JPH0918063A - 酸化物超電導体量子干渉素子 - Google Patents
酸化物超電導体量子干渉素子Info
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- JPH0918063A JPH0918063A JP7161696A JP16169695A JPH0918063A JP H0918063 A JPH0918063 A JP H0918063A JP 7161696 A JP7161696 A JP 7161696A JP 16169695 A JP16169695 A JP 16169695A JP H0918063 A JPH0918063 A JP H0918063A
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- 239000002887 superconductor Substances 0.000 title claims abstract description 33
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 36
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 11
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims abstract description 9
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 3
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 16
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 9
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 9
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 8
- 239000010408 film Substances 0.000 description 7
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000000879 optical micrograph Methods 0.000 description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 4
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 3
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 2
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 2
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 2
- 229910021521 yttrium barium copper oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Measuring Magnetic Variables (AREA)
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 基板上の任意の場所に良質のジョセフソン接
合が再現性良く得られる超電導体量子干渉素子を提供
し、それによって高感度の磁場検出を可能にする。 【構成】 Ｇａ+の集束イオンビーム法により基板１１
の表面に劣化領域１３を形成し、その上に酸化物超電導
体 １４を堆積することにより作製したジョセフソン接
合１５を同一基板上に２個以上作製し、それらの接合を
リング状に接続した超伝導リングによって酸化物超伝導
体量子干渉素子が構成される。好ましくは、このような
超伝導リングが同一基板上に２個以上形成されている。
合が再現性良く得られる超電導体量子干渉素子を提供
し、それによって高感度の磁場検出を可能にする。 【構成】 Ｇａ+の集束イオンビーム法により基板１１
