JPH03234071A - ジョセフソン素子 - Google Patents
ジョセフソン素子Info
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- JPH03234071A JPH03234071A JP2030273A JP3027390A JPH03234071A JP H03234071 A JPH03234071 A JP H03234071A JP 2030273 A JP2030273 A JP 2030273A JP 3027390 A JP3027390 A JP 3027390A JP H03234071 A JPH03234071 A JP H03234071A
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 21
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 11
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 7
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 239000002253 acid Substances 0.000 abstract description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 abstract description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 abstract description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 abstract description 2
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 abstract description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 52
- 239000002887 superconductor Substances 0.000 description 12
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N Chlorine Chemical compound ClCl KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005668 Josephson effect Effects 0.000 description 1
- 229910002370 SrTiO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229910052747 lanthanoid Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002602 lanthanoids Chemical class 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910002076 stabilized zirconia Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は酸化物超電導膜を用いたブリッジ型ジョセフソ
ン素子のブリッジ部の膜厚を薄くして感度を高くしたジ
ョセフソン素子に関するものである。
ン素子のブリッジ部の膜厚を薄くして感度を高くしたジ
ョセフソン素子に関するものである。
〈従来の技術〉
最近、Ｌａ 系、Ｙ系で代表されるランタノイド（Ｌｎ
）系、更にＢｉ 系やＴｌ 系等の臨界温度（Ｔｃ）
の高い酸化物超電導体が注目されている。
）系、更にＢｉ 系やＴｌ 系等の臨界温度（Ｔｃ）
