JPH03222371A - タンデム型光電変換素子 - Google Patents
タンデム型光電変換素子Info
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- JPH03222371A JPH03222371A JP2017385A JP1738590A JPH03222371A JP H03222371 A JPH03222371 A JP H03222371A JP 2017385 A JP2017385 A JP 2017385A JP 1738590 A JP1738590 A JP 1738590A JP H03222371 A JPH03222371 A JP H03222371A
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- Japan
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- conductive film
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- Pending
Links
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野］
この発明は、フォトカブラなどの光結合部品の受光素子
、光電池等として用いられるタンデム型光電変換素子に
関する。
、光電池等として用いられるタンデム型光電変換素子に
関する。
一般に、発光素子と受光素子よりなるフォトカプラなど
の光結合部品には、発光素子として赤外ＬＥＤが、受光
素子として単結晶フォトダイオードがそれぞれ用いられ
ているが、最近、受光素子としてコストの低いアモルフ
ァスＳｉ系フォトダイオードが開発されている。
の光結合部品には、発光素子として赤外ＬＥＤが、受光
素子として単結晶フォトダイオードがそれぞれ用いられ
ているが、最近、受光素子としてコストの低いアモルフ
ァスＳｉ系フォトダイオードが開発されている。
しかし、従来の光結合部品や光電池からは、出力として
必ず一種類の電流、電圧しか取り出せなかった。そのた
め、同じ基台上に数種類の異なる出力が欲しい場合、少
なくともその異なる出力の数だけの異なる種類の光結合
部品や光電池を準備する必要があり、コストがかかる等
の不便があった。
必ず一種類の電流、電圧しか取り出せなかった。そのた
め、同じ基台上に数種類の異なる出力が欲しい場合、少
なくともその異なる出力の数だけの異なる種類の光結合
部品や光電池を準備する必要があり、コストがかかる等
の不便があった。
このような事情に鑑み、この発明は、単独で異なる出力
を得ることができる光電変換素子を提供することを課題
とする。
を得ることができる光電変換素子を提供することを課題
とする。
上記課題を解決するため、この発明にかかる光電変換素
子は、いわゆるタンデム型となった光電変換素子であっ
て、ｐｉｎ型光電変換層が透明導電膜からなる内電極を
介して複数層積層され、この積層体の表裏面に少なくと
も一方が透明導電膜となった外電極を備えていて、前記
内電極および外電極が前記ｐｉｎ型光電変換層の出力取
り出し部となっている。
子は、いわゆるタンデム型となった光電変換素子であっ
て、ｐｉｎ型光電変換層が透明導電膜からなる内電極を
介して複数層積層され、この積層体の表裏面に少なくと
も一方が透明導電膜となった外電極を備えていて、前記
内電極および外電極が前記ｐｉｎ型光電変換層の出力取
り出し部となっている。
ｐｉｎ型光電変換層はアモルファスＳｉ系等からなる周
知の構成のものであり、内電極となる透明導電膜層はＩ
ＴＯ（インジウム−スズ酸化物）等からなる周知のもの
である。積層体表裏面に設けられる外電極の少なくとも
一方は、積層体内への光透過を可能とさせるため、ＴＴ
Ｏ等からなる透明導電膜層となっている。
知の構成のものであり、内電極となる透明導電膜層はＩ
ＴＯ（インジウム−スズ酸化物）等からなる周知のもの
である。積層体表裏面に設けられる外電極の少なくとも
一方は、積層体内への光透過を可能とさせるため、ＴＴ
Ｏ等からなる透明導電膜層となっている。
積層体の、光の入る側からみて奥の光電変換層はど受光
量が少なくなるので、積層体の各光電変換層の出力を同
じに揃えるには、各層の厚みを奥はど厚くするのが良い
。
量が少なくなるので、積層体の各光電変換層の出力を同
じに揃えるには、各層の厚みを奥はど厚くするのが良い
。
このように、このタンデム型光電変換素子は、光電地と
