JPS6149569A - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置Info
- Publication number
- JPS6149569A JPS6149569A JP59172064A JP17206484A JPS6149569A JP S6149569 A JPS6149569 A JP S6149569A JP 59172064 A JP59172064 A JP 59172064A JP 17206484 A JP17206484 A JP 17206484A JP S6149569 A JPS6149569 A JP S6149569A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- type
- film
- pixel electrode
- thin film
- grown
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 38
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 15
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 5
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 abstract description 22
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract description 17
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 abstract description 4
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14665—Imagers using a photoconductor layer
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は固体撮像装置に関するものである。
従来例の構成とその問題点
近年、固体撮像素子の性能向上は目ざましいものかあり
、さらに小型化に対しては積層型固体撮像素子が重要視
されてきた。
、さらに小型化に対しては積層型固体撮像素子が重要視
されてきた。
第1図は従来の7−5i積層型固体撮像素子における受
光部の基本ユニットの模式的な断面図を示す。第1図に
おいて、(1)はSi基板、(2)は信号線、(3)は
読み出しゲート、(4)は電荷蓄積部容量、(5)は画
素電極、(6)はa−Si光電変換薄膜、(7)+4共
通電極−であり、a−5i光電変換薄膜(6)で光電変
換によって発生した信号電荷は画素電極 5
。
光部の基本ユニットの模式的な断面図を示す。第1図に
おいて、(1)はSi基板、(2)は信号線、(3)は
読み出しゲート、(4)は電荷蓄積部容量、(5)は画
素電極、(6)はa−Si光電変換薄膜、(7)+4共
通電極−であり、a−5i光電変換薄膜(6)で光電変
換によって発生した信号電荷は画素電極 5
。
に蓄積され、この信号電荷は信号線(2)により順番に
読み出される。
読み出される。
しかし、上記のような構成の a−Si積層型固体撮像
素子では、a−Si光電変換薄膜(6)と共通
゛−電極(74)間にブロッキング層がないため
に、暗電流が多いという欠点を有している。
素子では、a−Si光電変換薄膜(6)と共通
゛−電極(74)間にブロッキング層がないため
に、暗電流が多いという欠点を有している。
発明の目的
本発明は上記問題を解消し、暗電流が少ない固体操像装
置を提供するものである。
置を提供するものである。
発明の構成
この目的を達成するために本発明の固体撮像装置は、光
電変換膜がN型a−Si、I型a−Si。
電変換膜がN型a−Si、I型a−Si。
P型a−SiまたはP型a−SiCの3層膜の構成にな
っており、この構成によって、N型a −Si。
っており、この構成によって、N型a −Si。
P型a−SiまたはP型a−SiCがブロッキング層と
なり、暗電流が少なくなるものである。
なり、暗電流が少なくなるものである。
実施例の説明
以下、本発明の一実施例について、図面を参照しながら
説明する。第2図は本発明の一実施例における a−S
i積層型固体撮像素子における受光部の基本ユニットの
模式的断面図を示す。第2図において、(1)はSi基
板、(2)は信号線、(3)は読み出しゲート、(4)
は電荷蓄積部容量、(5)は画素電極、(7)は共通電
極、(21)はN型a−Si薄膜。
説明する。第2図は本発明の一実施例における a−S
i積層型固体撮像素子における受光部の基本ユニットの
模式的断面図を示す。第2図において、(1)はSi基
板、(2)は信号線、(3)は読み出しゲート、(4)
は電荷蓄積部容量、(5)は画素電極、(7)は共通電
極、(21)はN型a−Si薄膜。
(22)は1型a−Si薄膜、 (23)はP型a −
S i薄膜である。
S i薄膜である。
以下、第2図を参照しながら、PIN構造光電変換膜を
備えた積層型固体撮像素子の製造方法について説明する
。画素電極の前までは従来の製造方法で作る。次に、画
素電極(5)の金属を蒸着し、続いてN型a−Si薄膜
(21)をプラズマCVD装置で成長させる。N型a−
Si薄膜(21)に対して、フォトエツチングにより、
画素電極バタンを形成する。その下の画素電極金属に対
しては、N型a−Si薄膜(21)の画素電極パタンに
よるセルフアライメントで、画素電極(5)のバタン形
式を行う。
備えた積層型固体撮像素子の製造方法について説明する
。画素電極の前までは従来の製造方法で作る。次に、画
素電極(5)の金属を蒸着し、続いてN型a−Si薄膜
(21)をプラズマCVD装置で成長させる。N型a−
Si薄膜(21)に対して、フォトエツチングにより、
画素電極バタンを形成する。その下の画素電極金属に対
しては、N型a−Si薄膜(21)の画素電極パタンに
よるセルフアライメントで、画素電極(5)のバタン形
式を行う。
次に1同じくプラズマCVD装置によりN型a−Si薄
