
ードフレーム1を上下金型にはさんだ断面を示している
2′は樹脂2が注入されるためのキャビティ(空間)で
ある、5は樹脂をゲート6を経てキャビティ2′へ注入
する為のランナーである、従来ゲート6は同図に示す如
く、ランナー5より斜上向きに設けられ、樹脂がキャビ
ティ2′へ注入されていた。
このようにしてモールドを行なうと第2図すに示すよう
に矢印の方向へ樹脂が流れ、曲線で示しであるように順
次キャビティτを満して行く。
大部分の空気は型の合せ目から抜けるが抜けきれない空
気は図示のAの所に残り気泡となる可能性が非常に多い
、Aの場所は光素子の光透過窓となるところで実装時に
直接外へ出るため小さい気泡であっても商品価値を落し
てしまう、そのため光透過窓、すなわち先端の球面に気
泡が出来たものは不良品とせざるをえないので歩留を低
下させてしまう。
又樹脂の流れの方向がボンディング線へ直接当る方向の
ためボンディング線を変形させてしまうおそれがある。
本考案の目的は良品歩留の良いトランスファモールド金
型を提供することにある。
本考案によればリードフレーム上に設けた光素子を樹脂
封止するトランスファモールド金型において、樹脂が注
入されるキャビティがリードフレーム側に位置する底部
と光素子側に位置する光透過窓部と、その間に連接する
側壁部とを有し、この側壁部を経由して底部へ流れるよ
うに樹脂注入ゲートをその中心軸が光透過窓側に向うよ
うにして側壁部に設けたことを特徴とするトランスファ
モールド金型が得られる。
次に本考案の一実施例を第3図により説明する。
第3図は、本考案の下型の上面を示す図である。
常連した欠点をなくす為には、先端の光透過窓、例えば
球面より注入すれば気泡は球面と反対側へ行くのである
が球面にゲートのあとが残るため商品価値を落してしま
う。
本考案では光透過窓となる球面の外側にランナー7を設
けておく方が構成が容易となる点で好ましい。
ランナー7からキャビティ側面を通り球面よりややリー
ドフレームよりから球面へ向けてゲート8を設ける。
このようにすることにより樹脂の流れは同図中の矢印の
ようになり、球面部より満して行き気泡をリードフレー
ム側へ押して行く。
従って気泡が球面に残ることがなく、型の合せ目から抜
けきれない空気があったとしても、球面と反対側すなわ
ち光透過窓とは反対側の底部へ残ることになり実装後に
はかくれてしまい実用上問題ない製品ができ良品として
扱える。
以上述べたように本考案の金型は歩留向上に効果的な構
造である。
又樹脂の流れは直接ポンティング線に当らないため変形
等の悪影響がない。
【図面の簡単な説明】
第1図は樹脂封止済みのリードフレームの一部正面図。 第2図aおよびb従来のモールド金型の部分平面図およ
び部分断面図をそれぞれ示す。 第3図は本考案の一実施例を示す金型の部分平面図。 1・・・・・・リードフレーム、2・・・・・・樹脂、
3・・・・・・上型、4・・・・・・下型、2′・・・
・・・キャビティ、5,7・・・・・・ランナー 6,
8・・・・・・ゲート、A・・・・・・気泡。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. リードフレーム上に設けた光素子を樹脂封止するトラン
    スファモールド金型において、前記樹脂が注入されるキ
    ャビティが前記リードフレーム側に位置する底部と前記
    光素子側に位置する光透過窓部と、その間に連接する側
    壁部とを有し、前記側壁部から注入される樹脂が前記光
    透過窓部を経由して前記底部へ流れるように樹脂注入ゲ
    ートをその中心軸が前記光透過窓側に向うようにして前
    記側壁部に設けたことを特徴とするトランスファモール
    ド金型。
JP1977136451U 1977-10-11 1977-10-11 トランスフアモ−ルド金型 Expired JPS5830673Y2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1977136451U JPS5830673Y2 (ja) 1977-10-11 1977-10-11 トランスフアモ−ルド金型

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1977136451U JPS5830673Y2 (ja) 1977-10-11 1977-10-11 トランスフアモ−ルド金型

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS5462574U JPS5462574U (ja) 1979-05-01
JPS5830673Y2 true JPS5830673Y2 (ja) 1983-07-06

Family

ID=29107687

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JP1977136451U Expired JPS5830673Y2 (ja) 1977-10-11 1977-10-11 トランスフアモ−ルド金型

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