JP2647985B2 - ジョセフソン素子 - Google Patents
ジョセフソン素子Info
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- JP2647985B2 JP2647985B2 JP2030273A JP3027390A JP2647985B2 JP 2647985 B2 JP2647985 B2 JP 2647985B2 JP 2030273 A JP2030273 A JP 2030273A JP 3027390 A JP3027390 A JP 3027390A JP 2647985 B2 JP2647985 B2 JP 2647985B2
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- Japan
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- bridge portion
- josephson
- bridge
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Description
【発明の詳細な説明】 ＜産業上の利用分野＞ 本発明は酸化物超電導膜をブリッジ型ジョセフソン素
子のブリッジ部の膜厚を薄くして感度を高くしたジョセ
フソン素子に関するものである。
子のブリッジ部の膜厚を薄くして感度を高くしたジョセ
フソン素子に関するものである。
＜従来の技術＞ 最近、La系,Y系で代表されるランタノイド（Ln）系，
更にBi系やTl系等の臨界温度（Tc）の高い酸化物超電導
体が注目されている。これらの超電導体は、液体窒素に
よる冷却で利用できるものであり、実用化の上で有利な
材料である。
更にBi系やTl系等の臨界温度（Tc）の高い酸化物超電導
体が注目されている。これらの超電導体は、液体窒素に
よる冷却で利用できるものであり、実用化の上で有利な
材料である。
一方、従来から提案されている超電導材料による代表
的なデバイスにジョセフソン素子があるが、その構造か
ら大別すると、トンネル型と弱結合型になる。
的なデバイスにジョセフソン素子があるが、その構造か
ら大別すると、トンネル型と弱結合型になる。
このトンネル型接合素子は２つの超電導体の間に、そ
れらの超電導体のコヒーレンス長以下の極薄絶縁膜を介
在させか構造である。この極薄絶縁膜は、それを構成す
る元素の組成比及び膜厚等の均一性などによって、その
接合の特性や信頼性などが大きく左右されていた。特
に、高温酸化物超電導体と呼ばれるものはコヒーレンス
長が数Å程度と短くなるため、介在させる絶縁膜もÅオ
ーダの均一性をもたせる必要があり、作製が極めて困難
なことから、酸化物超電導体を用いた良好なトンネル接
合は得られていない。
れらの超電導体のコヒーレンス長以下の極薄絶縁膜を介
在させか構造である。この極薄絶縁膜は、それを構成す
る元素の組成比及び膜厚等の均一性などによって、その
接合の特性や信頼性などが大きく左右されていた。特
に、高温酸化物超電導体と呼ばれるものはコヒーレンス
長が数Å程度と短くなるため、介在させる絶縁膜もÅオ
ーダの均一性をもたせる必要があり、作製が極めて困難
なことから、酸化物超電導体を用いた良好なトンネル接
合は得られていない。
一方、弱結合は、トンネル接合の代わりに断面積を小
さくした部分を設けるもので、一般的にはブリッジ型の
構成にしている。そして、このブリッジ型もブリッジ部
の断面積が使用した超電導体のコヒーレンス長に依存す
るので、酸化物超電導体のときは数十から数千Åにする
必要があり、均一な素子を作製することが難かしかっ
た。
さくした部分を設けるもので、一般的にはブリッジ型の
構成にしている。そして、このブリッジ型もブリッジ部
の断面積が使用した超電導体のコヒーレンス長に依存す
るので、酸化物超電導体のときは数十から数千Åにする
必要があり、均一な素子を作製することが難かしかっ
た。
＜発明が解決しようとする課題＞ 以上で説明したように、従来は超電導体特に酸化物超
電導体によってジョセフソン効果をもつ接合を作製する
ときトンネル型接合は均一の絶縁膜の作製とその信頼性
に問題があり、又、弱結合型接合はブリッジ部形成の微
細加工に問題が残っていた。
電導体によってジョセフソン効果をもつ接合を作製する
