JP2957100B2 - 光受信器装置 - Google Patents
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- H04B—TRANSMISSION
- H04B10/00—Transmission systems employing electromagnetic waves other than radio-waves, e.g. infrared, visible or ultraviolet light, or employing corpuscular radiation, e.g. quantum communication
- H04B10/60—Receivers
- H04B10/66—Non-coherent receivers, e.g. using direct detection
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- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
- H03K17/78—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used using opto-electronic devices, i.e. light-emitting and photoelectric devices electrically- or optically-coupled
- H03K17/785—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used using opto-electronic devices, i.e. light-emitting and photoelectric devices electrically- or optically-coupled controlling field-effect transistor switches
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- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K19/00—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
- H03K19/02—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components
- H03K19/14—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using opto-electronic devices, i.e. light-emitting and photoelectric devices electrically- or optically-coupled
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- H04B10/00—Transmission systems employing electromagnetic waves other than radio-waves, e.g. infrared, visible or ultraviolet light, or employing corpuscular radiation, e.g. quantum communication
- H04B10/60—Receivers
- H04B10/66—Non-coherent receivers, e.g. using direct detection
- H04B10/69—Electrical arrangements in the receiver
- H04B10/691—Arrangements for optimizing the photodetector in the receiver
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光信号を受信する光電
子装置に関し、特に、プッシュプル（push-pull）で動
作する電界効果型トランジスタを用いた光受信器に関す
る。
子装置に関し、特に、プッシュプル（push-pull）で動
作する電界効果型トランジスタを用いた光受信器に関す
る。
【０００２】
【従来技術の説明】光技術が通信装置に広く用いられる
ようになるにつれて、光電子回路の素子の性能が改善さ
れている。従来、いくつかの光受信器回路が存在する。
このような光受信器回路は、光入力ビームを受信し、出
力信号を生成する。そして、この出力信号は、電気信
号、あるいは、再生された光信号の何れかの形態であ
る。
ようになるにつれて、光電子回路の素子の性能が改善さ
れている。従来、いくつかの光受信器回路が存在する。
このような光受信器回路は、光入力ビームを受信し、出
力信号を生成する。そして、この出力信号は、電気信
号、あるいは、再生された光信号の何れかの形態であ
る。
【０００３】従来の光電子受信器回路は、高インピーダ
ンスの受信器を構成する電界効果型トランジスタ（ＦＥ
Ｔ）を用いている。他の光電子受信器回路は、トランス
インピーダンス受信器を構成するＦＥＴを用いている。
この従来の高入力インピーダンスの受信器とトランスイ
ンピーダンスの受信器の双方共に、ある種の欠点があ
る。例えば、単一の光ビームが用いられるときには、抵
抗が、この従来の受信器内に用いられ、この抵抗が受信
器のバンド幅を固定してしまう。さらに、また、この従
来の受信器内のＦＥＴを介して、常にある程度の静電流
が流れるために、電気エネルギーが消費されてしまう。
さらに、一本の入力ビームのみが用いられているので、
そのビームのパワーレベルは、受信器が二つの論理状態
の間を区別できる程度充分高くなければならない。さら
に、受動型のプルアップ負荷が、出力スイッチングを遅
延させてしまう。
ンスの受信器を構成する電界効果型トランジスタ（ＦＥ
Ｔ）を用いている。他の光電子受信器回路は、トランス
インピーダンス受信器を構成するＦＥＴを用いている。
この従来の高入力インピーダンスの受信器とトランスイ
ンピーダンスの受信器の双方共に、ある種の欠点があ
る。例えば、単一の光ビームが用いられるときには、抵
抗が、この従来の受信器内に用いられ、この抵抗が受信
器のバンド幅を固定してしまう。さらに、また、この従
