JPS58204566A - イメ−ジセンサ - Google Patents
イメ−ジセンサInfo
- Publication number
- JPS58204566A JPS58204566A JP57087316A JP8731682A JPS58204566A JP S58204566 A JPS58204566 A JP S58204566A JP 57087316 A JP57087316 A JP 57087316A JP 8731682 A JP8731682 A JP 8731682A JP S58204566 A JPS58204566 A JP S58204566A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- image sensor
- ceramic substrate
- substrate
- wirings
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 16
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims abstract description 12
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 11
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims 1
- 235000009508 confectionery Nutrition 0.000 claims 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 108091008695 photoreceptors Proteins 0.000 abstract 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 abstract 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 8
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 241001326453 Grias Species 0.000 description 1
- 241001474791 Proboscis Species 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 235000014121 butter Nutrition 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 239000003344 environmental pollutant Substances 0.000 description 1
- 150000002222 fluorine compounds Chemical class 0.000 description 1
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 1
- 150000004678 hydrides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000005622 photoelectricity Effects 0.000 description 1
- 235000021110 pickles Nutrition 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 231100000719 pollutant Toxicity 0.000 description 1
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14665—Imagers using a photoconductor layer
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の属する技術分野〕
本発明は画像を光学的に読み取るイメージセンサに関す
る。
る。
