JPS58204523A - 電解コンデンサ - Google Patents
電解コンデンサInfo
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- JPS58204523A JPS58204523A JP8863382A JP8863382A JPS58204523A JP S58204523 A JPS58204523 A JP S58204523A JP 8863382 A JP8863382 A JP 8863382A JP 8863382 A JP8863382 A JP 8863382A JP S58204523 A JPS58204523 A JP S58204523A
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- aluminum
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- electrolytic capacitor
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- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は角型、円部型などチップ型に適したアルミニウ
ム電解コンデンサの改良に関するものである。
ム電解コンデンサの改良に関するものである。
近年、電子機器の小型化に伴い、それに使用される部品
の小型化の要求もますます強くなっており、それに加え
て部品装着の合理化のために陶製円筒型などチップ部品
の要求が高くなってきている。
の小型化の要求もますます強くなっており、それに加え
て部品装着の合理化のために陶製円筒型などチップ部品
の要求が高くなってきている。
これに対して抵抗、セラミックコンデンサ、タンタルコ
ンデンサなどのチップ部品は既に実用化されているが、
アルミニウム電解コンデンサの場ばは、タンタルコンデ
ンサに比べ、体積当りのＣＶ禎が極端に低いこと、なら
びに電解質の固体化か比較的むずかしく、定格電圧に対
して充分高い酸化１１？Ａを生成しなければならず、こ
のことが体積当りのＣｖ禎を下げる原因ともなり、実用
化はごく限られた一部にとどまっていた。
ンデンサなどのチップ部品は既に実用化されているが、
アルミニウム電解コンデンサの場ばは、タンタルコンデ
ンサに比べ、体積当りのＣＶ禎が極端に低いこと、なら
びに電解質の固体化か比較的むずかしく、定格電圧に対
して充分高い酸化１１？Ａを生成しなければならず、こ
のことが体積当りのＣｖ禎を下げる原因ともなり、実用
化はごく限られた一部にとどまっていた。
従来一般に使用されているアルミニウム電解コンデンサ
としては、表面を粗面化して面積当りの静電容量を大き
くした陽極箔と陰極箔をセパレーターを介して巻回し、
これに液体電解質を含浸した素子をケースに収納し、ゴ
ムバッキングなどの封［１材を用いて密閉してなる乾式
アルミニウム電解コンデンサと、アルミニウム粉末を焼
結した電極するいは丸棒、仮などのアルミニウムをエツ
チングして実効表面積を増加した電極を化成液中にて酸
化皮膜を形成し、しかる後にＭｎ ０２ を焼きっけ、
グラファイト、銀ペースト１−を介して半田ディツプし
て陰極を取り出し、外装した固体アルミニウム電解コン
デンサなどが実用化されている。
としては、表面を粗面化して面積当りの静電容量を大き
くした陽極箔と陰極箔をセパレーターを介して巻回し、
これに液体電解質を含浸した素子をケースに収納し、ゴ
ムバッキングなどの封［１材を用いて密閉してなる乾式
アルミニウム電解コンデンサと、アルミニウム粉末を焼
結した電極するいは丸棒、仮などのアルミニウムをエツ
チングして実効表面積を増加した電極を化成液中にて酸
化皮膜を形成し、しかる後にＭｎ ０２ を焼きっけ、
グラファイト、銀ペースト１−を介して半田ディツプし
て陰極を取り出し、外装した固体アルミニウム電解コン
デンサなどが実用化されている。
前者の乾式アルミニウム電解コンデンサをチップ化する
場合は、液体電解質を使用しているために熱的ストレ不
に弱く、プリント基板装着時の半［［１ディップ時にペ
ーストが変質し、また使用中に電気分解の結果発生する
水素ガスをある程度保有する空間が必要なことから、外
装方法、気密方法に難点が多く、実１１１化にはまだ多
くの問題点がある。
場合は、液体電解質を使用しているために熱的ストレ不