来の受信器内のＦＥＴを介して、常にある程度の静電流
が流れるために、電気エネルギーが消費されてしまう。
さらに、一本の入力ビームのみが用いられているので、
そのビームのパワーレベルは、受信器が二つの論理状態
の間を区別できる程度充分高くなければならない。さら
に、受動型のプルアップ負荷が、出力スイッチングを遅
延させてしまう。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の目的
は、複数の光ビームを用いて、電力パワーの消費を減少
させ、入力ビームで用いられる絶対パワーに対し感受性
を有さない新たな光受信器を提供することである。
は、複数の光ビームを用いて、電力パワーの消費を減少
させ、入力ビームで用いられる絶対パワーに対し感受性
を有さない新たな光受信器を提供することである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の第１の実施例に
よれば、相補型のＦＥＴ（ＣＦＥＴ）からなる光受信器
は、ループ内で直列に接続された第１と第２の光ダイオ
ードを有し、それらの間に第１ノードを有し、さらに、
それらの間に第２ノードを有する直列接続された第３と
第４の光ダイオードからなる。第１と第２のＦＥＴは、
互いに直列に接続されており、第１のＦＥＴのゲート
は、第１ノードに接続され、第２のＦＥＴのゲートは、
第２ノードに接続されている。ＣＦＥＴ光受信器のこの
出力は、第１と第２のＦＥＴの間の第３ノードから取り
出される。
よれば、相補型のＦＥＴ（ＣＦＥＴ）からなる光受信器
は、ループ内で直列に接続された第１と第２の光ダイオ
ードを有し、それらの間に第１ノードを有し、さらに、
それらの間に第２ノードを有する直列接続された第３と
第４の光ダイオードからなる。第１と第２のＦＥＴは、
互いに直列に接続されており、第１のＦＥＴのゲート
は、第１ノードに接続され、第２のＦＥＴのゲートは、
第２ノードに接続されている。ＣＦＥＴ光受信器のこの
出力は、第１と第２のＦＥＴの間の第３ノードから取り
出される。
【０００６】上記のように構成した本発明の光受信器の
動作について述べる。本発明のＣＦＥＴ光受信器は、４
本の入力光ビームを用いているが、そのうち２つが独自
のものである。第１の入力光ビームは、２本の光ビーム
に複製され、これらの光ビームは、第１と第４の光ダイ
オードに同時に入力される。相補的な他の入力ビーム
は、２本の光ビームに複製されて、第２と第３の光ダイ
オードに入力される。この第１の入力光ビームと相補的
な入力光ビームとは、何れかが光ダイオードに入力され
て、あるトランジスタがターンオフしているときには、
他のトランジスタはターンオンしている。このプッシュ
プル動作は、従来の光受信器に比較して、ＣＦＥＴの受
信器内の静電流の流れを大きく減少させる。かくして、
本発明のＣＦＥＴ受信器は、電力パワーの消費を減ら
す。
動作について述べる。本発明のＣＦＥＴ光受信器は、４
本の入力光ビームを用いているが、そのうち２つが独自
のものである。第１の入力光ビームは、２本の光ビーム
に複製され、これらの光ビームは、第１と第４の光ダイ
オードに同時に入力される。相補的な他の入力ビーム
は、２本の光ビームに複製されて、第２と第３の光ダイ
オードに入力される。この第１の入力光ビームと相補的
な入力光ビームとは、何れかが光ダイオードに入力され
て、あるトランジスタがターンオフしているときには、
他のトランジスタはターンオンしている。このプッシュ
プル動作は、従来の光受信器に比較して、ＣＦＥＴの受
信器内の静電流の流れを大きく減少させる。かくして、
本発明のＣＦＥＴ受信器は、電力パワーの消費を減ら
す。
【０００７】さらに、本発明のＣＦＥＴ受信器は、出力
データを生成するのに比較して、入力ビームで用いられ
る絶対パワーに対し、感受性を有さないという利点があ
る。出力は、光学検波器の上に入射する２本の光入力ビ
ームの間のパワーの差に基づいて生成されており、その
結果、受信器回路の速度は、２本の光入力ビームの間の
パワーの差に比例する。
データを生成するのに比較して、入力ビームで用いられ
る絶対パワーに対し、感受性を有さないという利点があ
る。出力は、光学検波器の上に入射する２本の光入力ビ
ームの間のパワーの差に基づいて生成されており、その
結果、受信器回路の速度は、２本の光入力ビームの間の
パワーの差に比例する。
【０００８】本発明の他の実施例のＣＦＥＴ受信器は、
増幅器段を有する。この増幅器段は、直列に接続された
２個のＦＥＴを有し、入力信号にゲインを追加して、よ
り低いエネルギーの光学入力信号が利用できるようにし
ている。さらに、クランプ部分がこのＣＦＥＴ受信器に
接続されて、光検波器をバイアスしている。このクラン
プ部分は、光検波器の電圧スイングを所定の範囲内に入
るように制限し、光学検波器が任意の逆バイアスされる
ようにしている。これは、ある種の応用にとっては好ま
しいことである。
増幅器段を有する。この増幅器段は、直列に接続された
２個のＦＥＴを有し、入力信号にゲインを追加して、よ
り低いエネルギーの光学入力信号が利用できるようにし
ている。さらに、クランプ部分がこのＣＦＥＴ受信器に
接続されて、光検波器をバイアスしている。このクラン
プ部分は、光検波器の電圧スイングを所定の範囲内に入
るように制限し、光学検波器が任意の逆バイアスされる
ようにしている。これは、ある種の応用にとっては好ま
しいことである。
【０００９】さらに、本発明の光受信器は、モノリシッ
クに集積された素子として実現できる。このＣＦＥＴ光
受信器の利点は、２個のＦＥＴの電気特性を全く同一に
できる点である。その結果、例えば、ＣＦＥＴ受信器
は、モノリシックに集積されたディプレーションモード
のＧａＡｓＦＥＴとＧａＡｓの多重量子井戸（multiple
quantum well：ＭＱＷ）とを用いて、光検知器として形
成できる。
クに集積された素子として実現できる。このＣＦＥＴ光
受信器の利点は、２個のＦＥＴの電気特性を全く同一に
できる点である。その結果、例えば、ＣＦＥＴ受信器
は、モノリシックに集積されたディプレーションモード
のＧａＡｓＦＥＴとＧａＡｓの多重量子井戸（multiple
quantum well：ＭＱＷ）とを用いて、光検知器として形
成できる。
【００１０】
【実施例】図１において、本発明の光学受信器１０は、
光ダイオード１、２、３、４からなる検波部１２と、電
界効果型トランジスタ（ＦＥＴ）５、７からなる入力部
２０とを有する。この光ダイオード１，２は、ループ内