従来のイメージセンサでは、Ｃｄ−８ｅ、Ｏｄ Ａｓ
等を生成外とする感光半導体を用いた光伝導型の受光素
子を周辺回路に接続し、光電に応じて変化する感光物質
の抵抗変化を電気的ＩＣｄｔ、み出すものが知られてい
る〇 し７かしながらこの様なイメージセンサでは、受光部と
周辺回路を分離して構成している為に、受光部からの喝
気偏号が微小域流の場合、漏洩する瀘が多く、又配−の
容量が大きくなシ高速応答が困難ＶＣなるという欠点が
あった。
等を生成外とする感光半導体を用いた光伝導型の受光素
子を周辺回路に接続し、光電に応じて変化する感光物質
の抵抗変化を電気的ＩＣｄｔ、み出すものが知られてい
る〇 し７かしながらこの様なイメージセンサでは、受光部と
周辺回路を分離して構成している為に、受光部からの喝
気偏号が微小域流の場合、漏洩する瀘が多く、又配−の
容量が大きくなシ高速応答が困難ＶＣなるという欠点が
あった。
さらにＣｄ −Ｓｅ 、Ｏｄ −Ａｓ等のカヤコゲナイ
ドを生成外とする感光半導体を用いた場合には温度変化
に対して比較的不安定でお９、応答連層が比較的に遅く
、また公害物質でおる為、実用と好ましいものではなか
った。
ドを生成外とする感光半導体を用いた場合には温度変化
に対して比較的不安定でお９、応答連層が比較的に遅く
、また公害物質でおる為、実用と好ましいものではなか
った。
また近年では感光半導体として、高速応答性と有するア
モヤファスミリコンが注目されているが、ごのアモヤフ
ァスミリコンは前述のカヤコゲナイドと比較して光伝導
性が２桁〜３桁低い為、受光Ｖこより発生する微小域流
を効率よく検出する必要があった。
モヤファスミリコンが注目されているが、ごのアモヤフ
ァスミリコンは前述のカヤコゲナイドと比較して光伝導
性が２桁〜３桁低い為、受光Ｖこより発生する微小域流
を効率よく検出する必要があった。
本発明はに、ｄピの点ＶＣ謹み、出力電流が微小でも漏
洩が少なく、又配線の容重が小さい為に効率よく出力電
流を読み取る事のできると共に高速応答のイメージセン
サヲ提供する事を目的とする。
洩が少なく、又配線の容重が小さい為に効率よく出力電
流を読み取る事のできると共に高速応答のイメージセン
サヲ提供する事を目的とする。
〔Ａ明の概要〕
４１：発明はセラミック基板と、前記セラミック基板丘
のグレーズｌ−表面に下部電極、非晶質感光中□ 導体膜及び透明電極を順次積層してなる受光ｈｐと、＋
ｊＵ ｃｉｉｔラミック基板とに設けられたスイッチ機
能素子と、このスイッチ模ｍｌ素子および前記受光部の
Ｆ都４ｔｔ間を接続する配線するイメージセンサであり
、特に非晶質感光半導体膜をＧｅ、Ｓｉの水素化物 炭
化物、フッ化物の少なくとも一櫨で４１１成し、下部゛
電極をＣｒｄ 、Ｏｒ 、Ｔｉ 、Ｔａ 、Ｖ、Ｚｎ
がら選ばれた少なくとも１種からなる金属層で構成し
、かつ配線パターンを前ｈピ下部−極の金属層ヒにＮｉ
、、Ａｕ。
のグレーズｌ−表面に下部電極、非晶質感光中□ 導体膜及び透明電極を順次積層してなる受光ｈｐと、＋
ｊＵ ｃｉｉｔラミック基板とに設けられたスイッチ機
能素子と、このスイッチ模ｍｌ素子および前記受光部の
Ｆ都４ｔｔ間を接続する配線するイメージセンサであり
、特に非晶質感光半導体膜をＧｅ、Ｓｉの水素化物 炭
化物、フッ化物の少なくとも一櫨で４１１成し、下部゛
電極をＣｒｄ 、Ｏｒ 、Ｔｉ 、Ｔａ 、Ｖ、Ｚｎ
がら選ばれた少なくとも１種からなる金属層で構成し
、かつ配線パターンを前ｈピ下部−極の金属層ヒにＮｉ
、、Ａｕ。
Ａｇ 、Ｃｕから選ばれた少なくとも１櫨を積１−する
事により優れたイメージセンサが得られるというもので
ある。
事により優れたイメージセンサが得られるというもので
ある。
以下本発明を第１図ａ（平面図）、ｂ（断面図）に示す
クロき実施例を用いて説明する１゜まｊ’ Ａ ｅ２０
ｓ踵からなるセラミック基体（１） ｈに第１＋−４［
ＣｒＭＪ （ｉ’ｉ／Ｎｉ／Ａｕ 等からなる配線パ
ター ７ （７）、Ｏｒ ／Ｐ ｄ／Ａ ｕ 吾から
なる配線パｌ −ｙ （９１會＃Ｌｍ又は薄Ａ４体とし
て、また杷一体（８）がＩｎ漢、９体又はボリイｉド等
の有く漬物等にょ多形成さノし′Ｃいる。なお、前記配
線パターン（９）はセラミック基体（１１１：に設けら
れたスイッチ機！＠素子αＧに廣続Ｊれている。
