JPS58192042A - 電子写真感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、新規なジスアゾ化合物、このジスアゾ化合物
を含有する事を特徴とする光導電性組成物、およびこの
ジスアゾ化合物を含有する電子写真感光Ｍ含有すること
を特徴とする電子写真感光体に関するもＯである。

電子写真感光体の光導電過程は （１）露光によシミ荷を発生する過程、（２）電荷を輸
送する過程、 から成る。

（りと（２１を同一物質で行う例としてセレン感光板が
挙けられる。一方（１）と偉）を別々の物質で行う例と
して無定形セレンとポリー菫−ビニルカルバゾールＯ組
合せが良く知られている。（１）と（２）を別々の物質
で行なう方法り電子写真感光体に用いる材料Ｏ選択範囲
を拡げ、それに伴い、電子写真感光体の感度、受容電位
＠０電子写真特性が向上し、また電子写真感光体塗膜作
製上好都合な物質を広い範囲から選び得るという長所を
有している。

従来、電子写真方式において使用される電子写真感光体
の光導電性素材として用いられているものに、セレン、
硫化カドオウム、酸化亜鉛など０無機物質がある。

電子写真法はすでにカールソンが米国籍詐第２２９７６
９１号明細書に明らかにし友ように、―像露光Ｏ関に受
は友照射量に応じそ０電気抵抗が変化する暗所て絶縁性
Ｏ物質ｔコーティングした支持体よりｅる光導電性材料
を用いる。ζＯ光導電性材料は一般に適当な時間の暗順
応の後、暗所て、まず一様１に表面電荷が与えられる。

次に、こ０＃料は照射パターンの種々の部分に含まれる
相対エネルギーに応じて表面電荷を減らす効果を有する
照射のパターンにより画像露光される。このようにして
光導電性物質層（電子写真感光層）表面に残った表面電
荷又は静電潜像は次にその表面が適当な検電表示物質、
すなわちトナーで接触されて可視像となる。

トナーは絶縁液中あるいは乾燥担体中に含まれるがどち
らの場合にも電荷パターンに応じて電子写真感光層表面
上に付着させることができる。付着した表示物質は、熱
、圧力、Ｓ媒蒸気Ｏような公知の手段により定着するこ
とができる。又静電潜像＃１ＪＩ２の支持体（例えば紙
、フィルムなど）　　　　　ＩＫ転写することができる
。同様に静電潜像を第２０支持体に転写し、そこで現像
することも可能である。電子写真法は仁の様にして画像
を形成するようにした一儂形成法の一つである。

このような電子写真法において電子写真感光体に要求さ
れる基本的表特性としては、（１）暗所で適当な電位に
帯電できること、（匍暗所において電荷の逸散が少ない
仁と、（至））光照射によって速やかに電荷を逸散せし
めうろことなどがあげられる。

従来用いられている前記無機物質は、多くＯ長所を持っ
ていると同時にさまざまな欠点を有していることは事実
である。例えば、現在広く用いられているセレンは前記
（１）〜（３）の条件は十分に満足するが、製造する条
件がむずかしく、製造コストが高くな）、可撓性がなく
、ベルト状に加工することがむづかしく、熱や機械的衝
撃に鋭敏なため取扱いに注意を要するなどの欠点もある
。硫化カドイウムや酸化亜鉛は、結合剤としての樹脂中
に分散させて電子写真感光体として用いられているが、
平滑性、硬度、引張シ強度、耐摩擦性などの機械的な欠
点がある丸めにそのままでは反復して使用することがで
きない。

近年、これら無機物質の欠点を排除するためにいろいろ
Ｏ有機物置を用いた電子写真感光体が提案され、実用に
供されているものもある。例えば、ポリ−１−ビニルカ
ルバシールド２．４．７−１７二トロフルオレンー９−
オンとからなる電子写真感光体（米国４１詐４４８４．
２５７）、ポリー賢−ビニルカルバゾールをビリリウム
環系色素で増感し＊４ｈｔ）（特公昭４Ｂ−２５６５１
！ｌ）、有機顔料を主成分とする電子写真感光体（％開
閉４７−５７５４３）、染料と＊にとからなる共晶錯体
を主成分とする電子写真感光体（％開閉４７−１０７５
５）などである。

これらの有機電子写真感光体は、前記無機電子写真感光
体の機械的特性及び可撓性もある程度壕で、改善したも
のの概して光感度が低くまた繰り返し使用に適さず電子
写真感光体としての要求を充分に満足するものではなか
っ九〇 本発明者らは、前記従来の電子写真感光体のもつ欠点を
改嵐すべく鋭意研究の結果、新規なジスアゾ化合−を含
有する電子写真感光体が十分に実用に供しうる程の高感
度・高耐久性を有する事を見出し、本発明に到達したも
のである。

本発明は、下記一般式〔１〕で表わされる新規なジスア
ゾ化合物（ジスアゾ顔料）、それを含有する事を特徴と
する光導電性組成物、およびそれを含有する電子写真感
光層を有することｔ特徴とする電子写真感光体に関する
ものである。

本発明は （１）　　下に２の一般式〔１〕で表わされるジスアゾ
化合物、 〔１〕 上記一般式〔１〕において、 ムは ０００Ｈ。

を表わし、 Ｘは、ヒドロキシ基とＩとが結合している上記式中のペ
ン（ン婁と縮合してナフタレン環、アントラセン環など
Ｏ芳香族ｌｌまたｄインドール環、カルバゾール環、ベ
ンゾカルバゾール環、ジベンゾフラン環などＯ複素３ｊ
ｌ（いずれの項も置換または無置換でよい。）を形成す
るのに必要な原子団をし、 Ｒ１はアルキル基、フェニル基またはそれらＯ置換体を
表わし、 Ｒ２は水素原子、低級アルキル基、カルバモイル基、カ
ルボキシル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキ
シカルボニル基、または置換または無置換の７建ノ基を
表わし、 Ｒ”及ヒＲ”ｋｉアルキル基、フェニル基、ナフチＡ４
　　　　　□などＯ芳香族基、ジベンゾフラニル基、カ
ルバゾリル基など０＊ｇ芳香ｗｋ壌基またはそれらの置
換体を表わし、 Ｒ４は水素原子、アルキル基、フェニル基またはそれら
の置換体を表わす。　　　　　　　　　　　　　１（２
）前記〇一般式〔１〕で表わされるジスアゾ化合　　　
１物を含有することを特徴とする光導電性組成物　　　
　−および （３）前記の一般式〔１〕で表わされるジスアゾ化合物
を含有する電子写真感光層を有することを特徴とする電
子写真感光体に関する。

