JPS58205970A - 二次元デ−タ記憶装置 - Google Patents

二次元デ−タ記憶装置

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JPS58205970A
JPS58205970A JP57088461A JP8846182A JPS58205970A JP S58205970 A JPS58205970 A JP S58205970A JP 57088461 A JP57088461 A JP 57088461A JP 8846182 A JP8846182 A JP 8846182A JP S58205970 A JPS58205970 A JP S58205970A
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JP
Japan
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Pending
Application number
JP57088461A
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English (en)
Inventor
Teiji Nishizawa
西沢 貞次
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP57088461A priority Critical patent/JPS58205970A/ja
Publication of JPS58205970A publication Critical patent/JPS58205970A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
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    • G11C7/00Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は平面図形あるいは二次元マトリックスなどの二
次元データを記憶する記憶装置に関し、その記憶素子へ
のアクセス手段において、行単位での続出し/書き込み
、列単位での続出し/書込み金用能とすることを1的と
するものでるる。
同時に複数ビットのデータ続出し/v4込み(以F車に
アクセスという)可能な記憶装置の従来例を第1図、弟
2図をもとに説明するウただしアクセスの単位であるl
ワードをNビットとし、簡単のためアドレス線がmビッ
トでるり、記憶素子の構成は2”XNピットとする。
mピットからなるアドレス線(4)は行デコーダ(2)
に入力され、行デコーダ(21は2″本からなるIIL
!41累子(1)への行選択イ、′]タイのうち1本S
8.のみを活性状]d%にする。イー1選h< 4@号
線S、が活性化されると、トランスファーゲート(TG
、)(TG2)が!ill状鞄になる。
記憶集子(1)からのル2出し時には(TG、)あるい
は(′lX;2)を介してデータ信号線(Dlあるいは
(L))にデータが出力され、記憶素子への書込み時に
は(′IG、 )および(′1石、)を介してデータ(
a号線(旬(Dlの内容が書込まれ。
る。データ入出力パッファ(3)は読出し時にはデータ
イバ号線(Dl (1,)lのいずれかの内容をセンス
アンプにより増幅してデータ線(DT)に出力し、書込
み時には入力されてくるデータ@(DT)の内容を1−
夕18号線(D)ti))に供給、駆動する。
上記の説明ではアドレス線図の271本を°rぺて打デ
コーダ(2)でデコードしたが、81本のうちm1本?
行デコーダ(2)でテ′コードし、2(n′−町)×N
個の記憶素子を選択し、データ入出力パンツ1側に、<
m−m、 )本のアビレフ46号を人力するデータセレ
クタを設klて、Nピットにアクセスする方法も知られ
ている。
以上のような構成の記憶装置を用いて平面図形のような
二次元二値データを記憶させる場合、行単位でしか記憶
素子にアクセスできないため、たとえば水平方向にNピ
ットのデータを得るには1回のアクセスでaJ能である
が、半部方向にNピットのデータを得るにはN回のアク
セスを必要とし、しかも、1回でアクセスされるピット
パターンのどの位置に望むピットデータがあるかを針算
し抽出しなけれはならない。このような状況は行単位を
こrクセス可能な記憶装置を用いて、垂直スキャンしな
がら記憶内容のパターンデータを出力する形式のプリン
タ(インクジェットプリンタ、ニードルプリンタなど)
を駆動する場合や、列単位に°rクセスuJ屹なlr+
3億装置を用いて、水平スキャンしながら記憶内容のパ
ターンデータを出力する必要があるラスタスキャン形C
R’rディスプレイをm動する場合に生ずる。すなわち
、この種の構造をもつIIL!億装置に対して圭曲スキ
ャン形プリンタとラスクスキャン形CRTディスプレイ
の双方からアクセスを司能にするためには水平、半部の
父換のために多くのイ・1加凹県を必要とする。
本発明は重子のような欠点を除去するもので、行単位の
読出し/書込み、列単位の読出し7m込みの組合わせを
可能にする記憶装置を捉供することを目的とするもので
るる。
、  すなわち、本発明は二次元に配置きれたAIXN
個の記(1;1素子から構成される装置 アクセスaJ 能化イト1号およびアドレス{S9を入
力し、記憶素子内の行アドレスに対応する行方向tC並
んだM個の記憶素子に対して行選択信号を出力する行ア
トレスデコーダと、列アクセス”J’ k 化hl サ
および上記アドレス{4号を人力し、上記記tiX子内
の列アドレスに対応する列方向に並んだN個の起体1素
子に対し一C列選択信+J′を出力する列アドレスデコ
ーダと、上記行選択信号に対しては行データ厭と接続さ
れ、上記列剋択イ目号に対しては列データ線と接続され
る記憶素子とを有する構成にすることによりIl’を期
の目的を達成したものである。
以ト本発明の一実施例を図囲に基ついて説明する。ただ
し簡単のため記憶集子は2#X 2mピットの正方行列
を形成し、mピットのアドレス情報から2″′ビツトの
記憶素子にアクセスする構成とする。
第3図、第4図において、行アクセス/列アクセスl/
J替え信号( R/C )が行アクセス状台の時、行デ
コーダμ′4、行データ人出力パツファ(至)が動作状
忌となシ、記憶装置の従来例で説明したと全く同一の動
作をし、記憶素子Oυに対する行デコーダtI′Jによ
る行単位のアクセスが6Ikとなる。一方行アクセス/
列アクセス9Jvえ信号( R/C )が列アクセス状
鵬の時、行デコーダ@、行データ入出力パツファ(l違
は非動作状態となシ、列デコーダα尋、列データ入出力
パッフ10υが動作状態となる。すなわらアドレス18
号囚は列デコーダu41でデコードされ、タリデコーダ
(141は2#1本からなる列選択{gf線のうち1本
Sのみを活性状組にする。列選択信+j線S,が粘性化
されると、トランスフ1−ゲー} (’l’G, )(
′1’G4)が尋油状庫になる。紀倫.素子(illか
らの読出し時にはトランスファーゲート(’Iu5)あ
るいは(TG4)を介してデータイE4七線(D、)あ
るいは(Dρにデータが出力J され、記憶素子(IIJへの−込み時にはトランスファ
ーゲート(71’G、)および(′九、)を介してデー
タイd号紛(D、)(D、)の内容が書込まれる。列デ
ータ人出カバ1 ッファ05は続出し時にはデータ(S9線(1)、)(
11,)のノー いずれかの内容をセンスアンプにより増幅してデータ線
(DT )に出力し、台込み時には入力されてくるデー
タ線(1)T )の内容をデータイF3タイ(1)ρ(
Dj)に供給、可動する。
さらに行データ人出力パッファ0と列データ、入出力バ
ッファ曲を同一の外部データバスに接続することにより
入出力データ線を行/列共通に使用できる。
以上説明してきたように本発明二次元データa己愉装置
を用いることVCより、行単位に書込み列単位に続出し
たり、−日、書込1れたデータを行単位に続出したり列
単位に読出すことが特別のイ・1加回路なしに実現でき
る。このことによりたとえば第5図に示すようなラスタ
スキャンディスフ゛レイと垂直スキャン形プリンタを同
一パターン記憶装置に接続する仁とが容易に可能となる
。また計算機による図形処JJllに対しても自由なデ
ータアクセスを口J/E l/こすること罠より大きな
処理効率の同上が図れる。
【図面の簡単な説明】
第1図は記憶装置の従来例を説明する構成図、MS2図
は第1図における記憶装置内のIF3憶素子を示す図、
第3図は本発明の二次元データ記憶装置の一実施例を説
明する構成図、第4図は第3図Vこおける記憶装置内の
記憶素子を示す図、第5図は゛本発明の配憶装置の一応
用例を示す図でめる。 圓・・・記憶素子、饅・・・行デコーダ、u4・・・行
データ人出力パッファ、l、I41・・・列デコーダ、
05・・・列データ人出力バッファ、(R/C)・・・
行アクセス/列アクセンζνJ(ピVえイeイ鳴シ[ 代理人   森  本  義  弘 第1図 第2図 第3図 2% 第4図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、 二次元に配置されたRIXN個の記憶素子から構
    成される装置 能化{8号およびアドレス信号を入力し、記憶素子内の
    行アドレスに対応する行方向に並んだへ1個の記憶素子
    に対して行選択信号を出力する行アドレスデコーダと、
    列アクセス可能化m号およ・び上記アドレス信号を入力
    し、上記記憶素子内の列アドレスに対応する列方向に並
    んだN個の記憶素子に対して列選択{i=I号を出力す
    る列アドレスデコーダと、上記行透択{rj号に対して
    は行データ線と接続され、上記列選択信号に対しては列
    データ線と接わ8される記憶素子とを有することを特許
    とする二次元データ記憶装置。 2、行単位の嚇込み時は記憶素子に対して何テータ線を
    駆動し、読出し時は記憶素子から読出された行データ@
    号を増幅する行データ入出力パッファと、列単位の会込
    み時は記憶素子に刻して列データ線を駆動し、続出し時
    は記憶素子から続出された列データ信号を゜増幅する列
    データ入出力パッファを有し、上記行データ入出力パッ
    ファと列データ入出力パッファを共通の外部データバス
    に接続したことを特徴とする特許請求の範囲第1項記載
    の二次元データ記憶装置。
JP57088461A 1982-05-24 1982-05-24 二次元デ−タ記憶装置 Pending JPS58205970A (ja)

