JPS60130182A - 低キヤリア濃度超伝導体によるマイクロブリツジ形光検出素子 - Google Patents
低キヤリア濃度超伝導体によるマイクロブリツジ形光検出素子Info
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- JPS60130182A JPS60130182A JP58237607A JP23760783A JPS60130182A JP S60130182 A JPS60130182 A JP S60130182A JP 58237607 A JP58237607 A JP 58237607A JP 23760783 A JP23760783 A JP 23760783A JP S60130182 A JPS60130182 A JP S60130182A
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/10—Junction-based devices
- H10N60/12—Josephson-effect devices
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- Light Receiving Elements (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明はウィークリンクによるジョセフンン接合を用い
た波長１μｍ以上における光通信用光検出素子に関する
ものである。
た波長１μｍ以上における光通信用光検出素子に関する
ものである。
第１図（、）〜→は通常のマイクロブリッジ形ジョセフ
ンン接合の原理図を示している。第１図（ａ）は超伝導
体薄膜の途中を材料のコヒーレンス長（ｆ）よシ細く絞
シ、その両側の超伝導体薄膜電極１０１，１０２を弱く
結合する（ウィークリンク２）ようにしたジョセンンン
接合で、全体の厚さは同じようにしである。第１図（ｂ
）および（Ｃ）はウィークリンク２０部分を両側の超伝
導体薄膜電極１０１．１０２の部分より薄くしである。
ンン接合の原理図を示している。第１図（ａ）は超伝導
体薄膜の途中を材料のコヒーレンス長（ｆ）よシ細く絞
シ、その両側の超伝導体薄膜電極１０１，１０２を弱く
結合する（ウィークリンク２）ようにしたジョセンンン
接合で、全体の厚さは同じようにしである。第１図（ｂ
）および（Ｃ）はウィークリンク２０部分を両側の超伝
導体薄膜電極１０１．１０２の部分より薄くしである。
この部分の長さしと幅Ｗは数μｍとし、厚さ全コヒーレ
ンス長ξより薄くすることによって結合度を調整し、ジ
ョセフソン接合とするものである。第１図（ｄ）は二つ
の超伝導体薄膜電極１０１．１０２部分を点接触させる
ことによりウィークリンク２をつくるものである。
ンス長ξより薄くすることによって結合度を調整し、ジ
ョセフソン接合とするものである。第１図（ｄ）は二つ
の超伝導体薄膜電極１０１．１０２部分を点接触させる
ことによりウィークリンク２をつくるものである。
このような−７ヨセフソン接合は第２図の実線で示しだ
電流・電圧特性を示す。今適当な電流バイアスにより動
作点をＡにおく。外部からジョセフソン接合に電磁波が
照射されると最大ジョセフソン電流Ｉｍａｘが減少して
点線のように電流・電圧特性が変化する。そのだめ電流
が一定のとき動作点Ｂに移り、そのときの電圧変化ＶＡ
Ｂから電磁波を検出できる。これらマイクロブリッジ形
ジョセフソン接合では数１００ ＧＨｚより低い周波数
で高感度の電磁波検出が可能で約５ Ｘ １ ０−１５
Ｗ／〆「７のＮ、Ｅ、Ｐ、（Ｎｏｉｓｅ Ｅｑｕｉｖａ
ｌｅｎｔＰｏｗｅｒ）をもつものがある。
電流・電圧特性を示す。今適当な電流バイアスにより動
作点をＡにおく。外部からジョセフソン接合に電磁波が
照射されると最大ジョセフソン電流Ｉｍａｘが減少して
点線のように電流・電圧特性が変化する。そのだめ電流
が一定のとき動作点Ｂに移り、そのときの電圧変化ＶＡ
Ｂから電磁波を検出できる。これらマイクロブリッジ形
ジョセフソン接合では数１００ ＧＨｚより低い周波数