クロき実施例を用いて説明する１゜まｊ’ Ａ ｅ２０
ｓ踵からなるセラミック基体（１） ｈに第１＋−４［
ＣｒＭＪ （ｉ’ｉ／Ｎｉ／Ａｕ 等からなる配線パ
ター ７ （７）、Ｏｒ ／Ｐ ｄ／Ａ ｕ 吾から
なる配線パｌ −ｙ （９１會＃Ｌｍ又は薄Ａ４体とし
て、また杷一体（８）がＩｎ漢、９体又はボリイｉド等
の有く漬物等にょ多形成さノし′Ｃいる。なお、前記配
線パターン（９）はセラミック基体（１１１：に設けら
れたスイッチ機！＠素子αＧに廣続Ｊれている。
以ｉｔよｄＯＵ°Ｃ福度のいわゆる高−プロセスにより
製造される為、後述の受光部形成に先立ち設けておく事
が好ましい。
製造される為、後述の受光部形成に先立ち設けておく事
が好ましい。
次て受光部はセラミック基体（Ｉｎ、の低温焼成ガラス
等からなるグレーズ層（２）表面にＯｒ、Ｔｉ製等の下
部４寓（３）、非晶質感光半導体膜（４）およびＴｉｅ
。
等からなるグレーズ層（２）表面にＯｒ、Ｔｉ製等の下
部４寓（３）、非晶質感光半導体膜（４）およびＴｉｅ
。
等の透明電極（６）をｊ償次１責層し構成されている。
なお透明１極（６）は−匝（５）Ｐこ接ｄされている。
また非晶質、盛光半導本膜（４）としては、Ｇｅ、Ｓｉ
、Ｓｅ の氷菓化′吻、灰化物、ハロゲン化物、Ｃｄ
Ｓ、０ｄＳｅ、０ｄＴｅ。
、Ｓｅ の氷菓化′吻、灰化物、ハロゲン化物、Ｃｄ
Ｓ、０ｄＳｅ、０ｄＴｅ。
ＰｂＳ、Ｐｂ５ｃ 、Ｐｂ’ｒｅ 、５ｂ２ＳＪ、 Ｐ
ｂＯ，ＺｎＯ，ＧｒｉＡｓ ’＝９も用いる事ができる
が、実用と（咳Ｓｉ、Ｇｅの水素化物、灰化物、フッ化
物を用いる事が好ましい。
ｂＯ，ＺｎＯ，ＧｒｉＡｓ ’＝９も用いる事ができる
が、実用と（咳Ｓｉ、Ｇｅの水素化物、灰化物、フッ化
物を用いる事が好ましい。
なおＬ記のりηき本発明に係るイメージセ／すを裏漬す
る際の配りは、−まずセラミック基体上に配線パター７
（７）ｔ−形成した後、泊は体（８）金、さらＶこグ
レーズ＋＊ （２）を形成する。次に配線パターン（９
）及び下部４極（３）を同時に形成し、後に下部１極り
のＰｄ、Ａｕ等全エツチング等により除去する事が好ま
しい。つまり白己線バター７（９）と下部Ｔ４極（３）
はＧｒＪｆｉ （Ｏｄ ｅ ’ｌ ｔ ｒ ｉ’ａ ＋
Ｖ ！ Ｚ ｒ ”７２ ）とＰｄ／ Ａｕ ４ （
Ａｇ、Ｎｉ 。
る際の配りは、−まずセラミック基体上に配線パター７
（７）ｔ−形成した後、泊は体（８）金、さらＶこグ
レーズ＋＊ （２）を形成する。次に配線パターン（９
）及び下部４極（３）を同時に形成し、後に下部１極り
のＰｄ、Ａｕ等全エツチング等により除去する事が好ま
しい。つまり白己線バター７（９）と下部Ｔ４極（３）
はＧｒＪｆｉ （Ｏｄ ｅ ’ｌ ｔ ｒ ｉ’ａ ＋
Ｖ ！ Ｚ ｒ ”７２ ）とＰｄ／ Ａｕ ４ （
Ａｇ、Ｎｉ 。
Ｇｕ等）との積層体として予じめ同時に形成し、後に下
部電極（３）ｔのＰｄ／Ａｕ層（Ａｇ、Ｎｉ、Ｏｕ等）
のみ全エツチング等により除去し、０１層として０１層
等からなる一Ｆ部ｗＥ極（３）を得る事が実用と好まし
い。
部電極（３）ｔのＰｄ／Ａｕ層（Ａｇ、Ｎｉ、Ｏｕ等）
のみ全エツチング等により除去し、０１層として０１層
等からなる一Ｆ部ｗＥ極（３）を得る事が実用と好まし
い。
Ｅ記の如く構成されたイメージセンナにおいては、下部
４極（３）と透明電極（６）との間に挾まれた非晶質感
光半導体膜（４）に蓄積又は放出される延荷をスイッチ
機１＠素子が絖み出す事によシ光電を読み取る事がＣき
る。
４極（３）と透明電極（６）との間に挾まれた非晶質感
光半導体膜（４）に蓄積又は放出される延荷をスイッチ
機１＠素子が絖み出す事によシ光電を読み取る事がＣき
る。
次にＪ：、記名１図の如き本発明に係るイメージセフ＋
ｊの等両回路を第２図に示し、その動作′ｔ−説明する
。ここでＱ 、−１１、−ト部１を極（３）と透明１極
（６）により挾まれた非晶質感光半導体（４）をＩｖｊ
電体とした容這Ｃあり、ｉｔ、は非晶Ｘ感光半導体（４
） ＶＣ発生する光Ｊｌｔを関数とした抵抗である。こ
の抵抗は、起域流として置き変えても、本発明の動作の
基本には影響を与えない。また０１〜０４ｔよ例えば第
１図にボサしたスイッチ機能軍子（１Ｇに内蔵されるも
のである。第２図の動作を説明すれば、先ずＣ１１か（
ＪＮＬＣ＠にはＥの延圧が印加される為、輸・ＥＯ−荷
