JPH02184087A - 超電導弱結合素子の製造方法 - Google Patents
超電導弱結合素子の製造方法Info
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- JPH02184087A JPH02184087A JP1002800A JP280089A JPH02184087A JP H02184087 A JPH02184087 A JP H02184087A JP 1002800 A JP1002800 A JP 1002800A JP 280089 A JP280089 A JP 280089A JP H02184087 A JPH02184087 A JP H02184087A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は高速、低消費電力でスイッチング動作を行う超
電導スイッチング装置等の超電導エレクトロニクスの分
野に係り、特に液体窒素温度以上で動作可能な酸化物系
超電導弱結合素子に関するものである。
電導スイッチング装置等の超電導エレクトロニクスの分
野に係り、特に液体窒素温度以上で動作可能な酸化物系
超電導弱結合素子に関するものである。
Ｙ−Ｂａ−Ｃｕ酸化物あるいはＢ１−Ｃａ−８ｒ−Ｃｕ
酸化物等の酸化物系超電導材料は臨界温度が９０に以上
であり、液体窒素温度において完全な超電導性を示すも
のである。これらＹ−Ｂａ−Ｃｕ酸化物等の超電導材料
をエレクトロニクスの分野に応用するためには基本的な
超電導素子である超電導弱結合素子を得る必要がある。
酸化物等の酸化物系超電導材料は臨界温度が９０に以上
であり、液体窒素温度において完全な超電導性を示すも
のである。これらＹ−Ｂａ−Ｃｕ酸化物等の超電導材料
をエレクトロニクスの分野に応用するためには基本的な
超電導素子である超電導弱結合素子を得る必要がある。
Ｙ−Ｂａ−Ｃｕ酸化物あるいはＢ１−Ｃａ−８ｒ−Ｃｕ
酸化物を用いた超電導弱結合素子としては、同一平面上
に二個の酸化物超電導電極を近接させて配し、二枚の電
極間をＡｕで橋渡しした構造の素子が作製されている。
酸化物を用いた超電導弱結合素子としては、同一平面上
に二個の酸化物超電導電極を近接させて配し、二枚の電
極間をＡｕで橋渡しした構造の素子が作製されている。
この例はイクステンディド・アブストラクツ・オン・フ
ィツス・インターナショナル・ワークショップ・オン・
ツユ−チャ・エレクトロン・デバイシズの第１５７頁か
ら第１６０頁、１９８８年 （Ｅｘｔｅｎｄｅｄ Ａｂｓｔｒａｃｔｓ ｏｆ
５ｔｈ ＩｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌＷｏｒｋｓ
ｈｏｐ ｏｎ Ｆｕｔｕｒｅ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｄｅ
ｖｉｃｅｓ。
ィツス・インターナショナル・ワークショップ・オン・
ツユ−チャ・エレクトロン・デバイシズの第１５７頁か
ら第１６０頁、１９８８年 （Ｅｘｔｅｎｄｅｄ Ａｂｓｔｒａｃｔｓ ｏｆ
５ｔｈ ＩｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌＷｏｒｋｓ
ｈｏｐ ｏｎ Ｆｕｔｕｒｅ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｄｅ
ｖｉｃｅｓ。
ｐｐ、１５７−１６０．１９８８）に記載されている。
上記Ｙ−Ｂａ−Ｃｕ酸化物を電極とし、常電導金属であ
るＡｕをカップリング材とした超電導弱結合素子は以下
の問題のような問題点を有している。
るＡｕをカップリング材とした超電導弱結合素子は以下
の問題のような問題点を有している。
すなわちこのような超電導弱結合素子の構造においては
二枚の超電導電極間距離によって特性が決定づけられる
。すなわち、液体窒素温度において動作させるために望
ましい電極間距離は１００ｎ ｒｎから１０ｎｍの間で
ある。この理由は超電導ｆｆｉ極から超電導電子がしみ
出して互に常電導体内部で重なり合い、ジョセフソン効
