JPH04268774A - ジョセフソン接合 - Google Patents
ジョセフソン接合Info
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- JPH04268774A JPH04268774A JP3050093A JP5009391A JPH04268774A JP H04268774 A JPH04268774 A JP H04268774A JP 3050093 A JP3050093 A JP 3050093A JP 5009391 A JP5009391 A JP 5009391A JP H04268774 A JPH04268774 A JP H04268774A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、酸化物超伝導体に関し
、さらに詳しくは、スクイド、ミクサー、ジョセフソン
ＦＥＴなどを構成する場合のジョセフソン接合に関する
ものである。
、さらに詳しくは、スクイド、ミクサー、ジョセフソン
ＦＥＴなどを構成する場合のジョセフソン接合に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】液体窒素温度以上で超伝導特性を示すＹ
系酸化物超伝導体（ＹＢａ２ Ｃｕ３ Ｏ７−ｙ ：以
下ＹＢＣＯ略す）は、スパッタ法や真空蒸着法、化学気
相析出法などの様々な方法によって薄膜作製技術の研究
が行われ、超伝導転移温度が９０Ｋで、しかも、７７Ｋ
での臨界電流密度が１０５ Ａ／ｃｍ２ 以上の値を有
する薄膜が形成されている。この超伝導特性に優れたＹ
ＢＣＯ薄膜をスクイドやミクサー、ジョセフソンＦＥＴ
などジョセフソン素子に適用させるためには、ＹＢＣＯ
のコヒーレント長が、従来材料の金属系超伝導体に比べ
て短いために、従来の超伝導体で用いられていた積層型
のトンネルバリアーや薄膜型の弱接合などのジョセフソ
ン接合の作製技術がそのまゝ応用できないのが現状であ
る。
系酸化物超伝導体（ＹＢａ２ Ｃｕ３ Ｏ７−ｙ ：以
下ＹＢＣＯ略す）は、スパッタ法や真空蒸着法、化学気
相析出法などの様々な方法によって薄膜作製技術の研究
が行われ、超伝導転移温度が９０Ｋで、しかも、７７Ｋ
での臨界電流密度が１０５ Ａ／ｃｍ２ 以上の値を有
する薄膜が形成されている。この超伝導特性に優れたＹ
ＢＣＯ薄膜をスクイドやミクサー、ジョセフソンＦＥＴ
などジョセフソン素子に適用させるためには、ＹＢＣＯ
のコヒーレント長が、従来材料の金属系超伝導体に比べ
て短いために、従来の超伝導体で用いられていた積層型
のトンネルバリアーや薄膜型の弱接合などのジョセフソ
ン接合の作製技術がそのまゝ応用できないのが現状であ
る。
【０００３】現在までに、ＹＢＣＯ薄膜によるジョセフ
ソン接合でジョセフソン効果の観測が報告されている接
合の多くは、薄膜にブリッジを形成して、ブリッジ部に
存在する薄膜の結晶粒界を接合とした粒界接合型である
。粒界接合型のほとんどは、自然形成の結晶粒界を用い
たものであり、結晶粒界の分布がランダムであるため粒
界上にブリッジを形成することが困難であった。また、
成膜条件により結晶粒サイズや粒界の構造なども変化す
るために、特性の再現性や安定性に問題があった。 さらに、結晶粒界がブリッジ部以外にも存在するので、
粒界に磁束が補足され易く、７７Ｋ動作では磁束の運動
により発生する雑音によってエネルギー分解能などの特
性が低下してしまうという問題があった。
ソン接合でジョセフソン効果の観測が報告されている接
合の多くは、薄膜にブリッジを形成して、ブリッジ部に
存在する薄膜の結晶粒界を接合とした粒界接合型である
。粒界接合型のほとんどは、自然形成の結晶粒界を用い
たものであり、結晶粒界の分布がランダムであるため粒
界上にブリッジを形成することが困難であった。また、
成膜条件により結晶粒サイズや粒界の構造なども変化す
るために、特性の再現性や安定性に問題があった。 さらに、結晶粒界がブリッジ部以外にも存在するので、
粒界に磁束が補足され易く、７７Ｋ動作では磁束の運動
により発生する雑音によってエネルギー分解能などの特
性が低下してしまうという問題があった。
【０００４】近年、結晶粒界を用いた接合の一つとして