ときトンネル型接合は均一の絶縁膜の作製とその信頼性
に問題があり、又、弱結合型接合はブリッジ部形成の微
細加工に問題が残っていた。
以上のような実状からTcが高くなった酸化物超電導体
の特徴を有効に生かすジョセフソン接合を形成して、検
出素子や演算素子に応用することが難かしかった。
の特徴を有効に生かすジョセフソン接合を形成して、検
出素子や演算素子に応用することが難かしかった。
本発明は、従来のジョセフソン接合における問題点を
解決するものであり、弱結合型接合のブリッジ部の膜厚
を両側のバンク部（電極形成部）の超電導膜より薄くし
てブリッジ部の断面積を減少させたジョセフソン素子に
おいて、比較的簡単な作製方法によって得られる構造に
て、より良好な特性であるジョセフソン素子を提供する
ことを目的としている。
解決するものであり、弱結合型接合のブリッジ部の膜厚
を両側のバンク部（電極形成部）の超電導膜より薄くし
てブリッジ部の断面積を減少させたジョセフソン素子に
おいて、比較的簡単な作製方法によって得られる構造に
て、より良好な特性であるジョセフソン素子を提供する
ことを目的としている。
＜課題を解決するための手段＞ 本発明は前記の目的を達成するため、超電導膜で弱結
合を構成するブリッジ部とバンク部とは異なる結晶の配
向性をもたせ、結晶配向性の違いによるエッチング速度
の差異を利用することにより、ブリッジ部とバンク部の
酸化物超電導膜の厚さを異ならせ、さらにブリッジ部の
微小断面積部を形成するものである。
合を構成するブリッジ部とバンク部とは異なる結晶の配
向性をもたせ、結晶配向性の違いによるエッチング速度
の差異を利用することにより、ブリッジ部とバンク部の
酸化物超電導膜の厚さを異ならせ、さらにブリッジ部の
微小断面積部を形成するものである。
例えば、超電導膜のバンク部ではｃ軸を基板面に垂直
に配向させ、ブリッジ部は無配向にしておくと第１図に
示したようにエッチングレートに差が出るため、同じエ
ッチングを行っても残留膜厚に差が生じる。この第１図
に於て、縦軸がエッチング速度で、横軸エッチャントの
濃度である。又それぞれの直線は、10が無配向の面,11
がａ面,11がｃ面の酸化物超電導体のエッチングレート
を示している。このエッチャントとして１−ヒドロキシ
エタン−１、１−ジホスホン酸水溶液を用いている。
に配向させ、ブリッジ部は無配向にしておくと第１図に
示したようにエッチングレートに差が出るため、同じエ
ッチングを行っても残留膜厚に差が生じる。この第１図
に於て、縦軸がエッチング速度で、横軸エッチャントの
濃度である。又それぞれの直線は、10が無配向の面,11
がａ面,11がｃ面の酸化物超電導体のエッチングレート
を示している。このエッチャントとして１−ヒドロキシ
エタン−１、１−ジホスホン酸水溶液を用いている。
以上から、超電導膜を、バンク部では基板面に垂直に
ｃ軸を配向させ、ブリッジ部は無配向にしておけば、同
じエッチングを行っても、ブリッジ部の方が膜厚が薄く
なるので従来と同じ印加電流によっても電流密度が高く
なり、臨界電流（Jc）値が低くなる。以上のジョセフソ
ン接合でブリッジ部のJc以上の電流を流せば超電導−常
電導−超電導（Ｓ−Ｎ−Ｓ）型接合になって抵抗をもつ
ブリッジ型のジョセフソン接合が形成される。これは、
いわゆるVTB（Variable Thickness Bridge）のジョセフ
ソン素子である。更に、以上で説明したブリッジ部の膜
の配向性を変えてエッチングレートを制御することによ
って、用途に適した特性のジョセフソン素子を形成する
こともできる。
ｃ軸を配向させ、ブリッジ部は無配向にしておけば、同
じエッチングを行っても、ブリッジ部の方が膜厚が薄く
なるので従来と同じ印加電流によっても電流密度が高く
なり、臨界電流（Jc）値が低くなる。以上のジョセフソ
ン接合でブリッジ部のJc以上の電流を流せば超電導−常
電導−超電導（Ｓ−Ｎ−Ｓ）型接合になって抵抗をもつ
ブリッジ型のジョセフソン接合が形成される。これは、
いわゆるVTB（Variable Thickness Bridge）のジョセフ
ソン素子である。更に、以上で説明したブリッジ部の膜
の配向性を変えてエッチングレートを制御することによ
って、用途に適した特性のジョセフソン素子を形成する
こともできる。
＜作 用＞ 本発明によるブリッジ型ジョセフソン素子は、そのブ