の高い酸化物超電導体が注目されている。
これらの超電導体は、液体窒素による冷却で利用できる
ものもあり、実用化の上で有利な材料である。
ものもあり、実用化の上で有利な材料である。
一方、従来から提案されている超電導材料による代表的
なデバイスにジョセフソン素子があるが、その構造から
大別すると、トンネル型と弱結合型になる。
なデバイスにジョセフソン素子があるが、その構造から
大別すると、トンネル型と弱結合型になる。
このトンネル型接合素子は２つの超電導体の間に、それ
らの超電導体のコヒーレンス長以下の極薄絶縁膜を介在
させた構成である。この極薄絶縁膜は、それを構成する
元素の組成比及び膜厚等の均一性などによって、その接
合の特性や信頼性などが大きく左右されていた。特に、
高温酸化物超均−性をもたせる必要があり、作製が極め
て困難なことから、酸化物超電導体を用いた良好なトン
ネル接合は得られていない。
らの超電導体のコヒーレンス長以下の極薄絶縁膜を介在
させた構成である。この極薄絶縁膜は、それを構成する
元素の組成比及び膜厚等の均一性などによって、その接
合の特性や信頼性などが大きく左右されていた。特に、
高温酸化物超均−性をもたせる必要があり、作製が極め
て困難なことから、酸化物超電導体を用いた良好なトン
ネル接合は得られていない。
一方、弱結合は、トンネル接合の代り（（断面積を小さ
くした部分を設けるもので、一般的にはブリッジ型の構
成にしている。そして、このグリッジ型もブリッジ部の
断面積が使用した超電導体のコヒーレンス長に依存する
ので、酸化物超電導体のときは数十から数千Ａにする必
要があり、均一な素子を作製することが難かしかった。
くした部分を設けるもので、一般的にはブリッジ型の構
成にしている。そして、このグリッジ型もブリッジ部の
断面積が使用した超電導体のコヒーレンス長に依存する
ので、酸化物超電導体のときは数十から数千Ａにする必
要があり、均一な素子を作製することが難かしかった。
〈発明が解決しようとする課題〉
以上で説明したように、従来は超電導体特に酸化物超電
導体によってジョセフソン効果をもつ接合を作製すると
きトンネル型接合は均一な絶縁膜の作製とその信頼性に
問題があり、又５弱結合型接合はプＩＪ ’ｙジ部影形
成微細加工に問題が残っていた。
導体によってジョセフソン効果をもつ接合を作製すると
きトンネル型接合は均一な絶縁膜の作製とその信頼性に
問題があり、又５弱結合型接合はプＩＪ ’ｙジ部影形
成微細加工に問題が残っていた。
以上のような実状からＴｃ が高くなった酸化物超電導
体の特徴を有効に生かすジョセフソン接合を形成して、
検出素子や演算素子に応用することが難かしかった。
体の特徴を有効に生かすジョセフソン接合を形成して、
検出素子や演算素子に応用することが難かしかった。
本発明は、従来のジョセフソン接合における問題点を解
消するものであり、弱結合型接合のブリッジ部の膜厚を
両側のバンク部（電極形成部）の超電導膜より薄くして
ブリッジ部の断面積を減少させ良好な特性にしたジョセ
フソン素子を提供することを目的としている。
消するものであり、弱結合型接合のブリッジ部の膜厚を
両側のバンク部（電極形成部）の超電導膜より薄くして
ブリッジ部の断面積を減少させ良好な特性にしたジョセ
フソン素子を提供することを目的としている。
く課題を解決するための手段〉
本発明は前記の目的を達成するため、超電導膜で弱結合
を構成するブリッジ部とバンク部とは異なる結晶の配向
性をもたせ、その間のエツチングレートの差を利用して
ブリッジ部の微小断面積部を形成するものである。
を構成するブリッジ部とバンク部とは異なる結晶の配向
性をもたせ、その間のエツチングレートの差を利用して
ブリッジ部の微小断面積部を形成するものである。
例えば、超電導膜のバンク部ではＣ軸を基板面に垂直に
配向させ、ブリッジ部は無配向にしておくと第１図に示
したようにエツチングレートに差が出るため、同じエツ
チングを行っても残留膜ｊ草シて差が生じる。この第１