して用いる場合は、各層の出力値が等しくなるように各
層の膜厚を設計するのが良いのであるが、このような膜
厚と出力値の関係を利用すれば、同タンデム型光電変換
素子は、各層の出力評価用素子としても用いることがで
きる。
して用いる場合は、各層の出力値が等しくなるように各
層の膜厚を設計するのが良いのであるが、このような膜
厚と出力値の関係を利用すれば、同タンデム型光電変換
素子は、各層の出力評価用素子としても用いることがで
きる。
内電極と外電極は、出力取り出しを容易にするために、
ボンディング用バッド部等の取り出し部を積層体外に突
出させておくのが良い。
ボンディング用バッド部等の取り出し部を積層体外に突
出させておくのが良い。
ｐｉｎ型光電変換層を透明導電膜からなる内電極を介し
て複数層積層したタンデム型に構成しておくと、その積
層体表裏面の外電極と積層体内部の内電極を適宜選択変
更してｐｉｎ型光型光電変換力出力り出しを行うことに
より、１個のタンデム型光電変換素子から、光電変換層
の数の積算数に応した種類の出力を得ることが出来る。
て複数層積層したタンデム型に構成しておくと、その積
層体表裏面の外電極と積層体内部の内電極を適宜選択変
更してｐｉｎ型光型光電変換力出力り出しを行うことに
より、１個のタンデム型光電変換素子から、光電変換層
の数の積算数に応した種類の出力を得ることが出来る。
以下に、この発明にかかるタンデム型光電変換素子の実
施例を図面に基づいて詳しく説明する。
施例を図面に基づいて詳しく説明する。
第１図にみるように、この光電変換素子１は、金属製の
外電極１１上に、アモルファスＳｉ系ｐｉｎ型光電変換
層１２１．１２２．１２３．１２４が、ＩＴ○透明導電
膜からなる内電極１３１．１３２．１３３を介して順次
積層されていて、いわゆるタンデム型となっている。そ
して、光電変換素子１の最上部には、ＩＴＯ透明導電膜
からなる外電極１３４が積層設置されている。図（ｂ）
にみるように、内電極１３１．１３２．１３３、外電極
１３４の上下表面積は光電変換層１２１．１２２．１２
３．１２４の上下表面積よりも大きく、各内電極が各光
電変換層の間からはみ出るような形状となってポンディ
ング用バンド部が設けられており、各透明導電膜層の出
力を外部に取り出しやすいようになっている。
外電極１１上に、アモルファスＳｉ系ｐｉｎ型光電変換
層１２１．１２２．１２３．１２４が、ＩＴ○透明導電
膜からなる内電極１３１．１３２．１３３を介して順次
積層されていて、いわゆるタンデム型となっている。そ
して、光電変換素子１の最上部には、ＩＴＯ透明導電膜
からなる外電極１３４が積層設置されている。図（ｂ）
にみるように、内電極１３１．１３２．１３３、外電極
１３４の上下表面積は光電変換層１２１．１２２．１２
３．１２４の上下表面積よりも大きく、各内電極が各光
電変換層の間からはみ出るような形状となってポンディ
ング用バンド部が設けられており、各透明導電膜層の出
力を外部に取り出しやすいようになっている。
このような構造の光電変換素子によると、たとえば、発
光素子として赤色ＬＥＤを用いた場合、同発光素子から
発する光が約３μ璽まで到達するので、１５００〜２５
００人の膜厚を持つｐｉｎ型光電変換層を最大１０〜１
２層積層することができ、一つの光電変換素子で０．８
Ｖから始まり、０゜８Ｖおきに最大９．６Ｖまでの任意
の電圧を出力として取り出すことができる。
光素子として赤色ＬＥＤを用いた場合、同発光素子から
発する光が約３μ璽まで到達するので、１５００〜２５
００人の膜厚を持つｐｉｎ型光電変換層を最大１０〜１
２層積層することができ、一つの光電変換素子で０．８
Ｖから始まり、０゜８Ｖおきに最大９．６Ｖまでの任意
の電圧を出力として取り出すことができる。
以下に、上記実施例について数値を挙げて詳しく述べる
。
。
Ｃｒ？Ｊ極上にアモルファスＳｉ系ｐｉｎ型光電変換層
を９層積層するとともに、各光電変換眉間および最上層
に膜厚１０００人のＩＴＯ透明導電膜からなる内電極８
層と外電極１層を介在・積層した。この際、各ｐｉｎ型
光電変換層の厚みは、ｐ層ｎ層とも１００人、１層は図
中、下の光電変換層から順に１２００．１４００．１６
００．１８００．２０００．２２００，２４００．２６
００．２８００人とした。
を９層積層するとともに、各光電変換眉間および最上層
に膜厚１０００人のＩＴＯ透明導電膜からなる内電極８
層と外電極１層を介在・積層した。この際、各ｐｉｎ型
光電変換層の厚みは、ｐ層ｎ層とも１００人、１層は図
中、下の光電変換層から順に１２００．１４００．１６
００．１８００．２０００．２２００，２４００．２６