の表面に劣化領域１３を形成し、その上に酸化物超電導
体 １４を堆積することにより作製したジョセフソン接
合１５を同一基板上に２個以上作製し、それらの接合を
リング状に接続した超伝導リングによって酸化物超伝導
体量子干渉素子が構成される。好ましくは、このような
超伝導リングが同一基板上に２個以上形成されている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ジョセフソン接合から
なる超電導リングの干渉効果を用いた酸化物超電導体量
子干渉素子に関するものである。
なる超電導リングの干渉効果を用いた酸化物超電導体量
子干渉素子に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ジョセフソン接合からなる超電導リング
の干渉効果を用いた超電導体量子干渉素子は、単一磁束
量子という限界の微弱磁場まで高感度に磁場を検出でき
ることで知られており、現在、地磁気や生体磁気のセン
サーとして使用されている。
の干渉効果を用いた超電導体量子干渉素子は、単一磁束
量子という限界の微弱磁場まで高感度に磁場を検出でき
ることで知られており、現在、地磁気や生体磁気のセン
サーとして使用されている。
【０００３】ところで、このジョセフソン接合を作製す
るに当たって、トンネル障壁を制御良く形成しなければ
ならないが、この際、接合界面での超電導コヒーレンス
長が重要なパラメータとなる。ジョセフソン接合からな
る超電導リングの種類には大きく分けて、積層型と平坦
型とがある。酸化物超電導体は結晶構造や組成によって
超電導特性が敏感に影響され、接合界面の欠陥により劣
化層が生じる。この場合コヒーレンス長が短いと、良好
な接合特性が得られなくなる。積層型で広く用いられる
Ｃ軸配向薄膜では、Ｃ軸方向のコヒーレンス長が短いた
め、トンネル接合の作製が困難でしかも再現性が問題と
なっていた。
るに当たって、トンネル障壁を制御良く形成しなければ
ならないが、この際、接合界面での超電導コヒーレンス
長が重要なパラメータとなる。ジョセフソン接合からな
る超電導リングの種類には大きく分けて、積層型と平坦
型とがある。酸化物超電導体は結晶構造や組成によって
超電導特性が敏感に影響され、接合界面の欠陥により劣
化層が生じる。この場合コヒーレンス長が短いと、良好
な接合特性が得られなくなる。積層型で広く用いられる
Ｃ軸配向薄膜では、Ｃ軸方向のコヒーレンス長が短いた
め、トンネル接合の作製が困難でしかも再現性が問題と
なっていた。
【０００４】一方、２個以上のジョセフソン接合からな
る超電導体量子干渉素子では、それぞれの接合の特性の
一致の程度が感度に影響を与えることが知られており、
かかる観点から再現性の研究が活発に続けられている。
そして、基板上に１次元的な粒界があるバイクリスタル
基板に作製した粒界接合を用いた平坦型のものが再現性
が良く、比較的容易に超電導体量子干渉素子を実現でき
る。しかしながら、接合の位置が固定されてしまい制御
することができないので、集積化する場合に問題とな
る。
る超電導体量子干渉素子では、それぞれの接合の特性の
一致の程度が感度に影響を与えることが知られており、
かかる観点から再現性の研究が活発に続けられている。
そして、基板上に１次元的な粒界があるバイクリスタル
基板に作製した粒界接合を用いた平坦型のものが再現性
が良く、比較的容易に超電導体量子干渉素子を実現でき
る。しかしながら、接合の位置が固定されてしまい制御
することができないので、集積化する場合に問題とな
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記のように、積層
型、平坦型いずれの超電導リングを用いた場合も実用上
の問題点を含んでおり、改善が望まれていた。
型、平坦型いずれの超電導リングを用いた場合も実用上
の問題点を含んでおり、改善が望まれていた。
【０００６】そこで、本発明は上記のような従来技術の
課題を解決し、基板上の任意の位置に良質のジョセフソ
ン接合が再現性良く得られる超電導体量子干渉素子を提
供し、それによって高感度の磁場検出を可能にすること
を目的とする。
課題を解決し、基板上の任意の位置に良質のジョセフソ
ン接合が再現性良く得られる超電導体量子干渉素子を提