人工的に結晶粒界を形成する研究がＩＢＭのＧｒｏｓｓ
ら（ｔｏ ｂｅ ｐｕｂｌｉｓｈｅｄ Ａｐｐｌ．Ｐ
ｈｙｓ．Ｌｅｔｔ）によって報告されている。Ｇｒｏｓ
ｓ らは、ＳｒＴｉＯ３ 単結晶を用い、それぞれの基
板表面の面方位が（００１）で、基板の接合部をはさむ
二つの結晶の〔１００〕軸方向が２０°異なるバイクリ
スタル基板を作製し、この基板上にＹＢＣＯ薄膜を形成
している。それぞれの単結晶基板上のＹＢＣＯ薄膜は、
エピタキシャル成長によって、結晶粒界は形成されない
が、基板の接合界面上には基板と同じ角度の面内ローテ
イションを持った結晶粒界（傾角粒界）が形成される。 この人工的な傾角粒界をジョセフソン接合として、ｄｃ
−ＳＱＵＩＤを作製して特性の再現性と雑音特性の向上
を得ている。
人工的に結晶粒界を形成する研究がＩＢＭのＧｒｏｓｓ
ら（ｔｏ ｂｅ ｐｕｂｌｉｓｈｅｄ Ａｐｐｌ．Ｐ
ｈｙｓ．Ｌｅｔｔ）によって報告されている。Ｇｒｏｓ
ｓ らは、ＳｒＴｉＯ３ 単結晶を用い、それぞれの基
板表面の面方位が（００１）で、基板の接合部をはさむ
二つの結晶の〔１００〕軸方向が２０°異なるバイクリ
スタル基板を作製し、この基板上にＹＢＣＯ薄膜を形成
している。それぞれの単結晶基板上のＹＢＣＯ薄膜は、
エピタキシャル成長によって、結晶粒界は形成されない
が、基板の接合界面上には基板と同じ角度の面内ローテ
イションを持った結晶粒界（傾角粒界）が形成される。 この人工的な傾角粒界をジョセフソン接合として、ｄｃ
−ＳＱＵＩＤを作製して特性の再現性と雑音特性の向上
を得ている。
【０００５】しかし、ＳｒＴｉＯ３ をバイクリスタル
基板の材料として用いた場合、ミクサーや電圧標準など
のマイクロ波応用では、ＳｒＴｉＯ３ の高い誘電率（
８０Ｋで１８７５）と損失正接（８０Ｋ、１ＧＨｚで１
００）のために、誘電損失が大きく実用的でなく、さら
に基板が限定されるために、現在非常に高度に発展して
いる半導体技術を駆使して、酸化物超伝導体によるジョ
セフソン接合と半導体とを一体化したデバイスの構築が
難しいという問題があった。
基板の材料として用いた場合、ミクサーや電圧標準など
のマイクロ波応用では、ＳｒＴｉＯ３ の高い誘電率（
８０Ｋで１８７５）と損失正接（８０Ｋ、１ＧＨｚで１
００）のために、誘電損失が大きく実用的でなく、さら
に基板が限定されるために、現在非常に高度に発展して
いる半導体技術を駆使して、酸化物超伝導体によるジョ
セフソン接合と半導体とを一体化したデバイスの構築が
難しいという問題があった。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、前記した従
来技術の問題点に着目してなされたもので、雑音が少な
く、特性の再現性や安定性に優れ、ミクサーや電圧標準
などのマイクロ波応用に適したジョセフソン接合で、さ
らに半導体と一体化可能なジョセフソン接合を提供する
ことを目的としている。
来技術の問題点に着目してなされたもので、雑音が少な
く、特性の再現性や安定性に優れ、ミクサーや電圧標準
などのマイクロ波応用に適したジョセフソン接合で、さ
らに半導体と一体化可能なジョセフソン接合を提供する
ことを目的としている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、前記した課題
を解決するため、少なくとも２個以上のＳｉ単結晶から
なるバイクリスタル基板、さらには基板のそれぞれのＳ
ｉ単結晶上にエピタキシャル成長あるいは一定の配向し
た第二相を有するバイクリスタル基板のＹＢＣＯ薄膜か
らなるジョセフソン接合であり、バイクリスタル基板の
接合界面上に形成されるＹＢＣＯ薄膜の結晶粒界を弱接
合とするジョセフソン接合である。
を解決するため、少なくとも２個以上のＳｉ単結晶から
なるバイクリスタル基板、さらには基板のそれぞれのＳ
ｉ単結晶上にエピタキシャル成長あるいは一定の配向し
た第二相を有するバイクリスタル基板のＹＢＣＯ薄膜か
らなるジョセフソン接合であり、バイクリスタル基板の
接合界面上に形成されるＹＢＣＯ薄膜の結晶粒界を弱接
合とするジョセフソン接合である。
【０００８】より具体的な本発明のジョセフソン接合は
、Ｓｉの単結晶を基板材料として採用し、少なくとも２