に弱く、プリント基板装着時の半［［１ディップ時にペ
ーストが変質し、また使用中に電気分解の結果発生する
水素ガスをある程度保有する空間が必要なことから、外
装方法、気密方法に難点が多く、実１１１化にはまだ多
くの問題点がある。
後者の固体アルミニウム電解コンデンサの場合は、タン
タルコンデンサに比べ誘電率が約１７３が余り強くない
ことから、定格電圧に対する酸化皮膜の所要化成電圧は
、タンタルコンデンサの場合の２倍以上必要であること
、焼結体の比表面積、アルミニウム棒、板などのエツチ
ング倍率も充分にとれないことからどうしても大型とな
り、一部の限定された使用にとどまっている。これを−
例として２５ＷＶ、１μＦの製品で比較してみると第１
、表に不すごとくである。
タルコンデンサに比べ誘電率が約１７３が余り強くない
ことから、定格電圧に対する酸化皮膜の所要化成電圧は
、タンタルコンデンサの場合の２倍以上必要であること
、焼結体の比表面積、アルミニウム棒、板などのエツチ
ング倍率も充分にとれないことからどうしても大型とな
り、一部の限定された使用にとどまっている。これを−
例として２５ＷＶ、１μＦの製品で比較してみると第１
、表に不すごとくである。
第１表
しかしアルミニウムの場合、素材単価がタンタルに比べ
格段に安いことから、単位体積当りのＣＶ槓の高い電極
製造方法が切望されていた。
格段に安いことから、単位体積当りのＣＶ槓の高い電極
製造方法が切望されていた。
この解決のために本発明者は種々検討した結果、貫通型
のエツチング箔を陽極リード棒に巻回してなる電極構造
が最も適していることを見い出した。
のエツチング箔を陽極リード棒に巻回してなる電極構造
が最も適していることを見い出した。
以下、本発明をさらに詳述する。
まず第１図に示すように貫通形のアルミニウムエツチン
グ箔１を従来の乾式アルミニウム電解コンデンサに１吏
用されている方法と同様な方法で５００ｍｍ幅で連続的
に製造する。貫通形エツチングは純１ｆ９９．９９９６
以りの焼鈍アルミニウム箔を直流エツチングすることに
よって容易に得ることができる。この時重要なことは製
品完成後のｔａｎδを小さくするため、貫通形エツチン
グ孔２の径を０゜１μＩＴＩ以上太（し、表から裏に貫
通するような条件でエツチングすることである゛。この
ことはエツチングビット数をある程度おさえ、エツチン
グ電気祉を大きくすることにより達成される。次にこの
エツチング’ｔ？ｊ １をリン酸−アンモン、硼酸−ア
ンモンなどの化成液中で１５０ｖにて連続的に化成を行
う。こうすることによって２菫に安く、化成箔を得るこ
とができる。
グ箔１を従来の乾式アルミニウム電解コンデンサに１吏
用されている方法と同様な方法で５００ｍｍ幅で連続的
に製造する。貫通形エツチングは純１ｆ９９．９９９６
以りの焼鈍アルミニウム箔を直流エツチングすることに
よって容易に得ることができる。この時重要なことは製
品完成後のｔａｎδを小さくするため、貫通形エツチン
グ孔２の径を０゜１μＩＴＩ以上太（し、表から裏に貫
通するような条件でエツチングすることである゛。この
ことはエツチングビット数をある程度おさえ、エツチン
グ電気祉を大きくすることにより達成される。次にこの
エツチング’ｔ？ｊ １をリン酸−アンモン、硼酸−ア
ンモンなどの化成液中で１５０ｖにて連続的に化成を行
う。こうすることによって２菫に安く、化成箔を得るこ
とができる。
同様にして９９．９９９６以Ｊ−の陽極用アルミニウム
リード棒３をアルミニウム箔と同様な条件にて、連続的
に化成を行なう。
リード棒３をアルミニウム箔と同様な条件にて、連続的
に化成を行なう。
次に第２図（イ）に示すように上述のようにして得られ
た所定の長さのアルミニウムリード棒３に必要に応じて
スリットされた化成箔４を溶接し、同図（ロ）、（ハ）
に示すように所定の容菫値に応じた長さに巻きこんで溶
接、加締などの方法で箔端を固定する。
た所定の長さのアルミニウムリード棒３に必要に応じて
スリットされた化成箔４を溶接し、同図（ロ）、（ハ）
に示すように所定の容菫値に応じた長さに巻きこんで溶
接、加締などの方法で箔端を固定する。
このようにして得られた陽極用電極５より導出したアル
ミリード俸３を第２図（ニ）に示すように複数個バー６
に溶接し箔スリット部分などの未化成部分あるいは巻取
中の酸化皮膜の損傷部分の皮膜修復のため、陽極用電極
５を化成液中に浸漬し、内化成を実施する。その後、−
Ｉユ記電極５を硝酸マンガン溶液中に浸漬して取出し、