が蓄イ★きれる。次いでＧ、がＯＦＦすると、０１は光
量により変化するＲ８により光量に応じた電荷量が失わ
れる為、嵯荷が減シ、従って４圧も下る。次に直み出し
の時、Ｇ１を再びＯＮ Ｋすると、Ｃ１の一圧Ｖこ応し
て、（＋、に流れる電流が決まる為、ＺＩＶこ磁圧が発
生する。従って光ｉ （ｉ−Ｚ、の゛磁圧で読む事がで
きる。
ｊの等両回路を第２図に示し、その動作′ｔ−説明する
。ここでＱ 、−１１、−ト部１を極（３）と透明１極
（６）により挾まれた非晶質感光半導体（４）をＩｖｊ
電体とした容這Ｃあり、ｉｔ、は非晶Ｘ感光半導体（４
） ＶＣ発生する光Ｊｌｔを関数とした抵抗である。こ
の抵抗は、起域流として置き変えても、本発明の動作の
基本には影響を与えない。また０１〜０４ｔよ例えば第
１図にボサしたスイッチ機能軍子（１Ｇに内蔵されるも
のである。第２図の動作を説明すれば、先ずＣ１１か（
ＪＮＬＣ＠にはＥの延圧が印加される為、輸・ＥＯ−荷
が蓄イ★きれる。次いでＧ、がＯＦＦすると、０１は光
量により変化するＲ８により光量に応じた電荷量が失わ
れる為、嵯荷が減シ、従って４圧も下る。次に直み出し
の時、Ｇ１を再びＯＮ Ｋすると、Ｃ１の一圧Ｖこ応し
て、（＋、に流れる電流が決まる為、ＺＩＶこ磁圧が発
生する。従って光ｉ （ｉ−Ｚ、の゛磁圧で読む事がで
きる。
以りの結果から明らかな如く本発明に於てば、感光部と
スイッチ部が同一基板Ｊ：に形成されている為、１吸小
電流であっても、リークする量が少く父、配線の６童が
少いという利点がちり、特ＶこＳＩ ＴＧｅ等の４族元
累半導体金用いた場合ば＾速のイメージセンナが実現で
きる。
スイッチ部が同一基板Ｊ：に形成されている為、１吸小
電流であっても、リークする量が少く父、配線の６童が
少いという利点がちり、特ＶこＳＩ ＴＧｅ等の４族元
累半導体金用いた場合ば＾速のイメージセンナが実現で
きる。
第１図は本発明に係るイメージセンサの一部切欠平面図
及び断面図、第２図は第１図に示すイメージセンサの等
画回路。 ｌ・・セラミック基体 ２・・・グレーズ ３・・下部電極 ４・・・非晶質感光半導体 ６・・透明電極 ８．９・・・配線パターン １０ ・・・スイッチ＠能素子 代理人 弁理士 則 近 憲 佑（ほか１名）第１図 （ｂン 第２図
及び断面図、第２図は第１図に示すイメージセンサの等
画回路。 ｌ・・セラミック基体 ２・・・グレーズ ３・・下部電極 ４・・・非晶質感光半導体 ６・・透明電極 ８．９・・・配線パターン １０ ・・・スイッチ＠能素子 代理人 弁理士 則 近 憲 佑（ほか１名）第１図 （ｂン 第２図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１）セラミック基体と、 前記セラミック基体とのグレーズ層表面に下部ｄｔ極、
非晶實感光牛導体膜および透明電極ｔ−旭次績）−シて
なる受光部と、 ＡｉＪ記セラミック基板七に設けられたスイッチ機能素
子と、このスイッチ機能素子および前記受光部の下部域
極間を接続する配線ノくターフとを具備した事ｔｈ徴と
するイメージセンサ。 （２、特許請求の範囲第１項において、非晶質半導体と
してＧｅ、８ｉの氷菓化物、炭化物、フッ素化物の少な
くともｌ檜を用いた事を特徴とするイメージセンサ。 （３） 特許請求の範囲第１項または第２項において
、’Ｆｌｌｆｌ［極力Ｏｒ 、Ｃｄ 、’ｌ’ｉ 、’
Ｉ’ａ 、Ｖ、Ｚｒ から選ばれた少なくとも１糧か
らなる金属層で構成され、かつ配線バター／は前記下部
電極の金属層上にＮｉ、Ｐｄ。 Ａｕ、Ａｇ、Ｏｕ から選ばれた少なくとも１ｍ′ｔ
″槓層されている事を特徴とするイメージセンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57087316A JPS58204566A (ja) | 1982-05-25 | 1982-05-25 | イメ−ジセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57087316A JPS58204566A (ja) | 1982-05-25 | 1982-05-25 | イメ−ジセンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58204566A true JPS58204566A (ja) | 1983-11-29 |