図に於て、縦軸がエツチング速度で、横軸エッチャント
の濃度である。又それぞれの直線は、１０が無配向の面
、ＩＩが８面、１１が０面の酸化物超電導体のエラチン
グレー トを示している。このエッチャントトシてｌ
−ヒドロキシエタン−１，１−ジホスホン酸水溶液を用
いている。
配向させ、ブリッジ部は無配向にしておくと第１図に示
したようにエツチングレートに差が出るため、同じエツ
チングを行っても残留膜ｊ草シて差が生じる。この第１
図に於て、縦軸がエツチング速度で、横軸エッチャント
の濃度である。又それぞれの直線は、１０が無配向の面
、ＩＩが８面、１１が０面の酸化物超電導体のエラチン
グレー トを示している。このエッチャントトシてｌ
−ヒドロキシエタン−１，１−ジホスホン酸水溶液を用
いている。
以上から、超電導膜を、バンク部では基板面に垂直にＣ
軸を配向させ、ブリッジ部は無配向にしておけば、同じ
エツチングを行っても、ブリッジ部のはうが膜厚が薄く
なるので従来と同じ印加電流によっても電流密度が高く
なり、臨界電流（Ｊｃ ）電導（５−Ｎ−８）型接合に
なって抵抗をもつブリッジ型のジぢセフソン接合が形成
される。これは、いわゆるＶ Ｔ Ｂ （Ｖａｒｉａｂ
ｌｅ ＴｈｉｃｋｎｅｓｓＢｒｉｄｇｅ ）のジロセフ
ソン素子である。更に、以上で説明したブリッジ部の膜
の配向性を変えてエツチングレートを制御することによ
って、用途に適した特性のジロセフソン素子に形成する
こともできる。
軸を配向させ、ブリッジ部は無配向にしておけば、同じ
エツチングを行っても、ブリッジ部のはうが膜厚が薄く
なるので従来と同じ印加電流によっても電流密度が高く
なり、臨界電流（Ｊｃ ）電導（５−Ｎ−８）型接合に
なって抵抗をもつブリッジ型のジぢセフソン接合が形成
される。これは、いわゆるＶ Ｔ Ｂ （Ｖａｒｉａｂ
ｌｅ ＴｈｉｃｋｎｅｓｓＢｒｉｄｇｅ ）のジロセフ
ソン素子である。更に、以上で説明したブリッジ部の膜
の配向性を変えてエツチングレートを制御することによ
って、用途に適した特性のジロセフソン素子に形成する
こともできる。
く作 用〉
本発明によるグリッジ型ジジセフソン素子は、そのブリ
ッジ部の膜厚を、酸化物超電導膜の配向性によって異な
るエツチングレートを利用して制御するものであり、Ｖ
ＴＢ型で特性の良好なジョセフソン素子にすることがで
きる。
ッジ部の膜厚を、酸化物超電導膜の配向性によって異な
るエツチングレートを利用して制御するものであり、Ｖ
ＴＢ型で特性の良好なジョセフソン素子にすることがで
きる。
〈実施例〉
以下、本発明の実施例を図面を参照しながら説明する。
本実施例で作製したブリッジ型ジロセフソン素子構成の
平面図を第２図（ａ）に、又そのｘ−ｘ’断面図を第２
図（ｂ）に示した。
平面図を第２図（ａ）に、又そのｘ−ｘ’断面図を第２
図（ｂ）に示した。
第２図から、本実施例のジョセフソン素子は基板上に２
種のｐｔ膜である２６及び２７．２’Ｔ’が形成され、
更にその表面にそれぞれ超電導膜のブリッジ部２２とバ
ンク部２３．２３’が形成されている。ここでｐｔ膜の
２６と２７．２７’は膜の配向性を変えているので、そ
の上に成膜したブリッジ部２２とバンク部２３，２８１
は下地に影響されて、その配向性が異っていることを示
しており、ここではブリッジ部２２の膜厚がバンク部２
３．２８’に比べ薄くなっていることを示している。更
に、バンク部２３．２３’にはバイアス電流印加用電極
２４．２４’ と素子が発生した″直圧検出用型Ｆ＠２
５．２５’が設けられている。
種のｐｔ膜である２６及び２７．２’Ｔ’が形成され、
更にその表面にそれぞれ超電導膜のブリッジ部２２とバ
ンク部２３．２３’が形成されている。ここでｐｔ膜の
２６と２７．２７’は膜の配向性を変えているので、そ
の上に成膜したブリッジ部２２とバンク部２３，２８１
は下地に影響されて、その配向性が異っていることを示
しており、ここではブリッジ部２２の膜厚がバンク部２
３．２８’に比べ薄くなっていることを示している。更
に、バンク部２３．２３’にはバイアス電流印加用電極
