JPS5821316A - 固体電解コンデンサの製造方法 - Google Patents
固体電解コンデンサの製造方法Info
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- JPS5821316A JPS5821316A JP11969381A JP11969381A JPS5821316A JP S5821316 A JPS5821316 A JP S5821316A JP 11969381 A JP11969381 A JP 11969381A JP 11969381 A JP11969381 A JP 11969381A JP S5821316 A JPS5821316 A JP S5821316A
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- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は高周波において一定値以上の等個直列抵抗値を
もつ固体電解コンデンサの製造方法に関する。
もつ固体電解コンデンサの製造方法に関する。
固体電解コンデンサは弁作用金属例えばＴａ（タンタル
）、Ａｔ（アルミ）を鋳結素子或はエツチング素子の形
状とすることにより単位体積当りの表面積を拡大し、こ
れを陽極素子として用い、ｆｉ＜ ＞、 。
）、Ａｔ（アルミ）を鋳結素子或はエツチング素子の形
状とすることにより単位体積当りの表面積を拡大し、こ
れを陽極素子として用い、ｆｉ＜ ＞、 。
る素子の金属素面を電解酸化処理により必要な厚さの酸
化皮膜に変えてこれを誘電体としこの上に硝酸塩例えば
硝酸マンガンＭｎ（Ｎｏ、）、水溶液の含浸と熱分解を
繰返すことにより酸化性半導体層例えばＭｎＯ，層を陽
極素子の酸化皮膜上に形成しこの上に導体層例えばグラ
ファイト層とＡＪ （＃）塗料層を設けて陰極とした構
造をとるコンデンサである。
化皮膜に変えてこれを誘電体としこの上に硝酸塩例えば
硝酸マンガンＭｎ（Ｎｏ、）、水溶液の含浸と熱分解を
繰返すことにより酸化性半導体層例えばＭｎＯ，層を陽
極素子の酸化皮膜上に形成しこの上に導体層例えばグラ
ファイト層とＡＪ （＃）塗料層を設けて陰極とした構
造をとるコンデンサである。
か＼る構造をとる固体電解コンデンサは情緒素子或はエ
ツチング素子を用いるため小形であり、また誘電皮膜の
厚さが薄いために大容１が実現でき小形大容量コンデン
サとして一般に用いられている。
ツチング素子を用いるため小形であり、また誘電皮膜の
厚さが薄いために大容１が実現でき小形大容量コンデン
サとして一般に用いられている。
さてコンデンサは固体電解コンデンサも含めて損失すな
わち誘電正接が少いときが必要でありまたＩＭヘルツ以
上の高周波においても等個直列抵抗値の少いことが必要
な用途が多いが場合によっては一定値以上の等個直列抵
抗値が必要な用途がある。
わち誘電正接が少いときが必要でありまたＩＭヘルツ以
上の高周波においても等個直列抵抗値の少いことが必要
な用途が多いが場合によっては一定値以上の等個直列抵
抗値が必要な用途がある。
か＼る要求について従来はコイデンサに直列に抵抗器を
接続することで一霞幼以上の抵抗【直を確保していたか
、これを１個の小形のコンデンサで代替することができ
れはノ」・形化Ｊよび低価格化の点で有利である。
接続することで一霞幼以上の抵抗【直を確保していたか
、これを１個の小形のコンデンサで代替することができ
れはノ」・形化Ｊよび低価格化の点で有利である。
絹１図はか＼る用途の１１例としてオーディオ回路の一
部を示すもので、パワー■Ｃ１に入力された信号電流■
によりスピーカ２を駆動する場合、アース接続されてい
るコンデンサ３は発振防止用として１オ一ム以上の寺価
鈴列抵抗値を有していることが必要であり、この回路に
おいて従来は０．１μＦのプラスチックフィルムコンデ
ンサに１オームの抵抗を直列に加えることにより回路条
件を満していた。
部を示すもので、パワー■Ｃ１に入力された信号電流■
によりスピーカ２を駆動する場合、アース接続されてい
るコンデンサ３は発振防止用として１オ一ム以上の寺価