に直列に接続され、それらの間にノードＸを有し、光ダ
イオード３，４は、ループ内に直列に接続されて、それ
らの間にノードＹを有する。このノードＸは、電界効果
型トランジスタ（ＦＥＴ）５のゲート入力接続され、ノ
ードＹは、電界効果型トランジスタ（ＦＥＴ）７のゲー
ト入力に接続される。これらの電界効果型トランジスタ
（ＦＥＴ）５と７は、直列に接続されて、ドレイン電圧
Ｖddとソース電圧Ｖssの間でバイアスされて、それらの
間にノードＺを有する。本発明の光学受信器１０の出力
は、このノードＺから取り出される。この実施例におい
ては、本発明の光学受信器１０の電圧ソースは、次のと
おりである。 Ｖdd＝２．０ボルト Ｖss＝−１．０〜−１．５ボルト
光ダイオード１、２、３、４からなる検波部１２と、電
界効果型トランジスタ（ＦＥＴ）５、７からなる入力部
２０とを有する。この光ダイオード１，２は、ループ内
に直列に接続され、それらの間にノードＸを有し、光ダ
イオード３，４は、ループ内に直列に接続されて、それ
らの間にノードＹを有する。このノードＸは、電界効果
型トランジスタ（ＦＥＴ）５のゲート入力接続され、ノ
ードＹは、電界効果型トランジスタ（ＦＥＴ）７のゲー
ト入力に接続される。これらの電界効果型トランジスタ
（ＦＥＴ）５と７は、直列に接続されて、ドレイン電圧
Ｖddとソース電圧Ｖssの間でバイアスされて、それらの
間にノードＺを有する。本発明の光学受信器１０の出力
は、このノードＺから取り出される。この実施例におい
ては、本発明の光学受信器１０の電圧ソースは、次のと
おりである。 Ｖdd＝２．０ボルト Ｖss＝−１．０〜−１．５ボルト
【００１１】これらの光ダイオード１、２、３、４は、
光を電流に換える働きをする。一般的に、光ダイオード
は、そこに入力される光ビームのパワーに比例した電流
を生成し、そして、その極性は、このダイオードに順バ
イアスをかける。それゆえに、各ダイオードには、電位
差が生成されて、順方向にバイアスされたダイオード電
流は、光電流で正確にバランスするようになっている。
この電位は、光ダイオードのビルトイン電圧（Ｖbi）に
ほぼ匹敵する。かくして、例えば、光ビームＡ1が本発
明の光学受信器１０の光ダイオード１に入射すると、ノ
ードＸでの電位はノードＺに対し正となり、これにより
電界効果型トランジスタ（ＦＥＴ）５がターンオンす
る。逆に、光ビームＡ1がオフで光ビームＢ1が光ダイオ
ード２に入射すると、ノードＸでの電位はノードＺに対
し負となり、電界効果型トランジスタ（ＦＥＴ）５をタ
ーンオフさせる。
光を電流に換える働きをする。一般的に、光ダイオード
は、そこに入力される光ビームのパワーに比例した電流
を生成し、そして、その極性は、このダイオードに順バ
イアスをかける。それゆえに、各ダイオードには、電位
差が生成されて、順方向にバイアスされたダイオード電
流は、光電流で正確にバランスするようになっている。
この電位は、光ダイオードのビルトイン電圧（Ｖbi）に
ほぼ匹敵する。かくして、例えば、光ビームＡ1が本発
明の光学受信器１０の光ダイオード１に入射すると、ノ
ードＸでの電位はノードＺに対し正となり、これにより
電界効果型トランジスタ（ＦＥＴ）５がターンオンす
る。逆に、光ビームＡ1がオフで光ビームＢ1が光ダイオ
ード２に入射すると、ノードＸでの電位はノードＺに対
し負となり、電界効果型トランジスタ（ＦＥＴ）５をタ
ーンオフさせる。
【００１２】本発明の光学受信器１０の動作のあるモー
ドにおいては、２個の差分光データストリームが、４個
の光ダイオード１、２、３、４に入力される。この差分
光データの使用は、非唯一性に対しシステムの許容度を
与えることになる。例えば、受信器列にかかるパワーレ
ベルの変動に対しシステムとしての許容差を与えること
になる。この例においては、２本のビームは、検知しよ
うとしている信号に応じて、時間変動する強度を有す
る。かくして、デジタル“１”は、第１入力ビームが明
で、第２入力ビームが暗によって伝送され、デジタル
“０”は、第２入力ビームが明で、第１入力ビームが暗
によって伝送される。このデータは、本発明の光学受信
器１０の４個の検知器に第１と第２の入力ビームを２個
の組（図１のＡ1、Ａ2とＢ1、Ｂ2に示されるように）に
複製することにより供給される。ビームスプリッタ、複
屈折グレーティング、あるいは、他の手段を用いて、こ
の第１と第２の入力ビームを複製することができる。こ
のようなビーム分割装置は公知である。ここでは、デジ
タル動作について記載したが、本発明によるＣＦＥＴ受
信器は、アナログ回路の一部としても動作することがで
きる。
ドにおいては、２個の差分光データストリームが、４個
の光ダイオード１、２、３、４に入力される。この差分
光データの使用は、非唯一性に対しシステムの許容度を
与えることになる。例えば、受信器列にかかるパワーレ
ベルの変動に対しシステムとしての許容差を与えること
になる。この例においては、２本のビームは、検知しよ
うとしている信号に応じて、時間変動する強度を有す
る。かくして、デジタル“１”は、第１入力ビームが明
で、第２入力ビームが暗によって伝送され、デジタル
“０”は、第２入力ビームが明で、第１入力ビームが暗
によって伝送される。このデータは、本発明の光学受信
器１０の４個の検知器に第１と第２の入力ビームを２個
の組（図１のＡ1、Ａ2とＢ1、Ｂ2に示されるように）に
複製することにより供給される。ビームスプリッタ、複
屈折グレーティング、あるいは、他の手段を用いて、こ
の第１と第２の入力ビームを複製することができる。こ
のようなビーム分割装置は公知である。ここでは、デジ
タル動作について記載したが、本発明によるＣＦＥＴ受
信器は、アナログ回路の一部としても動作することがで
きる。
【００１３】デジタル“１”が伝送されると、その後、
入力ビームＡ1、Ａ2は明となり、光ダイオード１と４に
入力され、その結果、電界効果型トランジスタ（ＦＥ
Ｔ）５に正のゲートソース電圧を与え、電界効果型トラ
ンジスタ（ＦＥＴ）７に負のゲートソース電圧を与える
ことになる。入力ビームＢ1、Ｂ2が暗となる。これらの
入力ビームは、電界効果型トランジスタ（ＦＥＴ）５を
ターンオンさせるが、電界効果型トランジスタ（ＦＥ
Ｔ）７をターンオフさせる。この切り替えフェーズの
間、ＶddからＶssへの電流は、電界効果型トランジスタ
（ＦＥＴ）７がオフになるまで流れる。ノードＺにおけ
るデジタル“１”の出力信号が安定すると、この回路に
は、静電流は流れない。デジタル“０”が次に伝送され
ると、入力ビームＡ1、Ａ2は暗になり、入力ビーム
