JPS58224497A - 記憶装置 - Google Patents

記憶装置

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Publication number
JPS58224497A
JPS58224497A JP57107886A JP10788682A JPS58224497A JP S58224497 A JPS58224497 A JP S58224497A JP 57107886 A JP57107886 A JP 57107886A JP 10788682 A JP10788682 A JP 10788682A JP S58224497 A JPS58224497 A JP S58224497A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
address
memory
counter
row
cas
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP57107886A
Other languages
English (en)
Inventor
Masao Hosoda
細田 雅男
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Nippon Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp, Nippon Electric Co Ltd filed Critical NEC Corp
Priority to JP57107886A priority Critical patent/JPS58224497A/ja
Publication of JPS58224497A publication Critical patent/JPS58224497A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C7/00Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
    • G11C7/10Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (1)  発明の属する技術分野の説明本発明はダイナ
ミックアクセス方式の記憶素子を使った記憶装置に関す
るものである。
(2)従来技術の説明 従来、この種の記憶装置は、高速動作が要求された場合
には、記憶素子自体の高速化、及びその周辺回路の高速
化により対応しており、その結果、部品の歩留り悪化、
記憶装置価格の高騰は避けられないばかりでなく、その
制御装置も複雑かつ高価にならざるを得なかった。
(3)  発明の詳細な説明 本発明は従来の技術に内在する上記欠点を解消する為に
なされたものであり、従って本発明の目的は、ダイナミ
ック記憶素子の使用法の一種でお 2− るベージモードアクセス方式を利用し、比較的廉価に高
速動作を可能とする新規な記憶装置を提供することにあ
る。
(4)発明の詳細な説明 上記目的を達成する為に、本発明に係る記憶装置は、メ
モリ素子の素子選択アドレス、行アドレス及び列アドレ
スに対応し、アドレス初期値をセット可能な縦列接続さ
れた素子選択アドレスカウンタ、行アドレスカウンタ及
び列アドレスカウンタと、データ転送長をセット可能な
レングスカウンタと、更にメモリアクセスごとに行アド
レス選択ストローブを発生し、データ転送開始直後及び
行アドレス桁上げ信号が発効した時に列アドレス選択ス
トローブを発生し、かつ記憶装置サイクルタイムを伸長
させるタイにング回路とを備え、メモリアクセス要求装
置がメモリアクセスに先だって、データ転送開始アドレ
スとデータ転送長を前記素子選択アドレスカウンタ、行
アドレスカウンタ、列アドレスカウンタ及びレングスカ
ウンタにセットし、メモリアクセス起動をかけた後、以
降連続シーケンシャルの場合、レングスカウンタ値で指
定される回数だけ前記各アドレスカウンタがカウントア
ツプした値をアクセスするように、構成されている。
すなわち、この種の記憶装置は従来ランダムアクセスが
主体であったが、CPU、各九等メモリアクセスする装
置に対してメモリサイクルをある程度まとめて割当て、
部分的にバースト転送する方式をとり、その間は前記ベ
ージモードアクセス方式で高速動作をさせる。この方式
により、本発明では1サイクルごとにアドレスが切替る
ためのバス切替時間が短縮され、かつ行アドレス制御中
心で高速動作可能な記憶方式を提供することが可能と彦
った。
(5)  発明の詳細な説明 次に本発明をその好ましい一実施例について図面を参照
して詳細に説明する。
第1図は一般に広く使われているダイナミック記憶素子
のアクセス方式を説明する為の図である。
すなわち、メモリ素子に対するアドレスを行アト3− レスと列アドレスに二分割する。メモリ素子には時分割
で前記アドレスを送シ、列アドレス選択ストローブRA
S 、行アドレス選択ストローブCASの各々立上り時
点で素子内部の列アドレスレジスタ、行アドレスレジス
タにそれをセットする。本動作はメモリアクセスごとに
繰り返し実行される。
第2図はベージモードアクセス方式と呼″ばれる方式を
説明する為の図である。最初に列アドレスと行アドレス
を1回列アドレス選択ストローブRASと行アドレス選
択ストローブCASの立上シ時点で素子内にセットする
と、それ以降は列アドレス選択ストローブRASを直流
的に″ON”に持続させれば、行アドレス選択ストロー
ブCASのみでメモリアクセスが可能である。すなわち
、この方式によれば、列アドレス選択ストローブRAS
が”0N10FF”しない時間だけタイミングマージン
が生ずるので、高速化が可能である。ただし、この場合
、アドレスはシーケンシャルであることが前提であるこ
とと、行アドレスの桁上げが発生した次サイクルでは再
度桁上げ後の列アドレスを行アドレスのセラ 4 − トに先だって列アドレスレジスタにセットする必要があ
る。
第3図は、前記条件を前提に一度転送開始アドレスと転
送長をセットすれば、以降転送アドレスが行アドレスの
桁上げ範囲を越えてもメモリアクセスを可能とした本発
明の一実施例を示すブロック構成図である。