供し、それによって高感度の磁場検出を可能にすること
を目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の本発明による酸化物超電導体量子干渉素子の特徴は、
Ｇａ+の集束イオンビーム法により基板表面に劣化領域
を形成し、その上に酸化物超電導体を堆積することによ
り作製したジョセフソン接合を同一基板上に２個以上含
む超電導リングからなる点にある。
の本発明による酸化物超電導体量子干渉素子の特徴は、
Ｇａ+の集束イオンビーム法により基板表面に劣化領域
を形成し、その上に酸化物超電導体を堆積することによ
り作製したジョセフソン接合を同一基板上に２個以上含
む超電導リングからなる点にある。
【０００８】
【作用】上記の特徴構成によれば、基板上の任意の場所
にジョセフソン接合を形成することができ、これによっ
て特性の良好な超電導体量子干渉素子を再現性良く作成
することができる。
にジョセフソン接合を形成することができ、これによっ
て特性の良好な超電導体量子干渉素子を再現性良く作成
することができる。
【０００９】好ましくは、上記超電導リングが同一基板
上に２個以上形成されていることにより、微弱磁場の空
間分布を検出することができる。
上に２個以上形成されていることにより、微弱磁場の空
間分布を検出することができる。
【００１０】
【実施例】以下、図面を参照しながら本発明の実施例を
説明する。図１に本発明による酸化物超電導体量子干渉
素子の基本構造の外観を示す。１は基板、２は酸化物超
電導薄膜、３はジョセフソン接合であり、フォトリソグ
ラフ（フォトエッチング）法により酸化物超電導体量子
干渉素子を作製した。
説明する。図１に本発明による酸化物超電導体量子干渉
素子の基本構造の外観を示す。１は基板、２は酸化物超
電導薄膜、３はジョセフソン接合であり、フォトリソグ
ラフ（フォトエッチング）法により酸化物超電導体量子
干渉素子を作製した。
【００１１】図２に本発明の第１実施例に係る酸化物超
電導体量子干渉素子の作製工程の概略図を示す。 ａ）まず、ＭｇＯ単結晶基板１１を用意し、ｂ）その表
面に真空蒸着法により、約230nm厚の金薄膜１２を堆積
する。ｃ）その後、集束イオンビーム装置（ＦＩＢ）を
用いて、30KeVに加速したＧａ+イオンビームを、上記基
板上のトンネル接合を形成する２箇所の位置に照射し
て、Ｇａ劣化領域１３を形成する。このときのビーム径
は50nm、ビーム電流は0.1pAである。
電導体量子干渉素子の作製工程の概略図を示す。 ａ）まず、ＭｇＯ単結晶基板１１を用意し、ｂ）その表
面に真空蒸着法により、約230nm厚の金薄膜１２を堆積
する。ｃ）その後、集束イオンビーム装置（ＦＩＢ）を
用いて、30KeVに加速したＧａ+イオンビームを、上記基
板上のトンネル接合を形成する２箇所の位置に照射し
て、Ｇａ劣化領域１３を形成する。このときのビーム径
は50nm、ビーム電流は0.1pAである。
【００１２】ｄ）金蒸着膜を全面にわたり除去した後、
ｅ）基板上にYBa2Cu3O7-d（ＹＢＣＯ）薄膜１４を作製
する。薄膜作製条件は、ターゲットとしてＹＢＣＯ多結
晶体を用い、基板温度は790℃、酸素分圧100mTorr、成
長時間27分で膜厚は300nmである。用いたレーザーはＫ
ｒＦのエキシマレーザーで波長248nm、エネルギー密度
５J/cm2である。その後、Ｇａ劣化領域を横切る部分に
ジョセフソン接合１５を形成し、ｆ）フォトリソグラフ
及びＡｒイオンを用いたエッチング技術により幅５μｍ
長さ９０μｍの配線パターンを有する超電導リングを作
製する。ｇ）最後に２箇所のジョセフソン接合１５が並
列接続されるように、超電導リングの２箇所に電極用金
薄膜１６を作成する。
ｅ）基板上にYBa2Cu3O7-d（ＹＢＣＯ）薄膜１４を作製
する。薄膜作製条件は、ターゲットとしてＹＢＣＯ多結
晶体を用い、基板温度は790℃、酸素分圧100mTorr、成
長時間27分で膜厚は300nmである。用いたレーザーはＫ
ｒＦのエキシマレーザーで波長248nm、エネルギー密度
５J/cm2である。その後、Ｇａ劣化領域を横切る部分に
ジョセフソン接合１５を形成し、ｆ）フォトリソグラフ
及びＡｒイオンを用いたエッチング技術により幅５μｍ
長さ９０μｍの配線パターンを有する超電導リングを作