Ｂ1、Ｂ2が明となり、これらは同時に光ダイオード２と
３に入力され、電界効果型トランジスタ（ＦＥＴ）５を
ターンオフさせて、電界効果型トランジスタ（ＦＥＴ）
７をターンオンさせる。そして、再びノードＺにおける
出力信号が安定すると、静電流は流れない。この種の切
り替え動作は、本発明の光学受信器１０のプッシュプル
動作を構成する。この切り替えフェーズにおける時間が
短いと、ＣＦＥＴ受信器の電力消費は低い。かくして、
ＣＭＯＳ型の回路に比較して、低電力消費の光学受信器
回路が実現できる。
入力ビームＡ1、Ａ2は明となり、光ダイオード１と４に
入力され、その結果、電界効果型トランジスタ（ＦＥ
Ｔ）５に正のゲートソース電圧を与え、電界効果型トラ
ンジスタ（ＦＥＴ）７に負のゲートソース電圧を与える
ことになる。入力ビームＢ1、Ｂ2が暗となる。これらの
入力ビームは、電界効果型トランジスタ（ＦＥＴ）５を
ターンオンさせるが、電界効果型トランジスタ（ＦＥ
Ｔ）７をターンオフさせる。この切り替えフェーズの
間、ＶddからＶssへの電流は、電界効果型トランジスタ
（ＦＥＴ）７がオフになるまで流れる。ノードＺにおけ
るデジタル“１”の出力信号が安定すると、この回路に
は、静電流は流れない。デジタル“０”が次に伝送され
ると、入力ビームＡ1、Ａ2は暗になり、入力ビーム
Ｂ1、Ｂ2が明となり、これらは同時に光ダイオード２と
３に入力され、電界効果型トランジスタ（ＦＥＴ）５を
ターンオフさせて、電界効果型トランジスタ（ＦＥＴ）
７をターンオンさせる。そして、再びノードＺにおける
出力信号が安定すると、静電流は流れない。この種の切
り替え動作は、本発明の光学受信器１０のプッシュプル
動作を構成する。この切り替えフェーズにおける時間が
短いと、ＣＦＥＴ受信器の電力消費は低い。かくして、
ＣＭＯＳ型の回路に比較して、低電力消費の光学受信器
回路が実現できる。
【００１４】別の動作モードにおいては、デジタルデー
タ信号は、第１入力ビームのみで規定できる。この場
合、第２入力ビームは、外部入力されたリセットビーム
の機能を実行し、本発明の光学受信器１０をプリセット
された固定状態に戻す。例えば、論理“１”が伝送され
ると、入力ビームＡ1、Ａ2は、光ダイオード１、４に入
力されて、ノードＺにおける出力信号を論理レベル
“１”をあらわすまで上昇させる。その後、ノードＺに
おける出力がサンプルされると、その後、入力ビームＢ
1、Ｂ2は、光ダイオード２、３に入力されて、ノードＺ
における信号を、そのプリセットレベルに戻す。その
後、論理レベル“０”が伝送されても、入力ビーム
Ａ1、Ａ2は、ノードＺの出力には何等影響を及ぼさず、
その後、このノードＺがサンプルされると、プリセット
電圧レベルは論理“０”となる。その後、再び入力ビー
ムＢ1、Ｂ2が光ダイオード２、３に入力されると、電圧
レベルは既に、それらが影響しないプリセットレベルに
あるので、実際には、入力ビームＢ1、Ｂ2は、論理レベ
ル“１”がサンプルされた後、本発明の光学受信器１０
をリセットするだけである。しかし、正確な動作を確保
するために、光ダイオードに入力ビームＡ1、Ａ2が、各
時間毎に入力される必要はある。
タ信号は、第１入力ビームのみで規定できる。この場
合、第２入力ビームは、外部入力されたリセットビーム
の機能を実行し、本発明の光学受信器１０をプリセット
された固定状態に戻す。例えば、論理“１”が伝送され
ると、入力ビームＡ1、Ａ2は、光ダイオード１、４に入
力されて、ノードＺにおける出力信号を論理レベル
“１”をあらわすまで上昇させる。その後、ノードＺに
おける出力がサンプルされると、その後、入力ビームＢ
1、Ｂ2は、光ダイオード２、３に入力されて、ノードＺ
における信号を、そのプリセットレベルに戻す。その
後、論理レベル“０”が伝送されても、入力ビーム
Ａ1、Ａ2は、ノードＺの出力には何等影響を及ぼさず、
その後、このノードＺがサンプルされると、プリセット
電圧レベルは論理“０”となる。その後、再び入力ビー
ムＢ1、Ｂ2が光ダイオード２、３に入力されると、電圧
レベルは既に、それらが影響しないプリセットレベルに
あるので、実際には、入力ビームＢ1、Ｂ2は、論理レベ
ル“１”がサンプルされた後、本発明の光学受信器１０
をリセットするだけである。しかし、正確な動作を確保
するために、光ダイオードに入力ビームＡ1、Ａ2が、各
時間毎に入力される必要はある。
【００１５】デジタル的な動作をするときには、この本
発明の光学受信器１０は、ノードＺの電圧であらわされ
る２個の論理出力状態を有する。これらの論理値が電界
効果型トランジスタ（ＦＥＴ）５、７を構成するのに用
いられる論理族を近似すると、その後、ノードＺの出力
は、追加の回路を必要とすることなく、論理ゲートに直
接接続できる。この回路は、出力を正確なレベルに変換
するために必要なものである。本発明の光学受信器１０
の他の利点は、出力データを生成することに関し、第１
と第２の入力ビームで用いられるパワーの絶対値には、
左右されないことである。従来の光受信器は、１本の入
力ビームのみを用いており、そのビームのパワーレベル
が低すぎる場合には、不正確な出力信号が生成された。
これに対して、本発明の光学受信器１０は、第１入力ビ
ームと第２入力信号ビームとの間の差に基づいて、出力
信号を決定する。すなわち、入力ビームＡ1、Ａ2の信号
が入力ビームＢ1、Ｂ2より大きい場合には、この回路の
スピードは、これら２本のビームの間のパワー差に正比
例する。
発明の光学受信器１０は、ノードＺの電圧であらわされ
る２個の論理出力状態を有する。これらの論理値が電界
効果型トランジスタ（ＦＥＴ）５、７を構成するのに用
いられる論理族を近似すると、その後、ノードＺの出力
は、追加の回路を必要とすることなく、論理ゲートに直
接接続できる。この回路は、出力を正確なレベルに変換
するために必要なものである。本発明の光学受信器１０
の他の利点は、出力データを生成することに関し、第１
と第２の入力ビームで用いられるパワーの絶対値には、
左右されないことである。従来の光受信器は、１本の入
力ビームのみを用いており、そのビームのパワーレベル
が低すぎる場合には、不正確な出力信号が生成された。
これに対して、本発明の光学受信器１０は、第１入力ビ
ームと第２入力信号ビームとの間の差に基づいて、出力
信号を決定する。すなわち、入力ビームＡ1、Ａ2の信号
が入力ビームＢ1、Ｂ2より大きい場合には、この回路の
スピードは、これら２本のビームの間のパワー差に正比
例する。
【００１６】さらに、本発明の光学受信器１０のＦＥＴ