果を発揮させるためには常電導体中のコヒーレンス長さ
、すなわち数十ｎｍの寸法に常電導体の長さを揃える必
要があるからである。
二枚の超電導電極間距離によって特性が決定づけられる
。すなわち、液体窒素温度において動作させるために望
ましい電極間距離は１００ｎ ｒｎから１０ｎｍの間で
ある。この理由は超電導ｆｆｉ極から超電導電子がしみ
出して互に常電導体内部で重なり合い、ジョセフソン効
果を発揮させるためには常電導体中のコヒーレンス長さ
、すなわち数十ｎｍの寸法に常電導体の長さを揃える必
要があるからである。
しかるに超電導電極間の距離をこのような短い値に保つ
のはきわめて困難なことである。実際、上記超電導弱結
合素子においては超電導電極間距離として１μｍを与え
ている。逆に望ましい超電導電極間距離１０〜１１００
ｎが得られたとして、必要な超電導電流を得るために距
離を１０ｎｍ以下の精度で調節するのはきわめて困難な
ことである。
のはきわめて困難なことである。実際、上記超電導弱結
合素子においては超電導電極間距離として１μｍを与え
ている。逆に望ましい超電導電極間距離１０〜１１００
ｎが得られたとして、必要な超電導電流を得るために距
離を１０ｎｍ以下の精度で調節するのはきわめて困難な
ことである。
本発明の目的は、Ｙ−Ｂａ−Ｃｕ酸化物あるいはＢ１−
Ｃａ−８ｒ−Ｃｕ酸化物等の酸化物系超電導材料を電極
として用いたジョセフソン接合装胃に関して、電極間距
離がジョセフソン効果を示すのに必要とされる１０〜１
１００ｎの範囲に保たれ、この間にＡｕ等の常電導金属
をカップリング材として挿入し得る超電導弱結合素子の
構造を提供することにある。
Ｃａ−８ｒ−Ｃｕ酸化物等の酸化物系超電導材料を電極
として用いたジョセフソン接合装胃に関して、電極間距
離がジョセフソン効果を示すのに必要とされる１０〜１
１００ｎの範囲に保たれ、この間にＡｕ等の常電導金属
をカップリング材として挿入し得る超電導弱結合素子の
構造を提供することにある。
上記目的を達成するために、超電導弱結合素子の構造に
関して以下の手段を用いた。
関して以下の手段を用いた。
Ｙ −Ｂ ａ −Ｃｕ酸化物あるいはＢ１−３ｒ−Ｃａ
−Ｃｕ酸化物等の酸化物系超電導材料を電極として用い
、超電導カップリング材としてＡ ｕ ＩＡｇ、Ｐｔ等
を用いる。超電導弱結合素子において１弱結合部が基板
の段差上に形成されるようにする。基板の段差部におい
て酸化物超電導電極が部分され、かつこの部分された酸
化物超電導電極はＡｕｔ Ａｇｌ Ｐｔ等の金属材料に
よって互に電気的に接続されるようにする６ Ａ ｕ
ｒ Ａ ｇ 、あるいはｐｔ等の超電導カップリング材
は酸化物超電導電極の上部でも、あるいは下部に配して
も構わない。
−Ｃｕ酸化物等の酸化物系超電導材料を電極として用い
、超電導カップリング材としてＡ ｕ ＩＡｇ、Ｐｔ等
を用いる。超電導弱結合素子において１弱結合部が基板
の段差上に形成されるようにする。基板の段差部におい
て酸化物超電導電極が部分され、かつこの部分された酸
化物超電導電極はＡｕｔ Ａｇｌ Ｐｔ等の金属材料に
よって互に電気的に接続されるようにする６ Ａ ｕ
ｒ Ａ ｇ 、あるいはｐｔ等の超電導カップリング材
は酸化物超電導電極の上部でも、あるいは下部に配して
も構わない。
このような超電導弱結合素子の製造方法は概ね以下の通
りである。ドライエツチング等の方法によって段差を設
けた基板上にＹ−Ｂａ−Ｃｕ酸化物あるいはＢ ａ −
Ｓ ｒ −Ｃａ −Ｃｕ酸化物等の酸化物超電導薄膜を
形成する。つぎに酸素雰囲気中で熱処理を処すことによ
り段差部において酸化物超電導薄膜を不連続化する。こ
の段差部を中心とした領域にＡｕ、ＰｔあるいはＡｇ等
を形成することにより、分かたれた酸化物超電導薄膜ど
うしを接続し、超電導弱結合部とする。
りである。ドライエツチング等の方法によって段差を設
けた基板上にＹ−Ｂａ−Ｃｕ酸化物あるいはＢ ａ −
Ｓ ｒ −Ｃａ −Ｃｕ酸化物等の酸化物超電導薄膜を
形成する。つぎに酸素雰囲気中で熱処理を処すことによ
り段差部において酸化物超電導薄膜を不連続化する。こ