一般式〔１〕で表わされるジスアゾ化合物についてさら
に詳しく説明する。

Ｘはヒドロキシル基とＩとが結合しているベンゼン環と
縮合してナフタレン環、アントラ竜ン環などの芳香族３
ｊまたはインドール環、カルバゾール環、ベンゾカルバ
ゾール環、ジベンゾフラン環などの豪素濃を形成し得る
基である。

！が置換基を有する芳香族３ｊｌまたは複素環系の　　
　−場合、置換基としてハロゲン原子（例えば、弗素原
子、塩素原子、臭素原子等）、低級アルキル基好ましく
＃ｉ、訳素数１〜６の低級アルキル基（例えば、メチル
基、エチル基、プロピル基、ブチル基、　　ノイソグロ
ビル基、イソブチル基等）があげられ、置換基Ｏ数は１
個または２個であり、置換基が２−〇場合にはそれらは
同じでも異なっていてもよ＾− Ｒ１としてはアルキル基、好ましくは炭素数１〜１２０
フルキル基またはフェニル基がアル。

Ｒ１が非置換のアルキル基の場合、その具体例としてメ
チル基、エチル基、プロピル基、ブチル坂、ペンチル基
、ヘキシル基、イソプロピル基、１ツブチル基、イソブ
チル基、イソヘキシル基、ネオペンチル基、ｔ＠ｒｔ−
ブチル基等をあけることができる。

Ｒ１が置換アルキル基Ｏ場合、置換基としてはヒドロキ
シ基、炭素数１〜１２のアルコキシ基、シアノ基、アミ
ノ基、炭素数１〜１２のアルキルアミノ基、炭素数１〜
１２０アルキル基を２個有するジアルキルアミノ基、ハ
ロゲン原子、炭素数６〜１５０アリールなどがある。そ
の例として、ヒドロキシアルキル基（例えば、ヒドロキ
シメチ＊ｉｌ　　２−ヒドロキシエチル基、３−にドロ
キシプロピル基、２−ヒドロキシプロピル基等）、アル
フキジアルキル基（例えば、メトキシメチル基、２−エ
トキシエチル基、３−メトキシフェニル基、エトキシメ
チル基、２−エトキシエチル基等）、シアノアルキル基
（例えば、シアノメチル基、２−シアンエチル基等）、
アきノアルキル基（例えば、アミノメチル基、２−アミ
ノエチル基、３−アミラブルピル基等）、（アルキルア
ミノ）アルキル基（例えば、（メチルアミノ）メチル基
、２−（メチルアミノ）エチル基、（メチルアミノ）メ
チル基）、（ジアルキルア建））アルキル基（例えば、
（ジメチルアミノ）メチル基、２−（ジメチルアミノ）
エチル基尋）、／Ｓログノアルキル基（例えば、フルオ
ロメチル基、クロロメチル基、ブロモメチル基等）、ア
ラルキル基（例えば、ベンジル基、フェネチル基！４）
をあげることができる。

Ｒ１が置換フェニル基の場合、置換基としてはヒドロキ
シ基、炭素数１〜１２のアルコキシ基、シアノ基、アミ
ノ基、炭素数１〜１２のアルキルアイソ基、炭素数１〜
１２Ｃ）アルキル基を２個有するジアルキルア々ノ基、
ハロゲン原子、炭素数１〜４ｔ）アルキル基、ニトロ基
などがある。その例トシて、ヒト−キシフェニル基、ア
ルコキシフェール基（例えば、メトキシフェニル基、エ
トキシエチル基等）、シアノフェニル基、アミノフェニ
ル基、（アルキルアミノ）フェニル基（例えば、（メチ
ルアミノ）フェニル基、（エチルアず））フェニル基ｅ
）、（ジアルキルア建））フェニル基（例えば、（ジメ
チルアミノ）フェニル基等）、ハロゲンフェニル基（例
えば、フルオロ７：”−ル基、ｌｌｌロアェニル基、ブ
ロモフェニル基等）、アルキルフェニル基（例えば、ト
リル基、エチルフェニル基、クメニル基、キシリル基、
メンチル基等）、ニトロ７エール基、およびこれらの置
換基（互いに同じで４異なってもよい。）を２個ま友は
５個を有する置換基（置換基の位置ま　　　　′ｊたは
複数＠Ｏ置換基相互の位置関係は任意である）ｋあける
ことができる。

ｉｊ”　　としては水嵩原子、炭＊＃！ｉ１〜４の低級
アルキル基、カルバモイル基、カルぎキシル基、炭素数
１〜１２のアルコキシ基を有するアルコキシカルボニル
基、炭素数６〜２０のアリールオキシ基を有する了り−
ルオキシカルボニル基及び置換または無置換のアミノ基
がある。

Ｒ１が置換アミノ基の場合９、その具体例としてメチル
ア建ノ基、エチルアミノ基、プロピルアミン基、フェニ
ルアミノ基、トリルアミノ基、ベンジルア建ノ基、フェ
ネチルアミノ基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基
、ジフェニルアミノ基等をあげることができる。

Ｒ８が低級アルキル基の場合、その具体例としてメチル
基、エチル基、グービル基、ブチル基、イソプロピル基
、イソブチル基等があげられる。

Ｒ３がアルコキシカルボニル基の場合、そＯ具体例とし
てメトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、プロ
ポキシカルボニル基、ブトキシカルボニル基、イングロ
ボキシカルボニル基、ヘンシルオキシカルボニル基等が
あげられる。