の特定の値電圧は、受信器動作に対し、絶対的なもので
はない。すなわち、本発明の光学受信器１０は、電界効
果型トランジスタ（ＦＥＴ）５と７の間の電流差に基づ
いて、出力信号を生成する。それゆえに、この２つのＦ
ＥＴが同一の場合には、その特定のしきい値電圧は、光
ダイオードがＦＥＴをターンオンしたり、ターンオフで
きる限り、絶対的なものではない。
の特定の値電圧は、受信器動作に対し、絶対的なもので
はない。すなわち、本発明の光学受信器１０は、電界効
果型トランジスタ（ＦＥＴ）５と７の間の電流差に基づ
いて、出力信号を生成する。それゆえに、この２つのＦ
ＥＴが同一の場合には、その特定のしきい値電圧は、光
ダイオードがＦＥＴをターンオンしたり、ターンオフで
きる限り、絶対的なものではない。
【００１７】図１の本発明の光学受信器１０は、モノリ
シックに集積された光回路として形成することができ
る。電気処理要素の間を大規模に光学的に相互接続する
ためには、制御可能な光学要素と半導体マイクロエレク
トロニクスとをモノリシックに集積することである。こ
のような光学要素の例は、ｐ−ｉ−ｎ多重量子井戸（Ｍ
ＱＷ）素子で、この素子は、検波器、および、光変調器
の両方として用いることができる。ＧａＡｓ電界効果型
トランジスタ（ＦＥＴ）は、ＧａＡｓ多重量子井戸光変
調器と共に集積化して、これらを組み合わせたものは、
ＦＥＴ−ＳＥＥＤと称する。ドープしたチャネルヘテロ
接合ＦＥＴ（ＨＦＥＴ）は、ドープしたチャネルＭＩＳ
状ＦＥＴ（ＤＭＴ）として公知であり、これらは、Ｇａ
Ａｓ電子素子として用いられる。
シックに集積された光回路として形成することができ
る。電気処理要素の間を大規模に光学的に相互接続する
ためには、制御可能な光学要素と半導体マイクロエレク
トロニクスとをモノリシックに集積することである。こ
のような光学要素の例は、ｐ−ｉ−ｎ多重量子井戸（Ｍ
ＱＷ）素子で、この素子は、検波器、および、光変調器
の両方として用いることができる。ＧａＡｓ電界効果型
トランジスタ（ＦＥＴ）は、ＧａＡｓ多重量子井戸光変
調器と共に集積化して、これらを組み合わせたものは、
ＦＥＴ−ＳＥＥＤと称する。ドープしたチャネルヘテロ
接合ＦＥＴ（ＨＦＥＴ）は、ドープしたチャネルＭＩＳ
状ＦＥＴ（ＤＭＴ）として公知であり、これらは、Ｇａ
Ａｓ電子素子として用いられる。
【００１８】このＦＥＴとＭＱＷ変調器を一体形成する
ことにより、コンパクトな増幅器回路列が生成でき、さ
らに、高歩留まりが実現でき、光入力と光出力との間を
デジタルで電気的に処理することによって、その機能を
さらに増強できる。このような集積電子回路は、スマー
トピクセル（smart pixel）とも称し、これは、次の論
文に開示されている。“IEEE Photonics Technology Le
tters,”vol.4, No.6（１９９２年６月）の６１４〜６
１７ページの“Operation of a Fully Integrated GaAs
AlxGa1-xAs FET-SEED: A Basic Optically Addressed I
ntegrated Circuit”（T. K. Woodward他著）。さら
に、高歩留まりのＦＥＴ自己電子格子効果（field-effe
ct transistor self-electro-optic-effect：ＦＥＴ−
ＳＥＥＤ）のフレキシブルな設計、および、製造に最適
なプロセス技術は、次の論文に開示されている。“IEEE
Electron Device Letters”vol. 13, No. 10（１９９
２年１０月）の５２８〜５３１ページの“Batch Fabric
ation and Structure of Intergrated GaAs-AlxGa1-xAs
Field-Effect Transistor-Self-Electro-optic Effect
Devices (FET-SEED's)”（L. A. D'Asaro他著）。
ことにより、コンパクトな増幅器回路列が生成でき、さ
らに、高歩留まりが実現でき、光入力と光出力との間を
デジタルで電気的に処理することによって、その機能を
さらに増強できる。このような集積電子回路は、スマー
トピクセル（smart pixel）とも称し、これは、次の論
文に開示されている。“IEEE Photonics Technology Le
tters,”vol.4, No.6（１９９２年６月）の６１４〜６
１７ページの“Operation of a Fully Integrated GaAs
AlxGa1-xAs FET-SEED: A Basic Optically Addressed I
ntegrated Circuit”（T. K. Woodward他著）。さら
に、高歩留まりのＦＥＴ自己電子格子効果（field-effe
ct transistor self-electro-optic-effect：ＦＥＴ−
ＳＥＥＤ）のフレキシブルな設計、および、製造に最適
なプロセス技術は、次の論文に開示されている。“IEEE
Electron Device Letters”vol. 13, No. 10（１９９
２年１０月）の５２８〜５３１ページの“Batch Fabric
ation and Structure of Intergrated GaAs-AlxGa1-xAs
Field-Effect Transistor-Self-Electro-optic Effect
Devices (FET-SEED's)”（L. A. D'Asaro他著）。
【００１９】図２は、本発明の光学受信器１０を製造す
るための本発明のＦＥＴ−ＳＥＥＤ装置２１のウェハ構
造の断面を表す。多重量子井戸（ＭＱＷ）変調器２２と
ディプレーションモードの電界効果型トランジスタ（Ｄ
ＭＴ）２４が、半絶縁性ＧａＡｓ基板２５の上に形成さ
れている。この多重量子井戸（ＭＱＷ）変調器２２は、
光学変調器、あるいは、光ダイオードの何れとしても用
いることができ、そして、ディプレーションモードの電
界効果型トランジスタ（ＤＭＴ）２４は、増幅器回路の
一部として用い、ＭＱＷ変調器からの信号を処理する。
多重量子井戸部分２６は、ＦＥＴの層の下に配置され
て、入力点での検知、および、出力点での信号変調を実
行する。ｐ層２８が、ディプレーションモードの電界効
果型トランジスタ（ＤＭＴ）２４と多重量子井戸（ＭＱ
Ｗ）変調器２２の両方の下に形成され、多重量子井戸
（ＭＱＷ）変調器２２の一端末として、および、制御電
極、あるいは、ディプレーションモードの電界効果型ト