鈴列抵抗値を有していることが必要であり、この回路に
おいて従来は０．１μＦのプラスチックフィルムコンデ
ンサに１オームの抵抗を直列に加えることにより回路条
件を満していた。
本発明の目的は高周波において一定値以上の等価ｍ列抵
抗値が必要とするコンデンサを固体電解コンデンサによ
り実現するにあり、この方法として固体電解コンデンサ
の酸化性半導体層の一部に絶縁物、）ｌする。よンよ、
。ＨＢ ＋ ０）直、１ｊ、抗を高め、これ（こより高
庵波における等価直列抵抗を一定値以上にまで高めるも
ので以下図面により本発明を説明する。
抗値が必要とするコンデンサを固体電解コンデンサによ
り実現するにあり、この方法として固体電解コンデンサ
の酸化性半導体層の一部に絶縁物、）ｌする。よンよ、
。ＨＢ ＋ ０）直、１ｊ、抗を高め、これ（こより高
庵波における等価直列抵抗を一定値以上にまで高めるも
ので以下図面により本発明を説明する。
固体電解コンデンサの等価回路はいま簡単のためにリー
ド線および電極面に存在するインダクタンスを無視する
と通常第２図のように表わされる。
ド線および電極面に存在するインダクタンスを無視する
と通常第２図のように表わされる。
こ＼でＣは電解コンデンサの静電容量、Ｒｉは陽極素子
の多孔質構造中の酸化性半導体層例えばＭｎ０１層によ
る等価抵抗、またＨ、ｅはグラファイト層、へｇ塗料層
などの陰極電極による抵抗である。然し乍ら固体電解コ
ンデンサは酸化性半導体が充填された数多くの微細孔か
らなるコンデンサが数多く並列Ｅこ並んだものと考へら
れるので畦しくは第３図の等価回路で表わすことができ
る・第４図は電解エツチングにより表面積を拡大した陽
極素子構造をとるＡｔ固固体電解コンノン部分＃Ｉ戚図
で高純度のｋｌよりなる陽極素子４の表面には直径十数
μｍのエツチング孔が密に形成されており、このエツチ
ング孔の内面および素子表面には電解酸化によりＡｔ、
０．よりなる酸化皮層５が印加電圧値に比例した厚さに
形成されて誘電皮膜を形成しておりこのエツチング孔の
中および陽極素子の表面にはＭｎＯ，６か充填されて酸
化皮Ｍ５の誘電的性質の補強およｄ充放電電流の通路と
しての役割りを果しており、この上に塗布されているク
ラファイト層７はＭｎＯ，の抵抗率が１０〜１０００α
であるのに対し１０ｃｒｎＮ［と−桁以上低くこのＭｎ
Ｏ，層の一部に端子出しのために塗布されているＡ９層
８と共番こ固体１１解コンデンサの陰極を形成している
。
の多孔質構造中の酸化性半導体層例えばＭｎ０１層によ
る等価抵抗、またＨ、ｅはグラファイト層、へｇ塗料層
などの陰極電極による抵抗である。然し乍ら固体電解コ
ンデンサは酸化性半導体が充填された数多くの微細孔か
らなるコンデンサが数多く並列Ｅこ並んだものと考へら
れるので畦しくは第３図の等価回路で表わすことができ
る・第４図は電解エツチングにより表面積を拡大した陽
極素子構造をとるＡｔ固固体電解コンノン部分＃Ｉ戚図
で高純度のｋｌよりなる陽極素子４の表面には直径十数
μｍのエツチング孔が密に形成されており、このエツチ
ング孔の内面および素子表面には電解酸化によりＡｔ、
０．よりなる酸化皮層５が印加電圧値に比例した厚さに
形成されて誘電皮膜を形成しておりこのエツチング孔の
中および陽極素子の表面にはＭｎＯ，６か充填されて酸
化皮Ｍ５の誘電的性質の補強およｄ充放電電流の通路と
しての役割りを果しており、この上に塗布されているク
ラファイト層７はＭｎＯ，の抵抗率が１０〜１０００α
であるのに対し１０ｃｒｎＮ［と−桁以上低くこのＭｎ
Ｏ，層の一部に端子出しのために塗布されているＡ９層
８と共番こ固体１１解コンデンサの陰極を形成している
。
第３図の等価回路においてＣＩ 、ＯＨ・・・Ｏｎは第
４図の各条（１質孔（セル）およびこの金属表面部にる
ＭｎＯ，６による等価直列抵抗であり、Ｒｅはコンデン
サの陰極７．８による婚価直列抵抗である。
４図の各条（１質孔（セル）およびこの金属表面部にる
ＭｎＯ，６による等価直列抵抗であり、Ｒｅはコンデン
サの陰極７．８による婚価直列抵抗である。
従来この使用目的を達成゛ｆるにはプラスチックコンデ
ンサを用いる場合には上記のように抵抗器を直列接続し
