JPS58214821A - 半導体受光装置 - Google Patents
半導体受光装置Info
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- JPS58214821A JPS58214821A JP9730782A JP9730782A JPS58214821A JP S58214821 A JPS58214821 A JP S58214821A JP 9730782 A JP9730782 A JP 9730782A JP 9730782 A JP9730782 A JP 9730782A JP S58214821 A JPS58214821 A JP S58214821A
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- JP
- Japan
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- photodiode
- fet
- resistor
- voltage
- semiconductor light
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- Pending
Links
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- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 102100037681 Protein FEV Human genes 0.000 description 1
- 101710198166 Protein FEV Proteins 0.000 description 1
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
- G01J1/42—Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors
- G01J1/44—Electric circuits
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、光によって１？ワ−ＭＯ３−ＰＥＴ（電界効
果トランジスタ）を駆動する半導体受光装置く関する。
果トランジスタ）を駆動する半導体受光装置く関する。
従来、この種の半導体受光装置として第１図に示すもの
がある。図において、１はパワーＭＯ８７ＦＥＴ、 ｚ
ハコＯＦＥＴ Ｊ ｏ−ｒ −）とソースとの間に複数
個直列接続されたフォトダイ万一ドである。また、３は
負荷、４は電５涼であり、これらは１更用状態において
ＦｇＴ ｌのソース・ドレイン間に直タリ硬続される。
がある。図において、１はパワーＭＯ８７ＦＥＴ、 ｚ
ハコＯＦＥＴ Ｊ ｏ−ｒ −）とソースとの間に複数
個直列接続されたフォトダイ万一ドである。また、３は
負荷、４は電５涼であり、これらは１更用状態において
ＦｇＴ ｌのソース・ドレイン間に直タリ硬続される。
しかして、フォトダイオード９２に光が照射されると、
フォトダイオード２に入射光量に応じた光起電圧が生じ
、 ゛この電圧がｐＢＴ １のデート入力として与え
られ、ＰＥＴ １の出力電流が即（罰されるものでめる
。
フォトダイオード２に入射光量に応じた光起電圧が生じ
、 ゛この電圧がｐＢＴ １のデート入力として与え
られ、ＰＥＴ １の出力電流が即（罰されるものでめる
。
ところで、一般にＦＢＴは多数キャリアデバイスである
ため、スイッチング応答が速い。特に、ノ２ワーＭＯＳ
−Ｆ ＥＴは他のパワー素子に比ベスイッチング応答
が速いことに特徴があるっしフ・るに、前述した従来の
半導体受光装置では、直列接続されたフォトダイオード
゛２には逆ノぐイアスミ田が印加されないため、フォト
ダイオード２の接合各１が大きいこと、およびＦＥＴ
１の入力ｒ−）抵抗が非宮に大きいことにより、スイッ
チング応答が遅い欠点がある。すなわち、ＦＥＴは高速
応答を有するのに対し、ＦＦＸＴの入力側の応答が遅い
ため、全体の応答が遅い欠点があり、立上り、立下り時
間は数十μ式のオーダである。また、スレッシュホール
ド電圧の高いＰＥＴを駆動するためには、多数個のフォ
トダイオードを直列接続する必要があり、このためフォ
トダイオード部の製造歩留が悪く、コスト高になる欠点
もある。
ため、スイッチング応答が速い。特に、ノ２ワーＭＯＳ
−Ｆ ＥＴは他のパワー素子に比ベスイッチング応答
が速いことに特徴があるっしフ・るに、前述した従来の
半導体受光装置では、直列接続されたフォトダイオード
゛２には逆ノぐイアスミ田が印加されないため、フォト
ダイオード２の接合各１が大きいこと、およびＦＥＴ
１の入力ｒ−）抵抗が非宮に大きいことにより、スイッ
チング応答が遅い欠点がある。すなわち、ＦＥＴは高速
応答を有するのに対し、ＦＦＸＴの入力側の応答が遅い
ため、全体の応答が遅い欠点があり、立上り、立下り時
間は数十μ式のオーダである。また、スレッシュホール
ド電圧の高いＰＥＴを駆動するためには、多数個のフォ
トダイオードを直列接続する必要があり、このためフォ