ランジスタ（ＤＭＴ）２４の下の接地面として機能し、
ゲート領域を浮遊電界の影響から保護している。
るための本発明のＦＥＴ−ＳＥＥＤ装置２１のウェハ構
造の断面を表す。多重量子井戸（ＭＱＷ）変調器２２と
ディプレーションモードの電界効果型トランジスタ（Ｄ
ＭＴ）２４が、半絶縁性ＧａＡｓ基板２５の上に形成さ
れている。この多重量子井戸（ＭＱＷ）変調器２２は、
光学変調器、あるいは、光ダイオードの何れとしても用
いることができ、そして、ディプレーションモードの電
界効果型トランジスタ（ＤＭＴ）２４は、増幅器回路の
一部として用い、ＭＱＷ変調器からの信号を処理する。
多重量子井戸部分２６は、ＦＥＴの層の下に配置され
て、入力点での検知、および、出力点での信号変調を実
行する。ｐ層２８が、ディプレーションモードの電界効
果型トランジスタ（ＤＭＴ）２４と多重量子井戸（ＭＱ
Ｗ）変調器２２の両方の下に形成され、多重量子井戸
（ＭＱＷ）変調器２２の一端末として、および、制御電
極、あるいは、ディプレーションモードの電界効果型ト
ランジスタ（ＤＭＴ）２４の下の接地面として機能し、
ゲート領域を浮遊電界の影響から保護している。
【００２０】図３において、単一段ＣＦＥＴ受信器回路
３０は、検波部１２と入力部２０と光学出力部３２とを
有する。この光学出力部３２は、直列に接続された変調
器ダイオード３３と３４とを有し、ノードＷは、ノード
Ｚに接続されている。変調器ダイオード３３と３４は、
電圧Ｖ１と接地との間でバイアスされている。単一段Ｃ
ＦＥＴ受信器回路３０は、前掲の論文に記載されたＦＥ
Ｔ−ＳＥＥＤプロセスにより形成される。このようなモ
ノリシックに集積した素子は、シングルタイプのＦＥ
Ｔ、すなわち、２個のディプレーションモード、あるい
は、２個のエンハンストモードのトランジスタの何れか
であり、エンハンストモードとディプレーションモード
の両方は必要としない。このことは、半導体ウェハ上に
同一のタイプを形成するために、そのプロセスが単純と
なるため、利点がある。
３０は、検波部１２と入力部２０と光学出力部３２とを
有する。この光学出力部３２は、直列に接続された変調
器ダイオード３３と３４とを有し、ノードＷは、ノード
Ｚに接続されている。変調器ダイオード３３と３４は、
電圧Ｖ１と接地との間でバイアスされている。単一段Ｃ
ＦＥＴ受信器回路３０は、前掲の論文に記載されたＦＥ
Ｔ−ＳＥＥＤプロセスにより形成される。このようなモ
ノリシックに集積した素子は、シングルタイプのＦＥ
Ｔ、すなわち、２個のディプレーションモード、あるい
は、２個のエンハンストモードのトランジスタの何れか
であり、エンハンストモードとディプレーションモード
の両方は必要としない。このことは、半導体ウェハ上に
同一のタイプを形成するために、そのプロセスが単純と
なるため、利点がある。
【００２１】図４は、図３の変調器ダイオード３３から
得られた出力信号４１のグラフ４０を表し、これは、単
一段ＣＦＥＴ受信器回路３０の挙動を表す。図４の出力
信号４１を生成するために、１００ＭＨｚのデジタル光
入力データストリームは、パターン“１０１０１０１０
１”を有し、これが単一段ＣＦＥＴ受信器回路３０の光
ダイオード１、２、３、４に入力される。出力データを
得るために、光ビームは、変調器ダイオード３３から反
射される。この変調器ダイオード３３、３４は、それら
から反射された光ビームに対を変調する。この変調は、
その後、外部の、例えば、光ダイオードで、その出力
は、オシロスコープに接続されているものを用いて検知
される。図４において、時間０−１ｎ（ナノ）秒におい
ては、デジタル“１”が出力され、時間３−６ｎ（ナ
ノ）秒では、デジタル“０”が出力される、等である。
一対の光ビームの間の光パワーの差は、ある論理信号に
対しては５００フェムトジュール（femtojoule：ｆｊ）
であり、他の論理信号に対しては６００ｆｊである。例
えば、論理レベル“０”に対しては、５００ｆｊのエネ
ルギー差が光信号Ａ1、Ｂ1の間に存在し、さらに、光信
号Ａ2、Ｂ2の間に存在する。
得られた出力信号４１のグラフ４０を表し、これは、単
一段ＣＦＥＴ受信器回路３０の挙動を表す。図４の出力
信号４１を生成するために、１００ＭＨｚのデジタル光
入力データストリームは、パターン“１０１０１０１０
１”を有し、これが単一段ＣＦＥＴ受信器回路３０の光
ダイオード１、２、３、４に入力される。出力データを
得るために、光ビームは、変調器ダイオード３３から反
射される。この変調器ダイオード３３、３４は、それら
から反射された光ビームに対を変調する。この変調は、
その後、外部の、例えば、光ダイオードで、その出力
は、オシロスコープに接続されているものを用いて検知
される。図４において、時間０−１ｎ（ナノ）秒におい
ては、デジタル“１”が出力され、時間３−６ｎ（ナ
ノ）秒では、デジタル“０”が出力される、等である。
一対の光ビームの間の光パワーの差は、ある論理信号に
対しては５００フェムトジュール（femtojoule：ｆｊ）
であり、他の論理信号に対しては６００ｆｊである。例
えば、論理レベル“０”に対しては、５００ｆｊのエネ
ルギー差が光信号Ａ1、Ｂ1の間に存在し、さらに、光信
号Ａ2、Ｂ2の間に存在する。
【００２２】図５において、本発明の二段構成ＣＦＥＴ
受信器回路５０は、検波部１２と入力部２０と増幅器部
分５２と光学出力部３２とを有する。この増幅器部分５
２は、直列に接続されたＦＥＴ５３、５４を有し、それ
らは、所定の基準電圧Ｖ1と接地との間に接続されてい
る。二段構成ＣＦＥＴ受信器回路５０がモノリシックに
集積された場合には、図３の単一段ＣＦＥＴ受信器回路
３０とほぼ同様に動作する。ただし、増幅器部分５２
は、ノードＺで生成された入力信号にゲインを追加す
る。かくして、単一段ＣＦＥＴ受信器回路３０を動作さ
せるのに必要な光学エネルギーよりも少ないエネルギー
でもって二段構成ＣＦＥＴ受信器回路５０を動作させる
ことができる。
受信器回路５０は、検波部１２と入力部２０と増幅器部
分５２と光学出力部３２とを有する。この増幅器部分５
２は、直列に接続されたＦＥＴ５３、５４を有し、それ
らは、所定の基準電圧Ｖ1と接地との間に接続されてい
る。二段構成ＣＦＥＴ受信器回路５０がモノリシックに
集積された場合には、図３の単一段ＣＦＥＴ受信器回路
３０とほぼ同様に動作する。ただし、増幅器部分５２
は、ノードＺで生成された入力信号にゲインを追加す
る。かくして、単一段ＣＦＥＴ受信器回路３０を動作さ
せるのに必要な光学エネルギーよりも少ないエネルギー