、また固体電調コンデンサで実現する場合はコンデンサ
素子の大きさを変えることで実説していた。
ンサを用いる場合には上記のように抵抗器を直列接続し
、また固体電調コンデンサで実現する場合はコンデンサ
素子の大きさを変えることで実説していた。
すなわちコンチン−！７素子の大きさ小さくすることは
第３図の等価回絡において並列に数多く配列しているＣ
１．Ｃ，・・・とＲ１１、Ｒ１１の減少を意味し、これ
により靜′−容曾値は減少するが陰極抵抗Ｒｅはコンデ
ンサ！子の大きさにそれ程依存しないので第２Ｍ或は第
３図の等価回路にふいて相対的に陰槓抵抗Ｒｅか幼くこ
とになりこれにより一周波における寺ｉｉｌ＋ｉムタ１
１鉱抗仙をある一定値以上（仁保持していた。
第３図の等価回絡において並列に数多く配列しているＣ
１．Ｃ，・・・とＲ１１、Ｒ１１の減少を意味し、これ
により靜′−容曾値は減少するが陰極抵抗Ｒｅはコンデ
ンサ！子の大きさにそれ程依存しないので第２Ｍ或は第
３図の等価回路にふいて相対的に陰槓抵抗Ｒｅか幼くこ
とになりこれにより一周波における寺ｉｉｌ＋ｉムタ１
１鉱抗仙をある一定値以上（仁保持していた。
然し乍ら低周波において大きな静電容量をもち高周波に
おいて一定値以上の等価直列抵抗値を確保することはこ
の方法では離しい。
おいて一定値以上の等価直列抵抗値を確保することはこ
の方法では離しい。
本発明は多孔質のセル構造をもつ陽極素子４の上に形成
されているＭ−０１層６の上の一部に絶縁塗料を塗布す
る。ことにより塗布した部分のＭｎＯ。
されているＭ−０１層６の上の一部に絶縁塗料を塗布す
る。ことにより塗布した部分のＭｎＯ。
層６の等価直列抵抗を増加することを本旨としている。
第５図は本発明を実施したＡｔ固体１１解コンデンサ素
子の断ｉＭ＋構造である。
子の断ｉＭ＋構造である。
図で陽極素イ４の上部壷こは陽極リード紡９か浴接され
ており、溶接部は絶縁塗料ｔ／１１えはユバζキシ樹脂
により被覆さｎている。また陽極素子は多孔質体により
構成さｎているため図では省略しであるが第４図のよう
な多くの孔が表面と直角ζこ一面においており、この表
面は各セルの縁部１０よりなり酸化皮膜５により覆われ
ている。
ており、溶接部は絶縁塗料ｔ／１１えはユバζキシ樹脂
により被覆さｎている。また陽極素子は多孔質体により
構成さｎているため図では省略しであるが第４図のよう
な多くの孔が表面と直角ζこ一面においており、この表
面は各セルの縁部１０よりなり酸化皮膜５により覆われ
ている。
こ＼で酸化性半導体Ｍ・０．は多孔質セル中に充填され
ていると共に多孔質セル縁部１０の酸化皮膜の上にも一
面に被覆しており、第５図のＭ、０゜層６はこれを表わ
している。
ていると共に多孔質セル縁部１０の酸化皮膜の上にも一
面に被覆しており、第５図のＭ、０゜層６はこれを表わ
している。
本発明はか＼るＭ、Ｏ，層６の一部（本実施例の場合は
下部）に絶縁塗膜１１を塗布することによってＭ、Ｏ，
層６の内絶縁塗ＪｉＥ１１の下の部分１２”による直列
抵抗値を実効的に増加することを本旨とするものである
。
下部）に絶縁塗膜１１を塗布することによってＭ、Ｏ，
層６の内絶縁塗ＪｉＥ１１の下の部分１２”による直列
抵抗値を実効的に増加することを本旨とするものである
。
すなわちＭ・０２の抵抗率は生ｈｙ粂件により異なり１
０〜１０００鋼の値を示すが電子伝導体であり、絶縁塗
膜１１を被覆した部外の各墨付セルよりなる固体電解コ
ンデンサの漬放電電流はＭ、０．ｌｌｌｉの中をこれに
副って流れ絶縁塗膜の存在しない部分において低抵抗な
グラファイト陰極７に達しＡｇｔ椿８よりとり出される
ために充放１に′ＷＩＬ流の八１１０゜層の通過距離（
パス）が増しこの部分の等価直列抵抗が実効的にｔと加
したことになる。
０〜１０００鋼の値を示すが電子伝導体であり、絶縁塗
膜１１を被覆した部外の各墨付セルよりなる固体電解コ
ンデンサの漬放電電流はＭ、０．ｌｌｌｉの中をこれに
副って流れ絶縁塗膜の存在しない部分において低抵抗な
グラファイト陰極７に達しＡｇｔ椿８よりとり出される
ために充放１に′ＷＩＬ流の八１１０゜層の通過距離（
パス）が増しこの部分の等価直列抵抗が実効的にｔと加
したことになる。