製する。ｇ）最後に２箇所のジョセフソン接合１５が並
列接続されるように、超電導リングの２箇所に電極用金
薄膜１６を作成する。
【００１３】図３は作製した素子の光学顕微鏡像に基づ
く拡大平面図である。90×90μｍの超電導リング中に２
つのジョセフソン接合１５が形成されている。図４は上
記のようにして作成された酸化物超電導体量子干渉素子
の電気抵抗の温度依存性を示す。88Ｋ以下で超電導状態
になっており、良質の薄膜が作製されていることがわか
る。
く拡大平面図である。90×90μｍの超電導リング中に２
つのジョセフソン接合１５が形成されている。図４は上
記のようにして作成された酸化物超電導体量子干渉素子
の電気抵抗の温度依存性を示す。88Ｋ以下で超電導状態
になっており、良質の薄膜が作製されていることがわか
る。
【００１４】図５は測定系の構成を示している。酸化物
超電導体量子干渉素子の二つの電極１６の間に直流バイ
アス電流電源を接続して所定の小電流を印加する。そし
て、両電極間の電圧をディジタル電圧計２２によって測
定する。ジョセフソン接合１５が超伝導状態にあるとき
電圧は発生しないが、印加電流が臨界値Ｉｃを超えると
電圧が発生する。この臨界値Ｉｃは超伝導リングを貫く
磁束Φの振動関数であり、その周期は１磁束量子Φ0＝
ｈ／２ｅ＝２．０７×１０-15Ｗｂである したがって、臨界電流Ｉｃより大きい一定のバイアス電
流を流しておけば、ディジタル電圧計２２によって測定
される電圧はΦ0の振動関数となる。図５の測定系で
は、超伝導リングを貫く磁束Φは、超伝導リングを囲む
コイル２４とそれに接続された交流電流電源２３によっ
てに印加される。
超電導体量子干渉素子の二つの電極１６の間に直流バイ
アス電流電源を接続して所定の小電流を印加する。そし
て、両電極間の電圧をディジタル電圧計２２によって測
定する。ジョセフソン接合１５が超伝導状態にあるとき
電圧は発生しないが、印加電流が臨界値Ｉｃを超えると
電圧が発生する。この臨界値Ｉｃは超伝導リングを貫く
磁束Φの振動関数であり、その周期は１磁束量子Φ0＝
ｈ／２ｅ＝２．０７×１０-15Ｗｂである したがって、臨界電流Ｉｃより大きい一定のバイアス電
流を流しておけば、ディジタル電圧計２２によって測定
される電圧はΦ0の振動関数となる。図５の測定系で
は、超伝導リングを貫く磁束Φは、超伝導リングを囲む
コイル２４とそれに接続された交流電流電源２３によっ
てに印加される。
【００１５】上記の測定系によって、図６に示すよう
に、磁束Φを変化させたときの出力電圧の周期的な変化
が観測された。磁場の周期は約１．７×１０-7Ｔ（テス
ラ）であって、超伝導リングの面積と単一磁束量子の関
係から求められる値に一致する。このようにして、微弱
な磁場が測定される。また、出力電圧は、臨界電流近傍
のバイアス電流を印加することにより、最大約８μＶで
あった。
に、磁束Φを変化させたときの出力電圧の周期的な変化
が観測された。磁場の周期は約１．７×１０-7Ｔ（テス
ラ）であって、超伝導リングの面積と単一磁束量子の関
係から求められる値に一致する。このようにして、微弱
な磁場が測定される。また、出力電圧は、臨界電流近傍
のバイアス電流を印加することにより、最大約８μＶで
あった。
【００１６】次に、第２実施例について説明する。第１
実施例と基本的には同様の工程により作成される。Ｍｇ
Ｏ単結晶基板の表面に真空蒸着法により、約200nm厚の
金薄膜を堆積する。その後、集束イオンビーム装置（Ｆ
ＩＢ）中に上記基板を置き30KeVに加速したＧａ+イオン
ビームを、基板のトンネル接合を形成する位置に照射す
る。ビーム径は50nm、ビーム電流は0.1pAである。金蒸
着膜を全面にわたり除去した後、基板上にNdBa2Cu307-d
（ＮＢＣＯ）薄膜を作製する。薄膜作製条件は、ターゲ
ットとしてＮＢＣＯ多結晶体を用い、基板温度は740
℃、雰囲気圧70mTorr、酸素ガス流量0.1sccmでアルゴン
ガス流量0.4sccm、成長時間60分で膜厚は300nmである。
用いたＲＦパワーは60Ｗである。
実施例と基本的には同様の工程により作成される。Ｍｇ
Ｏ単結晶基板の表面に真空蒸着法により、約200nm厚の
金薄膜を堆積する。その後、集束イオンビーム装置（Ｆ
ＩＢ）中に上記基板を置き30KeVに加速したＧａ+イオン