３００℃中にて２０分熱分解することを３回繰り返し、
二酸化マンガンｊ−を該電醜５の表面および貫通形エツ
チング孔２に形成させる。
ミリード俸３を第２図（ニ）に示すように複数個バー６
に溶接し箔スリット部分などの未化成部分あるいは巻取
中の酸化皮膜の損傷部分の皮膜修復のため、陽極用電極
５を化成液中に浸漬し、内化成を実施する。その後、−
Ｉユ記電極５を硝酸マンガン溶液中に浸漬して取出し、
３００℃中にて２０分熱分解することを３回繰り返し、
二酸化マンガンｊ−を該電醜５の表面および貫通形エツ
チング孔２に形成させる。
次いでコロイド状カーボンを塗布し乾燥後、銀ペースト
をｔｒｉ ｌｆｉして乾燥する。このようにして得られ
た索子７に陽也側は溶接、陰極側ははんだディップにて
それぞれＣＰ線などのはんだ付は口■能なリード線端子
８を接続する。９ははんだである。
をｔｒｉ ｌｆｉして乾燥する。このようにして得られ
た索子７に陽也側は溶接、陰極側ははんだディップにて
それぞれＣＰ線などのはんだ付は口■能なリード線端子
８を接続する。９ははんだである。
次いで素子７をケース１０に挿入して樹脂１１を注入し
第３図のように密閉し完成する。第４図〜第６図は池の
実施例で、第４図は樹脂１２を外装した電解コンデンサ
、第５図および第６図ははんだ付けＩＪｆ能な端子１３
を両端部に設けたチップ型電解コンデンサである。
第３図のように密閉し完成する。第４図〜第６図は池の
実施例で、第４図は樹脂１２を外装した電解コンデンサ
、第５図および第６図ははんだ付けＩＪｆ能な端子１３
を両端部に設けたチップ型電解コンデンサである。
本発明の電解コンデンサは以上のようにして製造される
ので、硝酸マンガン溶液中に浸漬した際、該溶液がエツ
チング孔２を通して電極５中に進入するので、内部まで
二酸化マンガン層が形成し易くなる。エツチング孔２を
通して二酸化マンガン層が形成されるので、等価直列抵
抗が低減するなどの効果がある。
ので、硝酸マンガン溶液中に浸漬した際、該溶液がエツ
チング孔２を通して電極５中に進入するので、内部まで
二酸化マンガン層が形成し易くなる。エツチング孔２を
通して二酸化マンガン層が形成されるので、等価直列抵
抗が低減するなどの効果がある。
なお、エツチング箔１に化成処理して酸化皮膜′１１：
を形成した僕のエツチング孔２の経は０．１−未満では
二酸化マンガン層が枝孔２に形成しにくくなり効果が少
ない。そのため酸化皮膜形成後のエツチング孔径は０１
ｕｆｎ以上で、表面から裏面に水分が浸透、貫通するエ
ツチング箔を用いるとよい。
二酸化マンガン層が枝孔２に形成しにくくなり効果が少
ない。そのため酸化皮膜形成後のエツチング孔径は０１
ｕｆｎ以上で、表面から裏面に水分が浸透、貫通するエ
ツチング箔を用いるとよい。
また端子の引出し構造により陽極アルミニウムリード俸
などのタブの形状は丸形偏平形、板形など適宜選定でき
る。
などのタブの形状は丸形偏平形、板形など適宜選定でき
る。
実施例（１）
陽極すニド俸 純度９９．９９％以上、直径１ｍ×長さ
２０ｒＭＬ エツチング箔 純度９９゜９９９６以−ｈ１厚さ１００
ｇｍ、幅３ｍｉ、長さ２５閣、エツ チング孔０．６〜０．９ ｕＪｎ 化成 方 法 リン酸第−アンモン１ｇ／ １９０℃、
１５０Ｖ １５分間印 加 ５００℃、５分間熱処理後、５ 分間再化成 この時の箔容量 １．３μＦ ／ ｃｌ ：、。
２０ｒＭＬ エツチング箔 純度９９゜９９９６以−ｈ１厚さ１００
ｇｍ、幅３ｍｉ、長さ２５閣、エツ チング孔０．６〜０．９ ｕＪｎ 化成 方 法 リン酸第−アンモン１ｇ／ １９０℃、
１５０Ｖ １５分間印 加 ５００℃、５分間熱処理後、５ 分間再化成 この時の箔容量 １．３μＦ ／ ｃｌ ：、。
素子本体の大きさ 直径２．２ ｒｒｍ Ｘ長さ３Ｍ（
単位体積当りのＣｖ値） ２１９０μＦ−ＷＶ／（ｉ 電 解 質 硝酸マンガンを３００で、２０分間然分解
後、化成液中にて再 化成することを３回繰り返し、 ５００８Ｃ１３０分乾燥する。
単位体積当りのＣｖ値） ２１９０μＦ−ＷＶ／（ｉ 電 解 質 硝酸マンガンを３００で、２０分間然分解
後、化成液中にて再 化成することを３回繰り返し、 ５００８Ｃ１３０分乾燥する。
実施例（２）
陽極リード捧 純度９９．９９９６以上、直径０．５朋
×長さ２０ｍ エツチング箔 純度９９．９９％以上、厚さ１０〇−１
−３咽、長さ５ｍ エツチング孔０．６〜０．９ ＬＬｍ 化成方 法 純水ボイル２分後、硼酸１００Ｑ ／ ｅ