このことは第３１において０１．Ｏ，、・・０１、およ
びＲ＋、 、 Ｒ＋ｔ・・・ｌｆ、＋−よりなる並列回
鮎の自給縁塗料被覆部分の等価抵抗値が増加したことを
示している。
びＲ＋、 、 Ｒ＋ｔ・・・ｌｆ、＋−よりなる並列回
鮎の自給縁塗料被覆部分の等価抵抗値が増加したことを
示している。
第６図および絶７図は縦６“、横３１、厚さ２′の扁平
な高純度Ａｔ板よりなる陽極素子を用いたＡｔ固固体酵
解コンデンサついて本発明を実施した結果を示ずもので
、陽極素子にＭ、Ｏ１析出被機工程が終った状態でコン
デンサ素子の下部にローラーを用いてそｎぞれ塗布幅を
変えてシリコ／系塗料を塗布し約１５００で僻村は以稜
は従来と同一工程でグラファイトおよびＡ１１Ｆ塗料を
授潰塗布して陰柾を形ｈνしてｋｔ固体を解コンテンサ
としたものである。
な高純度Ａｔ板よりなる陽極素子を用いたＡｔ固固体酵
解コンデンサついて本発明を実施した結果を示ずもので
、陽極素子にＭ、Ｏ１析出被機工程が終った状態でコン
デンサ素子の下部にローラーを用いてそｎぞれ塗布幅を
変えてシリコ／系塗料を塗布し約１５００で僻村は以稜
は従来と同一工程でグラファイトおよびＡ１１Ｆ塗料を
授潰塗布して陰柾を形ｈνしてｋｔ固体を解コンテンサ
としたものである。
第６図はＩＯＭベルンの高周波で測定した場合の塗布幅
と等ｆＩＩＩｉ直列抵抗との関係また第７図は誘電正接
との関係である。図から絶縁塗料の塗布幅が増すに従っ
て塗布部分の電流パスが増し固体電解コンデンサとして
の損失は増加するが高周波における咎価直列抵抗の増加
率（第６図）の方が低周波における誘電正接（第７図）
の増加率よりも超かに大きいことが判る。
と等ｆＩＩＩｉ直列抵抗との関係また第７図は誘電正接
との関係である。図から絶縁塗料の塗布幅が増すに従っ
て塗布部分の電流パスが増し固体電解コンデンサとして
の損失は増加するが高周波における咎価直列抵抗の増加
率（第６図）の方が低周波における誘電正接（第７図）
の増加率よりも超かに大きいことが判る。
本発明は高周波−こおける等価直列抵抗値として成る一
定値以上の値が必要なコンデンサを固体電解コンデンサ
を用いて実用化するものであって大きな静電容量を保持
したま＼で本目的を達成できる。
定値以上の値が必要なコンデンサを固体電解コンデンサ
を用いて実用化するものであって大きな静電容量を保持
したま＼で本目的を達成できる。
こ＼で等価直列抵抗値は絶縁塗料の塗布膜により決るも
のであり、低周波における訪宵、正接が塗布幅に比例し
て漸増することは止むを得ない０以上のように本発明の
実施により単一素子を用いて必要とする回路条件を満す
ことが可能となったＯ １路、ｖ、２図および第３図は固体電解コンデンサの４
）何回路、第４図はＡｔ固体電解コンデンサのセル構造
、第５図は固体電解コンデンサの断ｔｈ図、第６図は絶
縁塗料の塗布幅と等価直列抵抗との関係また第７図は塗
布幅とｌＩ篭正接との関係図である。
のであり、低周波における訪宵、正接が塗布幅に比例し
て漸増することは止むを得ない０以上のように本発明の
実施により単一素子を用いて必要とする回路条件を満す
ことが可能となったＯ １路、ｖ、２図および第３図は固体電解コンデンサの４
）何回路、第４図はＡｔ固体電解コンデンサのセル構造
、第５図は固体電解コンデンサの断ｔｈ図、第６図は絶
縁塗料の塗布幅と等価直列抵抗との関係また第７図は塗
布幅とｌＩ篭正接との関係図である。
図において
４は陽極素子、５は酸化皮膜、６はＭｍＯ，，７はグラ
ファイト層、８はＡｐ塗料層、ｌｌは絶縁塗膜、１２は
絶縁塗膜が塗られたＭ、ｏ、層。
ファイト層、８はＡｐ塗料層、ｌｌは絶縁塗膜、１２は
絶縁塗膜が塗られたＭ、ｏ、層。
第１図
第１囲 竿３閃
第４閃 竿５（３）
′！Ｊ６０
市７閏
ヂ今Ｔ＆Ｃ麟り
Claims (1)
- 情緒体或は多孔質体よりなる弁作用金属上に電解酸化処
理により必要とする耐圧を備えた酸化皮膜を作り、核皮
膜上に酸化性半導体層および陰極導体層を層構成してな
る固体電解コンデンサにおいて、酸化性半導体層の一部
に絶縁物を塗布することによって高周波における等価直
列抵抗を一定値以上にまで高めることを特徴とする固体