個以上のＳｉ単結晶を接合して基板表面上のいずれかに
接合界部を有するバイクリスタル基板とする。バイクリ
スタル基板におけるそれぞれの単結晶の方位は、１つの
結晶軸を整合させ、他の結晶軸は任意の角度で回転して
いる。整合させるそれぞれの単結晶の結晶軸は、それぞ
れのＳｉ単結晶で必要とされるＹＢＣＯ薄膜の結晶方位
やＳｉ単結晶上に形成される半導体デバイスで必要とさ
れる結晶方位に合わせた任意の結晶軸であるが、基板面
にｃ軸が垂直なｃ軸配向した酸化物超伝導薄膜やエピタ
キシャル成長した酸化物超伝導薄膜をバイクリスタル基
板上に形成するには、基板表面を（００１）面とするか
、あるいは（００１）面に垂直な〔００１〕軸の方位の
ずれを数度以内とし、〔１００〕軸および〔０１０〕軸
の方位は任意の角度とするのが好ましい。基板材料であ
るＳｉは、室温、１ＭＨｚでの誘電率が約１２でＭｇＯ
の同程度の値を有することから、基板に起因する誘電損
失を小さくすることができる。
、Ｓｉの単結晶を基板材料として採用し、少なくとも２
個以上のＳｉ単結晶を接合して基板表面上のいずれかに
接合界部を有するバイクリスタル基板とする。バイクリ
スタル基板におけるそれぞれの単結晶の方位は、１つの
結晶軸を整合させ、他の結晶軸は任意の角度で回転して
いる。整合させるそれぞれの単結晶の結晶軸は、それぞ
れのＳｉ単結晶で必要とされるＹＢＣＯ薄膜の結晶方位
やＳｉ単結晶上に形成される半導体デバイスで必要とさ
れる結晶方位に合わせた任意の結晶軸であるが、基板面
にｃ軸が垂直なｃ軸配向した酸化物超伝導薄膜やエピタ
キシャル成長した酸化物超伝導薄膜をバイクリスタル基
板上に形成するには、基板表面を（００１）面とするか
、あるいは（００１）面に垂直な〔００１〕軸の方位の
ずれを数度以内とし、〔１００〕軸および〔０１０〕軸
の方位は任意の角度とするのが好ましい。基板材料であ
るＳｉは、室温、１ＭＨｚでの誘電率が約１２でＭｇＯ
の同程度の値を有することから、基板に起因する誘電損
失を小さくすることができる。
【０００９】バイクリスタル基板上に形成する第二相は
、ジルコニアあるいはイットリアやカルシアなどで安定
化されたジルコニアであり、少なくともそれぞれのＳｉ
単結晶基板上にエピタキシャル成長あるいは一定の面内
配向を有するように形成する。第二相を設けることによ
り基板とＹＢＣＯ膜との相互拡散を防止するとともにバ
イクリスタル基板とＹＢＣＯ薄膜との熱膨張係数の違い
に起因する応力を緩和することができる。また基板とＹ
ＢＣＯ薄膜とを絶縁する働きがある。また、さらに第二
相としてジルコニアあるいは安定化ジルコニア上にさら
にイットリアを形成する。イットリアもジルコニアや安
定化ジルコニアと同様にそれぞれのＳｉ単結晶基板上に
エピタキシャル成長あるいは一定の面内配向を有するよ
うに形成する。イットリアを形成することにより、Ｓｉ
単結晶基板とＹＢＣＯ薄膜との格子定数の整合性が改善
されＹＢＣＯ薄膜がエピタキシャル成長を促進する。
、ジルコニアあるいはイットリアやカルシアなどで安定
化されたジルコニアであり、少なくともそれぞれのＳｉ
単結晶基板上にエピタキシャル成長あるいは一定の面内
配向を有するように形成する。第二相を設けることによ
り基板とＹＢＣＯ膜との相互拡散を防止するとともにバ
イクリスタル基板とＹＢＣＯ薄膜との熱膨張係数の違い
に起因する応力を緩和することができる。また基板とＹ
ＢＣＯ薄膜とを絶縁する働きがある。また、さらに第二
相としてジルコニアあるいは安定化ジルコニア上にさら
にイットリアを形成する。イットリアもジルコニアや安
定化ジルコニアと同様にそれぞれのＳｉ単結晶基板上に
エピタキシャル成長あるいは一定の面内配向を有するよ
うに形成する。イットリアを形成することにより、Ｓｉ
単結晶基板とＹＢＣＯ薄膜との格子定数の整合性が改善
されＹＢＣＯ薄膜がエピタキシャル成長を促進する。
【００１０】上記のバイクリスタル基板上に、少なくと
もそれぞれのＳｉ単結晶基板上にエピタキシャル成長あ
るいは一定の面内配向を有するようにＹＢＣＯ薄膜を形
成し、さらにブリッジ形状にパターンニングする。ここ
でブリッジは、バイクリスタル基板の接合界面上に形成
されるＹＢＣＯ薄膜の結晶粒界が弱接合となるように形