で高感度の電磁波検出が可能で約５ Ｘ １ ０−１５
Ｗ／〆「７のＮ、Ｅ、Ｐ、（Ｎｏｉｓｅ Ｅｑｕｉｖａ
ｌｅｎｔＰｏｗｅｒ）をもつものがある。
１〜かし、通常の金属超伝導体によるジョセフソン接合
は光通信で用いられる１〜１０μｍの波長の光について
は反射率が大きく、そのため高感歴で光を検出すること
ができない。
は光通信で用いられる１〜１０μｍの波長の光について
は反射率が大きく、そのため高感歴で光を検出すること
ができない。
本発明は金属より電子密度（キャリア密度）が小さく、
従って反射率が金属より小さく透過率が大きくて、１μ
ｍ以上の光が有効に入射できる材料をジョセフソン接合
のウィークリンクとして用い、この波長領域での光検出
感度を大きくしたものであυ、以下詳細に説明する。
従って反射率が金属より小さく透過率が大きくて、１μ
ｍ以上の光が有効に入射できる材料をジョセフソン接合
のウィークリンクとして用い、この波長領域での光検出
感度を大きくしたものであυ、以下詳細に説明する。
本発明は、二つの超伝導体薄膜電極の間隙を、幅、およ
び長さ０５〜２μｍ１厚さ２０００Ｘ以下の低キヤリア
濃度の超伝導体単結晶薄膜でブリッジしてマイクロブリ
ッジ形ノヨセフソン接合を形成し、光照射によるその電
流電圧特性の変化から光検出を行うことを特徴とし、更
に、超伝導体薄膜電極およびブリッジ部ともに低キヤリ
ア濃度の酸化物超伝導体Ｂ ａＰ ｂ １−ｘ Ｂ ｉ
ｘＯ３（０，０５，＜Ｘ、＜０．３５ ）単結晶薄膜を
用い、超伝導体薄膜電極部とブリッジ部の薄膜の厚さを
天に２０００Ｘ以上、５００〜２００ｏＸとして材料の
エネルギギャップを超伝導体薄膜電極部よシもブリッジ
部で小さくなるよう調整して・ゾヨセフノン接合の特性
を調整したことをｌｌ？徴とする、低キヤリア濃度超伝
導体によるマイクロブリッジ形光検出素子である。
び長さ０５〜２μｍ１厚さ２０００Ｘ以下の低キヤリア
濃度の超伝導体単結晶薄膜でブリッジしてマイクロブリ
ッジ形ノヨセフソン接合を形成し、光照射によるその電
流電圧特性の変化から光検出を行うことを特徴とし、更
に、超伝導体薄膜電極およびブリッジ部ともに低キヤリ
ア濃度の酸化物超伝導体Ｂ ａＰ ｂ １−ｘ Ｂ ｉ
ｘＯ３（０，０５，＜Ｘ、＜０．３５ ）単結晶薄膜を
用い、超伝導体薄膜電極部とブリッジ部の薄膜の厚さを
天に２０００Ｘ以上、５００〜２００ｏＸとして材料の
エネルギギャップを超伝導体薄膜電極部よシもブリッジ
部で小さくなるよう調整して・ゾヨセフノン接合の特性
を調整したことをｌｌ？徴とする、低キヤリア濃度超伝
導体によるマイクロブリッジ形光検出素子である。
第３図は本発明によるジョセフソン接合の構造であって
、二つの超伝導体薄膜電極１１１゜１１２の間隙を、金
属より電子密度力（／Ｊ％さく、従って反射率が低く、
１μｍ以上の光が有効に入射できる材料でブリッジして
ウィーク１ノンク１２として用いる。１３は基板である
。今、超伝導体薄膜１Ｌ極１１１．１１２の部分と、ウ
ィークリンク１２の部分の超伝導転移温度をＴＣｌおよ
びＴｃ２、さらに、それぞれのエネルギギャップを２Δ
１および２Δ２とする。第２図のような特性を示すため
には、ウィークリンク１２の長さしと幅Ｗはコヒーレン
ス長ξと同程度の数１００又にすることが望ましいが、
現在の微細）々ターン形成技術では１μｍ程度の加工し
かできない。
、二つの超伝導体薄膜電極１１１゜１１２の間隙を、金
属より電子密度力（／Ｊ％さく、従って反射率が低く、
１μｍ以上の光が有効に入射できる材料でブリッジして
ウィーク１ノンク１２として用いる。１３は基板である
。今、超伝導体薄膜１Ｌ極１１１．１１２の部分と、ウ
ィークリンク１２の部分の超伝導転移温度をＴＣｌおよ
びＴｃ２、さらに、それぞれのエネルギギャップを２Δ
１および２Δ２とする。第２図のような特性を示すため
には、ウィークリンク１２の長さしと幅Ｗはコヒーレン
ス長ξと同程度の数１００又にすることが望ましいが、
現在の微細）々ターン形成技術では１μｍ程度の加工し
かできない。
また出力電流を大きくしたい場合には幅Ｗと厚さは出来
