JP3757787B2 - ディジタルオシロスコープ - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、ディジタルオシロスコープに関し、特に、取り込んだ波形データをメモリに書き込んだ後、これを読み出すだけで表示データを作成することができるディジタルオシロスコープに関する。
【0002】
【従来の技術】
一般的なディジタルオシロスコープは、まず、アナログ信号がアナログ−ディジタル(A/D)変換回路によって量子化され、時系列データとして、一旦、捕獲メモリに記憶される。
次に、このデータは、ビットマップ形式に変換され、表示メモリに記憶された後に、ラスタ走査型の表示装置で表示される。
【0003】
通常、よく使用される表示形式は、時系列データ値がY軸で示され、その時刻がX軸で示される。
例えば、時系列データの値が、
「4、5、5、6、6、6、6、5、5、4、3、2、2、1、1、1」
であった場合、表示装置の表示画面は、図8のようになる。図8において、横軸がX軸を、縦軸がY軸を示し、取りこまれた波形データの入力電圧レベルを×印で示した。
【0004】
現在、ディジタルオシロスコープの表示で多く使用されている液晶表示装置(LCD)のスキャン方法は、例えば、最も左上のピクセルから右方向に(最上位行を)スキャンし、次にその下の行を順にスキャンして行き、最後に最下位行をスキャンし、最も右下のピクセルで、一画面分が終了する。
表示メモリの内容は、その読み出し順序が、LCDへの出力順序に合うように、構成することが効率的であるため、表示メモリのワード構成が8ビットの場合は、上記時系列データを図9に示されるようなビットマップ形式に変換(ラスタ化)する必要がある。
【0005】
その後、表示メモリをアドレス昇順で読み出し、各ワードのLSBから順にLCDに出力することにより、図8のような表示が得られる。
この中で、ラスタ化は、次のような処理からなる。
(1)表示メモリの波形表示領域の全てに“0”を書き込み、初期化する。
(2)時系列データ値とその時刻から表示メモリ上のアドレス値とビット位置を計算する。
(3)上記アドレスの8ビットデータ全てを読み出し、バッファに格納する。
(4)ビット位置に相当するバッファ内1ビツトのみ、“1”を上書きする。
(5)再び、上記アドレスにバッファの内容を書き戻す。
(6)上記(2)から(5)までの処理を順次データ数分だけ繰り返す。
【0006】
従来のディジタルオシロスコープでは、このような処理を行うために、安価な1ポートSRAMが一般的に用いられるが、処理の高速化を目的として2ポートSRAMが用いられる場合もある。これらのメモリを構成する1ポートSRAMセルを図12に、2ポートSRAMセルを図10に示す。
これらのSRAMセルは、一対のインバータ回路IN1及びIN2の入出力が結合することで、一対の記憶ノードn1、n2にデータを保持している。
【0007】
1ポートのSRAMセルの場合、一対の記憶ノードn1、n2には、ワード線WLにより、選択されるデータ転送回路MA1、及び、MA2が接続され、ビット線の相補対BL、及びNBLが接続され、データを入出力する。
2ポートSRAMセルの場合は、一対の記憶ノードn1、n2には、2ポートのワード線WL1、WL2により、選択されるデータ転送用回路MA1、MA2、及びMA3、MA4が接続され、ビット線の相補対BL1とNBL1、及び相補対BL2とNBL2によりデータを入出力する。
【0008】
上記2ポートSRAMセルの配列を構成する一般的なメモリセルアレイの構造を図11に示す。
第一ポートのワード線の配列(…、WL1m、WL1m+1、…)と、第二ポートのワード線の配列(…、WL2m、WL2m+1、…)は同一である。同様に、第一ポートのビット線の配列(…、BL1m、NBL1m、BL1m+1、NBL1m+1、…)と、第二ポートのビット線の配列(…、BL2m、NBL2m、BL2m+1、NBL2m+1、…)は同一であり、このような構成では、第一ポートから書き込まれたデータは、第二ポートからそのまま読み出されることになる。
【0009】
このようなメモリセルアレイの構造より、量子化されたデータをビットマップ形式に変換する上記の処理が行われている。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、ディジタルオシロスコープにおいて、量子化されたデータをビットマップ形式に変換する際に、図10に示される2ポートSRAMセル、又は図12に示される1ポートSRAMセルを用いたのでは、上記の(1)乃至(6)の複雑な処理を行わなければならない。
【0011】