ビームを、基板のトンネル接合を形成する位置に照射す
る。ビーム径は50nm、ビーム電流は0.1pAである。金蒸
着膜を全面にわたり除去した後、基板上にNdBa2Cu307-d
（ＮＢＣＯ）薄膜を作製する。薄膜作製条件は、ターゲ
ットとしてＮＢＣＯ多結晶体を用い、基板温度は740
℃、雰囲気圧70mTorr、酸素ガス流量0.1sccmでアルゴン
ガス流量0.4sccm、成長時間60分で膜厚は300nmである。
用いたＲＦパワーは60Ｗである。
【００１７】その後、フォトリソグラフ及びＡｒイオン
を用いたエッチング技術により、Ｇａ劣化領域を横切る
部分がジョセフソン接合となるように、幅５μｍ長さ90
μｍの配線パターンを有する超電導リングを作製する。
を用いたエッチング技術により、Ｇａ劣化領域を横切る
部分がジョセフソン接合となるように、幅５μｍ長さ90
μｍの配線パターンを有する超電導リングを作製する。
【００１８】作製された素子の光学顕微鏡像に基づく拡
大平面図は、上述の実施例１の説明において図３に示し
たものと同様であり、90×90μｍの超電導リング中に２
つのジョセフソン接合１５が形成されている。
大平面図は、上述の実施例１の説明において図３に示し
たものと同様であり、90×90μｍの超電導リング中に２
つのジョセフソン接合１５が形成されている。
【００１９】図７は得られた試料の電気抵抗の温度依存
性を示す。86Ｋ以下で超電導状態になっており、良質の
薄膜が作製されていることがわかる。第１実施例で説明
した測定系によって観測される磁場を変化させたときの
出力電圧の変化は図８のようになり、やはり周期的な変
化が観測されている。磁場の周期は約１．７×１０-7Ｔ
（テスラ）であって、超伝導リングの面積と単一磁束量
子の関係から求められる値に一致する。このようにして
微弱な磁場が測定される。また、出力電圧は、臨界電流
近傍のバイアス電流を印加することにより、最大約１６
μＶであり、第１実施例の２倍の値であった。
性を示す。86Ｋ以下で超電導状態になっており、良質の
薄膜が作製されていることがわかる。第１実施例で説明
した測定系によって観測される磁場を変化させたときの
出力電圧の変化は図８のようになり、やはり周期的な変
化が観測されている。磁場の周期は約１．７×１０-7Ｔ
（テスラ）であって、超伝導リングの面積と単一磁束量
子の関係から求められる値に一致する。このようにして
微弱な磁場が測定される。また、出力電圧は、臨界電流
近傍のバイアス電流を印加することにより、最大約１６
μＶであり、第１実施例の２倍の値であった。
【００２０】次に第３の実施例について説明する。この
実施例の製造工程も基本的には実施例１と同様である。
ＭｇＯ単結晶基板の表面に真空蒸着法により、約200nm
厚の金薄膜を堆積する。その後、集束イオンビーム装置
（ＦＩＢ）中に上記基板を置き30KeVに加速したＧａ+イ
オンビームを、基板のトンネル接合を形成する位置に照
射する。この際、基板上の任意の位置および任意の数の
接合形成部にビームを照射することができる。ビーム径
は50nm、ビーム電流は0.1pAである。金蒸着膜を全面に
わたり除去した後、基板上にＮＢＣＯ薄膜を作製する。
薄膜作製条件は、ターゲットとしてＮＢＣＯ多結晶体を
用い、基板温度は740℃、雰囲気圧70mTorr、酸素ガス流
量0.1sccmでアルゴンガス流量0.4sccm、成長時間60分で
膜厚は300nmである。用いたＲＦパワーは60Ｗである。
その後、フォトリソグラフ及びＡｒイオンを用いたエッ
チング技術により、Ｇａ劣化領域を横切る部分がジョセ
フソン接合となるように幅５μｍ長さ90μｍの配線パタ
ーンを有する超電導リングを作製する。
実施例の製造工程も基本的には実施例１と同様である。
ＭｇＯ単結晶基板の表面に真空蒸着法により、約200nm
厚の金薄膜を堆積する。その後、集束イオンビーム装置
（ＦＩＢ）中に上記基板を置き30KeVに加速したＧａ+イ
オンビームを、基板のトンネル接合を形成する位置に照
射する。この際、基板上の任意の位置および任意の数の
接合形成部にビームを照射することができる。ビーム径
は50nm、ビーム電流は0.1pAである。金蒸着膜を全面に
わたり除去した後、基板上にＮＢＣＯ薄膜を作製する。
薄膜作製条件は、ターゲットとしてＮＢＣＯ多結晶体を