電解コンデンサの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11969381A JPS5821316A (ja) | 1981-07-30 | 1981-07-30 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11969381A JPS5821316A (ja) | 1981-07-30 | 1981-07-30 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5821316A true JPS5821316A (ja) | 1983-02-08 |
| JPS629208B2 JPS629208B2 (ja) | 1987-02-27 |
Family
ID=14767717
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11969381A Granted JPS5821316A (ja) | 1981-07-30 | 1981-07-30 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5821316A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6044514U (ja) * | 1983-09-02 | 1985-03-29 | ヤンマー農機株式会社 | 播種，施肥機 |
| JPS6122617A (ja) * | 1984-06-29 | 1986-01-31 | 富士通株式会社 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
| US4934395A (en) * | 1988-09-29 | 1990-06-19 | `Totes`, Incorporated | Short fold rib linkage for an umbrella |
| JPH03201523A (ja) * | 1989-12-28 | 1991-09-03 | Showa Denko Kk | コンデンサ・抵抗複合部品 |
| JP2008004583A (ja) * | 2006-06-20 | 2008-01-10 | Nec Tokin Corp | 固体電解コンデンサ |
-
1981
- 1981-07-30 JP JP11969381A patent/JPS5821316A/ja active Granted
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6044514U (ja) * | 1983-09-02 | 1985-03-29 | ヤンマー農機株式会社 | 播種，施肥機 |
| JPH0233605Y2 (ja) * | 1983-09-02 | 1990-09-10 | ||
| JPS6122617A (ja) * | 1984-06-29 | 1986-01-31 | 富士通株式会社 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
| US4934395A (en) * | 1988-09-29 | 1990-06-19 | `Totes`, Incorporated | Short fold rib linkage for an umbrella |
| JPH03201523A (ja) * | 1989-12-28 | 1991-09-03 | Showa Denko Kk | コンデンサ・抵抗複合部品 |
| JP2008004583A (ja) * | 2006-06-20 | 2008-01-10 | Nec Tokin Corp | 固体電解コンデンサ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS629208B2 (ja) | 1987-02-27 |
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