Ｒ１がアリールオキシカルメニル基Ｏ場合、その具体例
として、フェノキシカルボニル基、ドルオキシカルボニ
ル基等があけられる。

Ｒ１及びＢｌとしては、炭素数１〜２０のアルキル基、
フェニル基、ナフチル基などの芳香族基、ジベンゾフラ
ニル基、カルバゾリル基などの酸素原子、窒素原子、硫
黄原子などの複素芳香族環基またはそれらの置換体があ
る。

ＲＡまた１ｄＢｍが、置換または無置換のアルキル基の
場合、そ０例はそれぞれ前述のＲ１における置換または
無置換のアルキル基の具体例と同じ基をあけることがで
きる。

Ｒ３またＦｉＲ＆が置換フェニル基、置換ナフチル基郷
○置換芳香族基、置換ジベンゾフラニル基または置換カ
ルバゾリル基等の置換複素芳香族環基０場合、置換基の
例としてヒドロキシル基、シアノ基、ニトロ基、ハロゲ
ン原子（例えば、弗素原子、塩素原子、臭素原子等）、
炭素数１〜１２アルキル基（例えば、メチル基、エチル
基、プロピル基、イソプロピル基等）、炭素数１〜１２
０アルコキシ基（例えは、メトキシ基、エトキシ基、プ
ロポキシ基、ブトキシ基、ペンチルオキシ基、インプロ
ポキシ基、インブトキシ基、インアミルオキシ基、　ｔ
ｅｒｔ−ブトキシ基、ネオペンチルオキシ基等）、アミ
ノ基、炭素数１〜１２のアルキルアミノ基（例えば、メ
チルアミノ基、エチルアミノ基、プロピルアミノ基等）
、炭素数１〜１２のアルキル基を２個有するジアルキル
アミノ基（例えば、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ
基、菖−メチル−Ｎ−エチルアミノ基勢）、炭素数６〜
１２０了り−羨アンノ基（例えば、フェニルアミノ基、
トリルアミノ基等）、縦本数６〜１５のアリール基を２
個有するジアリールアミノ基（例えハ、ジフェニルアミ
ノ基等）、カルボキシル基、フルカリ金属カルボキシラ
ド基（アルカリ金属（陽（＃ン）Ｏ例、Ｎ１、Ｋｅ、Ｌ
１■ｊｌｌ）、Φ アルカリ金属スルホナト基（アルカリ金属（陽イオン）
の例、Ｎａ　　、　　、ｏ、Ｌ１■等）、アルキ■ ルカルｌニル基（例えば、アセチル基、プロピオニル基
、ベンジルカルボニル基等）、炭素数６〜１２１ｉ１）
アリール基を堝するアリールカルボニル基ル基等）、縦
本数１〜１２４２）アルキルチオ基（例え＃′ｉ、メチ
羨チオ基、エテルチオ基Ｉ４）、または縦本数１〜１２
０アリールチオ基（例えば、フェニルチオ基、トリルチ
オ基等）ｔあけることができ、置換基の個数は１個ない
し３個であり、複数Ｏｗ置換基結合している場合にはそ
れらは互いに同じで４異なってもよく任意の組合せｔと
ってよく、ま九置換基の結合位置は任意である。

Ｒ４としては、水ｌＡ原子、縦本数１〜２０のアルキル
基、フェニル基またはそれらの置換体がわる。

Ｒ４が置換または無置換のアルキル基及びフェニル基の
場合前述のＲ１及びＢＳにおける置換または無置換のア
ルキル基及びフェニル基の具体例と同じ基をあげること
ができる。

カプラーに由来するムとしては、光感度が高い光導電性
組成物を九は電子写真感光層を与え、かつ製造原料化合
物を容易に入手することができるので低コストでジスア
ゾ化合ｌｌｌ１！Ｉを製造することかできるという蓼点
から 以下に本発明の化合物の具体例をあける。

本発明Ｏｆ＃蜆なジスアゾ化合物は、公知の方法によっ
て製造することができる。すなわち、２．６−ビス（４
−７ミノスチリル）ナフタレンｔジアゾ化してテトラゾ
ニウム塩として単離した後、これｔ適当な有機溶媒例え
ばＭ、Ｍ−ジメチルホルムアミド中で前述Ｏ各顔料に対
応する化合物（例えばナフト−シム８系勢Ｏカプラー）
とアルカリの存在下にカップリング反応させることによ
シ容易に製造することができる。

本発明のジスアゾ化合物はジスアゾ顔料として用いるこ
とができる。

例えは前記ジスアゾ化合物〔１〕は合成例１に従って製
造することができる。

合成例１ ２．６−ビス（４−アミノスチリル）ナフタレン２．２
０ｆを製塩＃５ｗＩｔ及び水５ｄから調整した希塩酸に
加えて６０℃の水浴上で約３０分間、よく攪拌し友、７
次にこの混合物を０℃に冷却し、それに！を硝鈑ナトリ
ウム５１８１ｓｔを水５−に溶解した＃液ｔＯ℃で約５
０分間かって−下し友。その後同温度で１時間攪拌し、
生成するテトラゾニウム塩化物塩をＶ別し、テトラゾニ
ウム塩を水で溶解し、その溶液とｖ液を合併した。合併
した溶液に４２９１硼弗化水素酸４ｍｌ加え析出した結
晶をい取した。この結晶を少量の冷水で洗った彼、乾燥
してテトラゾニウムフルオロボレートの橙赤色結晶！？
　７　ｔ　（収率８７４１Ｉ）を得九。