メモリアドレスバスは、メモリ素子内アドレスに対応し
たメモリ素子選択アドレス1、列アドレス2、行アドレ
ス3の三群に分割される。
メモリ素子選択アドレス1は選択器16を経てデコーダ
4を通り、各メモリ素子選択信号になる。
列アドレス2は、選択器7.9を経てメモリ素子18内
の列アドレスレジスタ13に、タイミング回路12よ多
出力される列アドレス選択ストローブRA8の立上υで
セットされ、行アドレス3は、選択器8.9を経てメモ
リ素子18内の行アドレスレジスタ14に、タイミング
回路12より出力される行アドレス選択ストローブCA
Sの立上υでセットされるが、同時にメモリ素子選択ア
ドレス1はメ毫リ素子選択アドレスカウンタ15に、列
アドレス2け列アドレスカウンタ5に、又行アドレス3
は+1加算器10を紅て(初期アドレス+1)の値が行
アドレスカウンタ6にセットされ、かつ前記三種のカウ
ンタはカウンタ6→カウンタ5→カウンタ15の順にア
ドレスが高くなる様に縦列接続されているので、シーケ
ンシャルに引続きアクセスする場合には次サイクルは、
カウンタ15.5.6よりアドレスが出力され、行アド
レス選択ストローブCASの立上りで行アドレスレジス
タ14にセットされる。
以降、カウンタ15.5.6はメモリアクセスする度に
カウントアツプしてその値でメモリアクセスする。
たソし、行アドレスを桁上けする時には、桁上は信号1
9が列アドレスカウスタ5に送られ、それにより該カウ
ンタはカウントアツプすると同時に、桁上げ信号19は
タイミング回l!倍にも入力して行アドレス選択ストロ
ーブCAS信号の発生に加えて列アドレス選択ストロー
ブRASを再発生させ、新規の列アドレスは列アドレス
レジスフ13にセットされる。
この時のみメモリサイクルタイムが伸長するが、BUS
Y信号加の信号幅を伸長させて外部装置と同期をと石。
又、本記憶装置を起動させる際には、データ転送長をレ
ングスカウンタ11にセットしておく。該カウンタはメ
モリアクセスする度にカウントダウンし、その値が0に
なるとRAS 、 CAS等のメモリ制御用時信号の出
力を禁止し、メモリアクセスは停止する。
次に、第3図に示した本発明の一実施例の動作を第4図
のタイムチャートにより詳細に説明する。
ある固定アドレスMより1回データ転送する場合を考え
る。その固定アドレスMはメモリ素子の該当列アドレス
と行アドレスをm例n行とし、行はN個で構成されると
すれば1.メモリサイクルタイムては列アドレス選択ス
トローブRASの立上り時点にて列アドレスmが列アド
レスレジスタ13にセットされ、行アドレス選択ストロ
ーブCASの立上りにて行アドレスnが行アドレスレジ
スタ14にセットされる。レングスカウンタ11は、(
l−1)の値が行アドレス選択ストローブCASの立下
りにてセットされており、以降行アドレス選択ストロー
ブCASが入る度にカウントダウンする。又、列アドレ
スカウンタ5、行アドレスカウンタ6は、共に、行アド
レス選択ストローブCASの立上りにて列アドレス2、
行アドレス3の値がそれぞれセットされ、以降行アドレ
ス選択ストローブCABが入る度にカウントアツプする
メモリサイクルM+1においては、ベーラモードなので
列アドレス選択ストローブRASは@ON“状態のまま
持続し、行アドレス選択ストローブCASのみn+1の
アドレスが行アドレスレジスタ14にセットされてメモ
リアクセスされる。
以下同様に、行の最大値N行まで進むと、行桁上げ信号
19が@ON”となシ、この信号が列アドレス選択スト
ローブRAS信号を一担’OFF”とした後、再度“O
N″になる起動信号とな如、かつBUSY信号長をのば
してメモリサイクルもとの時だけ伸長する。
同時に、次の列アドレスカウンタ5は桁上げ信号19に
よシ+1されてm+1となル、メモリサイクル(M+1
−1 )に於ては(m−1−1)列、1行のアドレスが
選択されることになる。
一方、レングスカウンタ11はその値が”0″に六つた
時点で列アドレス選択ストローブRAS、行アドレス選
択ストローブCASを含めたメモリ制御信号を出力停止
する。
なお、列アドレスカウンタ5の桁上げ信号21が発生し
また次サイクルはメモリ素子選択アドレスカウンタ15
がカウントアツプするが、この時には別メモリ素子が選
択されて同様に連続アクセスされることになる。
以上本発明をその良好々一実施例について説明したが、
それは単なる例示的なものであり、ここで説明された実
施例によってのみ本願発明の範囲が限定されるものでな
いことは勿論である。
(6)発明の詳細な説明 以上の様にしてメモリ素子はベージモードでアクセス可
能となシ、ホスト側ではそれを意識することなくメモリ
アクセスが可能である。
ページモードで動く時には電気的に重負荷のシステムメ
モリバスとも無関係に動作できるので、バス切替時間の
問題も少なく高速化が可能である。
本発明はシーケンシャルアクセスが前提であるが、従来
の1サイクルごとのランダムアクセスもデータ転送長を
1とすれば容易に実現可能である。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来のダイナミックアクセス方式のメモリ素子
を使ったアクセス方法を説明した図、第2図はベージモ
ードアクセス方式を説明した図、第3図は本発明の一実
施例を示すブロック構成図、第4図は第3図の動作を説
明するタイミングチャートである。 1・・・・・・メモリ米子選択アドレス、2・・・・・
・列アドレス、3・・・・・・行アドレス、4・・・・
・・デコーダ、5・・・・・・列アドレスカウンタ、6
・・・・・・行アドレスカウンタ、7.8.9.16・
・・・・・選択器、10・・・・・・+1加算器、11
・・・・・・レングスカウンタ、12・・・・・−タイ
ミング回路、13・・・・・・列アドレスレジスフ、1
4・・・・・・行アドレスレジスタ、15・・・・・・
メモリ素子選択アドレスカウンタ、18・・・・・・メ
モリ素子、19・・・・・・行桁上げ信号、加・・・・
・・BUSY信号、5・・・・・・列アドレスデコーダ
、あ・・・・・・行アドレスデコーダ、n・・・・・・
メモリセル、路・・・・・・ヤンス増mi、29・・・
・・・データレジスタ特許出願人   日本電気株式会
社 代 理 人   弁理士熊谷細太部 11− 12−