でもって二段構成ＣＦＥＴ受信器回路５０を動作させる
ことができる。
【００２３】図６は、図５の二段構成ＣＦＥＴ受信器回
路５０の動作を表すグラフ６０を示している。図４に関
連して説明した同一の入力データが用いられて、出力波
形６１が生成される。そして、この出力は、上記の方法
と同様に、変調器ダイオード３３から得られる。二段構
成ＣＦＥＴ受信器回路５０の２個の検波ダイオードにか
かるエネルギー差は、ある論理信号に対しては２５ｆｊ
で、他の論理信号に対しては２２ｆｊである。
路５０の動作を表すグラフ６０を示している。図４に関
連して説明した同一の入力データが用いられて、出力波
形６１が生成される。そして、この出力は、上記の方法
と同様に、変調器ダイオード３３から得られる。二段構
成ＣＦＥＴ受信器回路５０の２個の検波ダイオードにか
かるエネルギー差は、ある論理信号に対しては２５ｆｊ
で、他の論理信号に対しては２２ｆｊである。
【００２４】図７において、本発明のＣＦＥＴ受信器回
路７０は、光ダイオード７３、７４、７５、７６からな
る検波部部分７２と、光ダイオード１、２、３、４から
なるクランプ部分７８と、入力部２０と光学出力部３２
とを有する。このクランプダイオード対１、２と光ダイ
オード３、４は、自己バイアスされて、電圧Ｖbiが組み
込まれて、その関連トランジスタのソースに基準電圧を
与えている。かくして、クランプ部分７８は、光ダイオ
ード７３、７４、７５、７６へのバイアスが可能とな
り、電界効果型トランジスタ（ＦＥＴ）５、７の入力ノ
ードＸ、Ｙにおける電圧の触れをほぼ±Ｖbiに制限して
いる。このＣＦＥＴ受信器回路７０は、単一段ＣＦＥＴ
受信器回路３０と二段構成ＣＦＥＴ受信器回路５０とほ
ぼ同様に動作し、そして、検波部部分７２は、二段構成
ＣＦＥＴ受信器回路５０に追加されている。
路７０は、光ダイオード７３、７４、７５、７６からな
る検波部部分７２と、光ダイオード１、２、３、４から
なるクランプ部分７８と、入力部２０と光学出力部３２
とを有する。このクランプダイオード対１、２と光ダイ
オード３、４は、自己バイアスされて、電圧Ｖbiが組み
込まれて、その関連トランジスタのソースに基準電圧を
与えている。かくして、クランプ部分７８は、光ダイオ
ード７３、７４、７５、７６へのバイアスが可能とな
り、電界効果型トランジスタ（ＦＥＴ）５、７の入力ノ
ードＸ、Ｙにおける電圧の触れをほぼ±Ｖbiに制限して
いる。このＣＦＥＴ受信器回路７０は、単一段ＣＦＥＴ
受信器回路３０と二段構成ＣＦＥＴ受信器回路５０とほ
ぼ同様に動作し、そして、検波部部分７２は、二段構成
ＣＦＥＴ受信器回路５０に追加されている。
【００２５】図１、図３、図５、図７のＣＦＥＴ受信器
は、ＦＥＴ−ＳＥＥＤ集積技術を用いて形成できる。そ
して、その動作は、そのような回路で用いられる光エネ
ルギーと電圧について説明したが、本発明はこれに限定
されるものではなく、他のＦＥＴベースの受信器にも応
用できるものである。
は、ＦＥＴ−ＳＥＥＤ集積技術を用いて形成できる。そ
して、その動作は、そのような回路で用いられる光エネ
ルギーと電圧について説明したが、本発明はこれに限定
されるものではなく、他のＦＥＴベースの受信器にも応
用できるものである。
【００２６】
【発明の効果】以上述べたように、本発明は、ＦＥＴで
もって光受信器を形成するために、光Ｐ学的に安定した
性能を提供することができる。
もって光受信器を形成するために、光Ｐ学的に安定した
性能を提供することができる。
【図１】本発明による相補型の電界効果型トランジスタ
（complementary-mode field-effect transistor：ＣＦ
ＥＴ）装置からなる回路図。
（complementary-mode field-effect transistor：ＣＦ
ＥＴ）装置からなる回路図。
【図２】ＦＥＴ−ＳＥＥＤ構成を表す断面図。
【図３】出力段に接続された本発明のＣＦＥＴ装置から
なる他の回路図。
なる他の回路図。
【図４】図３の回路により生成された出力信号の時間と
の関係を表すグラフ。
の関係を表すグラフ。
【図５】本発明による二段構成のＣＦＥＴ装置からなる
回路図。
回路図。
【図６】図５の回路により生成された出力信号を表すグ
ラフ。
ラフ。
【図７】本発明によるダイオードクランプされたＣＦＥ
Ｔを表す回路図。
Ｔを表す回路図。
１、２、３、４ 光ダイオード ５、７ 電界効果型トランジスタ（ＦＥＴ） １０ 本発明の光学受信器 １２ 検波部 ２０ 入力部 ２１ 本発明のＦＥＴ−ＳＥＥＤ装置 ２２ 多重量子井戸（ＭＱＷ）変調器 ２４ ディプレーションモードの電界効果型トランジス
タ（ＤＭＴ） ２５ 半絶縁性ＧａＡｓ基板 ２６ 多重量子井戸部分 ２８ ｐ層 ３０ 単一段ＣＦＥＴ受信器回路 ３２ 光学出力部 ３３、３４ 変調器ダイオード ４０ グラフ ４１ 出力信号 ５０ 二段構成ＣＦＥＴ受信器回路 ５２ 増幅器部分 ５３、５４ ＦＥＴ ６０ グラフ ６１ 出力波形 ７０ ＣＦＥＴ受信器回路 ７２ 検波部部分 ７３、７４、７５、７６ 光ダイオード ７８ クランプ部分
タ（ＤＭＴ） ２５ 半絶縁性ＧａＡｓ基板 ２６ 多重量子井戸部分 ２８ ｐ層 ３０ 単一段ＣＦＥＴ受信器回路 ３２ 光学出力部 ３３、３４ 変調器ダイオード ４０ グラフ ４１ 出力信号 ５０ 二段構成ＣＦＥＴ受信器回路 ５２ 増幅器部分 ５３、５４ ＦＥＴ ６０ グラフ ６１ 出力波形 ７０ ＣＦＥＴ受信器回路 ７２ 検波部部分 ７３、７４、７５、７６ 光ダイオード ７８ クランプ部分
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H03K 17/78
Claims (9)
- 【請求項１】 その間に第１ノード（Ｘ）を有するルー
プ状に直列に接続された第１と第２の検知器（１，２）
と、 その間に第２ノード（Ｙ）を有するループ状に直列に接
続された第３と第４の検知器（３，４）と、 ゲート入力が第１ノード（Ｘ）に接続され、ドレイン入
力がプリセットドレイン電圧（Ｖdd）に接続され、ソー
ス入力が第３ノード（Ｚ）に接続される第１の電界効果
型トランジスタ（５）と、 ゲート入力が第２ノード（Ｙ）に接続され、ドレイン入
力が第３ノード（Ｚ）に接続され、ソース入力がプリセ
ットソース電圧（ＶSS）に接続される第２の電界効果型
トランジスタ（７）と、 からなり、第１入力信号ビーム（Ａ1，Ａ2）が、第１と
第４の検知器（１，４）により同時に検知され、第２入
力信号ビーム（Ｂ1，Ｂ2）が、第２と第３の検知器
（２，３）により同時に検知されて、第３ノード（Ｚ）