００．２８００人とした。
このタンデム型光電変換素子を赤色ＬＥＤとカップリン
グさせたところ、出力電圧として、０．８．１．６．２
．４．３．２．４．０．４．８．５．６．６，４．７．
２■がそれぞれ取り出せた。
グさせたところ、出力電圧として、０．８．１．６．２
．４．３．２．４．０．４．８．５．６．６，４．７．
２■がそれぞれ取り出せた。
この発明にかかるタンデム型光電変換素子は上記実施例
に限定されない。すなわち、光電変換層および透明導電
膜層の材質、厚さ、上下表面積、積層数等は特に限定さ
れず、目的に応して適宜選択してよい。
に限定されない。すなわち、光電変換層および透明導電
膜層の材質、厚さ、上下表面積、積層数等は特に限定さ
れず、目的に応して適宜選択してよい。
この発明にかかるタンデム型光電変換素子は、前述の構
成を備えているため、一つの光電変換素子から異なる種
類の出力を複数種取り出すことが可能になる。
成を備えているため、一つの光電変換素子から異なる種
類の出力を複数種取り出すことが可能になる。
第１図（ａ）はこの発明の一実施例を表す側面外観図、
同図（ｂ）は同平面外観図である。 ｌ・・・タンデム型光電変換素子 １１・・・金属製の
外電極 １２１．１２２．１２３．１２４・・・光電変
換層 １３１．１３２．１３３・・・透明導電膜層から
なる内電極 １３４・・・透明導電膜層からなる外電極
同図（ｂ）は同平面外観図である。 ｌ・・・タンデム型光電変換素子 １１・・・金属製の
外電極 １２１．１２２．１２３．１２４・・・光電変
換層 １３１．１３２．１３３・・・透明導電膜層から
なる内電極 １３４・・・透明導電膜層からなる外電極
Claims (1)
- １、ｐｉｎ型光電変換層が透明導電膜からなる内電極を
介して複数層積層され、この積層体の表裏面に少なくと
も一方が透明導電膜となった外電極を備えていて、前記
内電極および外電極が前記ｐｉｎ型光電変換層の出力取
り出し部となっているタンデム型光電変換素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2017385A JPH03222371A (ja) | 1990-01-26 | 1990-01-26 | タンデム型光電変換素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2017385A JPH03222371A (ja) | 1990-01-26 | 1990-01-26 | タンデム型光電変換素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03222371A true JPH03222371A (ja) | 1991-10-01 |
Family
ID=11942536
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2017385A Pending JPH03222371A (ja) | 1990-01-26 | 1990-01-26 | タンデム型光電変換素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03222371A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006066707A (ja) * | 2004-08-27 | 2006-03-09 | Sony Corp | 光電変換装置 |
| JP2014107300A (ja) * | 2012-11-22 | 2014-06-09 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | 撮像装置、及び、撮像システム |
-
1990
- 1990-01-26 JP JP2017385A patent/JPH03222371A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006066707A (ja) * | 2004-08-27 | 2006-03-09 | Sony Corp | 光電変換装置 |
| JP2014107300A (ja) * | 2012-11-22 | 2014-06-09 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | 撮像装置、及び、撮像システム |
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