安水１ ｍｅａｌ、９０’Ｃ（７）化成液中にて１５０
Ｖ、１５分間 印加、純水洗浄後、５００°Ｃ１ ５分間熱処理−５分間再化成− 純水洗浄 ５００°Ｃ，５分間熱 処理−５分間再化成二３００℃、 ２分間乾燥 索ｆ一本体の大きさ 直径１． Ｏｒｒｔｒｎ Ｘ長さ
３間（単１・′７．体積当りのＣＶイ直） ２１２３ μＦ−ＷＶ ／ａ＜ 電 解 質 実施例（１）に同じ この時の製品特性を測定した結果を第２表に示す。
×長さ２０ｍ エツチング箔 純度９９．９９％以上、厚さ１０〇−１
−３咽、長さ５ｍ エツチング孔０．６〜０．９ ＬＬｍ 化成方 法 純水ボイル２分後、硼酸１００Ｑ ／ ｅ
安水１ ｍｅａｌ、９０’Ｃ（７）化成液中にて１５０
Ｖ、１５分間 印加、純水洗浄後、５００°Ｃ１ ５分間熱処理−５分間再化成− 純水洗浄 ５００°Ｃ，５分間熱 処理−５分間再化成二３００℃、 ２分間乾燥 索ｆ一本体の大きさ 直径１． Ｏｒｒｔｒｎ Ｘ長さ
３間（単１・′７．体積当りのＣＶイ直） ２１２３ μＦ−ＷＶ ／ａ＜ 電 解 質 実施例（１）に同じ この時の製品特性を測定した結果を第２表に示す。
第２表
測定周波１１１１２０ Ｈｚ試料数ｎｓ＝ ５以上のよ
うに本発明によれば、焼結形タンタル固体コンデンサと
同等のケースサイズで、特性的にも遜色のないものが安
価に製造できるなどの効果があり、工業的ならびに実用
的価値大なるものがある。
うに本発明によれば、焼結形タンタル固体コンデンサと
同等のケースサイズで、特性的にも遜色のないものが安
価に製造できるなどの効果があり、工業的ならびに実用
的価値大なるものがある。
第１図は本発明の電解コンデンサの責°通形工・ノチン
グ箔の断面ｉｊＢの説明図、第２図（イ）、（ロ）、（
ハ）および（ニ）は本発明の電解コンデンサの製造過程
における説明図、第３図は本発明の電解コンデンサの一
実施例の断面図、第４図〜第６図は本発明の電解コンデ
ンサのそれぞれ異なる他の実施例の断面図である。 １ニアルミニウムエツチングｆ？ｉ２：に連形エツチン
グ孔 ３：陽極アルミリード棒 ５：陽極用電極 特許出願人 日本コンデンサ工業株式会社 第１図 第２図 （イ） （口０（ハ
） （ニ）第８図
第４図 − 第５図 第６図 丁続補正書（自発） 昭和５７年８ 月 ５Ｈ １中性の大小 昭和５７年特許願第８８６３３弓・ ２ 発明のと１称 電解コンデンサ ３、 Ｍｉ ＋Ｉ−ヲ゛ｒ ルｆ。 申（）１！：の関係 特許出願人 仲保利町１９１番地の４１原ヒル３階 （４６０）日本コ？デンサ工業株式会社４ 補正の対壕 「明稲書の発明の詳細な説明の１」警よび７図力」５、
補正の内容 （１）明細、Ｉ！Ｆ＄ｒ９頁嘉３行をつぎのよつて訂正
する。 ｒ３００’ｃ、３０分乾像する。」 （２） 明細帯石１０頁の第２表をつ斥゛のように訂
正する。 ８２表 測定周波数１２〇七 試料数ｎ＝５ （３）Ｘ’３図ｆ ′！ｉｊ低つとお９訂正すう。 第６
グ箔の断面ｉｊＢの説明図、第２図（イ）、（ロ）、（
ハ）および（ニ）は本発明の電解コンデンサの製造過程
における説明図、第３図は本発明の電解コンデンサの一
実施例の断面図、第４図〜第６図は本発明の電解コンデ
ンサのそれぞれ異なる他の実施例の断面図である。 １ニアルミニウムエツチングｆ？ｉ２：に連形エツチン
グ孔 ３：陽極アルミリード棒 ５：陽極用電極 特許出願人 日本コンデンサ工業株式会社 第１図 第２図 （イ） （口０（ハ
） （ニ）第８図
第４図 − 第５図 第６図 丁続補正書（自発） 昭和５７年８ 月 ５Ｈ １中性の大小 昭和５７年特許願第８８６３３弓・ ２ 発明のと１称 電解コンデンサ ３、 Ｍｉ ＋Ｉ−ヲ゛ｒ ルｆ。 申（）１！：の関係 特許出願人 仲保利町１９１番地の４１原ヒル３階 （４６０）日本コ？デンサ工業株式会社４ 補正の対壕 「明稲書の発明の詳細な説明の１」警よび７図力」５、
補正の内容 （１）明細、Ｉ！Ｆ＄ｒ９頁嘉３行をつぎのよつて訂正
する。 ｒ３００’ｃ、３０分乾像する。」 （２） 明細帯石１０頁の第２表をつ斥゛のように訂
正する。 ８２表 測定周波数１２〇七 試料数ｎ＝５ （３）Ｘ’３図ｆ ′！ｉｊ低つとお９訂正すう。 第６
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１）陽極アルミニウムリード棒などのタブに貫通形エ
ツチング孔を打するアルミニウムエツチング箔を溶接し
、該箔を巻回して陽撓用電極を溝成し、該＊崗の表向お
よび貫通形エツチング孔に二酸化マンガンなどの電解質