トダイオード部の製造歩留が悪く、コスト高になる欠点
もある。
本発明は上記事情に鐵みてなされたもので、その目的と
するところは、高速なスイッチング応答が得られ、しか
もコストの低下が図れる半導体受光装置を提供すること
にある。
するところは、高速なスイッチング応答が得られ、しか
もコストの低下が図れる半導体受光装置を提供すること
にある。
本発明は、逆バイアスされるフォトダイオードと抵抗と
を直列接続し、その接続点をＰＥＴのデートに接続する
ように構成したものである。
を直列接続し、その接続点をＰＥＴのデートに接続する
ように構成したものである。
以下、本発明の一実施例について図面奪＃照して説明す
る。
る。
第２図において、１１はＮチャンネルエン／Ｓンスメン
ト形ノ々ワーＭＯ８−−ＦＥＴ、１２はこのｐｇ’ｒ
１１のｒ−トにアノードが接読されるピン構造のフォト
ダイオード、１３はＦＢＴ Ｊ Ｊのｒ−トとソースと
の間に接続される抵抗、１４はカソードがフォトダイオ
ード１２のアノード側に接続されるよう抵抗１３に並列
啜研される定電圧ダイオードである。ここに、上紀定醍
壬ダイオード１４は、ＰＥＴ １１のｒ−）電圧がｒ−
ト仮壊電圧以上に上昇するのを防止するためのものであ
る。しつ亀して、１史１弔状態に尤いて、フォトダイオ
ード１２のカソードに′・ヨ、ノ々イアス電標１５から
の正のバイアス′４Ｉｆ（ＦＥＴ Ｚ １のスレッシュ
ホールド電圧以上）が印加され、またＦＥＴ １１のソ
ース・ドレイン間には負荷１６および１諒１７が直列接
続される。
ト形ノ々ワーＭＯ８−−ＦＥＴ、１２はこのｐｇ’ｒ
１１のｒ−トにアノードが接読されるピン構造のフォト
ダイオード、１３はＦＢＴ Ｊ Ｊのｒ−トとソースと
の間に接続される抵抗、１４はカソードがフォトダイオ
ード１２のアノード側に接続されるよう抵抗１３に並列
啜研される定電圧ダイオードである。ここに、上紀定醍
壬ダイオード１４は、ＰＥＴ １１のｒ−）電圧がｒ−
ト仮壊電圧以上に上昇するのを防止するためのものであ
る。しつ亀して、１史１弔状態に尤いて、フォトダイオ
ード１２のカソードに′・ヨ、ノ々イアス電標１５から
の正のバイアス′４Ｉｆ（ＦＥＴ Ｚ １のスレッシュ
ホールド電圧以上）が印加され、またＦＥＴ １１のソ
ース・ドレイン間には負荷１６および１諒１７が直列接
続される。
次に、上記のような構成において動作を説明する。逆バ
イアスされた状態のフォトダイオ−ｒｘｚに光が照射さ
れると、フォトダイオード１２と抵抗１３との直列回路
に光電流が械れる。
イアスされた状態のフォトダイオ−ｒｘｚに光が照射さ
れると、フォトダイオード１２と抵抗１３との直列回路
に光電流が械れる。
このとき、抵抗１３に生じる電圧降下でＦＥＴ１１のｅ
−）電圧が上昇し、その電圧がＦＥＴ１１のスレッシュ
ホールド電圧を越えると、ＦｇＴ １１に負荷直流が流
杭る。フォトダイオード１２の光電流はフォトダイオー
ド１２に入射する光量にほぼ比例するから、ＦＥＴ１１
のデート電圧はほぼ入射光量に比例して項滅する。そし
て、ＦＥＴＩＩに流れる負荷直流は？ −ト宵田で？ｊ
ｒｌ＋＝されるから、フォトダイオード１２に入射する
光によって負荷社流を１１ｊ１８することができる。
−）電圧が上昇し、その電圧がＦＥＴ１１のスレッシュ
ホールド電圧を越えると、ＦｇＴ １１に負荷直流が流
杭る。フォトダイオード１２の光電流はフォトダイオー
ド１２に入射する光量にほぼ比例するから、ＦＥＴ１１
のデート電圧はほぼ入射光量に比例して項滅する。そし
て、ＦＥＴＩＩに流れる負荷直流は？ −ト宵田で？ｊ
ｒｌ＋＝されるから、フォトダイオード１２に入射する
光によって負荷社流を１１ｊ１８することができる。
上述した半導体受光装置によれば、受光部に逆バイアス
されるフォトダイオード１２を用いるため、フォトダイ
オード１２の接合容量を小さくでき、また抵抗１３の抵
抗値を必要最小限にすることにより、ＦＢＴＭＪのｃ−
トｇｉと上記抵抗値との時定数を小さくでき、このため
高速なスイッチング応答が得られる。実機によれば、フ
ォトダイオード１２として接合容量が１０ＰＦのピンフ
ォトダイオードを゛更用し、また抵抗１３の抵抗値を３
ＫＯ，逆バイアス電圧を５ゲルトとしてｐＥＴ １１を
駆動したときの立上り。
されるフォトダイオード１２を用いるため、フォトダイ
オード１２の接合容量を小さくでき、また抵抗１３の抵
抗値を必要最小限にすることにより、ＦＢＴＭＪのｃ−
トｇｉと上記抵抗値との時定数を小さくでき、このため
高速なスイッチング応答が得られる。実機によれば、フ
ォトダイオード１２として接合容量が１０ＰＦのピンフ
ォトダイオードを゛更用し、また抵抗１３の抵抗値を３
ＫＯ，逆バイアス電圧を５ゲルトとしてｐＥＴ １１を
駆動したときの立上り。
立下り時間は数μ式のオーダであった。また、辺述した
ような構成であれば、スレッシュホールド電圧の高いＦ
ＥｉＴを駆動する場合、従来のように多数個のフォトダ
イオードｔＭ列１ｉ５Ｅする必要がなく、よってフォト
ダイオード部の製造歩留が同上し、コストの低下も可能
となる。
ような構成であれば、スレッシュホールド電圧の高いＦ
ＥｉＴを駆動する場合、従来のように多数個のフォトダ
イオードｔＭ列１ｉ５Ｅする必要がなく、よってフォト
