RU2015558C1 - Оптоэлектронный узел матрицы для сравнения изображений - Google Patents

Оптоэлектронный узел матрицы для сравнения изображений Download PDF

Info

Publication number
RU2015558C1
RU2015558C1 SU4942692A RU2015558C1 RU 2015558 C1 RU2015558 C1 RU 2015558C1 SU 4942692 A SU4942692 A SU 4942692A RU 2015558 C1 RU2015558 C1 RU 2015558C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
bispin
optical
images
devices
direct
Prior art date
Application number
Other languages
English (en)
Inventor
В.П. Кожемяко
О.К. Колесницкий
В.Г. Красиленко
О.Д. Кнаб
Original Assignee
Винницкий политехнический институт
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Винницкий политехнический институт filed Critical Винницкий политехнический институт
Priority to SU4942692 priority Critical patent/RU2015558C1/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2015558C1 publication Critical patent/RU2015558C1/ru

Links

Images

Landscapes

  • Electronic Switches (AREA)

Abstract

Изобретение относится к оптоэлектронике и вычислительной технике и может использоваться для сравнения двух полутоновых изображений. Изобретение позволяет повысить точность, быстродействия и расширить область применения узла. Цель достигается введением двух полевых транзисторов, двух светодиодов, при этом первый и второй фоточувствительные элементы выполнены в виде биспин-приборов. 1 ил.

Description

Изобретение относится к оптоэлектронике и вычислительной технике и может использоваться для сравнения двух полутоновых изображений.
Известно устройство для сравнения изображений [1], содержащее источник света, матричный фотоприемник, линзы, модуляторы и анализатор.
Недостатками данного устройства являются большие аппаратурные затраты, а также использование чисто оптических элементов, требующих точной юстировки.
Известен оптоэлектронный узел матрицы для сравнения изображений [2], содержащий элемент памяти в виде фототиристора, фотоприемный элемент, два резистора.
Недостатком данного узла является узкая область применения за счет того, что он может сравнивать только бинарные изображения и не может сравнивать полутоновые изображения.
Цель изобретения - повышение точности узла, быстродействия и расширение области его применения.
На чертеже представлена схема оптоэлектронного узла матрицы для сравнения изображений.
Оптоэлектронный узел содержит первый 1 и второй 2 фоточувствительные биспин-приборы, первый 3 и второй 4 ключевые транзисторы, первый 5 и второй 6 резисторы, первый 7 и второй 8 светодиоды, причем омические контакты обоих биспин-приборов 1 и 2 подключены к шине 9 питания, их подложки соединены между собой и со стоками первого 3 и второго 4 ключевых транзисторов, истоки которых и катоды первого 7 и второго 8 светодиодов подключены к шине 10 нулевого потенциала. Запирающий контакт первого биспин-прибора 1 соединен с затвором первого ключевого транзистора 3, через первый резистор 5 с анодом первого светодиода 7 и с прямым электрическим выходом 11 узла. Запирающий контакт второго биспин-прибора 2 соединен с затвором второго ключевого транзистора 4, через второй резистор 6 с анодом второго светодиода 8 и с инверсным электрическим выходом 12 узла. Оптические выходы первого 7 и второго 8 светодиодов являются соответственно прямым 13 и инверсным 14 оптическими выходами узла. Оптические входы первого 1 и второго 2 биспин- приборов являются соответственно прямым 15 и инверсным 16 оптическими входами узла.
Оптоэлектронный узел матрицы для сравнения изображений работает следующим образом.
На шину 9 питания подают напряжение питания, на прямой оптический вход 15 подается оптический сигнал точки изображения A с удельной оптической мощностью PA, а на инверсный оптический вход 16 - оптический сигнал точки изображения В с удельной оптической мощностью PB. Переход подложка - омический контакт биспин-прибора можно рассматривать как фоточувствительный p-n-переход (фотодиод), поэтому от омического контакта к подложке первого и второго биспин-приборов протекают фототоки IA и IB, пропорциональные соответствующим входным оптическим мощностям PA и PB. Поскольку подложки обоих биспин-приборов объединены, то их совместная емкость заряжается фототоком IA + IB. Переход подложка-запирающий контакт биспин-прибора можно рассматривать как тиристорную p-n-p-n-структуру. Поэтому по достижении потенциалом на объединенной подложке величины, близкой к +Ucc, создаются условия для отпирания переходов подложка - запирающий контакт обоих биспин-приборов. Однако первым включается тот биспин-прибор на который попадает большая оптическая мощность и через омический контакт - подложка которого протекает большой фототок. Это связано с тем, что фототоки IA и IBявляются управляющими для соответствующих p-n-p-n-структур обоих биспин-приборов. Как известно, из двух идентичных параллельно включенных тиристоров раньше включается тот, в цепи управляющего электрода которого больший ток. Итак, при PA > PB раньше открывается первый биспин-прибор 1 (на резисторе 5 формируется фронт импульса), в результате чего потенциал общей подложки биспин-приборов разряжается через открытый p-n-p-n-переход подложка - запирающий контакт биспин-прибора 1 (на резисторе 5 формируется срез импульса). Ключевой транзистор предназначен для укорочения выходного импульса, так как при формировании фронта импульса на резисторе 5 транзистор 4 открывается и разряд емкости подложки уже проходит через него, а не по более высокоомной цепи переход подложка - запирающий контакт, а резистор 5 и светодиод 7. Укорочение выходного импульса позволяет расширить динамический диапазон входных оптических мощностей в сторону увеличения. Таким образом, при PA > PB, выходные импульсы будут на выходах биспин-прибора 1 (электрические на выходе 11, оптические на выходе 13). Частота выходных импульсов f~
Figure 00000001
, где С - суммарная емкость подложек биспин-приборов 1 и 2 и переходов сток - исток обоих транзисторов 3 и 4. При PA < PB импульсы появляются на вторых выходах узла: электрические на выходе 12, оптические на выходе 14.