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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61246996A (ja) * 1985-04-24 1986-11-04 Agency Of Ind Science & Technol 直交メモリ
JPS61296386A (ja) * 1985-06-25 1986-12-27 株式会社 アスキ− メモリインタフエ−ス
JPS61296385A (ja) * 1985-06-25 1986-12-27 株式会社 アスキ− 記憶装置
JPS6219726A (ja) * 1985-07-18 1987-01-28 Ascii Corp 色コ−ド検出回路
JPH0346191A (ja) * 1989-07-13 1991-02-27 Nec Corp データ記憶回路

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5771574A (en) * 1980-10-21 1982-05-04 Nec Corp Siemconductor memory circuit

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5771574A (en) * 1980-10-21 1982-05-04 Nec Corp Siemconductor memory circuit

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61246996A (ja) * 1985-04-24 1986-11-04 Agency Of Ind Science & Technol 直交メモリ
JPH0414439B2 (ja) * 1985-04-24 1992-03-12 Kogyo Gijutsu Incho
JPS61296386A (ja) * 1985-06-25 1986-12-27 株式会社 アスキ− メモリインタフエ−ス
JPS61296385A (ja) * 1985-06-25 1986-12-27 株式会社 アスキ− 記憶装置
JPS6219726A (ja) * 1985-07-18 1987-01-28 Ascii Corp 色コ−ド検出回路
JPH0346191A (ja) * 1989-07-13 1991-02-27 Nec Corp データ記憶回路

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