るだけ大きくしたい。このような場合はウィークリンク
１２はΔ２の小さい材料を用いるとり、Ｗが１μｍの程
度でもジョセフソン接合の特性をもたせることが可能で
ある。そしてΔ２／Δ１比とり、Ｗと厚さ等によってジ
ョセフソン接合の最大電流Ｉｍａｘを調整できる。
るだけ大きくしたい。このような場合はウィークリンク
１２はΔ２の小さい材料を用いるとり、Ｗが１μｍの程
度でもジョセフソン接合の特性をもたせることが可能で
ある。そしてΔ２／Δ１比とり、Ｗと厚さ等によってジ
ョセフソン接合の最大電流Ｉｍａｘを調整できる。
このようにして作製されたマイクロブリッジ形ジョセフ
ソン接合のウィークリンク１２に光照射すると、この部
分のエネルギギャップ２Δ２る。ここにＲｎはウィーク
リンクの常伝導状態で析 の低抗）。
ソン接合のウィークリンク１２に光照射すると、この部
分のエネルギギャップ２Δ２る。ここにＲｎはウィーク
リンクの常伝導状態で析 の低抗）。
従ってエネルギギャップ２Δ２の変化が大きいと、この
ゾ目セフソン接合の光検出感度が高くなる。ところで、
次の二つの理由で電子密度の小さい超伝導材料をウィー
クリンク１２に用いると光照射による２Δ２の変化が大
きくなる。その１つは上述したように電子密度が小さい
場合反射率が小さく、材料の内部迄光が侵入できること
である。今１つは次のよ、うなことである。
ゾ目セフソン接合の光検出感度が高くなる。ところで、
次の二つの理由で電子密度の小さい超伝導材料をウィー
クリンク１２に用いると光照射による２Δ２の変化が大
きくなる。その１つは上述したように電子密度が小さい
場合反射率が小さく、材料の内部迄光が侵入できること
である。今１つは次のよ、うなことである。
つまり、超伝導状態では大部分の電子はクーパ対をつく
っているが、このクーノや対が光照射によって破壊され
ると、対をなしてない電子（準粒子）になり、この準粒
子の密度”ｑｐが増すとΔは”ｑｐ／Ｎ（０） （Ｎ（
０）はフェル面での状態密度で、電子密度が小さいもの
では小さい）に比例して減少する。そこでＮ （０）の
小さい材料はΔの変化が太きい。
っているが、このクーノや対が光照射によって破壊され
ると、対をなしてない電子（準粒子）になり、この準粒
子の密度”ｑｐが増すとΔは”ｑｐ／Ｎ（０） （Ｎ（
０）はフェル面での状態密度で、電子密度が小さいもの
では小さい）に比例して減少する。そこでＮ （０）の
小さい材料はΔの変化が太きい。
以上二つの理由で第３図の構造において低キヤリア濃度
の超伝導材料を用いると、高感度光検出素子となる。し
かし、上記のような低キヤリア濃度−の拐料を用いる場
合、薄膜の構造が多結晶になると粒界にジョセフソント
ンネル接合が形成され、 （Ｙ−Ｅｎｏｍｏｔｏ＋ｅｔ
ａｌ＋”０ｂｒｅｒｖａｔｌｏｎｏｆ Ｇｒａｌｎ Ｂ
ｏｕｎｄａｒｙ Ｊｏｓｅｐｈｓｏｎ Ｃｕｒｒｅｎｔ
１ｎＢａＰｂｏ、７Ｂｌ、、Ｏ，Ｆｉｌｍｓ、Ｊｐｎ
、Ｊ、Ａｐｐｌ、ｐｈｙｓ、、 Ｖｏｌ。
の超伝導材料を用いると、高感度光検出素子となる。し
かし、上記のような低キヤリア濃度−の拐料を用いる場
合、薄膜の構造が多結晶になると粒界にジョセフソント
ンネル接合が形成され、 （Ｙ−Ｅｎｏｍｏｔｏ＋ｅｔ
ａｌ＋”０ｂｒｅｒｖａｔｌｏｎｏｆ Ｇｒａｌｎ Ｂ
ｏｕｎｄａｒｙ Ｊｏｓｅｐｈｓｏｎ Ｃｕｒｒｅｎｔ
１ｎＢａＰｂｏ、７Ｂｌ、、Ｏ，Ｆｉｌｍｓ、Ｊｐｎ
、Ｊ、Ａｐｐｌ、ｐｈｙｓ、、 Ｖｏｌ。
２０扁９ ＰＰＬ６６１−Ｌ６６４（１９８１）参照）
、特性が複雑になるので、単結晶のような粒界のない状
態の薄膜が望ましい。
、特性が複雑になるので、単結晶のような粒界のない状
態の薄膜が望ましい。
以上の点を考慮すると、二つの超伝導体薄膜電極の間隙
をブリッジするブリッジ部は、低キヤリア濃度の超伝導
体単結晶薄膜が望ましく、かつこのブリッジ部は、幅お
よび長さが０．５〜２μｍ、厚さが２０００Ｘ以下にす
ることが望ましい。特に、超伝導体薄膜電極およびブリ
ツノ部ともに低キヤリア濃度の酸化物超伝導体ＢａＰｂ
１−、Ｂ １ｘ０３（０，０５≦ｘ ＜ ０．３５ ）