膜(21)を覆って■型a −S i薄膜(22)を成
長させる。その際に、N型a−Si薄膜(21)と1型
a−Si薄膜(22)との界面特性をよくするために。
膜(21)を覆って■型a −S i薄膜(22)を成
長させる。その際に、N型a−Si薄膜(21)と1型
a−Si薄膜(22)との界面特性をよくするために。
■型a−Si薄膜(22)の成長前に、同じプラズマC
VD装置で、CF、と0□の混合ガスで、N型a−5i
薄膜(21)の表面を薄くエツチングしてから、その表
面を大気にさらすことなく、1型a−Si薄膜(22)
を成長させる。さらに連続してP型a−Si薄膜(23
)を成長させる。最後に、透明金属による共通電極(7
)を形成する。また前記P型a −Siの代りにP型a
−SiCを用いてもよい。以上のようにして第2図に示
すような、PIN構造光電変換膜を備えた積層型固体撮
像素子が構成でき、N型a−Si薄膜(21)とP型a
−Si薄膜(22)がブロッキング層となるため、暗電
流は少なくなる。
VD装置で、CF、と0□の混合ガスで、N型a−5i
薄膜(21)の表面を薄くエツチングしてから、その表
面を大気にさらすことなく、1型a−Si薄膜(22)
を成長させる。さらに連続してP型a−Si薄膜(23
)を成長させる。最後に、透明金属による共通電極(7
)を形成する。また前記P型a −Siの代りにP型a
−SiCを用いてもよい。以上のようにして第2図に示
すような、PIN構造光電変換膜を備えた積層型固体撮
像素子が構成でき、N型a−Si薄膜(21)とP型a
−Si薄膜(22)がブロッキング層となるため、暗電
流は少なくなる。
また、第2図に示すように、抵抗率が低いN型a−Si
薄膜(21)は画素電極のバタンとセルフアライメント
でバタン形成されているため、十分な解像度特性も同時
に得られる。
薄膜(21)は画素電極のバタンとセルフアライメント
でバタン形成されているため、十分な解像度特性も同時
に得られる。
発明の効果
以上本発明の固体撮像装置は、PIN構造のa−Si光
電変換膜であるため暗電流が少ないというすぐれた特性
を備えている。またN型a−Siは、下部の画素電極の
バタンとセルフアライメントでバタン形成されているた
め、十分な解像度特性も同時に得られる。
電変換膜であるため暗電流が少ないというすぐれた特性
を備えている。またN型a−Siは、下部の画素電極の
バタンとセルフアライメントでバタン形成されているた
め、十分な解像度特性も同時に得られる。
第1図は従来のa−Si積層型固体撮像素子における受
光部の基本ユニットの模式的断面図、第2図は本発明の
一実施例におけるa−Si積層型固体撮像素子における
受光部の基本ユニットの模式的断面図である。 (1)・・・Si基板、(2)・・・信号線−1(3)
・・・読み出しゲート、(4)・・・電荷蓄積部容量、
(5)・・・画素電極、(7)・・・共通電極、(21
)・・・N型a−Si光電変換薄膜、(22) =・I
型a−Si光電変換膜、 (23)−P型a−Si光電
変換膜
光部の基本ユニットの模式的断面図、第2図は本発明の
一実施例におけるa−Si積層型固体撮像素子における
受光部の基本ユニットの模式的断面図である。 (1)・・・Si基板、(2)・・・信号線−1(3)
・・・読み出しゲート、(4)・・・電荷蓄積部容量、
(5)・・・画素電極、(7)・・・共通電極、(21
)・・・N型a−Si光電変換薄膜、(22) =・I
型a−Si光電変換膜、 (23)−P型a−Si光電
変換膜
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、Si単結晶基板上にマトリックス状に配列された画
素電極と、前記画素電極上に形成された光電変換膜と、
さらにその上に形成された透明金属よりなる共通電極を
有し、前記画素電極には前記光電変換膜で光電変換によ
って発生した信号電荷が蓄積されるとともに、前記Si
単結晶基板上には前記信号電荷を順番に読み出す回路を
備え、前記光電変換膜が、画素電極側からN型a−Si
とI型a−SiとP型a−SiまたはP型a−SiCの
三層構造であることを特徴とする固体撮像装置。 2、N型a−Siは、画素電極に対応して画素電極ごと
に分離されていることを特徴とする特許請求の範囲第1
項記載の固体撮像装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59172064A JPS6149569A (ja) | 1984-08-17 | 1984-08-17 | 固体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59172064A JPS6149569A (ja) | 1984-08-17 | 1984-08-17 | 固体撮像装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6149569A true JPS6149569A (ja) | 1986-03-11 |
Family
ID=15934862
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59172064A Pending JPS6149569A (ja) | 1984-08-17 | 1984-08-17 | 固体撮像装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6149569A (ja) |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62273767A (ja) * | 1986-05-21 | 1987-11-27 | Toshiba Corp | 固体撮像装置の製造方法 |
JPS6366965A (ja) * | 1986-09-08 | 1988-03-25 | Toshiba Corp | 積層型固体撮像装置 |
JPS63104841U (ja) * | 1986-12-25 | 1988-07-07 | ||
JPS63164270A (ja) * | 1986-12-26 | 1988-07-07 | Toshiba Corp | 積層型固体撮像装置 |