成しなければならず、粒界に直交するように形成するの
が望ましい。またブリッジ部のサイズは、目的とするジ
ョセフソン接合をもちいたデバイスで必要とされる接合
電流や接合抵抗の値となるようにすればよく、幅１０μ
ｍ以下、長さ１０μｍ以下、厚さ１μｍ以下とすること
が好ましい。本発明による酸化物超伝導体はＹＢＣＯで
あるが、ＹＢＣＯよりも臨界温度の高いＢｉ系やＴＩ系
酸化物超伝導体においてもエピタキシャル成長あるいは
一定の配向を有する薄膜をそれぞれのＳｉ単結晶上に形
成することによってＹＢＣＯ薄膜と同様なジョセフソン
接合とすることが可能である。
もそれぞれのＳｉ単結晶基板上にエピタキシャル成長あ
るいは一定の面内配向を有するようにＹＢＣＯ薄膜を形
成し、さらにブリッジ形状にパターンニングする。ここ
でブリッジは、バイクリスタル基板の接合界面上に形成
されるＹＢＣＯ薄膜の結晶粒界が弱接合となるように形
成しなければならず、粒界に直交するように形成するの
が望ましい。またブリッジ部のサイズは、目的とするジ
ョセフソン接合をもちいたデバイスで必要とされる接合
電流や接合抵抗の値となるようにすればよく、幅１０μ
ｍ以下、長さ１０μｍ以下、厚さ１μｍ以下とすること
が好ましい。本発明による酸化物超伝導体はＹＢＣＯで
あるが、ＹＢＣＯよりも臨界温度の高いＢｉ系やＴＩ系
酸化物超伝導体においてもエピタキシャル成長あるいは
一定の配向を有する薄膜をそれぞれのＳｉ単結晶上に形
成することによってＹＢＣＯ薄膜と同様なジョセフソン
接合とすることが可能である。
【００１１】
【作用】以上のようなジョセフソン接合によれば、Ｓｉ
によるバイクリスタル基板の接合界面上に形成されるＹ
ＢＣＯ薄膜の結晶粒界を弱接合とすることから、特性の
再現性や安定性に優れ、基板による誘電損失が少さいジ
ョセフソン接合を提供できる。
によるバイクリスタル基板の接合界面上に形成されるＹ
ＢＣＯ薄膜の結晶粒界を弱接合とすることから、特性の
再現性や安定性に優れ、基板による誘電損失が少さいジ
ョセフソン接合を提供できる。
【００１２】
【実施例】以下、図１から図６を参照して本発明を説明
する。
する。
【００１３】本発明におけるＳｉの単結晶からなるバイ
クリスタル基板を図１に示す。それぞれのＳｉ単結晶１
および２の基板面は、（００１）面であり、面内での〔
１００〕軸、〔０１０〕軸は２４°の角度に回転してい
る。このバイクリスタル基板上に第二相となる９ｍｏＩ
％のＹ２ Ｏ３ で安定化したＺｒＯ２ （ＹＳＺ）３
と、さらに第三相となるＹ２ Ｏ３ 層４を電子ビーム
蒸着法によりそれぞれ８０ｎｍ、２０ｎｍの厚さで形成
した。この基板上にｒｆ−スパッタ法によってＹＢＣＯ
薄膜を１００ｎｍ形成した。
クリスタル基板を図１に示す。それぞれのＳｉ単結晶１
および２の基板面は、（００１）面であり、面内での〔
１００〕軸、〔０１０〕軸は２４°の角度に回転してい
る。このバイクリスタル基板上に第二相となる９ｍｏＩ
％のＹ２ Ｏ３ で安定化したＺｒＯ２ （ＹＳＺ）３
と、さらに第三相となるＹ２ Ｏ３ 層４を電子ビーム
蒸着法によりそれぞれ８０ｎｍ、２０ｎｍの厚さで形成
した。この基板上にｒｆ−スパッタ法によってＹＢＣＯ
薄膜を１００ｎｍ形成した。
【００１４】ＹＢＣＯ薄膜を２θ−θ法によって測定し
たＸ線回折図形を図２に示す。図２からＹＢＣＯ薄膜は
基板面にｃ軸が垂直に配向していることがわかる。図３
および図４にＳｉの（１１１）ピークおよびＹＢＣＯの
（１１３）ピークについてＳｃｈｕｌｚの反射法により
測定したＸ線回折図形を示す。ＹＢＣＯ薄膜は、面内に
おいてＳｉ単結晶の面内配向と４５°ローテーションし
た方向に方位が揃っている。またＹＢＣＯ薄膜にもバイ
クリスタル基板と同様な角度の傾角粒界が形成されてい
る。
たＸ線回折図形を図２に示す。図２からＹＢＣＯ薄膜は
基板面にｃ軸が垂直に配向していることがわかる。図３
および図４にＳｉの（１１１）ピークおよびＹＢＣＯの
（１１３）ピークについてＳｃｈｕｌｚの反射法により
測定したＸ線回折図形を示す。ＹＢＣＯ薄膜は、面内に
おいてＳｉ単結晶の面内配向と４５°ローテーションし
た方向に方位が揃っている。またＹＢＣＯ薄膜にもバイ
クリスタル基板と同様な角度の傾角粒界が形成されてい