単結晶薄膜を用いる場合には、超伝導体薄膜電極部とブ
リツノ部の薄膜の厚さは、夫々２０００Ｘ以上、５００
〜２０００Ｘとすることが望ましい。すなわち、前記ブ
リッジ部の厚さを５００Ｘ以下にする場合には例えばサ
ファイア等の異なる結晶よりなる基板上に超伝導体単結
晶薄膜よりなるブリッジ部を形成しても超伝導体単結晶
薄膜としての安１定した特性が得られない。また、ブリ
ツノ部の厚さを２０００１以上にする場合にはブＩＪ
ノジ部に照射された光がブリッジ部内の途中で吸収され
ブリッジ部の下面までとどかない。そのため、ウィーク
リンクとしての特性が得られない。
をブリッジするブリッジ部は、低キヤリア濃度の超伝導
体単結晶薄膜が望ましく、かつこのブリッジ部は、幅お
よび長さが０．５〜２μｍ、厚さが２０００Ｘ以下にす
ることが望ましい。特に、超伝導体薄膜電極およびブリ
ツノ部ともに低キヤリア濃度の酸化物超伝導体ＢａＰｂ
１−、Ｂ １ｘ０３（０，０５≦ｘ ＜ ０．３５ ）
単結晶薄膜を用いる場合には、超伝導体薄膜電極部とブ
リツノ部の薄膜の厚さは、夫々２０００Ｘ以上、５００
〜２０００Ｘとすることが望ましい。すなわち、前記ブ
リッジ部の厚さを５００Ｘ以下にする場合には例えばサ
ファイア等の異なる結晶よりなる基板上に超伝導体単結
晶薄膜よりなるブリッジ部を形成しても超伝導体単結晶
薄膜としての安１定した特性が得られない。また、ブリ
ツノ部の厚さを２０００１以上にする場合にはブＩＪ
ノジ部に照射された光がブリッジ部内の途中で吸収され
ブリッジ部の下面までとどかない。そのため、ウィーク
リンクとしての特性が得られない。
一方、超伝導体薄膜電極部の厚さを２０００Ｘ以上にす
るのは、光がこの電極部に当っても電極部の下面まで光
がとどかないため、抵抗値が変わるようなことがなく、
超伝導体電極としての特性を得るためである。更に、前
記ブリッジ部の幅および長さを０５μｍより小さくした
場合には超伝導体としての特性が得られないばかシが、
加工上も困難となる。また、ブリツノ部の幅および長さ
を２μｍ以上にした場合には光を照射してもウィークリ
ンクとしての弱い部分が弱くならなく、ウィークリンク
としての特性が得られず、電極部と同じ特性になる。
るのは、光がこの電極部に当っても電極部の下面まで光
がとどかないため、抵抗値が変わるようなことがなく、
超伝導体電極としての特性を得るためである。更に、前
記ブリッジ部の幅および長さを０５μｍより小さくした
場合には超伝導体としての特性が得られないばかシが、
加工上も困難となる。また、ブリツノ部の幅および長さ
を２μｍ以上にした場合には光を照射してもウィークリ
ンクとしての弱い部分が弱くならなく、ウィークリンク
としての特性が得られず、電極部と同じ特性になる。
実施例１． ％＃ｊｆ昭５８−１４６７０２号で述ヘタ
方法ニより、チタン酸ストロチーウム又はサファイアを
第３図の基板１３として、その上にＢａＰｂｏ、、Ｂｌ
ｏ、５０゜なる組成の単結晶薄膜を一面に厚さ３０００
〜４０００λに形成し、その後エツチング液（ＨＣ４Ｏ
４３０％ 。
方法ニより、チタン酸ストロチーウム又はサファイアを
第３図の基板１３として、その上にＢａＰｂｏ、、Ｂｌ
ｏ、５０゜なる組成の単結晶薄膜を一面に厚さ３０００
〜４０００λに形成し、その後エツチング液（ＨＣ４Ｏ
４３０％ 。
ＨＣｔＱ、 ５％の水溶液）でエツチングして第３図の
電極１１１．１１２のパターン（線幅１０〜１００μｍ
１電極１１１．１１２間の幅０．５〜３卸）を形成した
。Ｔｃは９，５にであった。
電極１１１．１１２のパターン（線幅１０〜１００μｍ
１電極１１１．１１２間の幅０．５〜３卸）を形成した
。Ｔｃは９，５にであった。
次に、ウィークリンク１２を形成するため、先づ全面に
厚さ５００−１５００ＸのＢａＰｂｏ、、Ｂｌ、３０３
単結晶膜を形成した。（厚さが薄い場合５．下層部の結
晶性が劣るため、電極１１１，１１２のギャップのとこ
ろには、電極１１１．１１２の厚い部分よりΔが小さい
薄膜となるＴｃは約５に０）その後、特願昭５７−１５
６６６６号のドライエツチング技術によシ線幅０．５〜