リッジ部の膜厚を、酸化物超電導膜の配向性によって異
なるエッチングレートを利用して制御するものであり、
VTB型で特性の良好なジョセフソン素子にすることがで
きる。
リッジ部の膜厚を、酸化物超電導膜の配向性によって異
なるエッチングレートを利用して制御するものであり、
VTB型で特性の良好なジョセフソン素子にすることがで
きる。
＜実施例＞ 以下、本発明の実施例を図面を参照しながら説明す
る。
る。
本実施例で作製したブリッジ型ジョセフソン素子構成
の平面図を第２図（ａ）に、又そのＸ−Ｘ′断面図を第
２図（ｂ）に示した。
の平面図を第２図（ａ）に、又そのＸ−Ｘ′断面図を第
２図（ｂ）に示した。
第２図から、本実施例のジョセフソン素子は基板上に
２種のPt膜である26及び27,27′が形成され、更にその
表面にそれぞれ超電導膜のブリッジ部22とバンク部23,2
3′が形成されている。ここでPt膜の26と27,27′は膜の
配向性を変えているので、その上に成膜したブリッジ部
22とバンク部23,23′は下地に影響されて、その配向性
が異っていることを示しており、ここではブリッジ部22
の膜厚がバンク部23,23′に比べ薄くなっていることを
示している。更に、バンク部23,23′にはバイアス電流
印加用電極24,24′と素子が発生した電圧検出用電極25,
25′が設けられている。
２種のPt膜である26及び27,27′が形成され、更にその
表面にそれぞれ超電導膜のブリッジ部22とバンク部23,2
3′が形成されている。ここでPt膜の26と27,27′は膜の
配向性を変えているので、その上に成膜したブリッジ部
22とバンク部23,23′は下地に影響されて、その配向性
が異っていることを示しており、ここではブリッジ部22
の膜厚がバンク部23,23′に比べ薄くなっていることを
示している。更に、バンク部23,23′にはバイアス電流
印加用電極24,24′と素子が発生した電圧検出用電極25,
25′が設けられている。
続いて、第３図によって、本発明のブリッジ型ジョセ
フソン素子の一実施例の製造工程について説明する。
フソン素子の一実施例の製造工程について説明する。
第３図（ａ）に示したのは（100）面のMgO単結晶基板
21上に電子ビーム蒸着でAlを厚さ１μｍ堆積し、フォト
リソ加工により幅w1が５μｍのブリッジ部での線状膜を
形成する。次に、以上の基板を550℃に加熱して電子ビ
ーム蒸着で膜厚d1が0.5μｍのPt膜27,27′を形成した
が、このPt膜は、基板21と蒸着温度の550℃の条件で配
向膜になった。次にNaOH水溶液によって前記Al膜を除去
すると共にそのAl膜上のPt膜もリフトオフ法によって除
去した状態を示したのが第３図（ｂ）である。更に、第
３図（ｃ）では基板温度を200℃に加熱して電子ビーム
蒸着により、ブリッジ部26に膜厚d2が0.5μｍの無配向P
t膜26を形成した状態を示している。
21上に電子ビーム蒸着でAlを厚さ１μｍ堆積し、フォト
リソ加工により幅w1が５μｍのブリッジ部での線状膜を
形成する。次に、以上の基板を550℃に加熱して電子ビ
ーム蒸着で膜厚d1が0.5μｍのPt膜27,27′を形成した
が、このPt膜は、基板21と蒸着温度の550℃の条件で配
向膜になった。次にNaOH水溶液によって前記Al膜を除去
すると共にそのAl膜上のPt膜もリフトオフ法によって除
去した状態を示したのが第３図（ｂ）である。更に、第
３図（ｃ）では基板温度を200℃に加熱して電子ビーム
蒸着により、ブリッジ部26に膜厚d2が0.5μｍの無配向P
t膜26を形成した状態を示している。
なお、MgO（100）単結晶基板にPtの成膜をしたとき、
基板温度が400℃以下のときPt膜は配向せず、400℃以上
のときはPt膜は基板面に垂直にｃ軸配向することが知ら
れている。このｃ軸配向したPt膜上に一定基板温度上で
酸化物超電導膜を形成するとその超電導膜も同じように
ｃ軸配向し、無配向のPt膜上では超電導膜も無配向にな
る。次の第３図（ｄ）に示したのは、前記の基板21を60
0℃に加熱し、その基板の近傍のみ約5mTorrの高い酸素
雰囲気に保って、Ｙ、Ba、Cuの各元素を電子ビーム蒸着
で、組成比がY:Ba:Cu＝1:2:3で均一にした蒸着により超
電導膜を形成した。成膜した超電導膜31のTcは85Kで、
その27,27′の部分のJcは77Kで２×105A/cm2,26の部分
