JPS6263823A - 光センサ - Google Patents
光センサInfo
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- JPS6263823A JPS6263823A JP60203868A JP20386885A JPS6263823A JP S6263823 A JPS6263823 A JP S6263823A JP 60203868 A JP60203868 A JP 60203868A JP 20386885 A JP20386885 A JP 20386885A JP S6263823 A JPS6263823 A JP S6263823A
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/04—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements with semiconductor devices only
- H03F3/08—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements with semiconductor devices only controlled by light
- H03F3/082—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements with semiconductor devices only controlled by light with FET's
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K9/00—Tenebrescent materials, i.e. materials for which the range of wavelengths for energy absorption is changed as a result of excitation by some form of energy
- C09K9/02—Organic tenebrescent materials
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
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- H10K30/50—Photovoltaic [PV] devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/761—Biomolecules or bio-macromolecules, e.g. proteins, chlorophyl, lipids or enzymes
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- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(a) 発明の技術分野
本発明は光を検知して、光信号を電気信号に変換する光
センサに関するものである。
センサに関するものである。
fb) 従来技術と問題点
これまで用いられてきている光センサをそれらが利用し
ている光電変換原理に基づいて大別すると (イ)光電子放出効果によるもの。
ている光電変換原理に基づいて大別すると (イ)光電子放出効果によるもの。
(ロ)光導電効果によるもの。
(ハ)光起電力効果によるもの。
に分けることができる。
(イ)のタイプのデバイスとしては光電管、光電子増倍
管があり、(ロ)のタイプのデバイスにはC45,S。
管があり、(ロ)のタイプのデバイスにはC45,S。
PbS を変換材料とする光導電セルがある。さらに(
ハ)のタイプのデバイスにはフォトダイオ−1−。
ハ)のタイプのデバイスにはフォトダイオ−1−。
フォトトランジスタなどがある。
長を1まじめ多くの長所をもっているが、その光検知感
度の波長依存性が人間の視感度の波長依存性と異なるも
のが多い。
度の波長依存性が人間の視感度の波長依存性と異なるも
のが多い。
このため、使用目的によっては視感度と同様な波長特性
を得るためにフィルター等を合わせて使用しなければな
らなかった。
を得るためにフィルター等を合わせて使用しなければな
らなかった。
一方、視物質の一種と考えられる好塩菌のバクテリオロ
ドプシンを含む細胞膜(紫膜)を材料として、その光電
変換特性を調べる報告は、たとえば参考文献 B+ o
chem 二Bioph#=s LRcs二Commu
n。
ドプシンを含む細胞膜(紫膜)を材料として、その光電
変換特性を調べる報告は、たとえば参考文献 B+ o
chem 二Bioph#=s LRcs二Commu
n。
85、 (1978)、 K、 Nagy、 pp、
383−390.やBiophys、 J、、 43.
(1983)+ G−Va’ro’ et al、。
383−390.やBiophys、 J、、 43.