２μｍに形成する。こうして得られたジョセフンン接合
のＩｍａＸは１００μＡで、感度は温度依存性があり、
６にで最高にナッテ１０’Ｖ／’Ｗ （ＮＥＰ テ３
Ｘ １０ ” Ｗ／１７Ｈｚ ） ｆあった。
厚さ５００−１５００ＸのＢａＰｂｏ、、Ｂｌ、３０３
単結晶膜を形成した。（厚さが薄い場合５．下層部の結
晶性が劣るため、電極１１１，１１２のギャップのとこ
ろには、電極１１１．１１２の厚い部分よりΔが小さい
薄膜となるＴｃは約５に０）その後、特願昭５７−１５
６６６６号のドライエツチング技術によシ線幅０．５〜
２μｍに形成する。こうして得られたジョセフンン接合
のＩｍａＸは１００μＡで、感度は温度依存性があり、
６にで最高にナッテ１０’Ｖ／’Ｗ （ＮＥＰ テ３
Ｘ １０ ” Ｗ／１７Ｈｚ ） ｆあった。
上述の実施例では電極１１１．１１２にＢａＰｂｏ、７
Ｂｉ、、Ｏ３を用いたが、これは同じ材料なら同じスパ
ッタ装置で作製できるからであって、この部分は他の金
属超伝導材料であっても同様の特性のものを作製するこ
とができる。（電極１１１．１１２とウィークリンク１
２の部分の相互作用によシ動作温度は変化する′）。
Ｂｉ、、Ｏ３を用いたが、これは同じ材料なら同じスパ
ッタ装置で作製できるからであって、この部分は他の金
属超伝導材料であっても同様の特性のものを作製するこ
とができる。（電極１１１．１１２とウィークリンク１
２の部分の相互作用によシ動作温度は変化する′）。
寸だ、素子の感度を大きくするため、第４図（ａ） 、
（ｂ）のように超伝導体薄膜電極１１１．１１２およ
びウィークリンク１２よりなる素子を数個直列にすると
、各素子毎の変化が相加され大きな出力となる。
（ｂ）のように超伝導体薄膜電極１１１．１１２およ
びウィークリンク１２よりなる素子を数個直列にすると
、各素子毎の変化が相加され大きな出力となる。
以上説明したように本発明によれば、低キャ′リア濃度
超伝導体を用いてマイクロブリッジを形成すると１〜１
０μｍの光でも検出でき、通常の金属超伝導体より薄膜
内に光がよく侵入し、同じ光景でも・ノヨセフソン接合
の特性が太き・く変化するので高感度の光検出素子が得
られる。
超伝導体を用いてマイクロブリッジを形成すると１〜１
０μｍの光でも検出でき、通常の金属超伝導体より薄膜
内に光がよく侵入し、同じ光景でも・ノヨセフソン接合
の特性が太き・く変化するので高感度の光検出素子が得
られる。
第１図は従来のマイクロブリッジ形ジョセフソン接合を
示す構成図、第２図はマイクロブリッジ形ジ、セフソン
接合を電磁波検出に用いたときの出力電圧変化の一例を
示す電流電圧特性図、第３図は本発明の光検出素子の一
実施例を示す）Ｉ４成図、第４図は本発明の光検出素子
を多数個直列に接続した一例を示す構成説明図である。 １１１．１１２・・・超伝導体薄膜電極、１２・・・ウ
ィークリンク、１３・・・基板、Ｌ、Ｗ・・・ウィーク
リンクの長さと幅、’ｍａｘ・・・ジ田セフソン最大電
流、Ａ、Ｂ・・・動作点、ｖＡＢ・・・電磁波照射によ
る電圧変化。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦手続補正書 ｅｓ 、５９．、！、−１８ ′１−１許庁長官 若 杉 和 夫 殿１ 事件の表示 特り？ｌ昭５８−２３７６０７号 ２発明の名称 低キヤリア濃度超伝導体によるマイクロブリッジとの関
係 特許用１１ｉｌＩ＋人（４２２） 日本電信電話公
社 ４、代理人 ５ 自 発イ市１Ｆ 特許請求の範囲を制酸の通り訂正する。 ２、特許請求の範囲 ｆｉ＋ 二つの超伝導体薄膜゛岨イ４の間隙を、幅、お
よび長さ０５〜２μｍ、厚さ２０００ ＸＵ下の低キヤ
リア濃度の超伝導体単結薄１１桑でブリッジしてマイク
ロブリツノ形ノヨセフソン接合を形成し、光照射Ｃニよ
る、その電流電圧特性の変化から光検出を行うことを特
徴とする低キャリアａ度超伝導体によるマイクロブリッ
ジ形光検出素子。 （２） 超伝導体薄膜電極およびプリツノ部とも（二低
キャリアａ度の酸化物超伝導体 ＢａＰｂ１’−ｘＢｉｘＯ８（、０，０５＜；、Ｘ＜０
．３５ ） 単結晶薄膜を用い、超伝導体薄膜電極部と