２４．２４’ と素子が発生した″直圧検出用型Ｆ＠２
５．２５’が設けられている。
続いて、第３図によって、本発明のブリッジ型ジｇセフ
ソン素子の一実施例の製造工程について説明する。
ソン素子の一実施例の製造工程について説明する。
第３図（ａ）に示したのは（１００）面のＭｇＯ単結晶
基板２１上に電子ビーム蒸着でＡ７？ を厚さ１μｍ
堆積し、フォトリソ加工により幅ｗ１が５００μｍのブ
リッジ部での線状膜を形成する。
基板２１上に電子ビーム蒸着でＡ７？ を厚さ１μｍ
堆積し、フォトリソ加工により幅ｗ１が５００μｍのブ
リッジ部での線状膜を形成する。
次に、以上の基板を５５０℃に加熱して電子ビーム蒸着
で膜厚ｄｌが０．５ ｐ ｍのｐｔ膜２７．２７’を形
成したが、このｐｔ膜は、基板２１と蒸着温度の５５０
℃の条件で配向膜になった。次にＮａＯＨ水溶液によっ
て前記Ａ／？膜を除去すると共にそのｌ’ 膜上のｐｔ
膜もリフトオフ法によって除去した状態を示したのが第
３図（ｂ）である。更に、第３図（ｃ）では基板温度を
２００℃に加熱して電子ビーム蒸着により、ブリッジ部
２６に膜厚ｄ２が０．５μｍの無配向ｐｔ膜２６を形成
した状態を示している。
で膜厚ｄｌが０．５ ｐ ｍのｐｔ膜２７．２７’を形
成したが、このｐｔ膜は、基板２１と蒸着温度の５５０
℃の条件で配向膜になった。次にＮａＯＨ水溶液によっ
て前記Ａ／？膜を除去すると共にそのｌ’ 膜上のｐｔ
膜もリフトオフ法によって除去した状態を示したのが第
３図（ｂ）である。更に、第３図（ｃ）では基板温度を
２００℃に加熱して電子ビーム蒸着により、ブリッジ部
２６に膜厚ｄ２が０．５μｍの無配向ｐｔ膜２６を形成
した状態を示している。
なお、Ｍｇ０（１００）単結晶基板にｐｔの成膜をした
とき、基板温度が４ｏｏ℃以下のときｐｔ膜は配向せず
、４００℃以上のときはｐｔ膜は基板面に垂直にＣ軸配
向することが知られている。
とき、基板温度が４ｏｏ℃以下のときｐｔ膜は配向せず
、４００℃以上のときはｐｔ膜は基板面に垂直にＣ軸配
向することが知られている。
このＣ軸配向したｐｔ膜上に一定基板温度以」二で酸化
物超電導膜を形成するとその超電導膜も同じようにＣ軸
配向し、無配向のｐｔ 膜上では超電導膜も無配向にな
る。次の第３図（ｄ）に示したのは、前記の基板２１を
６００℃に加熱し、その基板の近傍のみ約５ｍＴｏｒｒ
の高い酸素雰囲気に保って、Ｙ、Ｂａ、Ｃｕの各元素を
電子ビーム蒸着で、組成比がＹ：Ｂａ：Ｃｕ＝１ ：２
：３で均一にした蒸着によｐ超電導膜を形成した。成
膜した超電４膜３１のＴｃ は８５にで、その２７．２
７’の部分のＪｅｌｊ７７にで２Ｘ］ＯＡ／ａｍ 、
２６の部分は同じ条件でＪｃ が２ＸＩＯＡ／ｃｍ
であった。
物超電導膜を形成するとその超電導膜も同じようにＣ軸
配向し、無配向のｐｔ 膜上では超電導膜も無配向にな
る。次の第３図（ｄ）に示したのは、前記の基板２１を
６００℃に加熱し、その基板の近傍のみ約５ｍＴｏｒｒ
の高い酸素雰囲気に保って、Ｙ、Ｂａ、Ｃｕの各元素を
電子ビーム蒸着で、組成比がＹ：Ｂａ：Ｃｕ＝１ ：２
：３で均一にした蒸着によｐ超電導膜を形成した。成
膜した超電４膜３１のＴｃ は８５にで、その２７．２
７’の部分のＪｅｌｊ７７にで２Ｘ］ＯＡ／ａｍ 、
２６の部分は同じ条件でＪｃ が２ＸＩＯＡ／ｃｍ
であった。
続いて、第３図（ｅ）に示したように精密なフォ） Ｉ
Ｊソゲラフイーと、塩素ガスを用いた反応性スパッタリ
ングにより、幅ｗ２が５μｍ、膜厚ｄ３が０．５．□□
のブリッジ部２２をもつブリッジ型ジョセフソン素子の
形状にしたものである。こ＼でバンク部２３．２３’は
前記で説明したようにＣ軸配向し、ブリッジ部２２は無
配向になっていた。
Ｊソゲラフイーと、塩素ガスを用いた反応性スパッタリ
ングにより、幅ｗ２が５μｍ、膜厚ｄ３が０．５．□□
のブリッジ部２２をもつブリッジ型ジョセフソン素子の
形状にしたものである。こ＼でバンク部２３．２３’は
前記で説明したようにＣ軸配向し、ブリッジ部２２は無