(1983)+ G−Va’ro’ et al、。
pp、 47−51 にみられるように、電気信号の検
出・増幅用にエレクトロメータ等の特別な計測器を合わ
せ用いるもので、デバイスとして光センサと呼べるもの
ではなかった。
出・増幅用にエレクトロメータ等の特別な計測器を合わ
せ用いるもので、デバイスとして光センサと呼べるもの
ではなかった。
(C) 発明の目的
本発明は1人間の視感度と同様な波長特性をもち、かつ
電気信号を得るためにエレクトロメータ。
電気信号を得るためにエレクトロメータ。
pHメータ等の特別な計測器を必要としない光センサデ
バイスを得ることを目的としている。
バイスを得ることを目的としている。
(d) 発明の構成
本発明を図面に基づいて説明すると、第1図においてガ
ラス基板1上1こ真空蒸着された透明電極ア 2上に好塩菌より単離されたバクテリオロドプシンを含
む細胞膜(紫膜)の薄膜3が電着されており、さらにそ
の七に第2の電極4が真空蒸着され感光部を形成する。
ラス基板1上1こ真空蒸着された透明電極ア 2上に好塩菌より単離されたバクテリオロドプシンを含
む細胞膜(紫膜)の薄膜3が電着されており、さらにそ
の七に第2の電極4が真空蒸着され感光部を形成する。
電界効果型トランジスタ(FET)5のソース6、ゲー
ト7はそれぞれ感光部の透明電極2及び第2の電極4に
導電回路11を介して接続され、ドレイン8は直流電源
9.抵抗1゜を介しソース6と導電回路11で接続され
感光部で抵抗10の両端電圧の変化として記録器12に
記録される。
ト7はそれぞれ感光部の透明電極2及び第2の電極4に
導電回路11を介して接続され、ドレイン8は直流電源
9.抵抗1゜を介しソース6と導電回路11で接続され
感光部で抵抗10の両端電圧の変化として記録器12に
記録される。
fe) 実施例
好塩菌よりバクテリオロドプシンを含む細胞膜(紫膜)
を単離する方法は、たとえば文献Preparat i
veBiochem、、 5. (1975)、 B−
M−Becher et al 、、 pp16m−1
71に記載されている通常の方法を用いた。第1図にお
ける感光部を構成するためにガラス基板1上の透明電極
2としてIn2O3蒸着薄膜を用いバクテIJ ?rプ
シンを含む細胞膜(紫膜)を電着するには、すでに特許
出願済みの特願昭60−134986記載のタンパク質
薄膜製造装置を用いて、たとえば参考文献Biophy
s、 J−、43。
を単離する方法は、たとえば文献Preparat i
veBiochem、、 5. (1975)、 B−
M−Becher et al 、、 pp16m−1
71に記載されている通常の方法を用いた。第1図にお
ける感光部を構成するためにガラス基板1上の透明電極
2としてIn2O3蒸着薄膜を用いバクテIJ ?rプ
シンを含む細胞膜(紫膜)を電着するには、すでに特許
出願済みの特願昭60−134986記載のタンパク質
薄膜製造装置を用いて、たとえば参考文献Biophy
s、 J−、43。
(1983)、 G−Varo et at、 、 p
p、 47−5Lに記載されている方法にと挺して行っ
た。第2の電極4としては、 Au をス・バッタリ
ングにより付着した。
p、 47−5Lに記載されている方法にと挺して行っ
た。第2の電極4としては、 Au をス・バッタリ
ングにより付着した。
検出・増幅部の電界効果型トランジスタ(FET)とし
てはMOS型の33に20■を使用した。
てはMOS型の33に20■を使用した。
第2図は第1図において直流電源9として6.75ボル
トの乾電池を用い、光源#ヰとしては750+3 Wのプロジェクタ−4りの光をフィルター14として用
いた赤外線カットフィルターを通した可視光を使用しシ
ャッター15にて断続的に感光部を照射した時、記録器
12に記録されたドレイン電流IDの変化の様子を示し
たもので、可視光の照射に伴い、感光部を構成するバク
テリオロドプシンにより誘起された電位変化がゲート7
−ソース6間電位変化として検出・増幅部に伝えられ、
さらに検出・増幅部でドレイン′准流T、oの変化とし
て現われ、その結果が記録器12に記録されるという本
発明の光センサデバイスとしての有効性を示している。
トの乾電池を用い、光源#ヰとしては750+3 Wのプロジェクタ−4りの光をフィルター14として用
いた赤外線カットフィルターを通した可視光を使用しシ
ャッター15にて断続的に感光部を照射した時、記録器
12に記録されたドレイン電流IDの変化の様子を示し
たもので、可視光の照射に伴い、感光部を構成するバク
テリオロドプシンにより誘起された電位変化がゲート7
−ソース6間電位変化として検出・増幅部に伝えられ、
さらに検出・増幅部でドレイン′准流T、oの変化とし
て現われ、その結果が記録器12に記録されるという本
発明の光センサデバイスとしての有効性を示している。
第3図は2本発明の光センサの感度の波長依存により得
られたことがわかる。
られたことがわかる。
第4図は本発明の光センサの光強度に対する応答を示す
ものであり、光強度に応じた電気信号がとり出せること
が認められる。
ものであり、光強度に応じた電気信号がとり出せること
が認められる。
(fl 発明の効果
本発明は2以上説明したように、視物質を用いることに
より人間の視感度と同様な波長特性をもつ、光センサを
提供するもので、検出・増幅部に電界効果型トランジス
タを用いたことにより、部用に光信号を電気信号に変換
することを可能にするものである。
より人間の視感度と同様な波長特性をもつ、光センサを
提供するもので、検出・増幅部に電界効果型トランジス