そのため、波形更新速度が高いディジタルオシロスコープでは、ラスタ化動作を高速化するために、高速のCPUや複雑なハードウエアを備えなければならないという課題がある。
本発明の目的は、このような点を鑑みてなされたもので、簡単な構成で、ラスタ化動作を高速処理することで波形更新速度の高いディジタルオシロスコープを提供することを目的とする。
【0012】
【課題を解決するための手段】
以上の課題を解決するため、本発明では、ディジタルオシロスコープにおいて、 入力アナログ信号を量子化した時系列データに変換するアナログ−ディジタル変換手段と、前記時系列データを順次書き込み、ビットマップ形式に変換されたデータを読み出せるメモリ手段と、前記メモリ手段より読み出されたビットマップ形式データを表示データとして出力するデータ変換手段と、前記表示データを表示する表示手段とを備えた。そして、 前記メモリ手段では、第一のポートにおけるアドレス値M及びデータ配列のN番目のビットから書き込まれたデータが、第二のポートにおけるアドレス値N及びデータ配列のM番目のビットから読み出し、前記時系列データを、ビットマップ形式のデータに変換して出力するようにした。
【0013】
また、本発明では、ディジタルオシロスコープにおいて、波形データを格納する第一のメモリ手段と、前記第一のメモリ手段より読み出された波形データを順次論理和して合成する第二のメモリ手段と、前記第二のメモリ手段より読み出された合成波形データを表示する表示手段とを備え、複数の波形データを一旦メモリに格納した後、読み出した該波形データを合成処理して表示するようにし、前記第二のメモリ手段は、複数の画像データを合成して表示するための波形合成変換手段であって、メモリヘのデータの書き込み動作のみにより、当該メモリセルの書き込み直前のデータと、当該メモリセルヘの書き込みデータとを論理和したデータを当該メモリセルに記憶することとした。
【0014】
さらに、本発明では、ディジタルオシロスコープにおいて、複数波形の入力アナログ信号を量子化した複数の時系列データに変換するアナログ−ディジタル変換手段と、前記時系列データを格納する第一のメモリ手段と、前記第一のメモリ手段より読み出された時系列データを順次論理和合成し、単一のビットマップ形式のデータに変換する第二のメモリ手段と、前記第二のメモリ手段より読み出されたビットマップデータを表示データとして出力するデータ変換手段と、前記表示データを表示する表示手段とを備え、前記第二のメモリ手段は、第一及び第二のポートを有し、複数波形の時系列データを前記第一のポートから書き込むことにより、ビットマップ形式で論理和合成し、前記第二のポートから波形表示の出力形式の順に読み出すようにした。
【0015】
また、本発明では、入力信号の時系列データを書き込むことができ、書き込まれた該データを読み出せるメモリ回路において、第一のポートにおけるアドレス値M及びデータ配列のN番目のビットから書き込まれたデータが、第二のポートにおけるアドレス値N及びデータ配列のM番目のビットから読み出し、前記時系列データを、ビットマップ形式のデータに変換して出力することとした。
【0016】
さらに、本発明では、複数の画像データを合成して表示するために波形合成変換するメモリ回路において、メモリヘのデータの書き込み動作のみにより、当該メモリセルの書き込み直前のデータと、当該メモリセルヘの書き込みデータとを論理和したデータを当該メモリセルに記憶することとした。
【0017】
【発明の実施の形態】
本発明に係る実施形態について、図1乃至図7を参照して説明する。
本実施形態の第一の特徴を示している2ポートメモリセルアレイの構造を図1に示す。
図1に示されるように、図11に示された従来の2ポートメモリセルアレイと比較すると、第一ポートの配列と第二ポートの配列が、ワード線とビット線とで入れ替わっている。
【0018】
このような配列にすることによって、例えば、第一ポートに対するm番目のワード線WL1m、及び、n番目のビット線の相捕対BL1n、NBL1nでアクセスされるメモリセル(m、n)2は、第二ポートに対するn番目のワード線WL2n、及び、m番目のビット線の相補対BL2m、NBL2mでアクセスされることになる。
【0019】
この結果、第一ポートから書き込んだデータを第二ポートから読み出すことにより、データのビットマップ形式への変換機能を合わせ持つこととなる。
図2は、図1に示した上記メモリセルアレイを有した2ポートメモリ回路の構成図である。
取り込まれた波形データに係るアナログ−ディジタル変換回路からの時系列データは、通常、8ビットのエンコードデータであるが、デコード回路を用いて、デコードされた256ビットのデータがメモリ回路の第一ポートのデータDAT1として、データ入力バッファ6に入力される。また、第二ポートのデータDAT2は、データ出力バッファ7から、ビットマップデータの一ライン分のデータとして、順次LCDに出力するパラレル−シリアル(P/S)変換回路に出力される。