次にこうして得られたテトラゾニウム塩２８０岬及びカ
プラーとして２−ヒドロキシ−５−ナフトエ酸アニリド
２４３＃ｔ１２ＷＩｔのＭ、Ｎ−ジメチルホルムアミド
に溶解し、これに酢酸ナトリウムｓ　ｏ　ｏｑ及び水２
−からなる溶液を０℃の温度で約２０分か１て滴下した
後、室温で約２時間攪拌した。その後生成し九沈殿を枦
取し、２０〇−の水で洗浄後、これを１００ｇＩｔＯＮ
、Ｎ−ジメチルホルムアミドで攪拌しつつ洗浄した。次
にエタノールで洗浄して乾燥し、化合物＋１１０ジスア
ゾ顔料４１０哩（収率９０−）を得た。分解温度５００
℃以上 元素分析 ０６０Ｈ４ＲＯ４”＠　　として 計算値　０．７ｔ１１１ｉ　　Ｈ，４４５９６Ｄｌ、ｔ
２２悌実−１値　０．７９．５％　　１１．４．７１１
６　　Ｌ　ｔ４５ｍｉＩＲ＠収スペクトル（ＫＢｒ錠剤
） アミド　１６８０ａ＊−凰 可視吸収スペクトル 徴収極大波長　５４　Ｓ　ｎｍ　（ジクロロメタン溶液
中）合成例２〜１１ カプラーとして表記化合物を用いた他は、合成例１と同
じ方法でジスアゾ化合物（２）、（３）、　（４）、　
（５１゜輪１輪、に）、（ハ）をそれぞれ合成し友。そ
れぞれのジスアゾ化合物の分解温度、元素分析値、■Ｒ
吸収スペクトル、可視吸収スペクトルを第１表に示す。

ジスアゾ化合物層の赤外線吸収スペクトル（ＫＢｒ法）
Ｆｉ謝１図に示した。

他のジスアゾ化合物もカプラーを変える他は、上鮎合ｆ
Ｌｈに従がって合成する事ができる。

本発明Ｏ電子写真感光体は前記一般式で表わされるジス
アゾ化合物ｔ１１ｍ又は２種以上含有する電子写真感光
層を有する。各種Ｏ形１１ｃ）電子写真感光体が知られ
ているが、本発明の電子写真感光体はそのいずれθタイ
プＯ感光体てあってもよいが通常下に例示したタイプの
電子写真感光体構造をもつ。

（１１導電性支持体上にジスアゾ化合物【バインダーあ
るいは電荷担体輸送媒体中に分散させて成る電子写真感
光層を設けたもＯｏ 偉）　導電性支持体上にジスアゾ化合物を主成分とする
電荷担体発生層を設け、その上に電荷担体輸送化合物を
設は友もＯｏ 本発明のジスアゾ化合物は光導電性物質として作用し、
光ｔａ収すると極めて＾い効率で電荷担体を発生し、発
生した電荷担体はジスアゾ化合物を媒体として輸送する
こともできるが、電荷担体輸送化合物を媒体として輸送
させた方が更に効果的である。

タイプ（１）の電子写真感光体を作成するにはジスアゾ
化合物の微粒子【バインダー溶液もしくは電荷担体輸送
化合物とバインダーを溶解した溶液中に分散せしめ、こ
れを導電性支持体上に塗布乾燥すればよい。この時の電
子写真感光層の厚さＦｉ、３〜３０声、好ましくは５〜
２０声がよい。

タイプ伐）の電子写真感光体を作成するには導電性支持
体上にジスアゾ化合物を真空蒸着するか、アミン等の溶
媒Ｋｆｄ解せしめて塗布するか、あるいはジスアゾ化合
物の微粒子を適尚な溶剤もしくは必要があれ一バインダ
ーを溶解せしめた溶剤中に分散して塗布乾燥した後、そ
Ｏ上に電荷担体輸送化合物及びバインダーを含む溶液を
塗布乾燥して得られる。この時の電荷担体発生層となる
ジスアゾ化合物層の厚みは４Ｐ以下、好ましくＦｉ２　
ｐ以下がよく、電荷担体輸送媒体層の厚みＦｉ３〜５０
ｐ、好ましくは５〜２０Ｐがよい。

ｆｉ＋及び（２）のタイプの感光体で用いられるジスア
ゾ化合物はボールオル、サンドミル、振動ミル等の分散
機によシ粒径５Ｐ以下、好ましくは２ｐ１以下に粉砕し
て用いられる。

り１ノ（１）の電子写真感光体において使用されるジス
アゾ化合物の量は少カ過ぎると感度が悪く、多すぎると
帯電性が悪くなった９、電子写真感光層０強度が弱くな
ったりし、電子写真感光層中Ｏジスアゾ化合物の占める
割合はバインダーに対しα０１〜２重１倍、好ましくは
α０５〜１１ｉｔ倍がよく、必豐に応じて添加する電荷
担体輸送化合物の割合はバインダーに対しα１〜２重量
倍、好ましくＦｉ［ｌｓ〜ｔ３１！ｉ量倍の範囲がよい
。またそれ自身バインダーとして使用できる電荷担体輸
送化合物の場合に６、ジスアゾ化合物の添加量は）（イ
ンダーに対しα０１〜２重１倍量倍使用するのが好まし
い。

またタイプ（２）の電子写真感光体において電荷担体発
生鳩となるジスアゾ化合物含有層を塗布形成する場合、
バインダーＩｌｉ′ｋｉに対するジスアゾ化合物の使用
量Ｕ１重量倍以上が好ましくそれ以下だと十分な感光性
が得られない。電荷担体輸送媒体中の電荷担体輸送化合
物０割合はバインダーに対し１２〜２重量倍、好ましく
はα５〜１．３重量倍が好ましい。それ自身バインダー
として使用できる高分子電荷担体輸送化合物を使用する
場合は、他のバインダーは無くとも使用できる。

本発明の電子写真感光体を作成する場合、バインダーと
共に可塑剤あるいは増感剤などの添加剤を使用してもよ
い。

本発明の電子写真感光体において使用される導電性支持
体としては、アルミニウム、銅、亜鉛婢の金属板、ポリ
エステル尋０７’ラスナックシートまたはプラスチック
フィルムにアルミニウム、８ｎ０１等の導電材料を蒸着
、もしくは分散塗布したもの、あるいは導電処理し九紙
尋が使用される。