タを用いたことにより、部用に光信号を電気信号に変換
することを可能にするものである。
上記実施例においては、第1図における透明電極2とし
てInzO3蒸着薄膜を用いたが、5n02蒸着薄膜A
u蒸着膜などが有効に用いられる。また第2の電極4と
しては上記実施例におけるAuの他+ Al+ In、
Snなどが真空蒸着等の方法で付着されうる。また、
電界効果型トランジスタとしては一ヒ記実施例において
は33に20■を用いた場合を示したが、他のMOS型
のものが有効に使用されうる。
てInzO3蒸着薄膜を用いたが、5n02蒸着薄膜A
u蒸着膜などが有効に用いられる。また第2の電極4と
しては上記実施例におけるAuの他+ Al+ In、
Snなどが真空蒸着等の方法で付着されうる。また、
電界効果型トランジスタとしては一ヒ記実施例において
は33に20■を用いた場合を示したが、他のMOS型
のものが有効に使用されうる。
さらにゲート上に直接感光部を構成することにより光セ
ンサの集積化が期待される。
ンサの集積化が期待される。
本発明の光センサは可視光の検出器としての応用の他、
光を用いる情報入力装置としての応用が可能である。
光を用いる情報入力装置としての応用が可能である。
第1図は2本発明の実施例を示す構成図。
第2図は、実施例における光センナの出力記録。
第3図は、実施例における感度の波長敞仔性。
第4図は、実施例におりる光強度に対する出力依存性を
示すものである。 1、ガラス基板 2、透明電極 3、バクテリオロドプシンを含む細胞膜(紫膜)の薄膜 4、第2の電極 5、電界効果型トランジスタ 6、 ソース 7、 ゲート 8、 ドレイン 冴 9、直流電某 10、抵抗 11、導電回路 12、記録器 13、° 光源 14、 フィルター 15゜ シャッター 第3図
示すものである。 1、ガラス基板 2、透明電極 3、バクテリオロドプシンを含む細胞膜(紫膜)の薄膜 4、第2の電極 5、電界効果型トランジスタ 6、 ソース 7、 ゲート 8、 ドレイン 冴 9、直流電某 10、抵抗 11、導電回路 12、記録器 13、° 光源 14、 フィルター 15゜ シャッター 第3図
Claims (2)
- (1)光を吸収し、吸収した光の強さに応じて光起電力
を生ずる視物質を用いる感光部と、この感光部で生じた
光起電力を検出・増幅する電界効果型トランジスタより
なる検出・増幅部とを備えた光センサ。 - (2)視物質として好塩菌より単離したバクテリオロド
プシンを含む細胞膜(紫膜)を用いることを特徴とする
特許請求の範囲第1項記載の光センサ。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60203868A JP2600069B2 (ja) | 1985-09-14 | 1985-09-14 | 光センサ |
US07/177,897 US4804834A (en) | 1985-09-14 | 1988-03-31 | Photosensor having photosensitive part formed of purple membrane |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60203868A JP2600069B2 (ja) | 1985-09-14 | 1985-09-14 | 光センサ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6263823A true JPS6263823A (ja) | 1987-03-20 |
JP2600069B2 JP2600069B2 (ja) | 1997-04-16 |
Family
ID=16481034
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60203868A Expired - Lifetime JP2600069B2 (ja) | 1985-09-14 | 1985-09-14 | 光センサ |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4804834A (ja) |
JP (1) | JP2600069B2 (ja) |
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US7807042B2 (en) | 2005-01-27 | 2010-10-05 | Auburn University | System for and method of patch clamp analysis |
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-
1985
- 1985-09-14 JP JP60203868A patent/JP2600069B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1988
- 1988-03-31 US US07/177,897 patent/US4804834A/en not_active Expired - Lifetime
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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JP2600069B2 (ja) | 1997-04-16 |
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