に出力信号（ＯＵＴ）を生成することを特徴とする光受
信器装置。 - 【請求項２】 直列に接続された第１と第２の光変調器
（３３，３４）を有し、 前記光変調器の間に第３ノード（Ｚ）に接続された出力
ノード（Ｗ）を有することを特徴とする請求項１の装
置。 - 【請求項３】 前記第３ノード（Ｚ）に接続された増幅
器（５２）をさらに有することを特徴とする請求項１の
装置。 - 【請求項４】 前記増幅器（５２）は、直列に接続され
た２個の電界効果型トランジスタ（５３，５４）からな
ることを特徴とする請求項３の装置。 - 【請求項５】 前記第１ノードに接続され、前記第１ノ
ードで電圧を制限するクランプ手段（７８）をさらに有
することを特徴とする請求項１の装置。 - 【請求項６】 前記第２ノードに接続され、前記第２ノ
ードで電圧を制限するクランプ手段（７８）を有するこ
とを特徴とする請求項１の装置。 - 【請求項７】 前記クランプ手段（７８）は、直列に接
続された２個のクランプダイオード（１，２または３，
４）からなることを特徴とする請求項５の装置。 - 【請求項８】 前記クランプ手段（７８）は、直列に接
続され、所定の電圧範囲内にバイアスされた２個のクラ
ンプダイオード（１，２または３，４）からなることを
特徴とする請求項６の装置。 - 【請求項９】 前記検知器（１，２，３，４）は、多重
量子井戸ｐｉｎダイオードであることを特徴とする請求
項１の装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US08/156,137 US5389776A (en) | 1993-11-22 | 1993-11-22 | FET-based optical receiver |
| US156137 | 1993-11-22 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07202668A JPH07202668A (ja) | 1995-08-04 |
| JP2957100B2 true JP2957100B2 (ja) | 1999-10-04 |
Family
ID=22558266
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6308465A Expired - Lifetime JP2957100B2 (ja) | 1993-11-22 | 1994-11-18 | 光受信器装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5389776A (ja) |
| EP (1) | EP0654905B1 (ja) |
| JP (1) | JP2957100B2 (ja) |
| CA (1) | CA2117825C (ja) |
| DE (1) | DE69409329T2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US5581077A (en) * | 1994-07-05 | 1996-12-03 | Lucent Technologies Inc. | Optical receiver with a high impedance preamplifier |
| US5605856A (en) * | 1995-03-14 | 1997-02-25 | University Of North Carolina | Method for designing an electronic integrated circuit with optical inputs and outputs |
| US5644418A (en) * | 1995-12-07 | 1997-07-01 | Lucent Technologies Inc. | Smart pixel optical receiver employing sense amplifier and method of operation thereof |
| US5821528A (en) * | 1996-12-10 | 1998-10-13 | National Science Council | Two light intensities difference convert into frequency modulator for parallel photodiodes |
| US5892220A (en) * | 1997-08-05 | 1999-04-06 | Lucent Technologies Inc. | Linearized feedback element for two-beam smart pixel receivers |
| US6545333B1 (en) | 2001-04-25 | 2003-04-08 | International Business Machines Corporation | Light controlled silicon on insulator device |
| EP1445922A1 (en) * | 2003-02-06 | 2004-08-11 | Dialog Semiconductor GmbH | Monolithic optical read-out circuit |
| EP1775862A1 (en) * | 2005-10-14 | 2007-04-18 | Alcatel Lucent | Optical receiver and method of operating an optical receiver |
| JP5587558B2 (ja) * | 2008-03-21 | 2014-09-10 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 光電変換装置 |
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| JP6093061B2 (ja) * | 2016-03-08 | 2017-03-08 | ローム株式会社 | 光センサ及びその出力回路 |
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Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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