は同じ条件でJcが２×103A/cm2であった。続いて、第３
図（ｅ）に示したように精密なフォトリソグラフィー
と、塩素ガスを用いた反応性スパッタリングにより、幅
w2が５μｍ、膜厚d3が0.5μｍのブリッジ部22をもつブ
リッジ型ジョセフソン素子の形状にしたものである。こ
ゝでバンク部23,23′は前記で説明したようにｃ軸配向
し、ブリッジ部22は無配向になっていた。
基板温度が400℃以下のときPt膜は配向せず、400℃以上
のときはPt膜は基板面に垂直にｃ軸配向することが知ら
れている。このｃ軸配向したPt膜上に一定基板温度上で
酸化物超電導膜を形成するとその超電導膜も同じように
ｃ軸配向し、無配向のPt膜上では超電導膜も無配向にな
る。次の第３図（ｄ）に示したのは、前記の基板21を60
0℃に加熱し、その基板の近傍のみ約5mTorrの高い酸素
雰囲気に保って、Ｙ、Ba、Cuの各元素を電子ビーム蒸着
で、組成比がY:Ba:Cu＝1:2:3で均一にした蒸着により超
電導膜を形成した。成膜した超電導膜31のTcは85Kで、
その27,27′の部分のJcは77Kで２×105A/cm2,26の部分
は同じ条件でJcが２×103A/cm2であった。続いて、第３
図（ｅ）に示したように精密なフォトリソグラフィー
と、塩素ガスを用いた反応性スパッタリングにより、幅
w2が５μｍ、膜厚d3が0.5μｍのブリッジ部22をもつブ
リッジ型ジョセフソン素子の形状にしたものである。こ
ゝでバンク部23,23′は前記で説明したようにｃ軸配向
し、ブリッジ部22は無配向になっていた。
続いて、第３図（ｆ）に示したのは、以上の超電導膜
22及び23,23′を水で1000倍に希釈した１−ヒドロキシ
エタン−1,1ジホスホン酸水溶液に30秒浸漬した後の状
態で、バンク部23,23′の膜厚d4が0.3μｍ、ブリッジ部
の膜厚d5が0.1μｍになった。最後に、第３図（ｇ）に
示したようにバンク部23,23′上にバイアス電流電極24,
24′と電圧電極25,25′を、メタルマスクを用いた電子
ビーム蒸着により、膜厚0.5μｍのTiで形成しブリッジ
型ジョセフソン素子を完成させた。
22及び23,23′を水で1000倍に希釈した１−ヒドロキシ
エタン−1,1ジホスホン酸水溶液に30秒浸漬した後の状
態で、バンク部23,23′の膜厚d4が0.3μｍ、ブリッジ部
の膜厚d5が0.1μｍになった。最後に、第３図（ｇ）に
示したようにバンク部23,23′上にバイアス電流電極24,
24′と電圧電極25,25′を、メタルマスクを用いた電子
ビーム蒸着により、膜厚0.5μｍのTiで形成しブリッジ
型ジョセフソン素子を完成させた。
以上のように作製したジョセフソン素子の電圧−電流
特性を液体窒素温度（77K）で測定したのが第４図であ
る。この第４図は典型的なブリッジ型ジョセフソン素子
の特性を示している。
特性を液体窒素温度（77K）で測定したのが第４図であ
る。この第４図は典型的なブリッジ型ジョセフソン素子
の特性を示している。
以上のジョセフソン素子を77Kに冷却した状態で、そ
のブリッジ部22に10.8GHzのマイクロ波を照射して、電
圧−電流特性に約20μＶのシャピロステップが発生して
いるのを観測できた。
のブリッジ部22に10.8GHzのマイクロ波を照射して、電
圧−電流特性に約20μＶのシャピロステップが発生して
いるのを観測できた。
以上の測定から、本実施例の素子はそのブリッジ部22
にジョセフソン接合が形成されていると考えることがで
きる。
にジョセフソン接合が形成されていると考えることがで
きる。
なお、実施例の説明には、超電導膜にY1Ba2Cu3O7-Xの
酸化物超電導薄膜を用いたが、本発明はこれに限定され
ず、次に記載するものを含む酸化物超電導体の薄膜を用
いることができる。
酸化物超電導薄膜を用いたが、本発明はこれに限定され
ず、次に記載するものを含む酸化物超電導体の薄膜を用
いることができる。
（La1-XMx）2CuO4（ＭはBa,Sr,Ca等）,Ln1Ba2Cu3O7-X
とLn5Cu11Ox（以上でLnはNb,Pm,Sm,Eu,Gd,Dy,Ho,Er,Tm,
Yb等である。）、更に、Bi2Sr2Ca2Cu3O10,Bi1.7Pb0.2Sb
0.1Ca2.0Sr2.0Cu2.8Ox,（Bi0.7Pb0.3）2Sr2Ca2Cu3Ox,Tl