の段差部を中心とした領域にＡｕ、ＰｔあるいはＡｇ等
を形成することにより、分かたれた酸化物超電導薄膜ど
うしを接続し、超電導弱結合部とする。
本発明にかかる超電導弱結合素子は以下の理由により従
来の酸化物系超電導弱結合素子の問題点を克服するもの
である。
来の酸化物系超電導弱結合素子の問題点を克服するもの
である。
Ｙ−Ｂａ−Ｃｕ酸化物あるいはＢ ａ Ｓ ｒ −Ｃ
ａ−Ｃｕ酸化物等の酸化物超電導材料はスパッタリング
等の方法により成膜を行った段階においては、下地基板
の平坦な部分、あるいは段差部分にかかわらず比較的均
一な膜厚で形成される。しかるに膜形成後の熱処理を施
した場合１段差部分におけるＹ−Ｂａ−Ｃｕ酸化物は原
子拡散によって膜厚が薄くなり、基板の平坦な部分にｓ
ｖｈする。
ａ−Ｃｕ酸化物等の酸化物超電導材料はスパッタリング
等の方法により成膜を行った段階においては、下地基板
の平坦な部分、あるいは段差部分にかかわらず比較的均
一な膜厚で形成される。しかるに膜形成後の熱処理を施
した場合１段差部分におけるＹ−Ｂａ−Ｃｕ酸化物は原
子拡散によって膜厚が薄くなり、基板の平坦な部分にｓ
ｖｈする。
熱処理をＹ−Ｂａ−Ｃｕ酸化物等の結晶化に必要な温度
、すなわち約８００℃以上で行った場合。
、すなわち約８００℃以上で行った場合。
このような原子移動は時間とともに促進され１段差部に
おけるＹ−Ｂａ−Ｃｕ酸化物薄膜には割れが生じ、つい
には段差の上面と下面に部分されてしまう。このような
熱処理に対する薄膜の挙動はＹ−Ｂａ−Ｃｕ酸化物薄膜
以外にＢａ−５ｒ−Ｃａ−Ｃｕ酸化物や他の酸化物系超
電導薄膜においても見られる現象である。下地に段差の
存在する部分でこのような原子拡散が生じる原因として
は、原子の拡散係数が大きく原子の移動が容易である温
度条件では、薄膜が表面積を小さくすることにより内部
エネルギーあるいは結合エネルギーの低い状態に移行し
ようとすることによるものである。
おけるＹ−Ｂａ−Ｃｕ酸化物薄膜には割れが生じ、つい
には段差の上面と下面に部分されてしまう。このような
熱処理に対する薄膜の挙動はＹ−Ｂａ−Ｃｕ酸化物薄膜
以外にＢａ−５ｒ−Ｃａ−Ｃｕ酸化物や他の酸化物系超
電導薄膜においても見られる現象である。下地に段差の
存在する部分でこのような原子拡散が生じる原因として
は、原子の拡散係数が大きく原子の移動が容易である温
度条件では、薄膜が表面積を小さくすることにより内部
エネルギーあるいは結合エネルギーの低い状態に移行し
ようとすることによるものである。
以上のような現象を利用することによって、連続膜であ
った状態から熱処理によりＹ−Ｂａ−Ｃ’ｕ酸化物超電
導膜を二つに分つ方法を用いれば、サブミクロンの超電
導電極間距離を得ることができる。しかも、超電導電極
間距離はＹ−Ｂａ−Ｃｕ酸化物薄膜に対する熱処理条件
、すなわち温度および時間、あるいは段差の高さ等によ
って所望する任意の値に決定することができる。しかも
これらの条件を設定することにより数十ｎｍの精度で超
電導電極間距離を決定することができる。
った状態から熱処理によりＹ−Ｂａ−Ｃ’ｕ酸化物超電
導膜を二つに分つ方法を用いれば、サブミクロンの超電
導電極間距離を得ることができる。しかも、超電導電極
間距離はＹ−Ｂａ−Ｃｕ酸化物薄膜に対する熱処理条件
、すなわち温度および時間、あるいは段差の高さ等によ
って所望する任意の値に決定することができる。しかも
これらの条件を設定することにより数十ｎｍの精度で超
電導電極間距離を決定することができる。
以下１本発明を以下に述べる実施例にもとづいて説明す
る。
る。
超電導弱結合素子は以下の工程により作製を行う。すな
わち、第１図（ａ）に示すごとく、（１００）面方位を
有するＭｇＯ単結晶１を基板として用いる。基板上の全
面にＮｂ膜を１μｍの厚さに形成する。この上に基板の
面積半分を覆うようにレジストパタンを形成する。ＣＦ
４ガスを用いた反応性イオンエツチング法によりレジス
トに覆われていないＮｂ膜部分を除去する。次にレジス
トを除去し、Ａｒと酸素を用いた高周波スパッタリング
あるいはイオンビームスパッタリング法によりＭｇＯ基