ブリソノ部の薄膜の厚さを夫々２０００Ｘ以上、５００
〜２０００にとして桐材のエネルギギャップを超伝導体
薄膜電極部よりもブリッジ部で小さくなるようＡｌ７Ｊ
整してノヨセフソン接合の特性を調整したことを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載の低キャリアａ度超伝棉
体によるマイクロブリッジ形光検出素子。
示す構成図、第２図はマイクロブリッジ形ジ、セフソン
接合を電磁波検出に用いたときの出力電圧変化の一例を
示す電流電圧特性図、第３図は本発明の光検出素子の一
実施例を示す）Ｉ４成図、第４図は本発明の光検出素子
を多数個直列に接続した一例を示す構成説明図である。 １１１．１１２・・・超伝導体薄膜電極、１２・・・ウ
ィークリンク、１３・・・基板、Ｌ、Ｗ・・・ウィーク
リンクの長さと幅、’ｍａｘ・・・ジ田セフソン最大電
流、Ａ、Ｂ・・・動作点、ｖＡＢ・・・電磁波照射によ
る電圧変化。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦手続補正書 ｅｓ 、５９．、！、−１８ ′１−１許庁長官 若 杉 和 夫 殿１ 事件の表示 特り？ｌ昭５８−２３７６０７号 ２発明の名称 低キヤリア濃度超伝導体によるマイクロブリッジとの関
係 特許用１１ｉｌＩ＋人（４２２） 日本電信電話公
社 ４、代理人 ５ 自 発イ市１Ｆ 特許請求の範囲を制酸の通り訂正する。 ２、特許請求の範囲 ｆｉ＋ 二つの超伝導体薄膜゛岨イ４の間隙を、幅、お
よび長さ０５〜２μｍ、厚さ２０００ ＸＵ下の低キヤ
リア濃度の超伝導体単結薄１１桑でブリッジしてマイク
ロブリツノ形ノヨセフソン接合を形成し、光照射Ｃニよ
る、その電流電圧特性の変化から光検出を行うことを特
徴とする低キャリアａ度超伝導体によるマイクロブリッ
ジ形光検出素子。 （２） 超伝導体薄膜電極およびプリツノ部とも（二低
キャリアａ度の酸化物超伝導体 ＢａＰｂ１’−ｘＢｉｘＯ８（、０，０５＜；、Ｘ＜０
．３５ ） 単結晶薄膜を用い、超伝導体薄膜電極部と
ブリソノ部の薄膜の厚さを夫々２０００Ｘ以上、５００
〜２０００にとして桐材のエネルギギャップを超伝導体
薄膜電極部よりもブリッジ部で小さくなるようＡｌ７Ｊ
整してノヨセフソン接合の特性を調整したことを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載の低キャリアａ度超伝棉
体によるマイクロブリッジ形光検出素子。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 二つの超伝導体薄膜電極の間隙を、幅、および長さ
０．５〜２μｍ１厚さ２ｏｏｏＸ以下の低キヤリア濃度
の超伝導体単結晶薄膜でブリッジしてマイクロブリッジ
形ゾヨセフソン接合を形成し、光照射による、その電流
電圧特性の変化から光検出を行うことを特徴とする低キ
ヤリア濃度超伝導体によるマイクロブリッジ形光検出素
子。 ２、超伝導体薄膜電極およびブリッジ部ともに低キヤリ
ア濃度の酸化物超伝導体ＢａＰｂ１−ＸＢｌｘＯ５（０
，０５＜ｘ＜０．３５ ）単結晶薄膜を用い、超伝導体
薄膜電極部とブリッジ部の薄膜の厚さを夫々２０００Ｘ
以上、５ｏｏ〜２ｏｏｏＸとして材料のエネルギギャッ
プを超伝導体薄膜電極部よシもブリッジ部で小さくなる
よう調整してジ百セ７ソン接合の特性を調整したことを
特徴とする、低キヤリア濃度超伝導体によるマイクロブ
リッジ形光検出素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58237607A JPS60130182A (ja) | 1983-12-16 | 1983-12-16 | 低キヤリア濃度超伝導体によるマイクロブリツジ形光検出素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58237607A JPS60130182A (ja) | 1983-12-16 | 1983-12-16 | 低キヤリア濃度超伝導体によるマイクロブリツジ形光検出素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60130182A true JPS60130182A (ja) | 1985-07-11 |