配向になっていた。
続いて、第３図（ｆ）に示したのは、以上の超電導膜２
２及び２３．２３’を水で１０００倍に希釈したｌ−ヒ
ドロキシエタン−１，１ノホスホン酸水溶液に３０秒浸
漬した後の状態で、バンク部２３．２３’の膜厚ｄ４が
０．３μｍ、ブリッジ部の膜厚ｄ５が０．１μｍになっ
た。最後に、第３図（ｇ）に示したようにバンク部２８
．２８’上にバイアス電流電極２４．２４’ と電圧電
極２５．２５’を、メタルマスクを用いた電子ビーム蒸
着により、膜厚０．５μｍのＴｉ で形成しブリッジ
型ジョセフソン素子を完成させた。
２及び２３．２３’を水で１０００倍に希釈したｌ−ヒ
ドロキシエタン−１，１ノホスホン酸水溶液に３０秒浸
漬した後の状態で、バンク部２３．２３’の膜厚ｄ４が
０．３μｍ、ブリッジ部の膜厚ｄ５が０．１μｍになっ
た。最後に、第３図（ｇ）に示したようにバンク部２８
．２８’上にバイアス電流電極２４．２４’ と電圧電
極２５．２５’を、メタルマスクを用いた電子ビーム蒸
着により、膜厚０．５μｍのＴｉ で形成しブリッジ
型ジョセフソン素子を完成させた。
以上のように作製したジョセフソン素子の電圧−電流特
性を液体窒素温度（７７Ｋ）で測定したのが第４図であ
る。この第４図は典型的なブリッジ型ジョセフソン素子
の特性を示している。
性を液体窒素温度（７７Ｋ）で測定したのが第４図であ
る。この第４図は典型的なブリッジ型ジョセフソン素子
の特性を示している。
以上のジョセフソン素子を７７Ｋに冷却した状態で、そ
のブリッジ部２２にＩｏ、８ＧＨｚのマイクロ波を照射
して、電圧−電流特性に約２０．αＶのシャピロステッ
プが発生しているのを観測できた。
のブリッジ部２２にＩｏ、８ＧＨｚのマイクロ波を照射
して、電圧−電流特性に約２０．αＶのシャピロステッ
プが発生しているのを観測できた。
以上の測定から、本実施例の素子はそのブリッジ部２２
にジョセフソン接合が形成されていると考えることがで
きる。
にジョセフソン接合が形成されていると考えることがで
きる。
なお、実施例の説明には、超電導膜にＹＩＢａ２Ｃｕｚ
Ｏ□−エの酸化物超電導薄膜を用いたが、本発明はこれ
に限定されず、次に記載するものを含む酸化物超電導体
のＮ膜も用いることができる。
Ｏ□−エの酸化物超電導薄膜を用いたが、本発明はこれ
に限定されず、次に記載するものを含む酸化物超電導体
のＮ膜も用いることができる。
（Ｌａ 、−ｘＭｘ）ｚ ＣｕＯ４（Ｍｆ′ｉＢａ、Ｓ
ｒ＋ Ｃａ等 Ｌ Ｌｎ＋Ｂａ２ Ｃｕ３０．−ｘと
Ｌｎ５ Ｃｕｎ０ｘ（以上でＬｎＨＮｄ、Ｐｍ＋ Ｓ
ｍｔ Ｅｕ＋ Ｇｄ＋ Ｄｙ。
ｒ＋ Ｃａ等 Ｌ Ｌｎ＋Ｂａ２ Ｃｕ３０．−ｘと
Ｌｎ５ Ｃｕｎ０ｘ（以上でＬｎＨＮｄ、Ｐｍ＋ Ｓ
ｍｔ Ｅｕ＋ Ｇｄ＋ Ｄｙ。
Ｈｏｔ Ｅｒｙ Ｔｍ＋ ｙｂ 等である。）、更に
、Ｂｉ２５ｒｚ Ｃａ２ Ｃｕ３０＋ｏ ＋ Ｂｉｔ・
ｙ Ｐｂｏ ２ Ｓｂｏ ｌＣａ２ｏ ５ｒｚｏ Ｃｕ
２５Ｏｘ＋ ＣＢｉｏ ７ Ｐｂｏ ３ ）２ＳｒｚＣ
ａｗ Ｃｕ３０ｘ＋ Ｔ１２ Ｂａｔ Ｃａ２Ｃｕ３０
１０ ＋Ｂａ１−ｘＫｘＢｉＯ３及びＮｄ Ｃｅ
ＣＬ！０４−ｙ−ＫＸ 等及びこれらに類似した酸化物超電導体基板も実施例の
Ｍｇ０（１００）単結晶基板に限定されず、同じ効果が
得られるＳｒＴｉＯ３の（１００） 又は（１１０）
単結晶基板、ＹＳＺ（イツトリウム安定化ジルコニア）
多結晶基板、又は、Ｓｉ単結晶基板等を用いることがで
きる。
、Ｂｉ２５ｒｚ Ｃａ２ Ｃｕ３０＋ｏ ＋ Ｂｉｔ・
ｙ Ｐｂｏ ２ Ｓｂｏ ｌＣａ２ｏ ５ｒｚｏ Ｃｕ
２５Ｏｘ＋ ＣＢｉｏ ７ Ｐｂｏ ３ ）２ＳｒｚＣ
ａｗ Ｃｕ３０ｘ＋ Ｔ１２ Ｂａｔ Ｃａ２Ｃｕ３０
１０ ＋Ｂａ１−ｘＫｘＢｉＯ３及びＮｄ Ｃｅ
ＣＬ！０４−ｙ−ＫＸ 等及びこれらに類似した酸化物超電導体基板も実施例の
Ｍｇ０（１００）単結晶基板に限定されず、同じ効果が
得られるＳｒＴｉＯ３の（１００） 又は（１１０）
単結晶基板、ＹＳＺ（イツトリウム安定化ジルコニア）
多結晶基板、又は、Ｓｉ単結晶基板等を用いることがで
