JPS6334917A - コンデンサ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、ペロブスカイト型化合物囮を誘電体とした高
容量のコンデンサに関する。

（従来の技術） 従来、セラミックコンデンサは、銀、パラジウム系の電
極間にペロブスカイト型化合物からなるセラミックスの
誘電体をはさみこんで形成され、また、電解コンデンサ
は、弁作用金属の箔、棒、焼結体等の表面に設けた酸化
皮膜を誘゛市体として形成されている。

〔発明が解決しようとする問題点〕

しかし、セラミックコンデンサは、誘電体層の厚みを極
端に減少することができないため、同体積で比較した場
合、電解コンデンサＪ：り低容量であり、また、高容量
にすれば高価なしのとべ蒙る。

また、電解コンデン勺は、電解液を使用した場合、高周
波数性能がレラミツクコンデン（Ｙより悪く、固体電解
質を使用した場合、セラミックコンデンサＪ：り耐電圧
が低いものとなり、ざらに権性があるために、ある種の
用途には適さないという不都合がある。

本発明者等は、上記の問題点を解決すべく鋭意研究した
結果、表面に細孔を設けたり、戎は空聞部を設けたりし
て、表面積を大きくした金属箔、金属棒、或は金属焼結
体等をコンデンサに用いると優れた特性が得られること
を発見した。

本発明は上記発見に基づいて完成されたもので、高容量
で、高周波数性能が良好、かつ、高ｉＩ＋１電圧で、し
かも廉価な無極性コンデンサを提供することを目的とす
る。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明は上記の目的を達成すべくなされたもので、その
要旨は、表面に細孔を有する金属箔または金属棒を一方
の電極とし、該細孔内面および表面に沿って設けたペロ
ブスカイト型化合物層を誘電体層とし、該誘電体層上に
設けた￥導体層を他方の電極とするコンデンサ、および
焼結金属を一方の電極とし、該焼結金属の空間部内面お
よび表面に沿って設けたペロブスカイト型化合物層を誘
電体層とし、該誘電体層上に設けた半導体層を他方の電
極とするコンデンサにある。

〔発明の具体的構成および作用〕 以下本発明の詳細な説明する。

第１図は金属箔を用いた本発明に係るコンデンサの一実
施例を示す縦断面図で、図中符号１は両面に多数の細孔
２・・・が設けられた金属箔である。

この金属箔１の細孔を右づ°る而には、細孔２の内面お
よび金属箔表面に沿ってペロブスカイト型化合物層３が
Ｌｉ　ｒｆｆ体層として設けられ、これらペロブスカイ
ト型化合物層３の表面には、半導体層４が設けられて本
発明のコンデンナが構成されている。また上記４の表面
には、導電体層５が取イ」【ノられ、全体が封口樹脂６
によって封口されるとともに、上記金属箔および導電体
層にはリード端子７．７が取付けられ上記封口樹脂によ
り引出されて、コンデンサ製品が形成される。

本発明に使用される金属は箔、棒、焼結体等を形成でき
る金属、或は合金であればよい。例えばアルミニウム、
鉄、ニッケル、タンタル、銅、ニオブ、錫、亜鉛、鉛等
があげられるが必ずしもこれらに限定されるものではな
い。

このような金属に、表面積を大にする目的で細孔もしく
は空間部を形成する方法は、金属箔、金属棒の場合、例
えばエツチングによって、また、金属焼結体の場合には
、焼結すること自体によって形成することができる。エ
ツチングの方法、焼結圧力、温度等によって細孔の大き
さ、深さ、空間部の容量を変化さけることができ、この
ような細孔または空間部の内面および金属表面に沿って
１股述するペロブスカイト型化合物層が形成される。

エツチングの方法どしては、例えばアルミニウムの場合
、電解コンデンサ業界で一般に行なわれている直流印加
或は交流印加の電解エツヂング方法等が挙げられる。

本発明において使用されるベロアスカイＩ・型化合物と
しては、例えば、３ａ　’ｒｉ　０３．３ｒ　Ｔ！０３
　、　Ｍ（ｌ　Ｔｉ　０３　、　Ｂａ　Ｓｎ　０３　、
１３ａ　ＺｒＯ３、Ｐｂ　Ｔｉ　０３　、　Ｐｂ　　（
Ｆｅ　２／３　Ｗｌ／３　）０３　、　Ｐｂ　　（Ｆｅ
　１／２　Ｎｂ　１／２　）０３　、　Ｐｂ（Ｍ（１１
／３　Ｎｂ　２／３　）　０３　、　Ｃａ　Ｔｉ　０３
　、　Ｐｂ（Ｆｅ　２／３　Ｗｌ／３　＞　０３　、　
Ｂａ　　（Ｃｕ　１／２　Ｗｌ／２　）０３等が挙げら
れるが必ずしもこれらに限定されるものではない。これ
らのペロブスカイト型化合物は２種以上使用してもよい
。

このようなぺ１コブス力イト型化合物を金属の細孔ある
いは空間部へ導入する方法は、例えば、金属の細孔ある
いは空間部をイエする金属面でペロブスカイト型化合物
を生成させる方法等が挙げられ、ペロブスカイト型化合
物は、金属の表面および細孔、また空間部内面に付着し
、誘電体層として作動する。この場合、ベロアスカイト
型化合物が金属の細孔あるいは空間部を塞がないように
導入するには、尋人条件、あるいは細孔の径等を考慮す
ることが必要であり、予備実験によって条件等が決定さ
れる。

また、金属の細孔あるいは空間部へ導入したペロブスカ
イト型化合物を焼結して使用してもよく、その場合、金
属は焼結温度以上の融点をもつものを選択し、還元性雰
囲気中で焼結することが必要である。