る。
【００１５】上記実施例と同様な方法により面内で〔１
００〕軸、〔０１０〕軸９°の角度に回転しているＳｉ
のバイクリスタル基板上にＹＳＺ、Ｙ２ Ｏ３ を形成
し、さらにＹＢＣＯ薄膜を形成した。このＹＢＣＯ薄膜
をレーザーエッチング法によって幅１０μｍ、長さ１０
μｍのブリッジを形成してジョセフソン接合とした。図
５に概略図を示す。本実施例のジョセフソン接合による
電磁波応答特性を図６に示す。ジョセフソン接合は、７
７Ｋで９．６ ＧＨｚのマイクロ波照射に応答し、明瞭
なシャピロステップを示した。
００〕軸、〔０１０〕軸９°の角度に回転しているＳｉ
のバイクリスタル基板上にＹＳＺ、Ｙ２ Ｏ３ を形成
し、さらにＹＢＣＯ薄膜を形成した。このＹＢＣＯ薄膜
をレーザーエッチング法によって幅１０μｍ、長さ１０
μｍのブリッジを形成してジョセフソン接合とした。図
５に概略図を示す。本実施例のジョセフソン接合による
電磁波応答特性を図６に示す。ジョセフソン接合は、７
７Ｋで９．６ ＧＨｚのマイクロ波照射に応答し、明瞭
なシャピロステップを示した。
【００１６】
【発明の効果】本発明のジョセフソン接合は、基板に誘
電損失の小さいＳｉによるバイクリスタル基板を用いて
いることからＳＱＵＩＤだけでなく、ミクサー、電圧標
準などのマイクロ波分野での素子や様々なジョセフソン
デバイスに適用することができるジョセフソン接合であ
り、さらにＳｉ単結晶上のジョセフソン接合であること
から半導体と一体化したデバイスの構築が可能となる。
電損失の小さいＳｉによるバイクリスタル基板を用いて
いることからＳＱＵＩＤだけでなく、ミクサー、電圧標
準などのマイクロ波分野での素子や様々なジョセフソン
デバイスに適用することができるジョセフソン接合であ
り、さらにＳｉ単結晶上のジョセフソン接合であること
から半導体と一体化したデバイスの構築が可能となる。
【図１】Ｓｉ単結晶からなるバイクリスタル基板の略図
である。
である。
【図２】ＹＢＣＯ薄膜のＸ線回折図形の図である。
【図３】Ｓｉ単結晶からなるバイクリスタル基板のＳｃ
ｈｕｌｚ法によるＸ線回折図である。
ｈｕｌｚ法によるＸ線回折図である。
【図４】ＹＢＣＯ薄膜のＳｃｈｕｌｚ法によるＸ線回折
図形の図である。
図形の図である。
【図５】本発明によるジョセフソン接合の概略図である
。
。
【図６】本発明によるジョセフソン接合の電磁波応答特
性を示す電流−電圧特性の図である。
性を示す電流−電圧特性の図である。
１，２ Ｓｉ単結晶
３ ＹＳＺ
４ Ｙ２ Ｏ３
５ ＹＢＣＯ薄膜
Claims (4)
- 【請求項１】 少なくとも２個以上のＳｉ単結晶から
なり、それぞれの単結晶が１つの結晶軸を整合させ、整
合させた結晶軸を中心に他の結晶軸が任意の角度で回転
している基板のそれぞれのＳｉ単結晶基板表面上にエピ
タキシャル成長あるいは一定の配向した第二相を有する
バイクリスタル基板上のＹＢａ２ Ｃｕ３ Ｏ７−ｙ
超伝導膜からなるジョセフソン接合であり、結合界面上
のＹＢａ２ Ｃｕ３ Ｏ７−ｙ 超伝導膜の結晶粒界を
弱結合としたことを特徴とするジョセフソン接合。 - 【請求項２】 整合させるそれぞれのＳｉ単結晶の１
つの結晶軸が〔００１〕軸である請求項（１）記載のジ
ョセフソン接合。 - 【請求項３】 第二相がジルコニアあるいは安定化ジ
ルコニアからなる請求項（１）記載のジョセフソン接合
。 - 【請求項４】 第二相がジルコニアあるいは安定化ジ
ルコニアとイットリアからなり、それぞれを基板上に順
次積層した請求項（１）記載のジョセフソン接合。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3050093A JPH04268774A (ja) | 1991-02-25 | 1991-02-25 | ジョセフソン接合 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3050093A JPH04268774A (ja) | 1991-02-25 | 1991-02-25 | ジョセフソン接合 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04268774A true JPH04268774A (ja) | 1992-09-24 |