2Ba2Ca2Cu3O10,Ba1-XKXBiO3及びNd2-XCeXCuO4-y等及び
これらに類似した酸化物超電導体基板も実施例のMgO（1
00）単結晶基板に限定されず、同じ効果が得られるSrTi
O3の（100）又は（110）単結晶基板、YSZ（イットリウ
ム安定化ジルコニア）多結晶基板、又は、Si単結晶基板
等を用いることができる。
とLn5Cu11Ox（以上でLnはNb,Pm,Sm,Eu,Gd,Dy,Ho,Er,Tm,
Yb等である。）、更に、Bi2Sr2Ca2Cu3O10,Bi1.7Pb0.2Sb
0.1Ca2.0Sr2.0Cu2.8Ox,（Bi0.7Pb0.3）2Sr2Ca2Cu3Ox,Tl
2Ba2Ca2Cu3O10,Ba1-XKXBiO3及びNd2-XCeXCuO4-y等及び
これらに類似した酸化物超電導体基板も実施例のMgO（1
00）単結晶基板に限定されず、同じ効果が得られるSrTi
O3の（100）又は（110）単結晶基板、YSZ（イットリウ
ム安定化ジルコニア）多結晶基板、又は、Si単結晶基板
等を用いることができる。
更に、超電導膜の作製も実施例の電子ビーム蒸着法に
限定されずレーザ蒸着法，イオンクラスタビーム法，反
応性蒸着法,CVD法，スパッタ法などを用いることができ
る。
限定されずレーザ蒸着法，イオンクラスタビーム法，反
応性蒸着法,CVD法，スパッタ法などを用いることができ
る。
実施例においてはブリッジ型ジョセフソン素子の主要
部であるブリッジ部の幅を５μｍにしたが、これに関連
した実験に於てはその幅を0.5μｍから100μｍの範囲で
変えてもマイクロ波照射によるシャピロステップが確認
でき、ジョセフソン接合が形成されることが分った。
部であるブリッジ部の幅を５μｍにしたが、これに関連
した実験に於てはその幅を0.5μｍから100μｍの範囲で
変えてもマイクロ波照射によるシャピロステップが確認
でき、ジョセフソン接合が形成されることが分った。
＜発明の効果＞ 以上で説明したように本発明のジョセフソン素子はブ
リッジ部とバンク部の超電導膜の結晶の配向性を変え、
その配向性の差異によるエッチングレートの違いを利用
してブリッジ部とバンク部の膜厚差を設けることでブリ
ッジ部の臨界電流を低くするものであり、比較的簡単な
VTB法で特性の良いジョセフソン素子にすることができ
る。
リッジ部とバンク部の超電導膜の結晶の配向性を変え、
その配向性の差異によるエッチングレートの違いを利用
してブリッジ部とバンク部の膜厚差を設けることでブリ
ッジ部の臨界電流を低くするものであり、比較的簡単な
VTB法で特性の良いジョセフソン素子にすることができ
る。
第１図は本発明の実施例の超電導膜の配向性によるエッ
チングレートの相違を示す図、第２図は実施例のジョセ
フソン素子の構成図、第３図は本発明の実施例のジョセ
フソン素子製造工程の斜視図、第４図は実施例のジョセ
フソン素子の電圧−電流特性図である。 21……基板,22……ブリッジ部,23,23′……パンク部,2
4,24′……電流電極,25,25′……電圧電極,26.27.27′
……Pt膜,31……超電導膜。
チングレートの相違を示す図、第２図は実施例のジョセ
フソン素子の構成図、第３図は本発明の実施例のジョセ
フソン素子製造工程の斜視図、第４図は実施例のジョセ
フソン素子の電圧−電流特性図である。 21……基板,22……ブリッジ部,23,23′……パンク部,2
4,24′……電流電極,25,25′……電圧電極,26.27.27′
……Pt膜,31……超電導膜。
フロントページの続き (56)参考文献 特開 平１−161880（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−286373（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−293581（ＪＰ，Ａ) 特開 昭56−21390（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−65583（ＪＰ，Ａ) 特開 昭３−149885（ＪＰ，Ａ)
Claims (2)
- 【請求項１】基板上に堆積させた弱結合型接合のブリッ
ジ部の酸化物超電導膜厚を、両側のバンク部の酸化物超
電導膜より薄くしてブリッジ部の断面積を減少させたブ