Family
ID=13911431
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57087316A Pending JPS58204566A (ja) | 1982-05-25 | 1982-05-25 | イメ−ジセンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58204566A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5862342A (ja) * | 1981-10-08 | 1983-04-13 | Nissan Motor Co Ltd | 機関の冷却水温度推定方法 |
| JPS58172444A (ja) * | 1982-04-02 | 1983-10-11 | Nissan Motor Co Ltd | 機関の冷却水温度推定方法 |
-
1982
- 1982-05-25 JP JP57087316A patent/JPS58204566A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5862342A (ja) * | 1981-10-08 | 1983-04-13 | Nissan Motor Co Ltd | 機関の冷却水温度推定方法 |
| JPS58172444A (ja) * | 1982-04-02 | 1983-10-11 | Nissan Motor Co Ltd | 機関の冷却水温度推定方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6310382B1 (en) | Multicolor sensor | |
| JPH09500234A (ja) | 配向されて成長した焦電性の層を有するパイロ検出素子およびその製造法 | |
| JPS56146142A (en) | Electrophotographic sensitive film | |
| JPS6258157B2 (ja) | ||
| JPS58204566A (ja) | イメ−ジセンサ | |
| JPS6149569A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPH0416948B2 (ja) | ||
| US5117270A (en) | Photosensor with AU diffused Pb2 CrO5 or similar film | |
| JPS6177375A (ja) | カラ−センサ | |
| JPS58201356A (ja) | 非晶質シリコンイメ−ジセンサ− | |
| JPH0370184A (ja) | 光起電力装置の製造方法 | |
| JPS61108165A (ja) | 固体撮像素子 | |
| JPS60160660A (ja) | 原稿読み取り素子およびこれを用いたカラ−原稿読み取り装置 | |
| JPS6170767A (ja) | 積層形太陽電池 | |
| JPS62165974A (ja) | 密着型イメ−ジ素子 | |
| Harada et al. | Frame Transfer CCD Imager with Transparent Electrodes | |
| JPS60130182A (ja) | 低キヤリア濃度超伝導体によるマイクロブリツジ形光検出素子 | |
| JPH0237782A (ja) | 多層膜半導体光センサー | |
| JPS6065581A (ja) | 透明超伝導体電極型光検出素子 | |
| JPH03222371A (ja) | タンデム型光電変換素子 | |
| JPH0272564U (ja) | ||
| JPS62114266A (ja) | 半導体素子 | |
| JPS5560325A (en) | Switched capacitor filter | |
| JPS58144834A (ja) | 光電変換膜の製造方法 | |
| JPS5848972A (ja) | 光起電力装置 |