【0020】
上記LCDの動作形態において、メモリセルアレイの構成は、表示画面のY方向のピクセル数が第一ポートのビット構成に、表示画面のX方向のピクセル数が第二ポートのビット構成に、一致することが望ましい。もちろん、波形が表示されない領域は省いても良い。
これまでの説明ではメモリ回路の記億手段としてスタティック方式の例を示してしてきたが、勿論、ダイナミック方式等の他の手段を活用しても構わない。
【0021】
次に、これらの動作について、ここでは、メモリセルアレイの構成を、簡略化のために、Y方向が8セル、X方向が16セルと仮定し、図8に示した波形を例にして説明する。1セルが、LCDの1画素に対応している。
図8で説明した前記時系列データをメモリ回路の第一ポートの入力バッファ6を介して書き込む。このときのアドレスを“0000”からインクリメントしながら書き込むことにより、メモリセルアレイには、取り込まれ量子化された時系列データが、図3で示されるような内容で、各メモリセルに対応して書き込まれる。
【0022】
図3に示された内容は、図8の表示画面のイメージと同じであることが容易に理解でき、図中の“1”が、表示されるべき波形の入力レベルに対応するデータがあることを示している。
次に、これらの書きこまれたデータに基づいて、取り込んだ波形を表示するために、メモリ回路における第二ポートのデータ出力バッファ7を介して各データを読み出す。
【0023】
このとき、図3で示されるように、第一ポートと第二ポートのアドレスを指定して、アドレス“1111”からデクリメントしながら各データを読み出し、更に、読み出した各データを、パラレル−シリアル変換回路等の変換手段を経由して、LSB側から順番にLCDに出力する。
以上の動作により、時系列形式のデータから表示形式のデータに容易に変換することができる。この変換にあたって、従来のような複雑な制御手段及び回路は不要となり、高速のラスタ化処理が可能である。
【0024】
勿論、上記LCDの配置方向や他のLCD及びその他の表示装置においては、表示データの様々な出力順序が存在する。しかし、アドレスの操作等を変更するだけで同様の動作が可能である。
本実施形態によるメモリ回路において、表示画面の全てのピクセル配列を単一のメモリ回路で構成することが、最も簡単な構成になるが、複数の小さなメモリ回路(以下、小メモリ回路と称して区別する)に分割することも、可能である。
【0025】
例えば、単一メモリ回路の縦横をそれぞれ等分し、合計4つの小メモリ回路に分割した場合を図4に示す。図4では、小メモリ回路を符号10乃至13で示した。
図4では、全体の第一ポートのMSBを除くアドレスは、小メモリ回路10から小メモリ回路13までの第一ポートのアドレスにそれぞれ接続され、全体の第一ポートのアドレスにおけるMSBにより、小メモリ回路1及び2の第一ポートと小メモリ回路3及び4の第一ポートの選択が成される。
【0026】
全体の第一ポートのデータは、上位(MSB側の)半分のビットが小メモリ回路1及び3の第一ポートのデータとして接続され、下位(LSB側の)半分のビットが小メモリ回路2及び4の第一ポートのデータとして接続される。
図4では、第一ポートの接続のみが示されているが、第二ポートは、説明上簡単化のため省略されているものであり、第二ポートについても同様の接続方法で実現できる。
【0027】
更に、オシロスコープで必要な機能である表示波形における時間レンジの変更や、複数チャンネルの同時表示、及び波形の移動も容易に行えることが理解できる。
例えば、メモリ回路の第一ポートから書き込むときに、メモリアドレスのインクリメント値を変更することで、表示波形のX方向を拡大することができる。また、第一ポートからの書き込み動作をイネーブル制御することにより、時系列データのデシメーションを行い、表示波形のX方向を圧縮することもできる。
【0028】
また、第一ポートから書き込むデータを各表示チャンネルで論理和することにより、複数チャンネルの表示が可能である。
更に、第二ポートから読み出して、パラレル−シリアル(P/S)変換回路からデータを出力する際に、データの出力順番を変更することにより、トリガ点の移動や画面のスクロール動作を行うことができる。
【0029】