EP0494694A2 (en) * | 1991-01-11 | 1992-07-15 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric converting device and image processing apparatus utilizing the same |
JP2000138363A (ja) * | 1998-11-02 | 2000-05-16 | Hewlett Packard Co <Hp> | イメ―ジ・センサ・アレイ |
JP2008205503A (ja) * | 2008-05-07 | 2008-09-04 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | イメージセンサ及びその作製方法 |
JP2012114166A (ja) * | 2010-11-22 | 2012-06-14 | Canon Inc | 検出装置及び放射線検出システム |
JP2016033972A (ja) * | 2014-07-31 | 2016-03-10 | キヤノン株式会社 | 撮像装置及び撮像システム |
-
1984
- 1984-08-17 JP JP59172064A patent/JPS6149569A/ja active Pending
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62273767A (ja) * | 1986-05-21 | 1987-11-27 | Toshiba Corp | 固体撮像装置の製造方法 |
JPS6366965A (ja) * | 1986-09-08 | 1988-03-25 | Toshiba Corp | 積層型固体撮像装置 |
JPS63104841U (ja) * | 1986-12-25 | 1988-07-07 | ||
JPS63164270A (ja) * | 1986-12-26 | 1988-07-07 | Toshiba Corp | 積層型固体撮像装置 |
EP0494694A2 (en) * | 1991-01-11 | 1992-07-15 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric converting device and image processing apparatus utilizing the same |
US5245201A (en) * | 1991-01-11 | 1993-09-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric converting device and image processing apparatus utilizing the same |
JP2000138363A (ja) * | 1998-11-02 | 2000-05-16 | Hewlett Packard Co <Hp> | イメ―ジ・センサ・アレイ |
JP2008205503A (ja) * | 2008-05-07 | 2008-09-04 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | イメージセンサ及びその作製方法 |
JP2012114166A (ja) * | 2010-11-22 | 2012-06-14 | Canon Inc | 検出装置及び放射線検出システム |
JP2016033972A (ja) * | 2014-07-31 | 2016-03-10 | キヤノン株式会社 | 撮像装置及び撮像システム |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6855595B2 (en) | Method for manufacturing a CMOS image sensor having a capacitor's top electrode in contact with a photo-sensing element | |
US6710370B2 (en) | Image sensor with performance enhancing structures | |
JPS60161664A (ja) | 密着型二次元画像読取装置 | |
US4441123A (en) | Photosensor pattern of solid-state imaging sensors | |
US4148051A (en) | Solid-state imaging device | |
JPS6149569A (ja) | 固体撮像装置 | |
JPH0416948B2 (ja) | ||
JPH02128468A (ja) | 固体撮像装置及びその製造方法 | |
JPS59119980A (ja) | 固体撮像装置の製造方法 | |
JP2919697B2 (ja) | 固体撮像素子の製造方法 | |
JP2509592B2 (ja) | 積層型固体撮像装置 | |
JPH0522516A (ja) | イメージセンサ | |
JPS5846905B2 (ja) | コタイサツゾウソウチ | |
JPS62269354A (ja) | 固体撮像素子 | |
JP2848435B2 (ja) | 固体撮像素子 | |
JP3451833B2 (ja) | 固体撮像装置及び固体撮像装置の製造方法 | |
JPH04315474A (ja) | 固体撮像素子の製造方法 | |
JPS5870685A (ja) | 固体撮像装置 | |
JPH0831587B2 (ja) | 固体撮像素子の製造方法 | |
JPS62252968A (ja) | 非晶質シリコンイメ−ジセンサ | |
JPH0770698B2 (ja) | 固体撮像装置の製造方法 | |
JP2780294B2 (ja) | 固体撮像素子 | |
JPS58190167A (ja) | 固体撮像素子 | |
JPH05129647A (ja) | バイポーラ型フオトトランジスタ及びその製造方法 | |
JPS614378A (ja) | 固体撮像装置 |