用い、基板温度は740℃、雰囲気圧70mTorr、酸素ガス流
量0.1sccmでアルゴンガス流量0.4sccm、成長時間60分で
膜厚は300nmである。用いたＲＦパワーは60Ｗである。
その後、フォトリソグラフ及びＡｒイオンを用いたエッ
チング技術により、Ｇａ劣化領域を横切る部分がジョセ
フソン接合となるように幅５μｍ長さ90μｍの配線パタ
ーンを有する超電導リングを作製する。
【００２１】作製された素子の光学顕微鏡像に基づく拡
大平面図を図９に示す。また、図９中の円で囲んだ領域
１７の拡大図を図１０に示す。図１０から、領域１７に
は一対のジョセフソン接合１５を有する90×90μｍの超
電導リングが２箇所に形成されていることがわかる。図
９に示された２ｃｍ角の基板上には領域１７と同一のパ
ターンが９箇所に形成されているので、合計１８個の超
伝導リングが形成されていることになる。各超伝導リン
グごとに第１実施例で説明したような測定系を接続すれ
ば、各超伝導リングごとに磁束の測定データが得られる
ので、超電導リング集合素子全体として、微弱な磁場の
空間分布を測定することができる。
大平面図を図９に示す。また、図９中の円で囲んだ領域
１７の拡大図を図１０に示す。図１０から、領域１７に
は一対のジョセフソン接合１５を有する90×90μｍの超
電導リングが２箇所に形成されていることがわかる。図
９に示された２ｃｍ角の基板上には領域１７と同一のパ
ターンが９箇所に形成されているので、合計１８個の超
伝導リングが形成されていることになる。各超伝導リン
グごとに第１実施例で説明したような測定系を接続すれ
ば、各超伝導リングごとに磁束の測定データが得られる
ので、超電導リング集合素子全体として、微弱な磁場の
空間分布を測定することができる。
【００２２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
基板上の任意の場所にジョセフソン接合を形成すること
ができる。したがって、複数の超伝導リングを形成する
場合も、基板上の任意の位置に形成することができる。
このように、従来のバイクリスタル基板等を用いた平坦
型超電導体量子干渉素子では実現できなかった良質の超
電導体量子干渉素子を再現性良く作製することができ
る。より微弱な磁気測定を可能にする超電導体量子干渉
素子を簡便な作製プロセスによって作製すことができる
だけでなく、集積化にも適している。
基板上の任意の場所にジョセフソン接合を形成すること
ができる。したがって、複数の超伝導リングを形成する
場合も、基板上の任意の位置に形成することができる。
このように、従来のバイクリスタル基板等を用いた平坦
型超電導体量子干渉素子では実現できなかった良質の超
電導体量子干渉素子を再現性良く作製することができ
る。より微弱な磁気測定を可能にする超電導体量子干渉
素子を簡便な作製プロセスによって作製すことができる
だけでなく、集積化にも適している。
【図１】本発明の実施例に係る酸化物超電導体量子干渉
素子の外観を示す斜視図
素子の外観を示す斜視図
【図２】本発明の実施例の酸化物超電導体量子干渉素子
の作成行程の概略図
の作成行程の概略図
【図３】本発明の第１実施例に係る酸化物超電導体量子
干渉素子の光学顕微鏡像に基づく拡大平面図
干渉素子の光学顕微鏡像に基づく拡大平面図
【図４】図３の酸化物超電導体量子干渉素子の電気抵抗
の温度依存性を示す図
の温度依存性を示す図
【図５】図３の酸化物超電導体量子干渉素子の測定系の
構成図
構成図
【図６】図３の酸化物超電導体量子干渉素子の出力電圧
の磁場依存性を示す図
の磁場依存性を示す図
【図７】本発明の第２実施例に係る酸化物超電導体量子
干渉素子の電気抵抗の温度依存性を示す図
干渉素子の電気抵抗の温度依存性を示す図
【図８】図７の酸化物超電導体量子干渉素子の出力電圧
の磁場依存性を示す図
の磁場依存性を示す図
【図９】本発明の第３実施例に係る酸化物超電導体量子
干渉素子の光学顕微鏡像に基づく拡大平面図
干渉素子の光学顕微鏡像に基づく拡大平面図
【図１０】図９の部分拡大図
１ 基板 ２，１４ 酸化物超電導薄膜 ３，１５ ジョセフソン接合 １１ ＭｇＯ基板 １２ 金薄膜 １３ Ｇａ劣化領域 １６ 電極用金薄膜 ２１ 直流バイアス電流電源 ２２ デジタル電圧計 ２３ 交流電流電源 ２４ コイル