Family
ID=12849442
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3050093A Pending JPH04268774A (ja) | 1991-02-25 | 1991-02-25 | ジョセフソン接合 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04268774A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06500669A (ja) * | 1991-03-19 | 1994-01-20 | コンダクタス インコーポレイテッド | 高温超伝導体膜の結晶粒界結合 |
| EP0618626A1 (en) * | 1993-03-31 | 1994-10-05 | Sumitomo Electric Industries, Limited | Josephson junction device of oxide superconductor having low noise level at liquid nitrogen temperature |
| US5543630A (en) * | 1995-01-31 | 1996-08-06 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | High Tc superconducting devices on bi-crystal substrates |
| US5821200A (en) * | 1992-07-28 | 1998-10-13 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Lattice matching device and method for fabricating the same |
-
1991
- 1991-02-25 JP JP3050093A patent/JPH04268774A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06500669A (ja) * | 1991-03-19 | 1994-01-20 | コンダクタス インコーポレイテッド | 高温超伝導体膜の結晶粒界結合 |
| US5821200A (en) * | 1992-07-28 | 1998-10-13 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Lattice matching device and method for fabricating the same |
| EP0618626A1 (en) * | 1993-03-31 | 1994-10-05 | Sumitomo Electric Industries, Limited | Josephson junction device of oxide superconductor having low noise level at liquid nitrogen temperature |
| US5856205A (en) * | 1993-03-31 | 1999-01-05 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Josephson junction device of oxide superconductor having low noise level at liquid nitrogen temperature |
| US5543630A (en) * | 1995-01-31 | 1996-08-06 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | High Tc superconducting devices on bi-crystal substrates |
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