以上説明したように、従来のオシロスコープで必要とされた、捕獲メモリ、ラスタ化回路、表示メモリが、本実施形態によるメモリ回路に置き換えることができる。図5に示すように、アナログ−ディジタル変換回路14、デコード回路15、メモリ回路16、パラレル−シリアル変換回路17、そして表示装置18でディジタルオシロスコープを構成し、メモリ回路16に、本実施形態による図2のメモリ回路を用いる。制御手段19によって、メモリ回路16の読み出しアドレスを制御し、順次読み出した各データを表示装置18に表示する。
【0030】
このように、本実施形態によるメモリ回路を用いることにより、ディジタルオシロスコープを簡単な構成で実現できる。これにより、ディジタルオシロスコープの小型化、低価格化も同時に達成される。
次に、図12に示された従来の1ポートSRAMセルに代る、本発明の第二の特徴を有する1ポートSRAMセルの一例を、図6に示す。
【0031】
本メモリセルは、図12で示される一般的な1ポートSRAMセルに対して、データ保持回路を構成する一対のインバータ回路の片側IN1がNAND回路NAND1に置き換わっている。
データ転送用回路MA1、MA2と直列に書き込み制御回路MAC1、MAC2が接続され、インバータ回路IN2の出力ノードn1と書き込み信号WRとのNAND回路NAND2で制御される。
【0032】
更に、メモリセルの内容を消去(“0”に)するための、NAND回路NAND1の一方の入力端子NERSが追加される。
一度、ノードn1が一度“H”になった後の書き込み動作(WR=“H”)では、書き込み制御回路MAC1、MAC2により、ノードn1及びn2を含むデータ保持回路が、他と切り離されることにより、SRAMセルのデータは保持される。
【0033】
勿論、この1ポートSRAMセルは、他に様々な回路構成に変更することが可能である。
メモリ回路としての全体構成は、一般的なSRAMの構成と同様に実現できるため、説明は省略する。
次に、図6この動作を説明する。
【0034】
初期状態においては、入力端子NERSが“L”になると、各メモリセルのノードn1は全て“L”に初期化される。
その後、入力端子NERSに“H”を入力した後、第一のデータを書き込む。この場合は、通常の書き込み動作と同じである。
次に、第二のデータを書き込み、波形データを合成する。
【0035】
この動作で、第一のデータが“L”(n1のノードが“L”である)の場合には、第二のデータが書き込まれるが、第一のデータが“H”(n1のノードが“H”である)の場合には、SRAMセルの内容が保持されるため、第二のデータは書き込まれない。
この様に、一度SRAMセルに“H”が書き込まれた場合、それ以後、セルデータは保持されることにより、メモリセルでの論理和動作が実現される。
【0036】
何回かの波形データを書き込んだ後、データを読み出すことにより、波形の合成データが簡単に得られる。その後、入力端子NERSに“L”を入力することにより、これら波形データは、瞬時に全て消去され、新たな波形データの書き込みを可能にする。
本発明の第一と第二の特徴を併せ持つメモリセルの一例を、図7に示す。
【0037】
図7では、NAND回路NAND1とインバータ回路IN2で構成されるデータ保持回路のノードn2の値により、ポート1側のデータ転送用回路MA1及びMA2を制御することにより、論理和書き込みを可能としている。セルアレイ及びメモリ回路の構成は図1及び図2と同様である。
これらで構成される2ポートメモリ回路は、第一の時系列データを書き込んだ後、第二、第三等の時系列データを書き込むことにより、これを単一のビットマップ形式のデータとして重ねることができ、合成した表示データを第二ポートより読み出すことができる。
【0038】
このメモリ回路を備えたディジタルオシロスコープは、高い波形更新速度を達成することができる。
更に、本メモリ回路を複数備え、一方を時系列データの書き込みに動作させ、もう一方を表示データの読み出しに動作させながら、これらを交互に活用することで、更に高速の波形更新速度が得られる。
【0039】
【発明の効果】
以上説明したように本発明によれば、ディジタルオシロスコープにおいて、第一ポートの配列と第二ポートの配列が、ワード線とビット線とで入れ替わった構成にすることにより、波形データをメモリ回路に書き込んだ後、これを読み出すだけで表示データを作成することができるため、高速の波形更新速度が可能となり、ディジタルオシロスコープの構成も、複雑な変換回路を必要とせず、簡単化かつ低価格化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第一の特徴を有する2ポートSRAMのメモリセルアレイの構成図である。
【図2】本発明の第一の特徴を有するメモリ回路の構成図である。
【図3】本発明の第一の特徴における書き込み動作及び読み出し動作を説明するための図である。
【図4】本発明のメモリ回路の変形例を説明するための図である。