１−を形成したことを特徴とする電解コンデンサ。 （２１１１記陽鴎アルミニウムリード棒などのタブなら
びにアルミニウムエツチング箔に酸化皮膜を形成するこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の電解コンデ
ンサ。 （３）」−記貫通形エッチング箔において、酸化皮膜形
成後の孔径が０．１μｍ以上で、表面から裏面に水分が
浸透、Ｈ通する箔を用いることを特徴とする特許請求範
囲第１項記載の電解コンデンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8863382A JPS58204523A (ja) | 1982-05-24 | 1982-05-24 | 電解コンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8863382A JPS58204523A (ja) | 1982-05-24 | 1982-05-24 | 電解コンデンサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58204523A true JPS58204523A (ja) | 1983-11-29 |
| JPH0312450B2 JPH0312450B2 (ja) | 1991-02-20 |
Family
ID=13948208
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8863382A Granted JPS58204523A (ja) | 1982-05-24 | 1982-05-24 | 電解コンデンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58204523A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02129908A (ja) * | 1988-11-09 | 1990-05-18 | Showa Denko Kk | 固体電解コンデンサ |
| JP2001332452A (ja) * | 2000-05-24 | 2001-11-30 | Showa Denko Kk | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
| JP2010171261A (ja) * | 2009-01-23 | 2010-08-05 | Sanyo Electric Co Ltd | 固体電解コンデンサ |
| JP2012044212A (ja) * | 2005-02-14 | 2012-03-01 | Sanyo Electric Co Ltd | 電解コンデンサ |
-
1982
- 1982-05-24 JP JP8863382A patent/JPS58204523A/ja active Granted
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02129908A (ja) * | 1988-11-09 | 1990-05-18 | Showa Denko Kk | 固体電解コンデンサ |
| JP2001332452A (ja) * | 2000-05-24 | 2001-11-30 | Showa Denko Kk | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
| JP4660884B2 (ja) * | 2000-05-24 | 2011-03-30 | 株式会社村田製作所 | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
| JP2012044212A (ja) * | 2005-02-14 | 2012-03-01 | Sanyo Electric Co Ltd | 電解コンデンサ |
| JP2010171261A (ja) * | 2009-01-23 | 2010-08-05 | Sanyo Electric Co Ltd | 固体電解コンデンサ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0312450B2 (ja) | 1991-02-20 |
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