本発明において誘電体層上に形成される半導体層として
は、例えば、二酸化マンガン層、ＴＣＮＱ塩のような有
機半導体層または、二酸化鉛層等が挙げられる。このう
ち、電導度がよく、廉価ということから二酸化鉛層が好
ましい。半導体槽を金属表面および細孔あるいは空間部
の誘電体層上へ設ける方法は、半導体を融解して導入す
る方法、半導体を誘電体層上で作製する方法等が挙げら
れる。このうち、半導体を誘電体層上で作製する方法が
好ましく、とりわけ、本発明者等が先に提案した半導体
を化学的析出法で生成させる方法（特願昭６０−１９３
１８５号）が好ましい。

さらに、半導体層上に電気的接触をよくするために、導
電体層を設けてもよい。導電体層としては、例えば、Ｓ
１ペーストの固化、メツキ、金属蒸着、耐熱性の導電樹
脂フィルムの形成等により設層することができる。導電
ペーストとしては、銀ペースト、銅ペースト、アルミニ
ウムペースト、カーボンペースト、ニッケルペースト等
が好ましいが、これらは１種を用いても２種以上を用い
てもよい。２種以上を用いる場合、Ｕ合して設層しても
よく、または別々の層として重ねてもよい。

導電ペーストを適用した後、空気中に放置するか、また
は加熱して固化せしめる。

メツキとしては、ニッケルメッキ、銅メツキ、銀メツキ
、アルミニウムメツキ等があげられる。

また蒸着金属としては、アルミニウム、ニッケル、銅、
銀等があげられる。

以上にように、構成される本発明のコンデンサは例えば
、樹脂モールド、樹脂ケース、金属製の外装ケース、樹
脂のディッピング、ラミネートフィルムによる外装など
の外装により各種用途のコンデンサ製品とすることがで
きる。

〔実施例〕

以下実流例、比較例を示して本発明を説明する。

なお、実施例、比較例のコンデンサの特性値を第１表に
一括して示した。

実施例１ 端子をかしめ付ｔノしたリード線を接続した長さ２　ｃ
ｔｔｔ　、幅’＋ｃｍ、厚さ９０μｍのアルミニウム箔
を陽極とし、直流により箔の表面を電気化学的にエツチ
ング処理し、直径２．５μｍ、深さ３０μｍの細孔を全
面に有するアルミニウム箔を得た。このアルミニウム箔
を水酸化ナトリウム１モル／ｊのメタノール溶液にブチ
ルチタネート１七ル／ノのメタノール溶液を加えた溶液
に１時間浸漬し、３ａＴｉ○３からなる誘電体層をアル
ミニウム箔の細孔内面および金属表面に形成し、未反応
物をメタノールで充分洗浄した後減圧乾燥した。次に、
酢酸鉛三水和物２モル／ｊの水溶液と過硫酸アン七ニウ
ム４１ニル／ｊの水溶液の混合液に誘゛市体が形成され
たアルミニウム箔を浸漬し、８０℃で３０分反応させ、
生成した二酸化鉛からなる半導体（を水で充分洗浄した
後１００℃で減圧乾燥した。

次いで今電体どして銀ペーストを塗布し、端子リード線
を取り出した後、樹脂封口して］ンデン；すを作製した
。

実施例２ 実施例１で水酸化バリウムの代わりに水酸化ストロンチ
ウムを使用した他は実施例１と同様にしてコンデン１す
を作製した。

実施例３ タンタル粉末の焼結体を用いた他は実施例１ど同様／ｉ
操作を行いコンデンサを作製した。

比較例１ 実施例１と同様なアルミニウム箔をホ・り酸とホウ酸ア
ンモニウムの水溶液中で電気化学的に処Ｊｌｐしてアル
ミナ誘電体層を形成した。さらにアルミナ誘電体層を形
成しないアルミニウム箔を陰権とし、エチレングリコー
ル−アジピン酸アンモニウム系の電解液を含ませたレバ
レータ−をはさ“んで樹脂封口し、電解コンデンサを作
製した。

上記、実施例、比較例によってつくった〕ンデンリ゛の
特性値を第１表に示す。

第　　　　１　　　　表 但し、ｊａｎδは、１２０Ｈｚでの測定値ＥＳＲは、１
００に＋−１２での測定値である。

〔発明の効果〕

以上述べたように、本発明のコンデンサは、セラミック
コンデン１すより、同体積で容Ｍが大さ・くまだ廉価で
あり、電解コンデンナより高周波数性能がよく、また固
体’１ｌｌｆ解コンデン着すまり高耐圧であり、しかも
極性がないため利用価値が高い等の多くの長所を右覆る
。

【図面の簡単な説明】

第１図は、金属箔を用いた本発明に係るコンデンＩＪ′
の一実施例を示す縦断面図である。 １・・・・・・金属３）、　　　　２・・・・・・細孔
、３・・・・・・ペロブスカイト型化合物層（誘電体層
）、１・・・・・・手心体層、　　　５・・・・・・導
電体層、６・・・・・・封口樹脂、　　　７・・・・・
・リード端子。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）表面に細孔を有する金属箔または金属棒を一方の
   電極とし、該細孔内面および表面に沿って設けたペロブ
   スカイト型化合物層を誘電体層とし、該誘電体層上に設
   けた半導体層を他方の電極とすることを特徴とするコン
   デンサ。
2. （２）焼結金属を一方の電極とし、該焼結金属の空間部
   内面および表面に沿って設けたペロブスカイト型化合物
   層を誘電体層とし、該誘電体層上に設けた半導体層を他
   方の電極とすることを特徴とするコンデンサ。