バインダーとしては、ポリアミド、ボリウレタ　　　　
　１ン、ポリエステル、エポキシ樹脂、ポリケトン、ポ
リカーボネートなどＯ縮合系樹脂やポリビニルケトン、
ポリスチレン、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリア
クリルアミドなどのビニル重合体などが挙げられるが、
絶縁性で且つ接着性のある樹脂は全て使用できる。

可Ｗ　４１　トしてはビフェニル、塩化ビフェニル、０
−　ｆ　ルフェニル、ｐ−テルフェニル、シフチルフタ
レート、ジメチルグリコールフタレート、ジオクチルフ
タレート、トリフェニル燐ＦＩＩ、メチルナフタリン、
ベンゾフェノン、塩素化ノ（ラフイン、ポリプロピレン
、ポリスチレン、ジラウリルチオジグロビオネート、へ
５−ジニトロサリチル酸、各檀フルオロ巌化水素類勢が
挙けられる。

その他、電子写真感光体の表面性倉よくするために、シ
リコンオイ羨郷を加えてもよい。

増感剤としては、クロラニル、テトラシアノエチレン、
メチルバイオレット、ローダミンＢ１シアニン染料、メ
ロシアニン染料、ビリリウム染料、チアピリリウム染料
勢が挙けられる。

電荷担体を輸送する化合物として一般に電子を輸送する
化合物と正孔を輸送する化合物との二種類に分しされる
が、本発明の電子写真感光体には両者とも使用すること
ができる。電子を輸送する化合物としては電子吸引性基
を有する化合物、例えば２，４．７−）リートロー９−
フルオレノン、２．４，５．７−テトラニトロ−９−フ
ルオレノン、９−ジシアノメチレン−２，４，７−）リ
ニトロフルオレノン、９−ジシアノメチレン−２゜４．
５．７−チトラニトロフルオレノン、テトラニトロカル
バゾールクロラニル、２．ｓ−ジクロロ−５，６−ジシ
アツベンゾキノン、２，４．７−　）　１）ニトロ−９
，１０−７エナントレンキノン、テトラクロロ無水フタ
ール酸、テトラシアノエチレン、テトラシアノキノジメ
タン尋をあけることができる。

正孔を輸送する化合物としては、電子供与基を有する化
合物、例えば米国特許５５６７４５０、特公昭４９−３
５７０２、西独国特許（Ｄム８）１１１０５１８などに
開示されているトリ７工二ルアミン誘導体、米国特許５
５４２５４４、％金昭４５−５５５、％開閉５１−９５
２２４などに開示されているポリアリールアルカン誘導
体、特１１ｉｉ８５２−７２２ｉＳ１、％１ｌｉｄ４９
−１０５５５７、％公紹ｓｚ−４１ａｇなどに開示され
ているピラゾリン鱒導体、米国特許３７１７４！２、特
開昭５４−５９１４，５（米国特許４１５０９８７に対
応）、特開１８５５−５２０４３．％開開５５−５２０
４４、特開昭５５−４６７４０．特開昭５５−８Ｓ４？
５、特許１８５５−８５４９５、特１１１１５６−３３
１５３２などに開示されているヒドラゾン銹導体などが
ある。これらの電荷輸送材料は場合により２種類以上を
併用すること一可能である。

なお、以上Ｏようにして得られる感光体には、導電性支
持体と感光層の関に、必要に応じて接着層ま九はバリヤ
層を設置ることができる。これらの層に用いられる材料
としては、ポリアミド、ニトロセルロース、酸化アルミ
ニウムなどであり、これらＯＮの厚さは１　、ｕｍ以下
が好ましい。

以上本発明Ｏ電子写真用感光体について詳細に説明し九
が、本発明Ｏ電子写真感光体は一般に感度が高く耐久性
が優れているというような特徴を有している。

本発明の電子写真感光体は電子写真複写機Ｏほかレーザ
ー、ブラウン管を光源とするプリンターの感光体などの
分野に広く応用する事ができる。

本発Ｖ！Ａの電子写真感光体の他Ｏ用途としては、特開
昭５５−１６１２５０、特公昭５７−１７１４２、％願
昭５６−５ＳＳ７９に開示されている様に、４儂露光し
てトナーｉｊｇＩＩ形成後、エツチングにより高解倫力
、高耐久性、高感度の印刷板が得られる勢の工業上の利
点がある。

本発明のジスアゾ化合物を含む光導電性組成物はビデオ
カメラの撮像管の光導電層として、また公知Ｏ＠号転送
や走査を行う一次元または二次元配タリされた半導体回
路の上の全面に設けられた受光層（光導電層）を有する
固体撮倫素子の光導電層として用いることができる。

また、ム、　Ｋ、　ＧｈＯｓｈτｏｍＦ＠ｎｇ、　Ｊ、
ムｐｐ１．　Ｐｈｙｓ。

４９（１２）５９８２（１９７８）Ｋ記載されている様
に、太陽電池の光導電層としても用いることができる。

次に本発ＢＡｋ実施例によシ具体的に説明するが、これ
に１９本発明が実施例に限定されるものではない。なお
実施例中１部」とあるのは１重量部」を示す。

実施例１ ジスアゾ化合物（１）１部と４．４′−ビス（ジエチル
アミノ）−２，２’−ジメチルトリフェニルメタンＳ部
とビスフェノールムのポリカルボネート５部とをジクロ
ロメタン９５部に加え、こｔｌをボールミル中で粉砕、
混合して調液し、この塗布液をワづヤーラウンドロンド
を用いて導電性透明支持体（１００１１１１１０ポリエ
チレンテレフタレートフイルムの表面に酸化インジウム
の＃着膜を設は友もり。表面抵抗１０”　Ω）上に輸布
、乾燥して、厚さ約し４ｐｒｎＯ単層型電子写真感光層
を有する電子写真感光体を調製した。

この電子写真感光体について、靜電豪写紙試験装置（川
口電機■製、８Ｆ−４２８型）を用いて＋５ＫＶｌｉｌ
）コロナ放電により＋４２０ＶＫ帯電させ、つい−ｃ色
ｍ＊５ＱＤＤ°ＫＯタングステンランプによってその表
面４ルツクスになる様にして光を照射し、その表面電位
が初期表面電位の半分に減衰するのに要する時間を求め
半減露光１−ｅ（Ｌｕｘ、　ｓ＠ａ）を測定したところ
Ｌ　６　（Ｌｕｘ、　ｓｅｃ　）であった。帯電と露光
の２工１！ｔａｏｏｏ回繰返した彼の−ｅ値もｔｌとん
ど変化しなかった。

実施例２〜１３ ジスアゾ化合物（１）の代わりにそれぞれジスアゾ化合
物（２）、　（３）、　（４）、　＜５）、　ｕ、　１
９．　ｅＡ、　Ｇ！１．　Ｍ、　Ｉ＃。

−を用いたほかは実施例１と同様にして、単層構成の電
子写真感光体を作成し、実施例と同様にして、正帯電に
よる半減露光量を淘ｊ定し、第２表のイ１６を祷た。

＄２　　　表 実施例１４ ジスアゾ化合物（１１５Ｆとポリビニルブチラール＠ｋ
（ブデラール化度６３モル−）２ｆｌエタノール１００
−に浴かした液と共にボールミルで、２０時間分散した
後、ワイヤーラウンドロッドを用いて、導電性透明支持
体（１００ｐｍ！ＩＯポリエチレンテレフタレートフィ
ルムの表面に酸化インジウムの蒸着膜を設けたもの。表
面電気抵抗１０”Ω）上に塗布、乾燥して、厚さ１　ｐ
ｒｅ　の電荷発生層を作成した。

次ＫＩＫ荷発生鳩の上にｐ−（ジフェニルアミノ）ベン
ズアルデヒドＮ′−メチル＝Ｎ′−フェニルヒドラゾン ２部とビスフェノールＡのポリカーボネート４部とをジ
クロロメタン６０部に溶解した沼敵をワイヤーラウンド
ロッドを用いて塗布乾燥し、厚さ８μｍの電荷輸送層を
形成させて２１ＩＩからなる電子　　　　１写真感光層
を有する電子写真感光体を作成した。

この感光体を一５ＫＶのコロナ放電によシー４００Ｖに
帯電させた彼、半減露光蓋を測定し、た所、ＩＢ　Ｆｉ
５ｈ　ａ　（１ｕｘｅｓｅｃ）であった。

実施例１５〜２４ ジスアゾ化合物（１１０かわりにそれぞれジスアゾ化合
１１１Ｔ６＋−＋７１．（３）、Ｈ，鯛、−リ、Ｍ、Ｘ
、Ｉ心１輪を用いた他は実施例１４と同様にして、二層
構成Ｏ電子写真感光体を作成し、ち・を測定した。

結果を絶５表に示す。

第　５　表 実施例２５ 電荷輸送層として、ｐ−（ジフェニルアミノ）ベンズア
ルデヒドＮ′−メチル−Ｎ′−フェニルヒドラゾンの代
わシに、２，４．７−）ジニトロ−９−フルオレ２２４
部を用いた他は、実施例１１と同様にして１μｍの電荷
発生層の上に、厚さ１２μｍＩｃ）電荷輸送層を形成さ
せた。

この電子写真感光体を＋５ｘｖｏコロナ放電により＋６
００ｖに帯電させて、ｌｌ＠を測定した轡、７、２　（
ｌｕｘ＠ｓｅｃ　）であった。

実施例２６〜２９ ジスアゾ化合物（１）の代わりに、それぞれジスアゾ化
合物＋９１．　ｎ、　Ｂｅ、　ＩＩ）を甲いた他は実施
例２５と同様にして二層構成の電子写真感光体を作成し
、１ｓｏｔ＄１１定した。

結果を即４表に示す。

第４表 実施例５０ ジスアゾ化合物（１）１部と、ビスフェノールＡのポリ
カーボネート１部とｔジクロロメタン２５部に加え、こ
れｔボールミル中で粉砕、混合して調液し、こＯｍｍ液
液１ワイヤーラウンドロンド用いて導電性透明支持体（
１００μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムの表
面に酸化インジウムｏ；ｉｕｅ換を設は九−の。表面抵
抗１０１Ω）上に塗布、乾燥し７て、厚さ約９μ論の単
層型電子写真感光鳩を有する電子写真感光体を侍だ。

こＣ電子写真感光体（＋ｓｘｖのコロナ放電により＋４
５０ｖに帯電させた後、鳳■を鈍足した炭、９．８　（
ｌｕｘ＋＋ｉｅｃ　）てあった。

実施例５１〜３４ ジスアゾ化合物（１）のかわりにそれぞれジスアゾ化合
物鵠、＠３０輪、＠を用いた他は、実施例２７と同様に
して単層型の電子写真感光体を作成し、ちａｔ測測定た
。結果をｔＪＡ５表に示す。

第　５　表

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明のジスアゾ化合物０ジの赤外線吸収スペ
クトル（ＫＢｒ法）である。 代理人　弁理士（８１０７）　　佐々木　清　隆（＃１
か５名） 手続補正書 昭和５７年　６月ｆ日 Ｈ科１１５７　年特許願第７３４３７シ」２、発明の名
称 ジスアゾ化合物、それｔ含む光導電性組成物及び電子写
真感光体３、補正をする者 事件との関係：特許出願人 ８称　（５２０）富士写真フィルム株式会社７　補ＩＦ
の対象 「発明の詳細な説明」の欄 ｌ）明細書第１６頁第１１行「ハロゲンフェニル基」を
「ハロゲノフェニル基」に補正する。 ２）同、第３１頁第２行第「３８」式 に補正する。 ３）同、第３９頁、第１０行および第１１行「ジスアゾ
化合物１２＋、（３１、＋４１．　＋５１、ａ３．０５
１．　Ｃ’ｌ、Ｌ’６１Ｊ　　　　　　　。 を「ジスアゾ化合物（２１、（３１，（４１，（５１、
αＢ、α３、ａ乳層、（ホ）、（イ）」に補正する。 ４）同、第４７負、第１４行乃至第４８頁、第１１行「
正孔を輸送する化合物としては一一一可能である。」を
下記の如く補正する。 「正孔を輸送する化合物としては、電子供与基を有する
化合物１例えば高分子のものでは、１１１　　％公開３
４−１０９６６号公報記載のビリビニルカルバゾールお
よびその誘導体。 （２１％公開４３−１８６７４号公報、特公昭４３−１
９１９２号公報記載のポリビニルピレン、ポリビニルア
ントラセン、ポリ−２−ビニル−４−（４’−ジメチル
アミノフェニル）−５−フェニル−オキサゾール、ポリ
−３−ビニル−Ｎ−エチルカルノζゾールなどのビニル
１合体、 （３１特公昭４３−１９１９３号公報記載のポリアセナ
フチレン、ポリインデン、アセナフチレンとスチレンの
共重合体などのような重合体、（４）特公昭５６−１３
９４０号公報などに記載のピレン−ホルムアルデヒド樹
脂、ブロムピレン−ホルムアルデヒド樹脂、エチルカル
Ａゾールーホルムアルデヒド樹脂などの縮合樹脂、また
低分子のものでは （５）米国特許第３，１１２，１９７号明細書などに記
載されているトリアゾール誘導体、 （６）米国特許第３，１８９，４４７号明細書などに記
載されているオキサジアゾール誘導体、（７）　　特公
昭３７−１６０９６　号公報などに記載されているイミ
ダゾール誘導体、 （８）米国特許第３，６１５，４０２号、同第３，８２
０゜９８９号、同３，５４２，５４４号、特公昭４５−
５５５号、特公昭５１−１０９８３号、特開昭５１−９
３２２４号、特願昭５３−８８２７２号、！願昭５４−
７８９６８号、特開昭５５−１０８６６７号、特開昭５
５−１５６９５３号、特開昭５６−３６６５６号明細書
または公報などに記載のポリアリールアルカン誘導体、 （９）　　米国特許第３，１８０，７２９号、特願昭５
３−７５８５４号、眸昭５５−８８０６４号、特開昭５
５−８８０６５号。 特開昭４９−１０５５３７号、特開昭５５”５１０８５
号。 特開昭５６−８００５１号、特開昭５６−８８１４１号
１％開昭５７開閉５５４５号、特開昭５４−１１２６３
７号、特開昭５５−７４５４６号、明細書または公報な
どに記載されているピラゾリン誘導体およびピラゾリン
誘導体。 α・　米国特許第３，６１５，４０４号明細書、特公昭
５１−１０１０５号、％開開５４−８３４３５号、特開
昭５４−１１０８３６号、特開昭５４−１１９９２５号
、特公昭４６−３７１２号、特公昭４７−２８３３６号
明細書または公報などに記載されているフェニレンシア
イン誘導体。 ０υ　米国特許第３，５６７，４５０号、特公昭４９−
３５７０２号、西独国特許（ＤＡＳ）　　１，１１０，
５１８号、米国特許第３．１８０，７０３号、米国特許
第３，２４０゜５９７号、米国特許第３，６５８，５２
０号、米国特許第４．２３２，１０３号、米国特許第４
，１７５，９６１号、米国％軒梁４，０１２，３７６号
１％開開５５−１４４２５０号１％開昭５６−１１９１
３２号、％公開３９−２７５７７号、特開昭５６−２２
４３７号明細書または公報などに記載されているアリー
ルアミン誘導体、 １ｋ　　米国特許第３，５２６，５０１号明細書記載の
アイノ置換カルコン誘導体、 Ｑ３　　米国特許第３．５４２，５４６号明細書などに
記載のＮ、Ｎ　　−ビカル、１ジル誘導体。 ａ４　　米国特許第３，２５７，２０３号明細書などに
記載のオキサゾール誘導体。 ａｓ　　％開開５６−４６２３４号明細書などに記載の
スチリルアントラセン銹導体。 Ｑｅ　　％開開５４−１１０８３７号明細書などに記載
されているフルオレノン誘導体。 Ｏη　米国特許記３，７１７，４６２号、特開昭５４−
５９１４３号（米国特許第４，１５０，９８７号に対応
）特開昭５５−５２０６３号、Ｉ￥！開昭開開−５２０
６４号、特開昭５５−４６７６０％特開昭５５−８５４
９５号、特願昭５５−８５４９５号、特願昭５６−３３
８３２号などに開示されているヒドラゾン誘導体などが
ある。 なお本発明において、電荷担体を輸送する化合物は１１
１〜α７）Ｋあげられた化合物に限定されず、これまで
公知の全ての電荷担体輸送化合物を用いることができる
。」 ５）同、第４９頁、第５行乃至第１θ行「本発明の一一
一工業上の利点がある。」を削除する。 ６）同％第４９頁、最終行の稜に下記を加入する。 「また本発明のトリスアゾ化合物を、特公昭３７−１７
１６２号１％開昭５５開開９０６３号、特開昭５５−１
６１２５０号、特願昭５６−３３５７９号各明細書に開
示されているように。 オキサシアツール銹導体、ヒドラゾン誘導体などの前述
の電荷担体輸送性化合物とともにフェノール樹脂などの
アルカリ可溶性樹脂液中に分散し、アル１ニウ五などの
導電性支持体上に塗布、乾燥後、画像露光、トナー現像
、アルカリ水溶液によるエツチングにより、高解僚カ、
高耐久性、高感度の印刷版が得られる他、プリント回路
を作成することもできる。」 ７）同、第５１頁、第９行ｒ　ｆ５１　Ｊと「ｏ３」と
の間に「０υ」を加入する。 ８）同、＠５２頁、第２表中「ビスアノ化合物」を「ジ
スアゾ化合物」に補正する。 ９）同、第５３頁、第２行乃至第３行「酸化インジウム
」を「アルミニウム」に補正する。 １０）同、第５４負、第３表中［ビスアゾ化合物Ｊヲ「
ジスアゾ化合物」に補正する。 １１）同、第５６頁、第４表中１ビスアゾ化合物」を「
ジスアゾ化合物」Ｋ補正する。 １２）同、第５７頁、第５表の稜に下記の実施例３５を
加入する。 実施例３５ ジスアゾ顔料（１目部と実施例１４で用いたｐ−（ジフ
ェニルアミノ）−？ンズアルデヒトＮ　／−メチル−Ｎ
′−フェニルヒドラゾン１　都トｍ＝クレゾールホルム
アルデヒド樹脂６部とをエチレングリコールモノメチル
エーテル３０４１に加え、これをボールミル中で粉砕、
混合し、この塗布液を約０．２５關厚の砂目立てされか
り陽極酸化及び封孔処理されたアルミニウム板上にワイ
ヤーラウンドロッ「を用いて塗布し、９゜Ｃで１０分間
５ｏｃで１日乾燥し、厚さ約６μｍの試料を作成した。 次にこの試料に暗所で表面電位が５ｏｏｖになるように
コロナ放電を行ない、タングステン光でネガ像を露光（
３００ルツクス・秒）した後、三菱ダイヤファックスマ
スターＬＯＭ−ＥＤ）ナー（三便製紙社製）で反転現偉
を行なったところ、非常に鮮明なポジ像を印刷原板上に
得ることができた。この印刷用原板をエツチング液ＤＰ
−１（富士写真フィルム社製；ケイ醸ナトリウム水溶液
）の１０倍希釈液中に一分間浸漬し、トナーの付着して
いない部分（非画線部）の感光層を溶解除去した。その
結果、非画線部の顔料が結着剤と共に容易に除去され、
鮮明な画像の印刷版を形成することができた。 ２７５−

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １）下記の一般式〔１〕で表わされるジスアゾ化合物。 〔１〕 上記一般式［Ｏにおいて、 ムは ｎ賢 ０００１島 を表わし、 Ｘは、ヒドロキシ基とＩとが結合している上記式中Ｏベ
   ンゼン濃と縮合してナフタレン環、アントラセン濃など
   Ｏ芳香族ｌｌまたはインドール環、カルバゾール濃、ベ
   ンゾカルバゾール環、ジベンゾフラン濃などＯ複素Ｉｔ
   （いずれの橡も置換または無置換でよい。）を形成する
   のに必賛な原子団ｔし、 ＲＩ　Ｆｉアルキル基、フェニル基またはそれらの置換
   体を表わし、 Ｈａ　Ｆｉ水素原子、低級アルキル基、カルバモイル基
   、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基、アリール
   オキシカルボニル基、または置換または無置換Ｏアミノ
   基を表わし、 Ｒａ及びＲＩはアルキル基、フェニル基、ナフチル基な
   どＯ芳香族基、ジペンゾフラニル基カルバシリ＾基など
   の複素芳香族環基またはそれらの置換体に表わし、 鼠４　は水嵩腺子、アルキル基、フェニル基またはそれ
   らの置換体を表わす。 ２）下記の一般式〔１〕で表わされるジスアゾ化合物を
   含有することを特徴とする光導電性組成物。 〔１〕 上記一般式〔１〕において、 ムは ０１１！ を表わし、 ！は、ヒドロキシ基とＩとが結合している上記式中Ｏペ
   ンギン穣と縮合してナフタレン環、アントラセン環など
   Ｏ芳香族環またはインドール環、カルバソール嬢、ベン
   ゾカルバゾール環、ジベンゾフラン濃などの＊素環（い
   ずれの環も置換または無置換でよい。）を形成するのに
   必要な原子団ｔし、 １１　はアルキル基、フェニル基を九はそれらの置換体
   １表わし、 １！１　Ｕ水嵩原子、低級アルキル基、カルバモイル基
   、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基、了り−ル
   オキシカルボニル基、または置換ま九は無置換のアミノ
   基を表わし、 Ｒ１及びＲＳはアルキル基、フェニル基、ナフチル基な
   どの芳香族基、ジベンゾフラニル基、カルバゾリル基な
   どＯ複素芳香族環基を九社それらの置換体を表わし、Ｒ
   ４は水素原子、アルキル基、フェニル基またはそれらの
   置換体を表わす。 Ｓ）下記の一般式〔１〕で表わされるジスアゾ化合物を
   含有する電子写真感光層を有することを特徴とする電子
   写真感光体。 〔１〕 上記一般式〔１〕において、 ムは を表わし、 Ｘは、ヒドロキシ基とＩとが結合している上記式中のベ
   ンゼン環と縮合してナフタレン環、アントラセン環など
   の芳香族環またはインドール環、カルバソール環、ベン
   ゾカルバゾール環、ジベンゾフラン橡などＯ複素ＩＩ（
   いずれＯ壌も置換または無置換でもよい。）を形成する
   ＯＫ必景な原子団わし、 Ｒ１はアルキル基、フェニル基またＬそれらの置換体を
   表わし、 ＲＩ　Ｕ水素原子、低級アルキル基、カルバモイル基、
   カルボキシル基、アルコキシカルボニル基、アリールオ
   キシカルボニル基、または置換または無置換の７ずノ基
   を表わし、 Ｈａ及びＲＩＵアルキル基、フェニル基、ナフチル基な
   どの芳香族基、ジベンゾ７ラニル基カルバゾリル基なと
   の複素芳香族環基またはそれらの置換体を表わし、Ｒ４
   は水素原子、アルキル基、フェニル基またはそれらの置
   換体を表わす。