ダイオード部の製造歩留が同上し、コストの低下も可能
となる。
なお、匍記実施例では、より一層の制速応答を４るため
にピン構造のフォトダイオードを用いたが、必ずしもピ
ン構造のものど弔いる必要はない、 〔発明の効果〕 α上評述したように本発明によれば、高速なスイッチン
グ応答が得られ、しかもコストの低下が図れる半導体受
光装置を提供できる。
にピン構造のフォトダイオードを用いたが、必ずしもピ
ン構造のものど弔いる必要はない、 〔発明の効果〕 α上評述したように本発明によれば、高速なスイッチン
グ応答が得られ、しかもコストの低下が図れる半導体受
光装置を提供できる。
第１図は従来の半導体受光装置の構成図、第２図は不発
明の一゛実施例を示す構ｆｉ３２．図であるう１１・・
・ＭＯＳ−ＦＥＴ、Ｊ ２・・・フォトダイオード、１
３・°°低抵抗１４・・・定電圧ダイオード、１５・・
・バイアス１棉、１６・・・負荷、１２・・・電油。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第１図 第２図
明の一゛実施例を示す構ｆｉ３２．図であるう１１・・
・ＭＯＳ−ＦＥＴ、Ｊ ２・・・フォトダイオード、１
３・°°低抵抗１４・・・定電圧ダイオード、１５・・
・バイアス１棉、１６・・・負荷、１２・・・電油。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第１図 第２図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ；１） 光によって電界効果トランジスタを駆動する
ものにおいて、逆バイアスされるフォトダイオードと抵
抗とを直列接続し、その倹硯点を電界効果トランジスタ
のｆ−）に接玩してなることを特徴とする半導体受光装
置。 ・２） 前記抵抗に定電圧ダイオードを並列？４ａして
なることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導
体受光装置。 （３）＠記フォトダイオードとしてピン構造のフォトダ
イオードを使用したことを特徴とする特許請求の範囲第
１項記載の半導体受光授戒。 （４）＠記電界効果トランジスタはノヤワーＭＯ８−Ｐ
ＥＴである特許請求の範囲第１項記載の半導体受光装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9730782A JPS58214821A (ja) | 1982-06-07 | 1982-06-07 | 半導体受光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9730782A JPS58214821A (ja) | 1982-06-07 | 1982-06-07 | 半導体受光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58214821A true JPS58214821A (ja) | 1983-12-14 |
Family
ID=14188828
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9730782A Pending JPS58214821A (ja) | 1982-06-07 | 1982-06-07 | 半導体受光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58214821A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6263823A (ja) * | 1985-09-14 | 1987-03-20 | Agency Of Ind Science & Technol | 光センサ |
| WO2011061965A1 (ja) * | 2009-11-18 | 2011-05-26 | 太陽誘電株式会社 | 可視光受信回路 |
-
1982
- 1982-06-07 JP JP9730782A patent/JPS58214821A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6263823A (ja) * | 1985-09-14 | 1987-03-20 | Agency Of Ind Science & Technol | 光センサ |
| WO2011061965A1 (ja) * | 2009-11-18 | 2011-05-26 | 太陽誘電株式会社 | 可視光受信回路 |
| JPWO2011061965A1 (ja) * | 2009-11-18 | 2013-04-04 | 太陽誘電株式会社 | 可視光受信回路 |
| US8742317B2 (en) | 2009-11-18 | 2014-06-03 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Visible light receiver circuit |
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