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. ダイナミックアクセス方式のメモリ素子を使用した記憶
    装置に於て、メモリ素子の素子選択アドレス、行アドレ
    ス及び列アドレスに対応しアドレス初期値をセット可能
    な縦列接続されたメモリ素子選択アドレスカウンタ、行
    アドレスカウンタ及び列アドレスカウンタと、データ転
    送長をセット可能なレングスカウンタと、更にメモリア
    クセスごとに行アドレス選択ストローブを発生ししかも
    データ転送開始直後及び行アドレス桁上げ信号が発効し
    た時に列アドレス選択ストローブを発生しかつ記憶装置
    サイクルタイムを伸長させるタイミング回路とを備え、
    メモリアクセス要求装置がメモリアクセスに先だってデ
    ータ転送開始アドレスとデータ転送長を前記メモリ素子
    選択アドレスカウンタ、行アドレスカウンタ、列アドレ
    スカウンタ及びレングスカウンタにセットし、記憶装置
    に起動をかけた後以降前記レングスカウンタの値で指定
    される回数だけ前記メモリ素子選択アドレスカウンタ、
    行アドレスカウンタ及び列アドレスカウンタがカウント
    アツプしたアドレスをアクセスすることを特徴とした記
    憶装置。
JP57107886A 1982-06-22 1982-06-22 記憶装置 Pending JPS58224497A (ja)

Priority Applications (1)

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JP57107886A JPS58224497A (ja) 1982-06-22 1982-06-22 記憶装置

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JP57107886A JPS58224497A (ja) 1982-06-22 1982-06-22 記憶装置

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JPS58224497A true JPS58224497A (ja) 1983-12-26

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ID=14470562

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JP57107886A Pending JPS58224497A (ja) 1982-06-22 1982-06-22 記憶装置

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JP (1) JPS58224497A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60206317A (ja) * 1984-03-13 1985-10-17 テ アール テ テレコミュニカシオン ラジオエレクトリック エ テレホニク データ処理装置
JPS60211690A (ja) * 1984-04-06 1985-10-24 Hitachi Ltd メモリ回路
JPS63244484A (ja) * 1987-03-31 1988-10-11 Toshiba Corp デ−タ転送方式

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60206317A (ja) * 1984-03-13 1985-10-17 テ アール テ テレコミュニカシオン ラジオエレクトリック エ テレホニク データ処理装置
JPS60211690A (ja) * 1984-04-06 1985-10-24 Hitachi Ltd メモリ回路
JPS63244484A (ja) * 1987-03-31 1988-10-11 Toshiba Corp デ−タ転送方式

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