| JPS6359271B2 JPS6359271B2 (ja) | 1988-11-18 |
Family
ID=17017820
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58237607A Granted JPS60130182A (ja) | 1983-12-16 | 1983-12-16 | 低キヤリア濃度超伝導体によるマイクロブリツジ形光検出素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60130182A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5330612A (en) * | 1991-10-02 | 1994-07-19 | Advantest Corporation | Method of fabricating nano-size thin wires and devices made of such thin wires |
| WO2006038706A1 (ja) * | 2004-10-05 | 2006-04-13 | National Institute Of Information And Communications Technology, Incorporated Administrative Agency | 電磁波検出素子およびそれを用いた電磁波検出装置 |
-
1983
- 1983-12-16 JP JP58237607A patent/JPS60130182A/ja active Granted
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5330612A (en) * | 1991-10-02 | 1994-07-19 | Advantest Corporation | Method of fabricating nano-size thin wires and devices made of such thin wires |
| WO2006038706A1 (ja) * | 2004-10-05 | 2006-04-13 | National Institute Of Information And Communications Technology, Incorporated Administrative Agency | 電磁波検出素子およびそれを用いた電磁波検出装置 |
| JPWO2006038706A1 (ja) * | 2004-10-05 | 2008-05-15 | 独立行政法人情報通信研究機構 | 電磁波検出素子およびそれを用いた電磁波検出装置 |
| US7979101B2 (en) | 2004-10-05 | 2011-07-12 | National Institute Of Information And Communications Technology, Incorporated Administrative Agency | Electromagnetic wave detection element and electromagnetic wave detection device using the same |
| JP5076051B2 (ja) * | 2004-10-05 | 2012-11-21 | 独立行政法人情報通信研究機構 | 電磁波検出素子およびそれを用いた電磁波検出装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6359271B2 (ja) | 1988-11-18 |
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