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小田川 明弘 東京都江東区東雲一丁目14番３ 財団法人 国際超電導産業技術研究センター超電導工 学研究所内 (72)発明者 福家 浩之 東京都江東区東雲一丁目14番３ 財団法人 国際超電導産業技術研究センター超電導工 学研究所内 (72)発明者 榎本 陽一 東京都江東区東雲一丁目14番３ 財団法人 国際超電導産業技術研究センター超電導工 学研究所内 (72)発明者 田中 昭二 東京都江東区東雲一丁目14番３ 財団法人 国際超電導産業技術研究センター超電導工 学研究所内
Claims (2)
- 【請求項１】 Ｇａ+の集束イオンビーム法により基板
表面に劣化領域を形成し、その上に酸化物超電導体を堆
積することにより作製したジョセフソン接合を同一基板
上に２個以上含む超電導リングからなることを特徴とす
る酸化物超電導体量子干渉素子。 - 【請求項２】 前記超電導リングが同一基板上に２個以
上形成されている請求項１記載の酸化物超電導体量子干
渉素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7161696A JPH0918063A (ja) | 1995-06-28 | 1995-06-28 | 酸化物超電導体量子干渉素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7161696A JPH0918063A (ja) | 1995-06-28 | 1995-06-28 | 酸化物超電導体量子干渉素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0918063A true JPH0918063A (ja) | 1997-01-17 |
Family
ID=15740131
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7161696A Pending JPH0918063A (ja) | 1995-06-28 | 1995-06-28 | 酸化物超電導体量子干渉素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0918063A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| MD174Z (ro) * | 2009-05-19 | 2010-10-31 | Институт Электронной Инженерии И Промышленных Технологий Академии Наук Молдовы | Material semiconductor |
| MD323Z (ro) * | 2009-12-29 | 2011-08-31 | Институт Электронной Инженерии И Промышленных Технологий Академии Наук Молдовы | Microfir termoelectric în izolaţie de sticlă |
-
1995
- 1995-06-28 JP JP7161696A patent/JPH0918063A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| MD174Z (ro) * | 2009-05-19 | 2010-10-31 | Институт Электронной Инженерии И Промышленных Технологий Академии Наук Молдовы | Material semiconductor |
| MD323Z (ro) * | 2009-12-29 | 2011-08-31 | Институт Электронной Инженерии И Промышленных Технологий Академии Наук Молдовы | Microfir termoelectric în izolaţie de sticlă |
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