【図5】本発明に関わるディジタルオシロスコープの構成例を示す図である。
【図6】本発明の第二の特徴を有する1ポートSRAMセルの構成例を示す図である。
【図7】本発明の第一の特徴と第二の特徴を有する2ポートSRAMセルの構成例を示す図である。
【図8】波形表示装置の表示画面の一例を示す図である。
【図9】ビットマップメモリを説明するための図である。
【図10】一般的な2ポートSRAMセルの構成図である。
【図11】一般的な2ポートSRAMのメモリセルアレイの構成図である。
【図12】一般的な1ポートSRAMセルの構成図である。
【符号の説明】
1〜4、20〜23…メモリセル
5…メモリセルアレイ
6…データ入力バッファ
7…データ出力バッファ
8…第一ポートワード線デコーダ
9…第二ポートワード線デコーダ
10〜13…小メモリ回路
14…アナログ−ディジタル変換回路
15…デコード回路
16…メモリ回路
17…パラレル−シリアル変換回路
18…表示装置
19…制御手段
Claims (5)
- 入力アナログ信号を量子化した波形に係る時系列データに変換するアナログ−ディジタル変換手段と、
前記時系列データを順次書き込み、ビットマップ形式に変換されたデータを読み出せるメモリ手段と、
前記メモリ手段より読み出されたビットマップ形式データを表示データとして出力するデータ変換手段と、
前記表示データを画面に表示する表示手段と、を備え、
前記メモリ手段は、m番目のワード線及びn番目のビット線でアクセスされる第一のポートと、n番目のワード線及びm番目のビット線でアクセスされる第二のポートとを有し、前記第一のポートにおけるアドレス値M及びデータ配列のN番目のビット線から書き込まれたデータが、前記第二のポートにおけるアドレス値N及びデータ配列のM番目のビット線から読み出され、書き込まれた前記時系列データが、前記画面に波形表示するビットマップ形式のデータに変換して順次出力されることを特徴とするディジタルオシロスコープ。 - 前記メモリ手段は、前記画面の縦横に対応して分割された複数のメモリ回路を有し、
前記メモリ手段の前記第一のポートから前記時系列データが書き込まれる場合、前記各メモリ回路に係る前記第二のポートの読み出しアドレス値又はビット線を変更することにより、前記表示データに係る画像を拡大又は圧縮することができることを特徴とする請求項1に記載のディジタルオシロスコープ。 - 複数の入力アナログ信号を量子化した各々の波形に係る時系列データを一旦格納した後、読み出した各時系列データを合成処理して画面に表示するディジタルオシロスコープであって、
前記各時系列データを格納する第一のメモリ手段と、
前記第一のメモリ手段より読み出された前記各時系列データを順次論理和して合成されたビットマップ形式のデータに変換する第二のメモリ手段と、
前記第二のメモリ手段より読み出されたビットマップ形式データを表示データとして出力するデータ変換手段と、
前記表示データを前記画面に表示する表示手段と、を備え、
前記第二のメモリ手段は、m番目のワード線及びn番目のビット線でアクセスされる第一のポートと、n番目のワード線及びm番目のビット線でアクセスされる第二のポートとを有し、前記第一のポートにおけるアドレス値M及びデータ配列のN番目のビット線から書き込まれたデータが、前記第二のポートにおけるアドレス値N及びデータ配列のM番目のビット線から読み出され、
前記時系列データの各々が、前記第一のメモリ手段から順次読み出されて、前記第二のメモリ手段に書き込まれることにより、前記第二のメモリ手段における当該メモリセルに直前に書き込まれたデータと、当該メモリセルへの書き込みデータとを論理和したデータを当該メモリセルに記憶できることを特徴とするディジタルオシロスコープ。 - 前記複数の入力アナログ信号の各々は、異なるチャネルであり、
前記第二のメモリ手段において、前記第一のメモリ手段からチャネル毎に読み出された前記時系列データが前記第一のポートから順次書き込まれ、各チャネルの時系列データを論理和して記憶され、
前記表示手段は、複数チャネルに係る波形を表示することができることを特徴とする請求項3に記載のディジタルオシロスコープ。 - 前記第二のメモリ手段は、前記画面の縦横に対応して分割された複数のメモリ回路を有し、
前記第二のメモリ手段の前記第一のポートから前記時系列データが書き込まれる場合、前記各メモリ回路に係る前記第二のポートの読み出しアドレス値又はビット線を変更して、前記各メモリ回路から前記時系列データを順次読み出し、前記表示データとすることを 特徴とする請求項3又は4に記載のディジタルオシロスコープ。
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