Claims (1)

  1. ОПТОЭЛЕКТРОННЫЙ УЗЕЛ МАТРИЦЫ ДЛЯ СРАВНЕНИЯ ИЗОБРАЖЕНИЙ, содержащий два фоточувствительных элемента, два резистора, источник питания, отличающийся тем, что, с целью повышения точности, быстродействия и расширения области применения за счет сравнения полутоновых изображений, в него введены два полевых транзистора, два светодиода, а первый и второй фоточувствительные элементы выполнены в виде первого и второго биспин-приборов соответственно, оптические входы которых являются соответственно прямым и инверсным оптическими входами узла, омические контакты подключены к источнику питания, подложки соединены одна с другой и подключены соответственно к стокам первого и второго полевых транзисторов, истоки которых соединены с шиной нулевого потенциала, а затворы, являющиеся соответственно прямым и инверсным электрическими выходами узла, подключены к запирающим контактам соответственно первого и второго биспин-приборов непосредственно, через первый и второй резисторы - к анодам соответственно первого и второго светодиодов, катоды которых соединены с шиной нулевого потенциала, а оптические выходы являются соответственно прямым и инверсным оптическими выходами узла.
SU4942692 1991-06-04 1991-06-04 Оптоэлектронный узел матрицы для сравнения изображений RU2015558C1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU4942692 RU2015558C1 (ru) 1991-06-04 1991-06-04 Оптоэлектронный узел матрицы для сравнения изображений

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU4942692 RU2015558C1 (ru) 1991-06-04 1991-06-04 Оптоэлектронный узел матрицы для сравнения изображений

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2015558C1 true RU2015558C1 (ru) 1994-06-30

Family

ID=21577880

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU4942692 RU2015558C1 (ru) 1991-06-04 1991-06-04 Оптоэлектронный узел матрицы для сравнения изображений

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2015558C1 (ru)

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
1. Авторское свидетельство СССР N 851428, кл. G 06G 9/00, 1981. *
2. Авторское свидетельство СССР N 1656566, кл. G 06G 9/00, 1990. *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR940009252B1 (ko) 포토커플러장치
CA1147404A (en) Optically triggered linear bilateral switch
US4307298A (en) Optically toggled bilateral switch having low leakage current
SE8703111D0 (sv) Elektronisk elkopplare
US4564770A (en) Solid state relay with fast turnoff
EP0088084A1 (en) Solid-state relay and regulator
JPH06317467A (ja) 輝度検出回路
JPH034137B2 (ru)
JP2957100B2 (ja) 光受信器装置
CA1123064A (en) Optically coupled field effect transistor switch
RU2015558C1 (ru) Оптоэлектронный узел матрицы для сравнения изображений
JPH06177418A (ja) ホトカプラ装置
JP3804979B2 (ja) アレイを具える電子装置
GB2103049A (en) Image sensor
KR940002771B1 (ko) 반도체 회로장치
US4423330A (en) Normally off bilateral switch
JP2721475B2 (ja) 相補型光配線回路
SU1746389A1 (ru) Оптоэлектронный узел матрицы дл сравнени изображений
JPH10308529A (ja) 半導体リレー
SU1439637A1 (ru) Оптоэлектронный элемент матрицы дл выделени контура изображени
SU377959A1 (ru)
SU1290401A1 (ru) Элемент индикации
SU1651371A1 (ru) Фотопереключатель
SU372695A1 (ru) Логический элемент «и»
JP2743874B2 (ja) ソリッドステートリレー