板のエツチングを行う。１．７Ｗ／ｃｍ”の高周波電力
密度でスパッタリングを行った場合、Ｎｂ膜のエツチン
グ割合が７０ ｎ ｍ／ｈｒであるのに対して、ＭｇＯ
基板のエツチング割合は３００ ｎ ｒｎ ／ ｈ ｒ
であった。ＭｇＯ基板のエツチングを終了した後、マス
ク材としてのＮｂ膜を再び反応性イオンエツチングによ
って除去する。以上の工程によりＭｇＯ基板の段差６を
人工的に形成する。段差は１．２μｍとする。
わち、第１図（ａ）に示すごとく、（１００）面方位を
有するＭｇＯ単結晶１を基板として用いる。基板上の全
面にＮｂ膜を１μｍの厚さに形成する。この上に基板の
面積半分を覆うようにレジストパタンを形成する。ＣＦ
４ガスを用いた反応性イオンエツチング法によりレジス
トに覆われていないＮｂ膜部分を除去する。次にレジス
トを除去し、Ａｒと酸素を用いた高周波スパッタリング
あるいはイオンビームスパッタリング法によりＭｇＯ基
板のエツチングを行う。１．７Ｗ／ｃｍ”の高周波電力
密度でスパッタリングを行った場合、Ｎｂ膜のエツチン
グ割合が７０ ｎ ｍ／ｈｒであるのに対して、ＭｇＯ
基板のエツチング割合は３００ ｎ ｒｎ ／ ｈ ｒ
であった。ＭｇＯ基板のエツチングを終了した後、マス
ク材としてのＮｂ膜を再び反応性イオンエツチングによ
って除去する。以上の工程によりＭｇＯ基板の段差６を
人工的に形成する。段差は１．２μｍとする。
つぎにＹ−Ｂａ−Ｃｕ酸化物薄膜２を形成する。
Ｙ−Ｂａ−Ｃｕ酸化物薄膜２はあらかじめＹとＧａとＣ
ｕを１ ： ２ ： ４．５の組成比に焼成した焼結体
をターゲットとして用い、高周波マグネトロンスパッタ
法により、Ａｒと酸素の雰囲気中で形成する。膜形成時
の基板温度は７００℃とする。
ｕを１ ： ２ ： ４．５の組成比に焼成した焼結体
をターゲットとして用い、高周波マグネトロンスパッタ
法により、Ａｒと酸素の雰囲気中で形成する。膜形成時
の基板温度は７００℃とする。
膜厚は０．５μｍとする。膜形成の段階でＹ−Ｂａ−Ｃ
ｕ酸化物薄膜２は正方品のペロブスカイト結晶であり、
下地°段差部において連続的である。
ｕ酸化物薄膜２は正方品のペロブスカイト結晶であり、
下地°段差部において連続的である。
膜形成後Ｙ−Ｂａ−Ｃｕ酸化物薄膜２に９００℃。
２時間の熱処理を施す。この熱処理により、斜方晶結晶
構造で８０に以上の臨界温度を有する超電導膜を得る。
構造で８０に以上の臨界温度を有する超電導膜を得る。
さらに第１図（ｂ）に示すごとくＹ−Ｂａ−Ｃｕ酸化物
薄膜は段差部においてクラック５を生じ、約０．０５μ
ｍの間隔をもって段差上部と段差下部の二つの領域に分
かたれる。
薄膜は段差部においてクラック５を生じ、約０．０５μ
ｍの間隔をもって段差上部と段差下部の二つの領域に分
かたれる。
つぎにＹ−Ｂａ−Ｃｕ酸化物薄膜２表面にＡｒと酸素の
雰囲気中で高周波スパッタリングを施すことにより表面
汚染層を除去する。さらに純酸素の雰囲気中で高周波放
電を行うことにより、超電導膜表面の欠落した酸素を補
う。この上に第１図（ｃ）に示すごとく膜厚３００ｎｍ
のＡｕ膜３を形成する。ＹＢａ−Ｃｕ酸化物薄膜２に対
して熱処理を施す工程とＡｕ膜を堆積する工程を同一の
装置で行う場合、熱処理時のクラック発生過程において
Ｙ−Ｂａ−Ｃｕ酸化物２の新しい面が表れ、この新鮮な
表面上にＡｕ膜３を形成するので、Ｙ−Ｂａ−Ｃｕ酸化
物薄膜２に対する表面クリーニングの必要性は無い１以
上のごとく形成したＡｕ膜３に対してカップリング部お
よびこの周辺以外の膜部分をエツチング除去することに
より、超電導弱結合素子の完成を見る。
雰囲気中で高周波スパッタリングを施すことにより表面
汚染層を除去する。さらに純酸素の雰囲気中で高周波放
電を行うことにより、超電導膜表面の欠落した酸素を補
う。この上に第１図（ｃ）に示すごとく膜厚３００ｎｍ
のＡｕ膜３を形成する。ＹＢａ−Ｃｕ酸化物薄膜２に対
して熱処理を施す工程とＡｕ膜を堆積する工程を同一の
装置で行う場合、熱処理時のクラック発生過程において
Ｙ−Ｂａ−Ｃｕ酸化物２の新しい面が表れ、この新鮮な
表面上にＡｕ膜３を形成するので、Ｙ−Ｂａ−Ｃｕ酸化