リッジ型ジョセフソン素子に於て、 基板と酸化物超電導膜との間に介在させる膜を具備し、
該膜の配向性の差異により、前記ブリッジ部と前記バン
ク部との酸化物超電導膜の結晶配向性を異ならせ、 かつ前記結晶配向性の違いによるウエットエッチング速
度の差異により、ブリッジ部とバンク部との酸化物超電
導膜の厚さを異ならせることを特徴とするジョセフソン
素子。 - 【請求項２】請求項１記載のジョセフソン素子に於て、 ブリッジ部の酸化物超電導膜が無配向膜であって、バン
ク部の酸化物超電導膜が基板に垂直にｃ軸配向させた膜
であることを特徴とする請求項１記載のジョセフソン素
子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2030273A JP2647985B2 (ja) | 1990-02-09 | 1990-02-09 | ジョセフソン素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2030273A JP2647985B2 (ja) | 1990-02-09 | 1990-02-09 | ジョセフソン素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03234071A JPH03234071A (ja) | 1991-10-18 |
| JP2647985B2 true JP2647985B2 (ja) | 1997-08-27 |
Family
ID=12299099
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2030273A Expired - Lifetime JP2647985B2 (ja) | 1990-02-09 | 1990-02-09 | ジョセフソン素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2647985B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05129671A (ja) * | 1991-10-31 | 1993-05-25 | Sharp Corp | 超電導磁気抵抗効果素子およびその製造方法 |
| JPH06291374A (ja) * | 1993-03-31 | 1994-10-18 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ジョセフソン接合素子 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5621390A (en) * | 1979-07-30 | 1981-02-27 | Fujitsu Ltd | Josephson element |
| JPS6065583A (ja) * | 1983-09-20 | 1985-04-15 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | ジヨセフソン接合素子及びその製法 |
| JPH01161880A (ja) * | 1987-12-18 | 1989-06-26 | Toshiba Corp | 超電導素子 |
| JPH01286373A (ja) * | 1988-05-12 | 1989-11-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ジョセフソン素子およびその製造方法 |
| JPH01293581A (ja) * | 1988-05-20 | 1989-11-27 | Sanyo Electric Co Ltd | 超電導素子の製造方法 |
| JP2761504B2 (ja) * | 1989-11-07 | 1998-06-04 | 日本電信電話株式会社 | 酸化物超伝導デバイスおよびその製造方法 |
-
1990
- 1990-02-09 JP JP2030273A patent/JP2647985B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03234071A (ja) | 1991-10-18 |
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