きる。
更に、超電導膜の作製も実施例の電子ビーム蒸着法に限
定されずレーザ蒸着法、イオンクラスタビーム法９反応
性蒸着法、ＣＶＤ法、スパッタ法などを用いることがで
きる。
定されずレーザ蒸着法、イオンクラスタビーム法９反応
性蒸着法、ＣＶＤ法、スパッタ法などを用いることがで
きる。
実施例においてはブリッジ型ジョセフソン素子の主要部
であるブリッジ部の幅を５μｍにしたが、これに関連し
た実験に於てはその幅を０．５μｍから１００μｍの範
囲で変えてもマイクロ波照射によるシャピロステップが
確認でき、ジョセフソン接合が形成されることが分った
。
であるブリッジ部の幅を５μｍにしたが、これに関連し
た実験に於てはその幅を０．５μｍから１００μｍの範
囲で変えてもマイクロ波照射によるシャピロステップが
確認でき、ジョセフソン接合が形成されることが分った
。
〈発明の効果〉
以上で説明したように本発明のジョセフソン素子はブリ
ッジ部とバンク部の超電導膜の結晶の配向性を変え、そ
の配向性の差異によるエフチングレートの違いを利用し
てブリッジ部とバンク部の膜厚差を設けることでブリッ
ジ部の臨界電流を低くするものであり、比較的簡単なＶ
ＴＢ法で特性の良いジョセフソン素子にすることができ
る。
ッジ部とバンク部の超電導膜の結晶の配向性を変え、そ
の配向性の差異によるエフチングレートの違いを利用し
てブリッジ部とバンク部の膜厚差を設けることでブリッ
ジ部の臨界電流を低くするものであり、比較的簡単なＶ
ＴＢ法で特性の良いジョセフソン素子にすることができ
る。
第１図は本発明の実施例の超電導膜の配向性によるエツ
チングレートの相違を示す図、第２図は実施例のジョセ
フソン素子の構成図、第３図は本発明の実施例のジョセ
フソン素子製造工程の斜視図、第４図は実施例のジョセ
フソン素子の電圧−電流特性図である。 ２ト・・基板、 ２２・・・ブリッジ部、 ２３゜
２３′ ・・・バンク部、 ２４．２４’ ・・・
電流電極。 ２５．２５’・・・電圧電極、 ２６．２７．２７’
・・・ｐｔ膜、 ３】・・・超電導膜。
チングレートの相違を示す図、第２図は実施例のジョセ
フソン素子の構成図、第３図は本発明の実施例のジョセ
フソン素子製造工程の斜視図、第４図は実施例のジョセ
フソン素子の電圧−電流特性図である。 ２ト・・基板、 ２２・・・ブリッジ部、 ２３゜
２３′ ・・・バンク部、 ２４．２４’ ・・・
電流電極。 ２５．２５’・・・電圧電極、 ２６．２７．２７’
・・・ｐｔ膜、 ３】・・・超電導膜。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、基板上に堆積した酸化物超電導膜から形成するブリ
ッジ型ジョセフソン素子に於て、前記ジョセフソン素子
のブリッジ部になる酸化物超電導膜の結晶は配向性を変
えておき、配向性の違いによるエッチング速度の差によ
りブリッジ部の超電導膜を薄くしていることを特徴とす
るジョセフソン素子。 ２、前記ジョセフソン素子に於て、ブリッジ部の超電導
膜を無配向にし、バンク部の超電導膜のｃ軸を基板に垂
直に配向させたことを特徴とする請求項１記載のジョセ
フソン素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2030273A JP2647985B2 (ja) | 1990-02-09 | 1990-02-09 | ジョセフソン素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2030273A JP2647985B2 (ja) | 1990-02-09 | 1990-02-09 | ジョセフソン素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03234071A true JPH03234071A (ja) | 1991-10-18 |
| JP2647985B2 JP2647985B2 (ja) | 1997-08-27 |