物薄膜２に対する表面クリーニングの必要性は無い１以
上のごとく形成したＡｕ膜３に対してカップリング部お
よびこの周辺以外の膜部分をエツチング除去することに
より、超電導弱結合素子の完成を見る。
超電導弱結合素子の電圧−電流特性６は第２図に示すご
とくになる。すなわち約２００μＡの超電導電流が流れ
る。超電導電流はＱ 、 ５ Ｇａｕｓｓの磁束密度に
相当する外部磁場を印加することによって半分以下の値
７にすることができる。このことは超電導弱結合素子が
ジョセフソン効果を有していることを意味する。しかも
この印加磁束密度は単一の超電導弱結合素子に対応する
値である。
とくになる。すなわち約２００μＡの超電導電流が流れ
る。超電導電流はＱ 、 ５ Ｇａｕｓｓの磁束密度に
相当する外部磁場を印加することによって半分以下の値
７にすることができる。このことは超電導弱結合素子が
ジョセフソン効果を有していることを意味する。しかも
この印加磁束密度は単一の超電導弱結合素子に対応する
値である。
以上の作製工程にかかる超電導弱結合素子はカップリン
グ材としてＡｕ以外にＡｇあるいはｐｔ等を用いても同
様な特性を示す。さらに超電導電極膜としてＹ−Ｂａ−
Ｃｕ酸化物以外にＹをＹｂやＥｒ等で置換した斜方晶酸
化物あるいはＢ１−３ ｒ −Ｃａ −Ｃｕ酸化物等を
用いた場合にも同様の超電導弱結合素子を構成し、ジョ
セフソン効果を示す。
グ材としてＡｕ以外にＡｇあるいはｐｔ等を用いても同
様な特性を示す。さらに超電導電極膜としてＹ−Ｂａ−
Ｃｕ酸化物以外にＹをＹｂやＥｒ等で置換した斜方晶酸
化物あるいはＢ１−３ ｒ −Ｃａ −Ｃｕ酸化物等を
用いた場合にも同様の超電導弱結合素子を構成し、ジョ
セフソン効果を示す。
カップリング材を酸化物超電導薄膜の下部に敷いた場合
も同様の効果を示す。
も同様の効果を示す。
超電導弱結合素子の超電導電流は常電導薄膜の膜厚、酸
化物超電導電極の膜厚と段差の相対比、および酸化物超
電導電極の熱処理条件等を調節して任意の値を得る。
化物超電導電極の膜厚と段差の相対比、および酸化物超
電導電極の熱処理条件等を調節して任意の値を得る。
以上述べたごとく、本発明にかかる超電導弱結合素子は
以下の効果を有する。
以下の効果を有する。
（１）微細バタンニングおよび加工技術を用いることな
く、１１００ｎ以下の長さの常電導カップリング長を得
ることができる。これにより、液体窒素温度で動作可能
な超電導電流を有する超電導弱結合素子を得ることがで
きる。
く、１１００ｎ以下の長さの常電導カップリング長を得
ることができる。これにより、液体窒素温度で動作可能
な超電導電流を有する超電導弱結合素子を得ることがで
きる。
（２）１００ｎｍ以下の長さで常電導カップリング部の
長さを調節することができる。これにより、超電導弱結
合素子に対して任意の超電導電流を与えることができる
。
長さを調節することができる。これにより、超電導弱結
合素子に対して任意の超電導電流を与えることができる
。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例である超電導弱結合素子の製
造工程を示す図、第２図は本発明にかかる超電導弱結合
素子の電圧−電流特性を示す図である。 １−Ｍ ｇ Ｏ基板、２− Ｙ −Ｂ ａ −Ｃｕ酸化
物薄膜、３・・・ＡｕＦＪ膜、４・・・段差、５・・・
クラック部、６・・・印加磁場零時性、７・・・磁場印
加時特性。
造工程を示す図、第２図は本発明にかかる超電導弱結合
素子の電圧−電流特性を示す図である。 １−Ｍ ｇ Ｏ基板、２− Ｙ −Ｂ ａ −Ｃｕ酸化
物薄膜、３・・・ＡｕＦＪ膜、４・・・段差、５・・・
クラック部、６・・・印加磁場零時性、７・・・磁場印
加時特性。
Claims (1)
- １、酸化物系超電導材料を電極とし、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ
等の貴金属材料をカップリング材とする超電導弱結合素
子において、カップリング部が基板の段差上に形成され
、酸化物超電導電極が上記段差部上において２分され、
Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ等のカップリング材を介して電気的に
つながって成ることを特徴とする超電導弱結合素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1002800A JPH02184087A (ja) | 1989-01-11 | 1989-01-11 | 超電導弱結合素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1002800A JPH02184087A (ja) | 1989-01-11 | 1989-01-11 | 超電導弱結合素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02184087A true JPH02184087A (ja) | 1990-07-18 |
| JPH0580160B2 JPH0580160B2 (ja) | 1993-11-08 |
Family
ID=11539450
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1002800A Granted JPH02184087A (ja) | 1989-01-11 | 1989-01-11 | 超電導弱結合素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02184087A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5134117A (en) * | 1991-01-22 | 1992-07-28 | Biomagnetic Technologies, Inc. | High tc microbridge superconductor device utilizing stepped edge-to-edge sns junction |
| US5157466A (en) * | 1991-03-19 | 1992-10-20 | Conductus, Inc. | Grain boundary junctions in high temperature superconductor films |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63245972A (ja) * | 1987-04-01 | 1988-10-13 | Hitachi Ltd | 弱結合型ジヨセフソン素子 |
-
1989
- 1989-01-11 JP JP1002800A patent/JPH02184087A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63245972A (ja) * | 1987-04-01 | 1988-10-13 | Hitachi Ltd | 弱結合型ジヨセフソン素子 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5134117A (en) * | 1991-01-22 | 1992-07-28 | Biomagnetic Technologies, Inc. | High tc microbridge superconductor device utilizing stepped edge-to-edge sns junction |
| US5157466A (en) * | 1991-03-19 | 1992-10-20 | Conductus, Inc. | Grain boundary junctions in high temperature superconductor films |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0580160B2 (ja) | 1993-11-08 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |