JPS58189134A - テレフタル酸の製造方法 - Google Patents
テレフタル酸の製造方法Info
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- JPS58189134A JPS58189134A JP57073207A JP7320782A JPS58189134A JP S58189134 A JPS58189134 A JP S58189134A JP 57073207 A JP57073207 A JP 57073207A JP 7320782 A JP7320782 A JP 7320782A JP S58189134 A JPS58189134 A JP S58189134A
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- terephthalic acid
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- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
- Y02P20/52—Improvements relating to the production of bulk chemicals using catalysts, e.g. selective catalysts
Landscapes
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本＠明はテレフタル酸の製造方法に関する庵のであり、
評しくはシ直接、グＩＪコール成分と反応させてポリエ
ステル原料造することのできる＾純度テレフタル酸の製
造方法に関するものである◎ テレフタル酸はポリエステルｑ）原料として有用であり
、通常、ノ（ラキンレンを酢噌浴媒中、菫合繊及び貝巣
（Ｉ−苫薯する１１〕存在下、分子状酸素と反応させる
所謂、ＢＤ伝により製造されている。しかしながら、通
常、ＢＤ法にヨリ製造されるテレフタル−中には１０θ
θ〜３０００ｐｐｍの弘−カルホキシペンズアルデヒト
９（以下、弘ＣＢＡと略称する）が不純物として含有６
ｎているたり、そのまま１例えば、繊維用、フィルム用
なとのポリエステル原料として使用−することはできな
い。
評しくはシ直接、グＩＪコール成分と反応させてポリエ
ステル原料造することのできる＾純度テレフタル酸の製
造方法に関するものである◎ テレフタル酸はポリエステルｑ）原料として有用であり
、通常、ノ（ラキンレンを酢噌浴媒中、菫合繊及び貝巣
（Ｉ−苫薯する１１〕存在下、分子状酸素と反応させる
所謂、ＢＤ伝により製造されている。しかしながら、通
常、ＢＤ法にヨリ製造されるテレフタル−中には１０θ
θ〜３０００ｐｐｍの弘−カルホキシペンズアルデヒト
９（以下、弘ＣＢＡと略称する）が不純物として含有６
ｎているたり、そのまま１例えば、繊維用、フィルム用
なとのポリエステル原料として使用−することはできな
い。
そのため、従来、テレフタル酸をメタノールと反応させ
てジメチルテレツメレートとしｈａしたのち、グリコー
ル成分と反応させるが、又は、テレフタル酸を高温、高
圧下で水溶媒中に溶解し、例えは、パラジウムなどの貴
金属触媒と接触はせて精製したのち、ポリエヌテル腺科
とする方法が採られてき友。
てジメチルテレツメレートとしｈａしたのち、グリコー
ル成分と反応させるが、又は、テレフタル酸を高温、高
圧下で水溶媒中に溶解し、例えは、パラジウムなどの貴
金属触媒と接触はせて精製したのち、ポリエヌテル腺科
とする方法が採られてき友。
しかしながら、これらの方法はいずれ４、ＳＤ法Ｖζよ
る粗テレフタル酸の製造プラントの他に、精製用の別の
プラントを必景とする間馳が方式を採用することＫより
、７つのプラントで直接、鍋純度テレフタル酸を製造で
きるようになった。
る粗テレフタル酸の製造プラントの他に、精製用の別の
プラントを必景とする間馳が方式を採用することＫより
、７つのプラントで直接、鍋純度テレフタル酸を製造で
きるようになった。
本出顧人は先に、７つのプラントで直接、りＯＢＡ言有
量がｊ ００ ｐｐｍ以下の高純度テレフタル酸を工業
的有利に製造するための方法として、バ５キシレンを酸
化して得たテレフタル酸を含有する混合物を、引き続き
、ｌ！！什反応温度よりも低温で追酸化し次のち、２３
！℃以上の高温で再退ブ化する方法ケ提案した。（Ｉ￥
ｉ開昭！ｊｒ−ｊ６．／！ｒ号）この方法は７つのプラ
ントで高純度テレフタル酸が得らｉｌるのは勿論のこと
、テレフタル酸の製造中に起る酢酸溶媒の燃焼損失が少
ないので、工業的に有利な方法でめる。
量がｊ ００ ｐｐｍ以下の高純度テレフタル酸を工業
的有利に製造するための方法として、バ５キシレンを酸
化して得たテレフタル酸を含有する混合物を、引き続き
、ｌ！！什反応温度よりも低温で追酸化し次のち、２３
！℃以上の高温で再退ブ化する方法ケ提案した。（Ｉ￥
ｉ開昭！ｊｒ−ｊ６．／！ｒ号）この方法は７つのプラ
ントで高純度テレフタル酸が得らｉｌるのは勿論のこと
、テレフタル酸の製造中に起る酢酸溶媒の燃焼損失が少
ないので、工業的に有利な方法でめる。
し力・しながら、上記方法では？ｉｂ温での再追酸化処
理を極端に高くすると、逆に着色成分が副生する心配か
らり、また、工業的にはエネルギーコストが高くなりす
ぎる欠点がある。したがって、上記方法を工業的に実施
する場合には、通常の俗縁使用量で一２ダ０〜．２９０
℃程度の温度でＰ＋定定住化行なうのが望しいが、この
条件下では、テレフタルは粒子は溶媒中に光全俗解する
ことなく、その一部例えは、１０〜グ０先程直かｋｍす
るのみである。この条件下での再退醗化の反応はテレフ
タル醪粒子の表層が＃ｌ解するとともに、該粒子に生き
な′１＠裂が入り、粒子内部の酸化中間体が噴媒中に抽
出さね、溶媒中に溶解した酸化中間体が追酸化を受ける
のである。その沈め、高温の追酸化を効果的に行なうた
めには、テレフタル醗粒子中の酸化中間体の油田ｔヌム
ースに行なう必賛がある・本弁明者′ｌ！け上記実情に
鑑み、上述の方法における高温の追酸化をより一層、効
果的に行なう方法を提供するため桶々検討した結果、低
温の追１１１（ヒ俊の反応混合物に対しある特定の処理
（ｉ７施すことにより、続く高温の追酸化処理が巣に効
果的に行なわれることを見い出し本発明を完成した。
理を極端に高くすると、逆に着色成分が副生する心配か
らり、また、工業的にはエネルギーコストが高くなりす
ぎる欠点がある。したがって、上記方法を工業的に実施
する場合には、通常の俗縁使用量で一２ダ０〜．２９０
℃程度の温度でＰ＋定定住化行なうのが望しいが、この
条件下では、テレフタルは粒子は溶媒中に光全俗解する
ことなく、その一部例えは、１０〜グ０先程直かｋｍす
るのみである。この条件下での再退醗化の反応はテレフ
タル醪粒子の表層が＃ｌ解するとともに、該粒子に生き
な′１＠裂が入り、粒子内部の酸化中間体が噴媒中に抽
出さね、溶媒中に溶解した酸化中間体が追酸化を受ける
のである。その沈め、高温の追酸化を効果的に行なうた
めには、テレフタル醗粒子中の酸化中間体の油田ｔヌム
ースに行なう必賛がある・本弁明者′ｌ！け上記実情に
鑑み、上述の方法における高温の追酸化をより一層、効
果的に行なう方法を提供するため桶々検討した結果、低
温の追１１１（ヒ俊の反応混合物に対しある特定の処理
（ｉ７施すことにより、続く高温の追酸化処理が巣に効
果的に行なわれることを見い出し本発明を完成した。
すなわち、本発明の要旨は、「パラキシレンを酢糟浴媒
中、電金属及び臭素を含有する触媒の存在下、分子状酸
素と反応させて連続的に尚純度テレフタル酸を製造する
に当り、■検層の第７反応器にパラキシレンと分子状酸
素とを供給シ／♂θ〜−３θ℃の温度でパラキシレンの
少なくとも９ｊ重量％をテレフタル＃に酸化したのち、
■第１反応器からの反応混合物を慣溢の第一反応器にて
第１反応器の温度よりも０〜１０℃低い温度でパラキシ
レンを供給することｙｘ＜、分子状酸素を供給し追酸化
し、更に、■第一反応器からの反応混合物を第３反応器
にて２３Ｊ〜３００℃の温度でパラキシレンを供給する
ことなく、分子状酸素を供給し再追酸什し、久いで、（
りこの混合物を晶析し戸遇することによりテレフタルｄ
’ｔ−回収する方法において、第一２反尾分力・らの置
台物ケ第３反工ε益に輸送する連中ｅこて湿式粉砕憬を
麹すことにより、混合物中のテレフタル醗粒子を粉砕Ｊ
ることを待菫とするテレフタル−の製造力＆Ｊに存する
。
中、電金属及び臭素を含有する触媒の存在下、分子状酸
素と反応させて連続的に尚純度テレフタル酸を製造する
に当り、■検層の第７反応器にパラキシレンと分子状酸
素とを供給シ／♂θ〜−３θ℃の温度でパラキシレンの
少なくとも９ｊ重量％をテレフタル＃に酸化したのち、
■第１反応器からの反応混合物を慣溢の第一反応器にて
第１反応器の温度よりも０〜１０℃低い温度でパラキシ
レンを供給することｙｘ＜、分子状酸素を供給し追酸化
し、更に、■第一反応器からの反応混合物を第３反応器
にて２３Ｊ〜３００℃の温度でパラキシレンを供給する
ことなく、分子状酸素を供給し再追酸什し、久いで、（
りこの混合物を晶析し戸遇することによりテレフタルｄ
’ｔ−回収する方法において、第一２反尾分力・らの置
台物ケ第３反工ε益に輸送する連中ｅこて湿式粉砕憬を
麹すことにより、混合物中のテレフタル醗粒子を粉砕Ｊ
ることを待菫とするテレフタル−の製造力＆Ｊに存する
。
以ト、本先明を件細に駅間する◎
本強明で対象となるテレフタル酸の製造法としてｅゴ、
パラキシレンをｌ！ｒｔ−酸俗賑中、ｌ金−を汀１する
触媒の存在）、分子状酸素と反応させる方法が牟げらｎ
る。
パラキシレンをｌ！ｒｔ−酸俗賑中、ｌ金−を汀１する
触媒の存在）、分子状酸素と反応させる方法が牟げらｎ
る。
４：矢鴫では、先ず１通常、撹拌情調の第１反応番でパ
ラキシレンの９５ｍ、ｉｔ％以上、好マしくは９／Ｊｋ
１ｋｇｆｓ以上をテレフタル酸に酸化するが、通常その
反応温度け７２０〜２３０℃、好１しくは／り０−２１
０℃であり、圧力はａ峠／−〜１００に９／ｄ、好箇し
くけ１０〜３θＩｃ９／ｃｌＩ４である。反応温度があ
まり低いとパラキシレンを十分に酸化することができず
、逆に、あまり多すきると高純度のテレフタル酸が侍ら
ｎないばかりか酢ｆｓ溶媒の燃焼損失が増大するので好
ましくない。また、ｊｇ／反応器での灰地時間はバラキ
シレンのり！１１蓋％以上がテレフタル酸に酸化できる
時間が必要であり％通常。
ラキシレンの９５ｍ、ｉｔ％以上、好マしくは９／Ｊｋ
１ｋｇｆｓ以上をテレフタル酸に酸化するが、通常その
反応温度け７２０〜２３０℃、好１しくは／り０−２１
０℃であり、圧力はａ峠／−〜１００に９／ｄ、好箇し
くけ１０〜３θＩｃ９／ｃｌＩ４である。反応温度があ
まり低いとパラキシレンを十分に酸化することができず
、逆に、あまり多すきると高純度のテレフタル酸が侍ら
ｎないばかりか酢ｆｓ溶媒の燃焼損失が増大するので好
ましくない。また、ｊｇ／反応器での灰地時間はバラキ
シレンのり！１１蓋％以上がテレフタル酸に酸化できる
時間が必要であり％通常。
３０〜−００分、好ましくＦｉダθ〜／！θ分根度でる
る・ 本発明で使用する触媒は通電、コバルトーマンカンー臭
素の三元素を含むものであり、ガえは、溶媒に対してコ
バルト４ｉ鵜として／−θ〜６θＯｐｐｍ、好ましくＦ
ｉ−〇〇〜に００ｐｐｍのコバルト化合物、コパルＨＣ
対してマンカン金属としてＯ，Ｓ〜／、６倍のマンガン
化合物及び溶媒に対して臭素として！００〜−０００
ｐｐｍ 、好−ｆしくは６０θ〜／！００ｐｐｍの臭素
化合物が使用される。これらの化合物の具体例としては
、酢つコバルト、ナフテン酸コバルトなどのコバルト化
合物、酢酸マンガン、ナフテン酸マンガンなどのマンガ
ン化合物及び臭化水素、臭化ナトリウム、臭化コバルト
、臭化マンガンなどの某系化合物が享けらｔする。なお
、臭化マンガン、夫化コバルト全使用した場合には、二
糧の触媒成分を兼ねることもできる。
る・ 本発明で使用する触媒は通電、コバルトーマンカンー臭
素の三元素を含むものであり、ガえは、溶媒に対してコ
バルト４ｉ鵜として／−θ〜６θＯｐｐｍ、好ましくＦ
ｉ−〇〇〜に００ｐｐｍのコバルト化合物、コパルＨＣ
対してマンカン金属としてＯ，Ｓ〜／、６倍のマンガン
化合物及び溶媒に対して臭素として！００〜−０００
ｐｐｍ 、好−ｆしくは６０θ〜／！００ｐｐｍの臭素
化合物が使用される。これらの化合物の具体例としては
、酢つコバルト、ナフテン酸コバルトなどのコバルト化
合物、酢酸マンガン、ナフテン酸マンガンなどのマンガ
ン化合物及び臭化水素、臭化ナトリウム、臭化コバルト
、臭化マンガンなどの某系化合物が享けらｔする。なお
、臭化マンガン、夫化コバルト全使用した場合には、二
糧の触媒成分を兼ねることもできる。
Ｍ／反足器に供給するバラキシレンと溶媒との割合は通
常、パラキシレンに対して−〜ぶ１ｆ１倍であり、溶媒
があまり少ない場合には、反ＪＥ器内の慣仔が良好に行
なわれず、爽に、後述する高温の退鹸仕が良好に行なわ
ｒｌないので好運しくない。また、匪爾俗媒中には例え
は。
常、パラキシレンに対して−〜ぶ１ｆ１倍であり、溶媒
があまり少ない場合には、反ＪＥ器内の慣仔が良好に行
なわれず、爽に、後述する高温の退鹸仕が良好に行なわ
ｒｌないので好運しくない。また、匪爾俗媒中には例え
は。
２０ｘ菫九以下の水を含有していてもよい。第１ＩＸ比
器の赦相中に供給する分子状−素は逼゛酵仝気でよく、
パラキシレンに対し分子状＃索として３〜１００モル倍
の割合で供給される。
器の赦相中に供給する分子状−素は逼゛酵仝気でよく、
パラキシレンに対し分子状＃索として３〜１００モル倍
の割合で供給される。
上述の第／の酸化反応でけ反応器からの鹸紬性ガスを冷
却して得たに紬赦の一部を反応器に還流することなく系
外に抜き出すことによって、反応器内の水分議ｆを例え
ば％！〜ｉｓ＊＊％と低纒度に調節してもより０ また、第１反応器内の反応母液中のｇａａＡ＃度を反５
５温度、圧力１時間段び触媒などを調節することにより
、す番えは、２０００ ｐｐｍ以］に保持することによ
り後述の処理が＆好に？Ｔなわれるので好ましい。
却して得たに紬赦の一部を反応器に還流することなく系
外に抜き出すことによって、反応器内の水分議ｆを例え
ば％！〜ｉｓ＊＊％と低纒度に調節してもより０ また、第１反応器内の反応母液中のｇａａＡ＃度を反５
５温度、圧力１時間段び触媒などを調節することにより
、す番えは、２０００ ｐｐｍ以］に保持することによ
り後述の処理が＆好に？Ｔなわれるので好ましい。
次に、第７反応益で得られたテレフタル酸を含有するス
ラリーを抜き出し、別の地′帛、撹拌憎型の第−反応器
に供給し、バラキシレンを供給することなく、第７反応
器の反応温度よりもθ〜！θ℃、好ｔＬ＜Ｖｉ−〜３０
（低い温度で第／ＬＪ）退（９）化処理が行なわれる。
ラリーを抜き出し、別の地′帛、撹拌憎型の第−反応器
に供給し、バラキシレンを供給することなく、第７反応
器の反応温度よりもθ〜！θ℃、好ｔＬ＜Ｖｉ−〜３０
（低い温度で第／ＬＪ）退（９）化処理が行なわれる。
この温度があまり低い場合には、反応スラリー中に含有
される酸化中間体を十分に酸化することができず、−力
、第７反応器の反応温度よりも高温の場合には、製品テ
レフタル酸の漕色成分となる不純物が生成するので好ま
しくない。また、この第１の退醸化処理の時間は通常、
コ０−９０分、対ましくけ３０〜６０分である。
される酸化中間体を十分に酸化することができず、−力
、第７反応器の反応温度よりも高温の場合には、製品テ
レフタル酸の漕色成分となる不純物が生成するので好ま
しくない。また、この第１の退醸化処理の時間は通常、
コ０−９０分、対ましくけ３０〜６０分である。
この追鈑化で使用する分子状酸素は被酸什物が少雪であ
るので、その供給蓋は第７反応器の供給蓋の／／１０〜
／／１０００程度であり、通常、酸化排ガス中の＃に索
態度が７〜６容′Ｉｋ九となる童がｔＦｆましい。分子
状酸素としては通常、空気又は不活性カスで希釈しｆｃ
空気ケ用い７′１はよい。
るので、その供給蓋は第７反応器の供給蓋の／／１０〜
／／１０００程度であり、通常、酸化排ガス中の＃に索
態度が７〜６容′Ｉｋ九となる童がｔＦｆましい。分子
状酸素としては通常、空気又は不活性カスで希釈しｆｃ
空気ケ用い７′１はよい。
上述σ〕低温での迫醗化を終えた混合物はテレフタル酸
の＊實的生てが結晶として析出したスラリーでめり、逼
富、この混合物を高圧部に圧入するこ・とシ（より弁比
し、次いで、外温した後。
の＊實的生てが結晶として析出したスラリーでめり、逼
富、この混合物を高圧部に圧入するこ・とシ（より弁比
し、次いで、外温した後。
高温でのＰ＋追帥化を竹なうか、本発明において汀、第
−反ＩＣ器からの灰地混合物を第３反応器に輌込する連
中で、１Ｂましくは昇温処理１１％更ｋ（、対重しく？
′ｉ弁圧処坦面の軸込連中にて混合物を湿式初伜憬を危
すことｒ（より、テレフタルは粒子を粉砕処理すること
を必須の散性とするものでろる。この処理によりｍ合物
中のテレフタル＠粒子が小さくなるため、後の高温での
再迫触化において１粒子中の中間体か溶媒中に佃出され
易くなり、その結果、追酸化反応が効率的に行なわれる
のである。
−反ＩＣ器からの灰地混合物を第３反応器に輌込する連
中で、１Ｂましくは昇温処理１１％更ｋ（、対重しく？
′ｉ弁圧処坦面の軸込連中にて混合物を湿式初伜憬を危
すことｒ（より、テレフタルは粒子を粉砕処理すること
を必須の散性とするものでろる。この処理によりｍ合物
中のテレフタル＠粒子が小さくなるため、後の高温での
再迫触化において１粒子中の中間体か溶媒中に佃出され
易くなり、その結果、追酸化反応が効率的に行なわれる
のである。
湿式粉砕機としては混合物中のテレフタル酸粒子を所望
の粒径まで粉砕できるものであればとのような型のもの
でもよく、特に限定されないが、例えは、せん断摩砕型
切断せん断ミル型、ボールミル型、コロイドきル型、衝
撃式粉砕蝋型などの湿式粉砕機が使用される。粉砕処Ｍ
ＡＦｉ追・帛、テレフタル酸粒子の平均粒径が処理前に
較べて、０．♂倍以下、好ましくけ０．２〜０．−倍機
藏となるように実施される。テレフタル醗粒子σ〕粉砕
程度があまり少ないと、＾温での追酸化反応をより効果
的に実施することができない。
の粒径まで粉砕できるものであればとのような型のもの
でもよく、特に限定されないが、例えは、せん断摩砕型
切断せん断ミル型、ボールミル型、コロイドきル型、衝
撃式粉砕蝋型などの湿式粉砕機が使用される。粉砕処Ｍ
ＡＦｉ追・帛、テレフタル酸粒子の平均粒径が処理前に
較べて、０．♂倍以下、好ましくけ０．２〜０．−倍機
藏となるように実施される。テレフタル醗粒子σ〕粉砕
程度があまり少ないと、＾温での追酸化反応をより効果
的に実施することができない。
低温での追は化の終えな混合物を昇圧する際には、通常
、混合物をポンプ全通して高圧部に圧入することにより
付なわれる。昇圧後の圧力は混合物を枕〈工程で加熱し
た場合に、混合物が十分に液相を保持できる圧力であり
、通常、工業的には３０〜／ａＯｋｇ７ｃｄである。こ
の圧力金株持するためには沙４１えは、窒素ガスなどの
め昇温するが、この温度ｉｉ ２ ｊ ７〜３００℃、
好１しくにλ４ｔＯ〜−タＱ℃である。この温度があま
り低込と混合物中のテレフタル酸粒子のｐぐ゛ 浴Ｍ２４が低いため、粒子中の中間体′＃Ｉ浴媒中に良
好に抽出きれず、そのため、追酸化反応か効率的に行な
われず、また、１リーすさると経隣的でないはかりか、
着色不純物が生成する恐れかめる。昇温処理は、通常、
混合物を加熱器ケ遍すことにより行なわれ、加熱器とし
てけ汐りえは、モノチューブ型又はマルチチューブ型の
チューブ型熱交換器が便用される。
、混合物をポンプ全通して高圧部に圧入することにより
付なわれる。昇圧後の圧力は混合物を枕〈工程で加熱し
た場合に、混合物が十分に液相を保持できる圧力であり
、通常、工業的には３０〜／ａＯｋｇ７ｃｄである。こ
の圧力金株持するためには沙４１えは、窒素ガスなどの
め昇温するが、この温度ｉｉ ２ ｊ ７〜３００℃、
好１しくにλ４ｔＯ〜−タＱ℃である。この温度があま
り低込と混合物中のテレフタル酸粒子のｐぐ゛ 浴Ｍ２４が低いため、粒子中の中間体′＃Ｉ浴媒中に良
好に抽出きれず、そのため、追酸化反応か効率的に行な
われず、また、１リーすさると経隣的でないはかりか、
着色不純物が生成する恐れかめる。昇温処理は、通常、
混合物を加熱器ケ遍すことにより行なわれ、加熱器とし
てけ汐りえは、モノチューブ型又はマルチチューブ型の
チューブ型熱交換器が便用される。
井龜体の混合物は引きＶｊｅき、通常、攪秤惜型の第３
反尾器に供給し丹迫飲化を行なう。反応岳Ｖｉ逼冨、第
／及び第一反応器と同様に上部に還流冷却−を南するも
のが皐げらｎる。再追酢１１１ 化の＠嵐は前記の加熱温度と同様で、また、涌１Ｍ１時
間は１〜７２０分、好−ましくは７０〜６０分でるる。
反尾器に供給し丹迫飲化を行なう。反応岳Ｖｉ逼冨、第
／及び第一反応器と同様に上部に還流冷却−を南するも
のが皐げらｎる。再追酢１１１ 化の＠嵐は前記の加熱温度と同様で、また、涌１Ｍ１時
間は１〜７２０分、好−ましくは７０〜６０分でるる。
この追酸化で使用する分子状酸素の童は通常、混合物中
のテレフタル酸に対して、０．００ ｊ〜０．３モル倍
、好ましく ｊ−ｉ ０．０ ／〜０，１モル倍である
。分子状酸素としては通常、空気であり、鍮化排カス中
の酸素１ｍ１１度は実貴的にゼロである。
のテレフタル酸に対して、０．００ ｊ〜０．３モル倍
、好ましく ｊ−ｉ ０．０ ／〜０，１モル倍である
。分子状酸素としては通常、空気であり、鍮化排カス中
の酸素１ｍ１１度は実貴的にゼロである。
また、本発明では第一反応器からの混合物を昇圧後から
昇温途中の流路において５分子状酸素を供給し加熱器中
で４追醸化を行なうと、更に、効率的な追酸化が実施で
きるので好ましい。
昇温途中の流路において５分子状酸素を供給し加熱器中
で４追醸化を行なうと、更に、効率的な追酸化が実施で
きるので好ましい。
この場合の分子状酸素としては通常、空気であり、その
供給量は混合物中のテレフタル酸に対して、０．００３
〜０．３モル倍、好ましくは０．０７〜０，１倍である
。
供給量は混合物中のテレフタル酸に対して、０．００３
〜０．３モル倍、好ましくは０．０７〜０，１倍である
。
扁温でのト追酸化ｔ−終え九混合物は常法に従って晶析
される。晶析処理は通常、多段で行ない徐々に温度、圧
力金工けて行くのが好ましい。
される。晶析処理は通常、多段で行ない徐々に温度、圧
力金工けて行くのが好ましい。
次に、例えば％遠心分離などの固液分離を行ない、テレ
フタル酸の結晶を回収することができる。テレフタル酸
の結晶は必要に応じて、″例えば、水又は酢酸などにて
洗浄したのち乾■処理され製品となる。一方、反応母液
は通ｎ、蒸留塔に送らね生成水、触媒、副生物を除去し
酢酸を回収する。また、本発明でＦｉｆ５１．応母液中
の剛生物、特に、醗什反応′ｆｒ妨害する不純物が極め
て少ないので、反工Ｃ＠液の１０−♂θｌ置丸をそのま
ま！＠／反応器ヘリサイクルすることもできる。
フタル酸の結晶を回収することができる。テレフタル酸
の結晶は必要に応じて、″例えば、水又は酢酸などにて
洗浄したのち乾■処理され製品となる。一方、反応母液
は通ｎ、蒸留塔に送らね生成水、触媒、副生物を除去し
酢酸を回収する。また、本発明でＦｉｆ５１．応母液中
の剛生物、特に、醗什反応′ｆｒ妨害する不純物が極め
て少ないので、反工Ｃ＠液の１０−♂θｌ置丸をそのま
ま！＠／反応器ヘリサイクルすることもできる。
以上、本健明に・よｎば、４ｔＣＢＡ言南−電がｊｏｏ
ｐｐｕＩＪｙ７の高純度テレフタル酸ヲ／っのフラ／ト
において製造する際、より高純度のテレフタル酸が容易
に製造できるので、工東的且つ経隣的に億めて有オリな
ものである。
ｐｐｕＩＪｙ７の高純度テレフタル酸ヲ／っのフラ／ト
において製造する際、より高純度のテレフタル酸が容易
に製造できるので、工東的且つ経隣的に億めて有オリな
ものである。
次に、杢兜明を夷りし１２Ｖ（より史に計細に駄明する
か１本冗明はその安旨全、越えない限り以下ｌＪ実施−
」に限定さｎるものではない。
か１本冗明はその安旨全、越えない限り以下ｌＪ実施−
」に限定さｎるものではない。
なる・、実施レリ中、Ｕ部」とあるのけｒａｍ部」を表
わす。
わす。
＊地Ｖ１」
第７図のフローシートに示す反応装置を用いて反応を行
なった。
なった。
還流冷却装置、撹拌装置、原料及び溶媒送入口、空気導
入口Ｅｔぴ反応スラリー抜出口を備えｆＣ耐圧チタン裂
の第１反応６７に、パイプ１０よりパラキシレン７部／
時、水ｓ９６を含む酢酸９、ｊ部／時と酢酸コバル）、
４を水和物０．００コｊ８／時、酢酸マンガン・ダ水和
物０．ＱＯλ７齢旬及び脅２丸臭化水素＄０．００３り
Ｓ／時よりなる混合物を供給し、温度−ｏｏ℃、圧力／
１ｋｇ／−Ｇ、涌′ｍ時間？０分の条件下、酸化ガスと
して空気を用い、＃化反応の排ガス中の一木磯度が弘谷
電九となるようにパイプ／／より供給し、パイプ１４ｔ
より還流液／、ｊＷＡＳ１時を抜き出し反応器／中の水
分濃度を約７０重倉九にコントロールし、バラキシレン
の液相鹸化反応を行なった。
入口Ｅｔぴ反応スラリー抜出口を備えｆＣ耐圧チタン裂
の第１反応６７に、パイプ１０よりパラキシレン７部／
時、水ｓ９６を含む酢酸９、ｊ部／時と酢酸コバル）、
４を水和物０．００コｊ８／時、酢酸マンガン・ダ水和
物０．ＱＯλ７齢旬及び脅２丸臭化水素＄０．００３り
Ｓ／時よりなる混合物を供給し、温度−ｏｏ℃、圧力／
１ｋｇ／−Ｇ、涌′ｍ時間？０分の条件下、酸化ガスと
して空気を用い、＃化反応の排ガス中の一木磯度が弘谷
電九となるようにパイプ／／より供給し、パイプ１４ｔ
より還流液／、ｊＷＡＳ１時を抜き出し反応器／中の水
分濃度を約７０重倉九にコントロールし、バラキシレン
の液相鹸化反応を行なった。
第１反応６７からの混合物はパイプ／ｊを通り第１反応
６７と陶じ装備の第−反応器一に連続市に供給した。
６７と陶じ装備の第−反応器一に連続市に供給した。
第−反応器一では温度／！、ｔ℃、圧力／／匈／−Ｇ、
滞貿時間３０分の条件下で、パイプ／−から鹸化反応の
排ガス中の酸素濃度がダ容量九となるように、空気を供
給し追酸化を行なった。
滞貿時間３０分の条件下で、パイプ／−から鹸化反応の
排ガス中の酸素濃度がダ容量九となるように、空気を供
給し追酸化を行なった。
第−反え＠−からの混合物はパイプ／６を通り１次いで
、ぜん断摩砕型湿式粉砕機３に送られ、析出しているテ
レフタル酸粒子を粉砕処理したグ〕ち、昇圧・ボンプダ
により圧力６５〜／ｉＧに昇圧し更に、パイプ／６の途
中でパイプ７．２から空気０．０−１ｈ／時を加えたの
ち、モノチューブ型加熱器ｊに供給し、加熱器ｊ中で爵
追酸化を竹なうと七もに混合物の温＃を一７ｊ℃まで昇
温した。
、ぜん断摩砕型湿式粉砕機３に送られ、析出しているテ
レフタル酸粒子を粉砕処理したグ〕ち、昇圧・ボンプダ
により圧力６５〜／ｉＧに昇圧し更に、パイプ／６の途
中でパイプ７．２から空気０．０−１ｈ／時を加えたの
ち、モノチューブ型加熱器ｊに供給し、加熱器ｊ中で爵
追酸化を竹なうと七もに混合物の温＃を一７ｊ℃まで昇
温した。
更に、加熱器ｊ倉出た混合物は次いで、第１反ｆＦ−器
／とｈじ装備を持つ第３反尾器乙に供給した。第３反え
器６では温１ｉ−２７−’ｔ：、圧力６ｊ榴／―Ｇ、滑
貿時間３０分の条件下で、空気０．０６ｍ１時をパイプ
／３より供給し再追醗化を行なった。
／とｈじ装備を持つ第３反尾器乙に供給した。第３反え
器６では温１ｉ−２７−’ｔ：、圧力６ｊ榴／―Ｇ、滑
貿時間３０分の条件下で、空気０．０６ｍ１時をパイプ
／３より供給し再追醗化を行なった。
このように順次、追酸化を行なったのち、混合物を１１
仇器２にて冷却晶析し、次いで、遠心分離機ｔで混合物
を許過してテレフタル酸の結 ダ晶を回収した。
仇器２にて冷却晶析し、次いで、遠心分離機ｔで混合物
を許過してテレフタル酸の結 ダ晶を回収した。
上述のようにして得念テレフタル酸につき、りＣＢＡ含
有量及び透過率（Ｔ３４゜）を測定し第１表に示す結果
を得た。ま之、参考のため、湿式粉Ｐｂ３を通過したス
ラリーをサンプリングし、スラリー中のテレフタル酸粒
子の平均粒径を湿式ふるい法による１蓋累積分布の６０
Ｘ唾（Ｄｓｏ ）より求め、その社を第１表に示した。
有量及び透過率（Ｔ３４゜）を測定し第１表に示す結果
を得た。ま之、参考のため、湿式粉Ｐｂ３を通過したス
ラリーをサンプリングし、スラリー中のテレフタル酸粒
子の平均粒径を湿式ふるい法による１蓋累積分布の６０
Ｘ唾（Ｄｓｏ ）より求め、その社を第１表に示した。
比紗例
他は実施レリと全く同様の方法でテストを行ない、第７
次に示す結果を侍た〇 第７表
次に示す結果を侍た〇 第７表
第１図ｄ本発明で使用した反応器＆を示すフローシート
であり、／は第１反応器、−は第コ尺尾器、３は湿式粉
砕慎、乙は第３反応器、７け晶析器を示す０、 出 顧 人 三菱化成工業株式会社 代 堆 入 弁理士 長谷用 − （ほか７名）
であり、／は第１反応器、−は第コ尺尾器、３は湿式粉
砕慎、乙は第３反応器、７け晶析器を示す０、 出 顧 人 三菱化成工業株式会社 代 堆 入 弁理士 長谷用 − （ほか７名）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 し く１］ パラキシΦνを酢＃溶媒中、］［金属及び臭
素を含有する触媒の存在下、分子状酸素と反応・させて
連続的に高純度テレフタル酸を＃造するに当り、■桶型
の第７反応器にパラキシレンと分子状＃素とを供給し７
２０〜．２３０℃の？ｌ１ｏｉｉでパラキシレンの少な
（とも？す１普Ｘｒテレフタル酸に酸化したのち、■第
７反応器からの反応混合物を槽型の第−反応器にて第７
反応器の温度より屯０〜ｊＯ℃低い温度でバラキシレン
を供給することなく、分子状師系を供給し追鈑化し、爽
に、■第−反比器力）らの反え混合物を第３反応器にて
一３ｊ〜！００℃のａｍでパラキシレンを供給すること
なく、分子状酸素全供給し再追師化し、次いで、■この
混合物全晶析し濾過することにＬ Ｆ） ｆ Ｌｙフタ
ル＠を回収する方法において。 第−反応器からの混合物を第３反応器に輸送する途中に
て湿式粉砕機を通すことにより、混合物中のテレフタル
酸粒子を粉砕することを特徴とするテレフタル酸の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57073207A JPS58189134A (ja) | 1982-04-30 | 1982-04-30 | テレフタル酸の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57073207A JPS58189134A (ja) | 1982-04-30 | 1982-04-30 | テレフタル酸の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58189134A true JPS58189134A (ja) | 1983-11-04 |
| JPH0328409B2 JPH0328409B2 (ja) | 1991-04-19 |
Family
ID=13511468
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57073207A Granted JPS58189134A (ja) | 1982-04-30 | 1982-04-30 | テレフタル酸の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58189134A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008511640A (ja) * | 2004-09-02 | 2008-04-17 | イーストマン ケミカル カンパニー | 最適化液相酸化 |
| JP2008511647A (ja) * | 2004-09-02 | 2008-04-17 | イーストマン ケミカル カンパニー | 最適化液相酸化 |
| JP2008511665A (ja) * | 2004-09-02 | 2008-04-17 | イーストマン ケミカル カンパニー | 最適化液相酸化 |
| JP2008511656A (ja) * | 2004-09-02 | 2008-04-17 | イーストマン ケミカル カンパニー | 粗製テレフタル酸組成物及びその製造方法 |
-
1982
- 1982-04-30 JP JP57073207A patent/JPS58189134A/ja active Granted
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008511640A (ja) * | 2004-09-02 | 2008-04-17 | イーストマン ケミカル カンパニー | 最適化液相酸化 |
| JP2008511647A (ja) * | 2004-09-02 | 2008-04-17 | イーストマン ケミカル カンパニー | 最適化液相酸化 |
| JP2008511665A (ja) * | 2004-09-02 | 2008-04-17 | イーストマン ケミカル カンパニー | 最適化液相酸化 |
| JP2008511656A (ja) * | 2004-09-02 | 2008-04-17 | イーストマン ケミカル カンパニー | 粗製テレフタル酸組成物及びその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0328409B2 (ja) | 1991-04-19 |
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