Family
ID=12299099
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2030273A Expired - Lifetime JP2647985B2 (ja) | 1990-02-09 | 1990-02-09 | ジョセフソン素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2647985B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5550101A (en) * | 1991-10-31 | 1996-08-27 | Sharp Kabushiki Kaisha | Superconducting magnetoresistive element having a plurality of weak-coupling portions and a method of fabricating the same |
| US5856205A (en) * | 1993-03-31 | 1999-01-05 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Josephson junction device of oxide superconductor having low noise level at liquid nitrogen temperature |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5621390A (en) * | 1979-07-30 | 1981-02-27 | Fujitsu Ltd | Josephson element |
| JPS6065583A (ja) * | 1983-09-20 | 1985-04-15 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | ジヨセフソン接合素子及びその製法 |
| JPH01161880A (ja) * | 1987-12-18 | 1989-06-26 | Toshiba Corp | 超電導素子 |
| JPH01286373A (ja) * | 1988-05-12 | 1989-11-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ジョセフソン素子およびその製造方法 |
| JPH01293581A (ja) * | 1988-05-20 | 1989-11-27 | Sanyo Electric Co Ltd | 超電導素子の製造方法 |
| JPH03149885A (ja) * | 1989-11-07 | 1991-06-26 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 酸化物超伝導デバイスおよびその製造方法 |
-
1990
- 1990-02-09 JP JP2030273A patent/JP2647985B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5621390A (en) * | 1979-07-30 | 1981-02-27 | Fujitsu Ltd | Josephson element |
| JPS6065583A (ja) * | 1983-09-20 | 1985-04-15 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | ジヨセフソン接合素子及びその製法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2647985B2 (ja) | 1997-08-27 |
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